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H01L　半導体装置；他に分類されない電気固体装置(測定するための半導体装置の使用G01；レジスタ一般にH01C；磁石、インダクタンスコイル{一般に}、トランスH01F；コンデンサ一般にH01G；電解装置H01G 9/00；電池、アキュムレータH01M；導波管、導波管タイプの共振器または線H01P；線コネクタ、集電装置H01R；誘導放出装置H01S；電気機械共振器H03H；拡声器、マイクロホン、蓄音機ピックアップまたは同類音響電気機械変換器H04R；電気光源一般にH05B；プリント回路、ハイブリッド回路、電気装置の箱体または構造的細部、電気部品の組立体の製造H05K；特定のアプリケーションを有する回路の半導体装置の使用、アプリケーションについてサブクラスを参照する)

H01L 21/00 方法または装置は、製造または半導体または固体装置の処置のためにまたはそれのパーツの中で適応した({試験するかまたは製造または処理の間、測定すること、または信頼性測定値H01L 22/00；潜在的ジャンプのない受動的な2-端末構成素子のための多段階製造プロセスまたは集積回路のための表面バリヤH01L 28/00；}(方法または製造またはグループの中に提供される装置の処置に特有の装置H01L 31/00 to H01L 51/00 または、それのパーツの中で、これらのグループを参照、他のサブクラスにより適用されられる方法に一つの操作ごとに一つの命令を入れると、関連したサブクラスが知る、例えば C23C, C30B；凹凸のある、またはパターン化された表層の写真製版法の製造、材料またはオリジナルしたがって、装置は、したがって特別に適応した、一般にG03F))

H01L 21/02 ・製造または半導体装置のまたはそれのパーツの処置

H01L 21/02002 ・・{プレペアリング・ウェーハ}

H01L 21/02005 ・・・{プレペアリング大きさおよび均一なウェーハ}

H01L 21/02008 ・・・・{多段階方法}

H01L 21/0201 ・・・・・{特定のプロセス段階}

H01L 21/02013 ・・・・・・{挽くこと、ラッピング}

H01L 21/02016 ・・・・・・{後方処理}

H01L 21/02019 ・・・・・・{化学エッチング}

H01L 21/02021 ・・・・・・{端処理、面取り}

H01L 21/02024 ・・・・・・{ミラーつや出し}

H01L 21/02027 ・・・・{設定水晶の方位}

H01L 21/0203 ・・・・{表層上の穴の多い地方に着くこと}

H01L 21/02032 ・・・・{取り戻すかまたは再加工することによって}

H01L 21/02035 ・・・・{形削り}

H01L 21/02038 ・・・{絶縁層を有するプレペアリング・ウェーハ、例えばSOIウェーハ}

H01L 21/02041 ・・{清掃}

H01L 21/02043 ・・・{装置製造の前の清掃、すなわちBegin-Of-Lineプロセス}

H01L 21/02046 ・・・・{ドライクリーニングだけ(H01L 21/02085 優位をとる)}

H01L 21/02049 ・・・・・{ガスのHFと}

H01L 21/02052 ・・・・{洗浄だけ(H01L 21/02085 優位をとる)}

H01L 21/02054 ・・・・{乾燥および洗浄ステップを結合すること(H01L 21/02085 優位をとる)}

H01L 21/02057 ・・・{装置製造の間の清掃}

H01L 21/0206 ・・・・{の間、、絶縁層の処理の前か後に}

H01L 21/02063 ・・・・・{バイアまたはコンタクトホールの形成である処理}

H01L 21/02065 ・・・・・{絶縁層の平坦化である処理}

H01L 21/02068 ・・・・{導電層の処理の間、の前にまたはの後、例えばポリシリコンまたはアモルファス・シリコン層}

H01L 21/02071 ・・・・・{描写である処理、例えばリエ、導電層の}

H01L 21/02074 ・・・・・{導電層の平坦化である処理}

H01L 21/02076 ・・・{下地の後できれいになることは、singulatedされた}

H01L 21/02079 ・・・{取り戻すための清掃}

H01L 21/02082 ・・・{掃除される製品}

H01L 21/02085 ・・・・{ダイヤモンドの清掃}

H01L 21/02087 ・・・・{ウェーハ端の清掃}

H01L 21/0209 ・・・・{ウェーハ後方の清掃}

H01L 21/02093 ・・・・{多孔性材料の清掃}

H01L 21/02096 ・・・{機械的清浄だけ}

H01L 21/02098 ・・・{レーザーを含むだけであること、例えばレーザアブレーション}

H01L 21/02101 ・・・{臨界超過の流体を含むだけであること}

H01L 21/02104 ・・{フォーミング（成形）層(堆積一般にC23C；水晶の成長一般にC30B)}

H01L 21/02107 ・・・{絶縁材料を下地の上に形成すること}

H01L 21/02109 ・・・・{層のタイプによって、特徴付けられる、例えば材料のタイプ、穴が多い/非穴が多い、前駆体、混合物または積層体}

H01L 21/02112 ・・・・・{層の材料によって、特徴付けられる}

H01L 21/02115 ・・・・・・{カーボンである材料、例えばアルファ-C、ダイヤモンドまたは水素ドーピングしたカーボン}

H01L 21/02118 ・・・・・・{カーボンは、重合有機であるか無機材料の基礎を形成した、例えばポリイミド、ポリシクロブテンまたはPVC(重合体それ自体C08G、フォトレジストそれ自体G03F)}

H01L 21/0212 ・・・・・・・{材料存在フルオロ炭素化合物、例えば (CFx)}n、(CHxFy)nまたはポリテトラフルオロエチレン]

H01L 21/02123 ・・・・・・{シリコンを含んでいる材料}

H01L 21/02126 ・・・・・・・{Siを含んでいる材料、OおよびH、N、C、Fまたは他の非金属素子のうちの少なくとも1つ、例えばSiOC、SiOC：HまたはSiONC}

H01L 21/02129 ・・・・・・・・{ホウ素またはリン・ドーピングしたシリコン酸化物である材料、例えばBPSG、BSGまたはPSG}

H01L 21/02131 ・・・・・・・・{ハロゲン・ドーピングしたシリコン酸化物である材料、例えばFSG}

H01L 21/02134 ・・・・・・・・{水素シルセスキオキサンから成る材料、例えばHSQ}

H01L 21/02137 ・・・・・・・・{アルキルシルセスキオキサンから成る材料、例えばMSQ}

H01L 21/0214 ・・・・・・・・{シリコン酸素窒化物である材料、例えばシオンまたはシオン：H}

H01L 21/02142 ・・・・・・・{シリコンおよび少なくとも一つの金属素子を含んでいる材料、例えば金属ケイ酸塩は、絶縁体または金属シリコン酸素窒化物sの基礎を形成した}

H01L 21/02145 ・・・・・・・・{アルミニウムを含んでいる材料、例えばAlSiOx}

H01L 21/02148 ・・・・・・・・{ハフニウムを含んでいる材料、例えばHfSiOxまたはHfSiON}

H01L 21/0215 ・・・・・・・・{タンタルを含んでいる材料、例えばTaSiOx}

H01L 21/02153 ・・・・・・・・{チタンを含んでいる材料、例えばTiSiOx}

H01L 21/02156 ・・・・・・・・{少なくとも一つの希土類元素を含んでいる材料、例えばランタニドのケイ酸塩、スカンジウムまたはイットリウム}

H01L 21/02159 ・・・・・・・・{ジルコニウムを含んでいる材料、例えばZrSiOx}

H01L 21/02161 ・・・・・・・・{複数の金属素子を含んでいる材料}

H01L 21/02164 ・・・・・・・{シリコン酸化物である材料、例えばSiO2}

H01L 21/02167 ・・・・・・・{酸素を含んでいない炭化けい素である材料、例えば原文のまま、原文のまま：Hまたはシリコンcarbonitrides(H01L 21/02126 and H01L 21/0214 優位をとる)}

H01L 21/0217 ・・・・・・・{酸素を含んでいない窒化けい素である材料、例えばSixNyまたはSixByNz(H01L 21/02126 そして、H01L 21/0214 優位をとる)}

H01L 21/02172 ・・・・・・{少なくとも一つの金属素子を含んでいる材料、例えば金属酸化物、金属窒化物、金属酸素窒化物sまたは金属炭化物(シリコンを含んでいる材料H01L 21/02123；金属ケイ酸塩H01L 21/02142)}

H01L 21/02175 ・・・・・・・{金属によって、特徴付けられる(H01L 21/02197 優位をとる)}

H01L 21/02178 ・・・・・・・・{アルミニウムを含んでいる材料、例えばAl2O3}

H01L 21/02181 ・・・・・・・・{ハフニウムを含んでいる材料、例えばHfO2}

H01L 21/02183 ・・・・・・・・{タンタルを含んでいる材料、例えばTa2O5}

H01L 21/02186 ・・・・・・・・{チタンを含んでいる材料、例えばTiO2}

H01L 21/02189 ・・・・・・・・{ジルコニウムを含んでいる材料、例えばZrO2}

H01L 21/02192 ・・・・・・・・{少なくとも一つの希土類元素素子を含んでいる材料、例えばランタニドの酸化物、スカンジウムまたはイットリウム}

H01L 21/02194 ・・・・・・・・{複数の金属素子を含んでいる材料}

H01L 21/02197 ・・・・・・・{ペロブスカイト構造を有する材料、例えばBaTiO3}

H01L 21/022 ・・・・・{積層体（すなわち副層から成る）である層例えば多くの交流高いk金属酸化物(粘着力層または応力緩衝材 H01L 21/02304, H01L21/02362)}

H01L 21/02203 ・・・・・{穴が多い層}

H01L 21/02205 ・・・・・{堆積のための前駆体物質によって、特徴を描写されている層}

H01L 21/02208 ・・・・・・{Siから成る合成物を含んでいる前駆体}

H01L 21/02211 ・・・・・・・{シランである合成物、例えばdisilane、methylsilaneまたはchlorosilane}

H01L 21/02214 ・・・・・・・{シリコンおよび酸素から成る合成物}

H01L 21/02216 ・・・・・・・・{少なくとも一つのシリコン酸素結合から成る分子である合成物および水素または有機グループを有する合成物は、シリコンまたは酸素に付着した、例えばシロキサン}

H01L 21/02219 ・・・・・・・{シリコンおよび窒素から成る合成物}

H01L 21/02222 ・・・・・・・・{シラザンである合成物}

H01L 21/02225 ・・・・{絶縁層の形成のための方法によって、特徴付けられる}

H01L 21/02227 ・・・・・{堆積プロセス以外の過程までの形成}

H01L 21/0223 ・・・・・・{酸化による形成、例えば下地の酸化}

H01L 21/02233 ・・・・・・・{半導体基板または半導体層の}

H01L 21/02236 ・・・・・・・・{グループIV半導体}

H01L 21/02238 ・・・・・・・・・{結合してない形式のシリコン、すなわち純粋なシリコン}

H01L 21/02241 ・・・・・・・・{III〜V半導体}

H01L 21/02244 ・・・・・・・{金属的層の}

H01L 21/02247 ・・・・・・{窒化作用による形成、例えば下地の窒化作用}

H01L 21/02249 ・・・・・・{複合酸化および窒化作用による形成は、同時に実行した}

H01L 21/02252 ・・・・・・{プラズマ処理による形成、例えば下地のプラズマ酸化(プラズマによる絶縁膜の処理の後、H01L 21/3105 そして、サブグループ)}

H01L 21/02255 ・・・・・・{熱処理による形成(H01L 21/02252 優位をとる；絶縁膜の処理の後、H01L 21/3105 そして、サブグループ)}

H01L 21/02258 ・・・・・・{陽極処理による形成、例えば陽極酸化}

H01L 21/0226 ・・・・・{堆積過程までの形成(それ自体C23C)}

H01L 21/02263 ・・・・・・{ガスまたは蒸気位相からの堆積}

H01L 21/02266 ・・・・・・・{目標の物理的な除去による堆積、例えばスパッタリング、反応性スパッタリング、物理的な蒸気堆積またはパルスレーザ堆積}

H01L 21/02269 ・・・・・・・{熱蒸発による堆積、 H01L 21/02293 優位をとる}

H01L 21/02271 ・・・・・・・{分解による堆積またはガス状のまたは蒸気位相合成物の反応、すなわち化学蒸気堆積(H01L 21/02266 優位をとる)}

H01L 21/02274 ・・・・・・・・{プラズマがある場合には、(PECVD)}

H01L 21/02277 ・・・・・・・・{プラズマまたはサーマルより別の手段により起動している反応、例えばフォトCVD}

H01L 21/0228 ・・・・・・・・{周期的CVDによる堆積、例えばALD、ALE、鼓動されたCVD}

H01L 21/02282 ・・・・・・{液体沈澱、例えば回転-コーティング、ゾルゲル技術、スプレー塗装}

H01L 21/02285 ・・・・・・・{ラングミュア-Blodgett技術}

H01L 21/02288 ・・・・・・・{印刷すること、例えばインクジェット式印字(それ自体B41J)}

H01L 21/0229 ・・・・・・・{液体原子層沈澱}

H01L 21/02293 ・・・・・・{堆積過程までのエピタキシャル層の形成(エピタキシャル成長それ自体C30B)}

H01L 21/02296 ・・・・{層の形成の前か後に実行される処理によって、特徴付けられる(H01L 21/02227 そして、サブグループは優位をとる)}

H01L 21/02299 ・・・・・{前処理}

H01L 21/02301 ・・・・・・{元の位置の清掃}

H01L 21/02304 ・・・・・・{中間層の形成、例えば応力緩衝材、粘着力を向上させる層、格子のマッチまたは拡散隔膜}

H01L 21/02307 ・・・・・・{液体への暴露による処理}

H01L 21/0231 ・・・・・・{電磁放射への露出による処理、例えば紫外線}

H01L 21/02312 ・・・・・・{ガスまたは蒸気への露出による処理}

H01L 21/02315 ・・・・・・・{プラズマへの暴露による処理}

H01L 21/02318 ・・・・・{後処理}

H01L 21/02321 ・・・・・・{すでに既存の絶縁層への物質の導入；H01L 21/02227 そして、サブグループは優位をとる}

H01L 21/02323 ・・・・・・・{酸素の導入}

H01L 21/02326 ・・・・・・・・{窒化層に、例えば罪をシオンに変えること}

H01L 21/02329 ・・・・・・・{窒素の導入}

H01L 21/02332 ・・・・・・・・{酸化物層に、例えばSiOをシオンに変えること}

H01L 21/02334 ・・・・・・{層形成の後の元の位置の清掃、例えば方法残りを取り除くこと(組成物を掃除することそれ自体C30D；清掃一般にB08B)}

H01L 21/02337 ・・・・・・{ガスまたは蒸気への露出による処理}

H01L 21/0234 ・・・・・・・{プラズマへの暴露による処理}

H01L 21/02343 ・・・・・・{液体への暴露による処理}

H01L 21/02345 ・・・・・・{放射線への暴露による処理、例えば可視光}

H01L 21/02348 ・・・・・・・{紫外線への暴露による処理}

H01L 21/02351 ・・・・・・・{血球放射線への暴露による処理、例えば電子への暴露、α粒子、陽子またはイオン}

H01L 21/02354 ・・・・・・・{整合的な放射線を使用すること、例えばレーザー}

H01L 21/02356 ・・・・・・{絶縁層の形態を変える処理、例えば結晶層への形のない層の転換}

H01L 21/02359 ・・・・・・{絶縁層の表層群を変える処理}

H01L 21/02362 ・・・・・・{中間層の形成、例えばキャッピング層または拡散隔膜}

H01L 21/02365 ・・・{無機半導体化している材料を下地の上に形成すること(感光性の装置のためのH01L 31/00)}

H01L 21/02367 ・・・・{下地}

H01L 21/0237 ・・・・・{材料}

H01L 21/02373 ・・・・・・{材料を半導体化しているグループ14}

H01L 21/02376 ・・・・・・・{カーボン、例えばダイヤモンドのようなカーボン}

H01L 21/02378 ・・・・・・・{炭化けい素}

H01L 21/02381 ・・・・・・・{シリコン、シリコン・ゲルマニウム、ゲルマニウム}

H01L 21/02384 ・・・・・・・{上記は、スズを含む}

H01L 21/02387 ・・・・・・{13/15材料を集める}

H01L 21/02389 ・・・・・・・{窒化}

H01L 21/02392 ・・・・・・・{リン化物}

H01L 21/02395 ・・・・・・・{ヒ化物}

H01L 21/02398 ・・・・・・・{アンチモン化合物}

H01L 21/024 ・・・・・・{12/16材料を集める}

H01L 21/02403 ・・・・・・・{酸化物}

H01L 21/02406 ・・・・・・・{硫化物}

H01L 21/02409 ・・・・・・・{セレン化物}

H01L 21/02411 ・・・・・・・{テルル化物}

H01L 21/02414 ・・・・・・{グループ12/16材料でない材料を半導体化している酸化物、例えば３進の合成物}

H01L 21/02417 ・・・・・・{酸化物でない材料を半導体化しているカルコゲニド、例えば３進の合成物}

H01L 21/0242 ・・・・・・{結晶絶縁材料}

H01L 21/02422 ・・・・・・{非晶質の絶縁材料、例えばガラス、重合体}

H01L 21/02425 ・・・・・・{導電材料、例えば金属的ケイ素化合物}

H01L 21/02428 ・・・・・{構造}

H01L 21/0243 ・・・・・・{表面構造}

H01L 21/02433 ・・・・・{水晶の方位}

H01L 21/02436 ・・・・{下地および堆積する層間の中間層}

H01L 21/02439 ・・・・・{材料}

H01L 21/02441 ・・・・・・{材料を半導体化しているグループ14}

H01L 21/02444 ・・・・・・・{カーボン、例えばダイヤモンドのようなカーボン}

H01L 21/02447 ・・・・・・・{炭化けい素}

H01L 21/0245 ・・・・・・・{シリコン、シリコン・ゲルマニウム、ゲルマニウム}

H01L 21/02452 ・・・・・・・{上記は、スズを含む}

H01L 21/02455 ・・・・・・{13/15材料を集める}

H01L 21/02458 ・・・・・・・{窒化}

H01L 21/02461 ・・・・・・・{リン化物}

H01L 21/02463 ・・・・・・・{ヒ化物}

H01L 21/02466 ・・・・・・・{アンチモン化合物}

H01L 21/02469 ・・・・・・{12/16材料を集める}

H01L 21/02472 ・・・・・・・{酸化物}

H01L 21/02474 ・・・・・・・{硫化物}

H01L 21/02477 ・・・・・・・{セレン化物}

H01L 21/0248 ・・・・・・・{テルル化物}

H01L 21/02483 ・・・・・・{グループ12/16材料でない材料を半導体化している酸化物、例えば３進の合成物}

H01L 21/02485 ・・・・・・{酸化物でない材料を半導体化している他のカルコゲニド、例えば３進の合成物}

H01L 21/02488 ・・・・・・{絶縁材料}

H01L 21/02491 ・・・・・・{導電材料}

H01L 21/02494 ・・・・・{構造}

H01L 21/02496 ・・・・・・{層状構造}

H01L 21/02499 ・・・・・・・{単分子層}

H01L 21/02502 ・・・・・・・{2枚の層からなる}

H01L 21/02505 ・・・・・・・{2枚の層以上からなる}

H01L 21/02507 ・・・・・・・・{交互層、例えば超格子}

H01L 21/0251 ・・・・・・・{段階的な層}

H01L 21/02513 ・・・・・・{ミクロ組織}

H01L 21/02516 ・・・・・{水晶の方位}

H01L 21/02518 ・・・・{堆積する層}

H01L 21/02521 ・・・・・{材料}

H01L 21/02524 ・・・・・・{材料を半導体化しているグループ14}

H01L 21/02527 ・・・・・・・{カーボン、例えばダイヤモンドのようなカーボン}

H01L 21/02529 ・・・・・・・{炭化けい素}

H01L 21/02532 ・・・・・・・{シリコン、シリコン・ゲルマニウム、ゲルマニウム}

H01L 21/02535 ・・・・・・・{上記は、スズを含む}

H01L 21/02538 ・・・・・・{13/15材料を集める}

H01L 21/0254 ・・・・・・・{窒化}

H01L 21/02543 ・・・・・・・{リン化物}

H01L 21/02546 ・・・・・・・{ヒ化物}

H01L 21/02549 ・・・・・・・{アンチモン化合物}

H01L 21/02551 ・・・・・・{12/16材料を集める}

H01L 21/02554 ・・・・・・・{酸化物}

H01L 21/02557 ・・・・・・・{硫化物}

H01L 21/0256 ・・・・・・・{セレン化物}

H01L 21/02562 ・・・・・・・{テルル化物}

H01L 21/02565 ・・・・・・{グループ12/16材料でない材料を半導体化している酸化物、例えば３進の合成物}

H01L 21/02568 ・・・・・・{酸化物でない材料を半導体化しているカルコゲニド、例えば３進の合成物}

H01L 21/0257 ・・・・・{沈澱することの間のドーピング}

H01L 21/02573 ・・・・・・{伝導率タイプ}

H01L 21/02576 ・・・・・・・{Ｎ型である}

H01L 21/02579 ・・・・・・・{Ｐ型である}

H01L 21/02581 ・・・・・・・{遷移金属または希土類元素}

H01L 21/02584 ・・・・・・{デルタ-ドーピング}

H01L 21/02587 ・・・・・{構造}

H01L 21/0259 ・・・・・・{ミクロ組織}

H01L 21/02592 ・・・・・・・{不定形である}

H01L 21/02595 ・・・・・・・{多結晶}

H01L 21/02598 ・・・・・・・{単結晶}

H01L 21/02601 ・・・・・・・{ナノ微粒子(フラーレンH01L 51/0046)}

H01L 21/02603 ・・・・・・・{ナノワイヤ}

H01L 21/02606 ・・・・・・・{ナノチューブ(カーボン・ナノチューブH01L 51/0048)}

H01L 21/02609 ・・・・・{水晶の方位}

H01L 21/02612 ・・・・{形成タイプ}

H01L 21/02614 ・・・・・{金属の転換、例えば酸化、窒化作用}

H01L 21/02617 ・・・・・{堆積タイプ}

H01L 21/0262 ・・・・・・{ガス状の合成物の減少または分解、例えばCVD}

H01L 21/02623 ・・・・・・{液体沈澱}

H01L 21/02625 ・・・・・・・{溶解する材料を使用すること}

H01L 21/02628 ・・・・・・・{溶液を使用すること}

H01L 21/02631 ・・・・・・{減圧圧力の物理的な堆積、例えばMBE、スパッタリング、蒸発}

H01L 21/02634 ・・・・・・{ホモエピタキシ}

H01L 21/02636 ・・・・・・{選択的な堆積、例えば単一のおよび非単結晶半導体材料の同時成長}

H01L 21/02639 ・・・・・・・{選択的な堆積のための下地の準備}

H01L 21/02642 ・・・・・・・・{SiO2または罪以外のマスク材}

H01L 21/02645 ・・・・・・・・{種材料}

H01L 21/02647 ・・・・・・・{横方向の繁茂}

H01L 21/0265 ・・・・・・・・{Pendeoepitaxy}

H01L 21/02653 ・・・・・・・{蒸気-液体堅実な成長}

H01L 21/02656 ・・・・{特別な処理}

H01L 21/02658 ・・・・・{前処理(清掃一般にH01L 21/02041)}

H01L 21/02661 ・・・・・・{元の位置の清掃}

H01L 21/02664 ・・・・・{後処理(平坦化一般にH01L 21/304)}

H01L 21/02667 ・・・・・・{非単結晶半導体材料の結晶化または再結晶、例えば再生}

H01L 21/02669 ・・・・・・・{素子を阻害している結晶化を使用すること}

H01L 21/02672 ・・・・・・・{素子を強化している結晶化を使用すること}

H01L 21/02675 ・・・・・・・{レーザー光線を使用すること}

H01L 21/02678 ・・・・・・・・{光線形削り、例えばマスクを使用すること}

H01L 21/0268 ・・・・・・・・・{マスクの形状}

H01L 21/02683 ・・・・・・・・{連続波レーザー光線}

H01L 21/02686 ・・・・・・・・{パルスレーザ光線}

H01L 21/02689 ・・・・・・・{粒子線を使用すること}

H01L 21/02691 ・・・・・・・{光線のスキャン}

H01L 21/02694 ・・・・・・{下地およびエピタキシャル層の間の接点を制御すること、例えばアニーリングが続くイオン打込みによって}

H01L 21/02697 ・・・{伝導材料を下地の上に形成すること}

H01L 21/027 ・・グループにおいて、提供されない更なる写真平板処理のための半導体部分上のマスクを作ることH01L 21/18 or H01L 21/34{(光学的なマスクまたはオリジナルそれ自体G03F 1/00；光学的なマスクまたはオリジナルの登録または位置決めG03F 9/00；写真カメラG03B；位置の制御G05D 3/00)}

H01L 21/0271 ・・・{上記は、有機層から成る}

H01L 21/0272 ・・・・{離陸プロセスのための}

H01L 21/0273 ・・・・{フォトレジスト層の処理によって、特徴付けられる}

H01L 21/0274 ・・・・・{写真平板方法}

H01L 21/0275 ・・・・・・{レーザーを使用すること}

H01L 21/0276 ・・・・・・{反反射するコーティングを使用すること(石版印刷のための一般に反反射するコーティングG03F 7/09)}

H01L 21/0277 ・・・・・{Electrolithographicプロセス}

H01L 21/0278 ・・・・・{RontgenlithographicまたはＸ線リソグラフィ方法}

H01L 21/0279 ・・・・・{Ionlithographicプロセス}

H01L 21/033 ・・・上記は、無機の層から成る

H01L 21/0331 ・・・・{離陸プロセスのための}

H01L 21/0332 ・・・・{それらの構成によって、特徴付けられる、例えば多層マスク、材料}

H01L 21/0334 ・・・・{それらのサイズによって、特徴付けられる、オリエンテーション、傾向、挙動、形状、水平であるか垂直飛行機の}

H01L 21/0335 ・・・・・{方法の間、それらの挙動によって、特徴付けられる、例えば可溶なマスク、再デポジットされたマスク}

H01L 21/0337 ・・・・・{マスクをつくるために含まれる過程までに特徴付けられる、例えば離陸マスク（側壁）またはマスクを修正する、例えば前処理、後処理}

H01L 21/0338 ・・・・・{方法は、マスクの解答を改善するために特別に適応した}

H01L 21/04 ・・少なくとも一つの潜在的ジャンプ・バリアまたは表面バリヤを有する装置、例えばpn接合、空乏層、キャリア濃度層{(多段階方法は、前記装置の製造のために特別に適応したH01L 29/66007, H01L 29/401；半導体部分の詳細H01L 29/02)}

H01L 21/0405 ・・・{カーボンを半導体化することから成る半導体部分を有する装置、例えばダイヤモンド、ダイヤモンドのようなカーボン(前記装置の製造のための多段階方法H01L 29/66015)}

H01L 21/041 ・・・・{n-またはpドープ地方に着くこと}

H01L 21/0415 ・・・・・{イオン打込みを使用すること}

H01L 21/042 ・・・・N:それらの形状を変えること、例えばフォーミング（成形）凹部(半導体部分のエッチングH01L 21/302)]

H01L 21/0425 ・・・・{電極を製造すること}

H01L 21/043 ・・・・・{オームの電極}

H01L 21/0435 ・・・・・{ショットキ電極}

H01L 21/044 ・・・・・{導体-絶縁体-半導体電極}

H01L 21/0445 ・・・{結晶炭化けい素から成る半導体部分を有する装置(前記装置の製造のための多段階方法H01L 29/66053)}

H01L 21/045 ・・・・{炭化けい素面を皮膜で保護すること}

H01L 21/0455 ・・・・{nまたはpドーピング領域または層を作ること、例えば拡散を使用すること}

H01L 21/046 ・・・・・{イオン打込みを使用すること}

H01L 21/0465 ・・・・・・{マスクを使用すること}

H01L 21/047 ・・・・・・{イオンビームおよび水晶の平面間の角度またはメイン水晶の表層によって、特徴付けられる}

H01L 21/0475 ・・・・{半導体部分の形状を変えること、例えばフォーミング（成形）凹部、 (半導体部分のエッチングH01L 21/302)}

H01L 21/048 ・・・・{電極を製造すること}

H01L 21/0485 ・・・・・{オームの電極}

H01L 21/049 ・・・・・{導体-絶縁体-半導体電極、例えばMIS接触}

H01L 21/0495 ・・・・・{ショットキ電極}

H01L 21/06 ・・・セレニウムまたはテルルをその他の材料の半導体部分の不純物以外の結合してない形式に含んでいる半導体部分を有する装置

H01L 21/08 ・・・・基礎プレートの準備

H01L 21/10 ・・・・セレニウムまたはテルルの予備処理、基礎プレートへのその適用、または組合せの次の処理

H01L 21/101 ・・・・・{セレニウムの使用または基礎プレートに対するテルル}

H01L 21/103 ・・・・・セレニウムの転換または伝導の状態に対するテルル

H01L 21/105 ・・・・・セレニウムの表面または導通するようにされた後のテルル層の処理

H01L 21/108 ・・・・・離散的な絶縁層の供給、すなわち非遺伝子のバリヤー層

H01L 21/12 ・・・・セレニウムの露出表面に対する電極の使用またはセレニウムまたはテルルの後のテルルは、基礎プレートに塗布された

H01L 21/14 ・・・・完全な装置の処置、例えばバリアを形成する電鋳法によって

H01L 21/145 ・・・・・老化

H01L 21/16 ・・・酸化第一銅または第一銅のヨウ化物から成る半導体部分を有する装置

H01L 21/161 ・・・・{基礎プレートの準備、基礎プレートの予備処理酸化、減少処理}

H01L 21/162 ・・・・・{基礎プレートの予備処理}

H01L 21/164 ・・・・・{基礎プレートの酸化および次のヒートトリートメント(H01L 21/165 優位をとる)}

H01L 21/165 ・・・・・{酸化銅の減少、酸化物層の処理}

H01L 21/167 ・・・・・{非遺伝子の導電層の使用}

H01L 21/168 ・・・・{完全な装置の処置、例えば電鋳法、老化}

H01L 21/18 ・・・不純物の有無にかかわらず周期系またはAIIIBV合成物の第4の群の素子から成っている半導体部分を有する装置、例えばドーピング材料{(H01L 21/041 to H01L 21/0425, H01L 21/045 toH01L 21/048 優位をとる)}

H01L 21/182 ・・・・{混在させる‖または拡散、または、III〜Vヘテロ構造の中で障害を起こすこと、例えばIILD}

H01L 21/185 ・・・・{接合形成のための半導体部分のとじはぎ}

H01L 21/187 ・・・・・{直接的な結合によって}

H01L 21/20 ・・・・下地上の半導体材料の堆積、例えばエピタキシャル成長{固相エピタキシ}

H01L 21/2003 ・・・・・{下地によって、特徴付けられる(H01L 21/203, H01L 21/205, H01L 21/208 優位をとる)}

H01L 21/2007 ・・・・・・{絶縁基体に対する半導体ウエハの中でまたは中間の絶縁層を使用している下地を半導体化することに接着すること(H01L 21/2011 優位をとる；接合形成のための半導体ウエハに半導体ウエハの中で接着することH01L 21/187)}

H01L 21/2011 ・・・・・・{結晶絶縁材料の中である下地、例えばサファイヤ}

H01L 21/2015 ・・・・・・{結晶質の半導体材料の中である下地、例えば格子の適合、heteroepitaxy}

H01L 21/2018 ・・・・・{選択的なepilaxialな成長、例えばモノラルの同時堆積−そして、非モノフォニックの半導体材料}

H01L 21/2022 ・・・・・{非単結晶半導体材料のエピタキシャル再生、例えば種をまかれた凝固による横方向のエピタキシ、固体物理結晶化、固体物理graphoepitaxy、爆発的な結晶化、多結晶材料の粒成長}

H01L 21/2026 ・・・・・・{コヒーレント・エネルギー・ビームを使用すること、例えばレーザーまたは電子ビーム}

H01L 21/203 ・・・・・物理的な堆積を使用すること、例えば真空蒸着、スパッタリング

H01L 21/2033 ・・・・・・{第4のグループの間欠的なものの成分のエピタキシャル堆積 システム、例えばSi、Ge}

H01L 21/2036 ・・・・・・{AIII BV合成物のエピタキシャル堆積}

H01L 21/205 ・・・・・固体縮合物を産しているガス状の合成物の減少または分解を使用すること、すなわち化学堆積

H01L 21/2053 ・・・・・・{間欠的なものの第4の群の成分のエピタキシャル堆積 システム、例えばSi、Ge}

H01L 21/2056 ・・・・・・{AIIIBV合成物のエピタキシャル堆積}

H01L 21/208 ・・・・・液体沈澱を使用すること

H01L 21/2085 ・・・・・・{AIIIBV合成物のエピタキシャル堆積}

H01L 21/22 ・・・・不純物材の拡散、例えばドーピング材料、電極材料、半導体部分にまたはから、または半導体領域間の； {2つ以上の不純物の間の相互作用；不純物の再分配}

H01L 21/2205 ・・・・・{エピタキシの間の下地から、例えばオートドーピング；オートドーピングを予防するかまたは使用すること}

H01L 21/221 ・・・・・{殺人者の}

H01L 21/2215 ・・・・・・{AIIIBV合成物の}

H01L 21/222 ・・・・・{リチウム移動}

H01L 21/2225 ・・・・・{拡散ソース}

H01L 21/223 ・・・・・ガスの位相からまたはに固体にまたはから拡散を使用すること{(H01L 21/221 to H01L 21/222 優位をとる；印加層による拡散H01L 21/225)}

H01L 21/2233 ・・・・・・{AIIIBV合成物へのまたはからの拡散}

H01L 21/2236 ・・・・・・{プラズマ位相からまたはに}

H01L 21/225 ・・・・・固相からまたはに固体にまたはから拡散を使用すること、例えばドーピングした酸化物層{(H01L 21/221 to H01L 21/222 優位をとる)}

H01L 21/2251 ・・・・・・{グループIV半導体へのまたはからの拡散}

H01L 21/2252 ・・・・・・・{半導体表面に不純物のプレデポジションを使用すること、例えばガスの位相から}

H01L 21/2253 ・・・・・・・・{イオン打込みによって}

H01L 21/2254 ・・・・・・・{から、または、印加層によるまたはに、例えばフォトレジスト、窒化}

H01L 21/2255 ・・・・・・・・{酸化物だけから成る印加層、例えばP2O5、PSG、 H3BO3、ドーピングした酸化物}

H01L 21/2256 ・・・・・・・・・{印加層による}

H01L 21/2257 ・・・・・・・・{シリコンまたはケイ素化合物である印加層またはSIPOS、例えばポリシリコン、多孔性シリコン}

H01L 21/2258 ・・・・・・{AIIIBV合成物へのまたはからの拡散}

H01L 21/228 ・・・・・液相からまたはに固体にまたはから拡散を使用すること、例えば合金拡散方法{(H01L 21/221 to H01L 21/222 優位をとる)}

H01L 21/24 ・・・・不純物材のアロイング、例えばドーピング材料、電極材料、半導体部分を有する{(H01L 21/182 優位をとる)}

H01L 21/242 ・・・・・{AIIIBV合成物を有するドーピング材料のアロイング}

H01L 21/244 ・・・・・{電極材料のアロイング}

H01L 21/246 ・・・・・・{AIIIBV合成物を有する}

H01L 21/248 ・・・・・{装置は、アロイングのために特別に適応した}

H01L 21/26 ・・・・放射線を有する衝撃{(H01L 21/3105 優位をとる)}

H01L 21/2605 ・・・・・{天然放射線を使用すること、例えばアルファ、ベータまたはガンマ放射線}

H01L 21/261 ・・・・・元素を変えている核反応を生じる

H01L 21/263 ・・・・・高エネルギーの放射線を有する(H01L 21/261 優位をとる)

H01L 21/2633 ・・・・・・{エッチングのための、例えばスパッターエッチングすること}

H01L 21/2636 ・・・・・・{加熱のための、例えば電子ビーム加熱}

H01L 21/265 ・・・・・・生成イオン打込み(局所化された処理のためのイオンビーム管H01J 37/30)

H01L 21/26506 ・・・・・・・{グループIV半導体の}

H01L 21/26513 ・・・・・・・・{電気的に活発な種の}

H01L 21/2652 ・・・・・・・・・{スルーインプランテーション}

H01L 21/26526 ・・・・・・・・{反跳インプランテーション}

H01L 21/26533 ・・・・・・・・{埋設された絶縁層を作るシリコンの電気的に不活発な種の}

H01L 21/2654 ・・・・・・・{AIIIBV合成物の}

H01L 21/26546 ・・・・・・・・{電気的に活発な種の}

H01L 21/26553 ・・・・・・・・・{スルーインプランテーション}

H01L 21/2656 ・・・・・・・・{不純物を添加される同じ半導体領域の電気的に活発で不活発な種の着床によって、特徴付けられる}

H01L 21/26566 ・・・・・・・{クラスタの、例えばガス・クラスタ・イオンビームを使用すること}

H01L 21/2658 ・・・・・・・{分子イオンの、例えばデカボラン}

H01L 21/26586 ・・・・・・・{イオンビームおよび水晶の平面間の角度またはメイン水晶の表層によって、特徴付けられる}

H01L 21/26593 ・・・・・・・{室温より低い温度で}

H01L 21/266 ・・・・・・・マスクを使用すること{(H01L 21/26586 優位をとる)}

H01L 21/268 ・・・・・・電磁放射を使用すること、例えばレーザ放射

H01L 21/2683 ・・・・・・・{Ｘ線レーザを使用すること}

H01L 21/2686 ・・・・・・・{首尾一貫しない放射線を使用すること}

H01L 21/28 ・・・・方法を使用している半導体部分または中で提供されない装置上の電極の製造H01L 21/20 to H01L 21/268； {電極をパターン化するためのエッチングH01L 21/311 そして、H01L 21/3213}

H01L 21/28008 ・・・・・{導体-絶縁体-半導体電極を製造すること}

H01L 21/28017 ・・・・・・{半導体部分から形成されている絶縁体、シリコンである半導体}

H01L 21/28026 ・・・・・・・{導体によって、特徴付けられる(H01L 21/28176 優位をとる)}

H01L 21/28035 ・・・・・・・・{シリコンである絶縁体の隣の最終的な導体層、例えばポリシリコン、不純物の有無にかかわらず(H01L 21/28105 優位をとる)}

H01L 21/28044 ・・・・・・・・・{少なくとも他の非シリコン導電層から成っている導体}

H01L 21/28052 ・・・・・・・・・・{ケイ素化合物層から成る導体は、金属層を有するシリコンのケイ（珪）化反応によって、生じた(金属イオン打込みにより形成されるH01L 21/28044)}

H01L 21/28061 ・・・・・・・・・・{金属または金属的なsilicodeから成る導体は、堆積によって、生じた、例えばスパッタたい積、すなわちケイ（珪）化反応なしで(H01L 21/28052 優位をとる)}

H01L 21/2807 ・・・・・・・・{SiまたはGeである絶縁体またはCの隣の最終的な導体層およびSi以外のそれらの合金}

H01L 21/28079 ・・・・・・・・{単一の金属である絶縁体の隣の最終的な導体層、例えばTa、 W、Mo、Al}

H01L 21/28088 ・・・・・・・・{コンポジットである絶縁体の隣の最終的な導体層、例えばスズ}

H01L 21/28097 ・・・・・・・・{金属的ケイ素化合物である絶縁体の隣の最終的な導体層}

H01L 21/28105 ・・・・・・・・{横方向の構成またはドーピング変化を有する絶縁体の隣の最終的な導体、または複数の堆積ステップによって、横に形成されること}

H01L 21/28114 ・・・・・・・・{部分的な形状によって、特徴付けられる、例えば T、逆にするT}

H01L 21/28123 ・・・・・・・・{石版印刷関連の態様、例えば副石版印刷長、隔離関連の態様、例えば装置隔離の側を交差させることで起こっている課題を解決する；平坦化態様}

H01L 21/28132 ・・・・・・・・・{電極の一部を実行することは、側壁スペーサまたは類似した技術によって、定義される、例えばマスクの下の酸化、表面被覆}

H01L 21/28141 ・・・・・・・・・{電極の絶縁部分は、側壁スペーサにより定義される、例えばダミー・スペーサまたは類似した技術、例えばマスクの下の酸化、表面被覆}

H01L 21/2815 ・・・・・・・・・{電極の一部または全体は、側壁スペーサであるかまたはそばに類似した技術を行った、例えばマスクの下の変換、表面被覆}

H01L 21/28158 ・・・・・・・{碍子を製造すること}

H01L 21/28167 ・・・・・・・・{一つの結晶シリコン上の、例えば液体を使用すること、すなわち化学酸化}

H01L 21/28176 ・・・・・・・・・{処理を有する、例えばアニーリング、限定的なゲート導体の形成の後、}

H01L 21/28185 ・・・・・・・・・{処理を有する、例えばアニーリング、ゲート絶縁体の形成の後、そして、限定的なゲート導体の形成の前に}

H01L 21/28194 ・・・・・・・・・{堆積によって、例えば蒸発、ALD、CVD、スパッタリング、レーザー堆積(H01L 21/28202 優位をとる)}

H01L 21/28202 ・・・・・・・・・{窒素を含有する環境の、例えば窒化堆積、成長、oxy窒化作用、 NH3 窒化作用、N2O酸化、熱窒化作用、RTN、プラズマ窒化作用、RPN}

H01L 21/28211 ・・・・・・・・・{酸素または水蒸気を使用しているガスの環境の、例えばRTO、できる限り終わった層(H01L 21/28194 and H01L 21/28202 優先する）｝｛注：バリヤー層としてまたは応力緩衝材として使用する薄い酸化層、例えばその後に、高い絶縁体のフォーメーション、重要な場合だけそれ自体、ここで分類されてある}

H01L 21/2822 ・・・・・・・・{下地ドーピングを有する、例えば N、Ge、C着床、その後に、絶縁体の形成}

H01L 21/28229 ・・・・・・・・{層の堆積によって、例えば金属、金属合成物またはpoysilicon、絶縁層にそれの変換が続く}

H01L 21/28238 ・・・・・・・・{犠牲シリコン酸化物を有する}

H01L 21/28247 ・・・・・・・{電極のパッシベーションまたは保護、例えばre-oxidationを使用すること}

H01L 21/28255 ・・・・・・{半導体部分（第4のグループに属していて、基本的なシリコンでない半導体）から形成されている絶縁体例えばGe、SiGe、SiGeC}

H01L 21/28264 ・・・・・・{半導体部分から形成されている絶縁体、III〜Vであることは倍加させる半導体}

H01L 21/28273 ・・・・・{導体-絶縁体-導体-絶縁体-半導体電極を製造すること(H01L 21/28291 優位をとる)}

H01L 21/28282 ・・・・・{上記は、絶縁体を罠にかけている負担から成る}

H01L 21/28291 ・・・・・{上記は、その強誘電性の特性のために使われる層から成る}

H01L 21/283 ・・・・・電極のための伝導性であるか絶縁材料の堆積{電流を実行すること}

H01L 21/285 ・・・・・・ガスまたは蒸気から、例えば凝結

H01L 21/28506 ・・・・・・・{導電層の}

H01L 21/28512 ・・・・・・・・{周期系の第4の群の素子から成る半導体部分上の}

H01L 21/28518 ・・・・・・・・・{ケイ素化合物から成る導電層(H01L 21/28537 優位をとる)}

H01L 21/28525 ・・・・・・・・・{材料を半導体化することから成る導電層(H01L 21/28518, H01L 21/28537 優位をとる)}

H01L 21/28531 ・・・・・・・・・・{側壁接触製作}

H01L 21/28537 ・・・・・・・・・{ショットキ電極の堆積}

H01L 21/2855 ・・・・・・・・・{物理的な手段によって、例えばスパッタリング、蒸発(H01L 21/28518 to H01L 21/28537 そして、H01L 21/28568 優位をとる)}

H01L 21/28556 ・・・・・・・・・{化学手段によって、例えばCVD、LPCVD、PECVD、レーザCVD(H01L 21/28518 to H01L 21/28537 そして、H01L 21/28568 優位をとる)}

H01L 21/28562 ・・・・・・・・・・{選択的な堆積}

H01L 21/28568 ・・・・・・・・・{遷移金属から成る導電層(H01L 21/28518 優位をとる)}

H01L 21/28575 ・・・・・・・・{AIIIBV合成物から成る半導体部分上の}

H01L 21/28581 ・・・・・・・・・{ショットキ電極の堆積}

H01L 21/28587 ・・・・・・・・・{部分的な形状によって、特徴付けられる、例えば T、逆にされたT}

H01L 21/28593 ・・・・・・・・・・{非対称の部分的な形状}

H01L 21/288 ・・・・・・液体から、例えば電解析出

H01L 21/2885 ・・・・・・・{外部の電流を使用すること、すなわち電着}

H01L 21/30 ・・・・方法を使用している半導体部分またはグループの中に提供されない装置の処置H01L 21/20 to H01L 21/26(電極のその上に製造H01L 21/28)

H01L 21/3003 ・・・・・{水素化またはdeuterisation、例えばプラズマから原子状水素を使用すること}

H01L 21/3006 ・・・・・・{AIIIBV合成物の}

H01L 21/302 ・・・・・それらの表層物理的な特徴または形状を変える、例えばエッチング、つや出し、カット

H01L 21/304 ・・・・・・機械処理、例えば挽くこと、つや出し、カット{(H01L 21/30625 優位をとる)}

H01L 21/3043 ・・・・・・・{溝を作ること、例えばカット}

H01L 21/3046 ・・・・・・・{爆破を使用すること、例えばサンドブラスト(H01L 21/2633 優位をとる)}

H01L 21/306 ・・・・・・化学であるか電気処理、例えば電解エッチング(絶縁層を形成するH01L 21/31)

H01L 21/30604 ・・・・・・・{化学エッチング}

H01L 21/30608 ・・・・・・・・{異方性の液エッチング(H01L 21/3063 優位をとる)}

H01L 21/30612 ・・・・・・・・{AIIIBV合成物のエッチング}

H01L 21/30617 ・・・・・・・・・{異方性の液エッチング}

H01L 21/30621 ・・・・・・・・・{蒸気位相エッチング}

H01L 21/30625 ・・・・・・・{同時機械の処理を有する、例えば機械化学ポリッシング}

H01L 21/3063 ・・・・・・・電解エッチング

H01L 21/30635 ・・・・・・・・{三つ（5が倍加させるB）の}

H01L 21/3065 ・・・・・・・プラズマエッチング；反応性イオンエッチング

H01L 21/30655 ・・・・・・・・{上記は、交替して反復エッチングおよびパッシベーション・ステップを含む。例えばボッシュ・プロセス}

H01L 21/308 ・・・・・・・マスクを使用すること(H01L 21/3063, H01L 21/3065 優位をとる)

H01L 21/3081 ・・・・・・・・{それらの構成によって、特徴付けられる、例えば多層マスク、材料}

H01L 21/3083 ・・・・・・・・{それらのサイズによって、特徴付けられる、オリエンテーション、傾向、挙動、形状、水平であるか垂直飛行機の}

H01L 21/3085 ・・・・・・・・・{方法の間、それらの挙動によって、特徴付けられる、例えば可溶なマスク、再デポジットされたマスク}

H01L 21/3086 ・・・・・・・・・{マスクをつくるために含まれる過程までに特徴付けられる、例えば離陸マスク（側壁）またはマスクを修正する、例えば前処理、後処理}

H01L 21/3088 ・・・・・・・・・{方法は、マスクの解答を改善するために特別に適応した}

H01L 21/31 ・・・・・その上に絶縁層を形成する、例えばマスキングのためのまたは写真平板技術を用いて(電極を形成している層H01L 21/28；層をカプセル化することH01L 21/56)；これらの層の処理の後、

H01L 21/3105 ・・・・・・後処理

H01L 21/31051 ・・・・・・・{絶縁層の平坦化(H01L 21/31058 優位をとる)}

H01L 21/31053 ・・・・・・・・{誘電除去ステップを含むこと}

H01L 21/31055 ・・・・・・・・・{化学エッチング・ステップである除去、例えばドライエッチング(エッチングそれ自体H01L 21/311)}

H01L 21/31056 ・・・・・・・・・・{選択的な化学エッチング・ステップである除去、例えばマスクによる選択的なドライエッチング}

H01L 21/31058 ・・・・・・・{有機層の}

H01L 21/311 ・・・・・・・絶縁層にエッチングすること{化学であるか物理的な手段によって(H01L 21/31058 優位をとる)}

H01L 21/31105 ・・・・・・・・{無機の層にエッチングすること}

H01L 21/31111 ・・・・・・・・・{化学手段によって}

H01L 21/31116 ・・・・・・・・・・{ドライエッチングによって}

H01L 21/31122 ・・・・・・・・・・・{Siを含んでいない層の、例えばPZT、Al2O3}

H01L 21/31127 ・・・・・・・・{有機層にエッチングすること}

H01L 21/31133 ・・・・・・・・・{化学手段によって}

H01L 21/31138 ・・・・・・・・・・{ドライエッチングによって}

H01L 21/31144 ・・・・・・・・{マスクを使用すること}

H01L 21/3115 ・・・・・・・絶縁層に不純物を添加すること

H01L 21/31155 ・・・・・・・・{イオン打込みによって}

H01L 21/312 ・・・・・・有機層、例えばフォトレジスト(H01L 21/3105, H01L 21/32 優位をとる； {フォトレジストそれ自体G03C})

H01L 21/3121 ・・・・・・・{有機シリコン合成物から成る層}

H01L 21/3122 ・・・・・・・・{ポリシロキサン合成物から成る層}

H01L 21/3124 ・・・・・・・・・{水素シルセスキオキサンから成る層}

H01L 21/3125 ・・・・・・・・{シラザン合成物から成る層}

H01L 21/3127 ・・・・・・・{成ることを層にするフルオロ（水素）炭素合成物、例えばポリテトラフルオロエチレン}

H01L 21/3128 ・・・・・・・{ラングミュア-Blodgett技術によって}

H01L 21/314 ・・・・・・無機の層(H01L 21/3105, H01L 21/32 優位をとる)

H01L 21/3141 ・・・・・・・{原子層堆積技術を使用している堆積(ALD)}

H01L 21/3142 ・・・・・・・・{ナノ積層体の、例えばAl203-Hf02の交互層}

H01L 21/3143 ・・・・・・・{交替する層の中でまたは窒化および酸化物のまたは酸素窒化物の混合物の中で成る、例えば窒化層の酸化による酸素窒化物の形成}

H01L 21/3144 ・・・・・・・・{シリコン上の}

H01L 21/3145 ・・・・・・・・{ガスまたは蒸気から堆積により形成される}

H01L 21/3146 ・・・・・・・{カーボン層、例えばダイヤモンドのような層}

H01L 21/3147 ・・・・・・・{絶縁材料のエピタキシャル堆積}

H01L 21/3148 ・・・・・・・{炭化けい素層}

H01L 21/316 ・・・・・・・酸化物またはガラス質の酸化物または酸化物ベースのガラスから成る

H01L 21/31604 ・・・・・・・・{ガスまたは霧による堆積(H01L 21/31691,H01L 21/31695 優位をとる)}

H01L 21/31608 ・・・・・・・・・{SiO2の堆積(H01L 21/31625, H01L 21/31629 and H01L 21/31633 優位をとる)}

H01L 21/31612 ・・・・・・・・・・{シリコンボディ上の}

H01L 21/31616 ・・・・・・・・・{Al2O3の堆積}

H01L 21/3162 ・・・・・・・・・・{シリコンボディ上の}

H01L 21/31625 ・・・・・・・・・{ホウ素またはリン・ドーピングしたシリコン酸化物の堆積、例えばBSG、PSG、BPSG}

H01L 21/31629 ・・・・・・・・・{ハロゲン・ドーピングしたシリコン酸化物の堆積、例えばフッ素ドーピングしたシリコン酸化物}

H01L 21/31633 ・・・・・・・・・{カーボン・ドーピングしたシリコン酸化物の堆積、例えばSiOC}

H01L 21/31637 ・・・・・・・・・{タンタル酸化物の堆積、例えばTa2O5}

H01L 21/31641 ・・・・・・・・・{酸化ジルコニウムの堆積、例えばZrO2}

H01L 21/31645 ・・・・・・・・・{ハフニウム酸化物の堆積、例えばHfO2}

H01L 21/3165 ・・・・・・・・{酸化により形成される(H01L 21/31691, H01L 21/31695 優位をとる)}

H01L 21/31654 ・・・・・・・・・{半導体材料の、例えば体}

H01L 21/31658 ・・・・・・・・・・{熱酸化によって、例えばSiGeの}

H01L 21/31662 ・・・・・・・・・・・{結合してない形式のシリコンの}

H01L 21/31666 ・・・・・・・・・・・{AIII BV合成物の}

H01L 21/3167 ・・・・・・・・・・{陽極酸化の}

H01L 21/31675 ・・・・・・・・・・・{シリコンの}

H01L 21/31679 ・・・・・・・・・・・{AIII BV合成物の}

H01L 21/31683 ・・・・・・・・・{金属的層の、例えば体に置かれるAl、例えば多層対流防止断熱構造の形成}

H01L 21/31687 ・・・・・・・・・・{陽極酸化によって}

H01L 21/31691 ・・・・・・・・{ペロブスカイト構造を有する}

H01L 21/31695 ・・・・・・・・{多孔性酸化物または多孔性ガラス質の酸化物の堆積または酸化物は、多孔質ガラスの基礎を形成した}

H01L 21/318 ・・・・・・・窒化から成る

H01L 21/3185 ・・・・・・・・{窒化シリコンの}

H01L 21/32 ・・・・・・マスクを使用すること

H01L 21/3205 ・・・・・・堆積の非絶縁、例えばconductive-、または、電気抵抗である、絶縁層上の層；これらの層の後処理(電極の製造H01L 21/28)

H01L 21/32051 ・・・・・・・{金属的または金属-ケイ素化合物層の堆積}

H01L 21/32053 ・・・・・・・・{金属-ケイ素化合物層の}

H01L 21/32055 ・・・・・・・{半導層の堆積、例えばポリ−またはアモルファス・シリコン層}

H01L 21/32056 ・・・・・・・{伝導であるか半導有機層の堆積(H01L 21/32058 優位をとる)}

H01L 21/32058 ・・・・・・・{以前に伝導の層の堆積}

H01L 21/321 ・・・・・・・処理の後、

H01L 21/32105 ・・・・・・・・{シリコンを含む層の酸化}

H01L 21/3211 ・・・・・・・・{シリコンを含む層の窒化作用}

H01L 21/32115 ・・・・・・・・{平坦化}

H01L 21/3212 ・・・・・・・・・{化学機械のつや出しによって(CMP)}

H01L 21/32125 ・・・・・・・・・・{電流（すなわち電気化学的機械のつや出し）を同時に渡すことによって例えばECMP}

H01L 21/3213 ・・・・・・・・層の物理的であるか化学エッチング、例えばパターン化された層を予め堆積する広範囲な層から作り出す

H01L 21/32131 ・・・・・・・・・{物理的な手段だけによって}

H01L 21/32132 ・・・・・・・・・・{シリコンを含む層の}

H01L 21/32133 ・・・・・・・・・{化学手段だけによって}

H01L 21/32134 ・・・・・・・・・・{液エッチングだけによって}

H01L 21/32135 ・・・・・・・・・・{蒸気エッチングだけによって}

H01L 21/32136 ・・・・・・・・・・・{プラズマを使用すること}

H01L 21/32137 ・・・・・・・・・・・・{シリコンを含む層の}

H01L 21/32138 ・・・・・・・・・・・{事前-または後処理、例えば反腐食プロセス}

H01L 21/32139 ・・・・・・・・・{マスクを使用すること}

H01L 21/3215 ・・・・・・・・層に不純物を添加すること

H01L 21/32155 ・・・・・・・・・{ドーピング多結晶−またはアモルファス・シリコン層}

H01L 21/322 ・・・・・それらの内部特性を修正する、例えば内部欠点を引き起こす

H01L 21/3221 ・・・・・・{シリコンボディの、例えばゲッタリングのための}

H01L 21/3223 ・・・・・・・{空腔を使用することは、水素または貴ガス・イオン打込みによって、形をなした}

H01L 21/3225 ・・・・・・・{固有のゲッタリングのためのシリコンボディに存在する酸素を使用している欠陥を熱的に誘発すること(H01L 21/3226 優位をとる)}

H01L 21/3226 ・・・・・・・{SOIの}

H01L 21/3228 ・・・・・・{AIIIBV合成物の、例えばそれらを半絶縁ようにする}

H01L 21/324 ・・・・・半導体部分の特性を修正するための熱処理、例えばアニーリング、シンタリング(H01L 21/20 to H01L 21/288 そして、H01L 21/302 to H01L 21/322 優位をとる)

H01L 21/3242 ・・・・・・{不純物を追加することなくpn接合の形成のための(H01L 21/22 優位をとる)}

H01L 21/3245 ・・・・・・{III〜V合成物の}

H01L 21/3247 ・・・・・・{形状を変えるための、例えば表層を滑らかにすること}{警告：完全でない、仮にまた見よH01L 21/324}

H01L 21/326 ・・・・・電流または分野のアプリケーション、例えば電鋳法のための(H01L 21/20 to H01L 21/288 そして、H01L 21/302 to H01L 21/324 優位をとる)

H01L 21/34 ・・・グループの中に提供されない半導体部分を有する装置H01L 21/0405, H01L 21/0445}, H01L 21/06, H01L 21/16 そして、H01L 21/18 不純物の有無にかかわらず、例えばドーピング材料

H01L 21/36 ・・・・下地上の半導体材料の堆積、例えばエピタキシャル成長

H01L 21/363 ・・・・・物理的な堆積を使用すること、例えば真空蒸着、スパッタリング

H01L 21/365 ・・・・・固体縮合物を産しているガス状の合成物の減少または分解を使用すること、すなわち化学堆積

H01L 21/368 ・・・・・液体沈澱を使用すること

H01L 21/38 ・・・・不純物材の拡散、例えばドーピング材料、電極材料、半導体部分にまたはから、または半導体領域間の

H01L 21/383 ・・・・・ガスの位相からまたはに固体にまたはから拡散を使用すること

H01L 21/385 ・・・・・固相からまたはに固体にまたはから拡散を使用すること、例えばドーピングした酸化物層

H01L 21/388 ・・・・・液相からまたはに固体にまたはから拡散を使用すること、例えば合金拡散方法

H01L 21/40 ・・・・不純物材のアロイング、例えばドーピング材料、電極材料、半導体部分を有する

H01L 21/42 ・・・・放射線を有する衝撃

H01L 21/423 ・・・・・高エネルギーの放射線を有する

H01L 21/425 ・・・・・・生成イオン打込み(局所化された処理のためのイオンビーム管H01J 37/30)

H01L 21/426 ・・・・・・・マスクを使用すること

H01L 21/428 ・・・・・・電磁放射を使用すること、例えばレーザ放射

H01L 21/44 ・・・・方法を使用している半導体部分またはグループの中に提供されない装置上の電極の製造H01L 21/36 to H01L 21/428

H01L 21/441 ・・・・・電極のための伝導性であるか絶縁材料の堆積

H01L 21/443 ・・・・・・ガスまたは蒸気から、例えば凝結

H01L 21/445 ・・・・・・液体から、例えば電解析出

H01L 21/447 ・・・・・圧力の加圧を含むこと、例えば熱圧着

H01L 21/449 ・・・・・機械の振動のアプリケーションを含むこと、例えば超音波振動

H01L 21/46 ・・・・方法を使用している半導体部分またはグループの中に提供されない装置の処置H01L 21/428(電極のその上に製造H01L 21/44)

H01L 21/461 ・・・・・それらの表層物理的な特徴または形状を変える、例えばエッチング、つや出し、カット

H01L 21/463 ・・・・・・機械処理、例えば挽くこと、超音波処理

H01L 21/465 ・・・・・・化学であるか電気処理、例えば電解エッチング(絶縁層を形成するH01L 21/469)

H01L 21/467 ・・・・・・・マスクを使用すること

H01L 21/469 ・・・・・・その上に絶縁層を形成する、例えばマスキングのためのまたは写真平板技術を用いて(電極を形成している層H01L 21/44；層をカプセル化することH01L 21/56)；これらの層の後処理

H01L 21/47 ・・・・・・・有機層、例えばフォトレジスト(H01L 21/475, H01L 21/4757 優位をとる)

H01L 21/471 ・・・・・・・無機の層(H01L 21/475, H01L 21/4757 優位をとる)

H01L 21/473 ・・・・・・・・酸化物またはガラス質の酸化物または酸化物ベースのガラスから成る

H01L 21/475 ・・・・・・・マスクを使用すること

H01L 21/4757 ・・・・・・・後処理

H01L 21/47573 ・・・・・・・・{層にエッチングすること}

H01L 21/47576 ・・・・・・・・{層に不純物を添加すること}

H01L 21/4763 ・・・・・・堆積の非絶縁、例えば導通する−、電気抵抗−、絶縁層上の層；これらの層の後処理(電極の製造H01L 21/28, {H01L 21/44})

H01L 21/47635 ・・・・・・・{これらの層の後処理}

H01L 21/477 ・・・・・半導体部分の特性を修正するための熱処理、例えばアニーリング、シンタリング(H01L 21/36 to H01L 21/449 そして、H01L 21/461 to H01L 21/475 優位をとる)

H01L 21/479 ・・・・・電流または分野のアプリケーション、例えば電鋳法のための(H01L 21/36 to H01L 21/449 そして、H01L 21/461 to H01L 21/477 優位をとる)

H01L 21/48 ・・・製造またはパーツの処理、例えば容器、装置の組立ての前に、サブグループの単一の一つにおいて、提供されない方法を使用することH01L 21/06 to H01L 21/326({そのための装置H01L 21/67005；ベースでのリードの絶縁のシーリングH01L 21/50}；容器、カプセル化、充填材、実装それ自体H01L 23/00； {パーツの採点H01L 23/544})

H01L 21/4803 ・・・・{絶縁であるか絶縁されたパーツ、例えば実装、容器、ダイヤモンド・ヒートシンク(H01L 21/4846 優位をとる；印刷回路基板H05K 1/00)}

H01L 21/4807 ・・・・・{セラミック・パーツ}

H01L 21/481 ・・・・・{パーツを絶縁することの絶縁層、金属化の有無にかかわらず}

H01L 21/4814 ・・・・{導電部}

H01L 21/4817 ・・・・・{容器のための、例えばキャップ(H01L 21/4871 優位をとる)}

H01L 21/4821 ・・・・・{平坦なリード、例えば絶縁性支持体の有無にかかわらないリードフレーム}

H01L 21/4825 ・・・・・・{接続または平坦なリード、へ、あるいは、から、他のリードの切断、例えば導線、衝突、他の平坦なリード}

H01L 21/4828 ・・・・・・{エッチング(パターニングのない清掃のためのエッチングH01L 21/4835)}

H01L 21/4832 ・・・・・・・{形成するカプセル化プロセスの後、一時的な下地にエッチングすることは、リードする}

H01L 21/4835 ・・・・・・{清掃、例えばはんだの除去}

H01L 21/4839 ・・・・・・{絶縁性支持体を有する平坦な導線の組立て、例えばタブのための}

H01L 21/4842 ・・・・・・{機械処理、例えば穴あけ、カット、変形すること、冷たい溶接}

H01L 21/4846 ・・・・・{絶縁であるか絶縁された下地でのリード、例えば金属化(H01L 21/4821 優位をとる；セラミックの一般に金属化C04B 41/51；プリント回路H05K 3/00)}

H01L 21/485 ・・・・・・{相互接続の適合、例えば工学は、充電する、修理技術}

H01L 21/4853 ・・・・・・{接続または金属化、へ、あるいは、から、他のリードの切断、例えばピン、導線、衝突}

H01L 21/4857 ・・・・・・{積層基板(単分子層下地上の多層金属化H01L 21/4846)}

H01L 21/486 ・・・・・・{ピンの有無にかかわらない下地による接続を経た}

H01L 21/4864 ・・・・・・{清掃、例えばはんだの除去}

H01L 21/4867 ・・・・・・{印加のりまたはインク、例えばスクリーンなせん(H01L 21/486 優位をとる)}

H01L 21/4871 ・・・・・{ベース、プレートまたはヒートシンク}

H01L 21/4875 ・・・・・・{接続またはベースまたはプレート、へ、あるいは、から、他のリードの切断}

H01L 21/4878 ・・・・・・{機械処理、例えば変形すること}

H01L 21/4882 ・・・・・・{ヒートシンク・パーツの組立て}

H01L 21/4885 ・・・・・{導線のようなパーツまたはピン(導線ボール形成B23K 20/00；方法は、接続半導体または他の固体体に関したH01L 24/00)}

H01L 21/4889 ・・・・・・{接続または導線のようなパーツ、へ、あるいは、から、他のリードの切断、例えば導線}

H01L 21/4892 ・・・・・・{清掃}

H01L 21/4896 ・・・・・・{機械処理、例えばカット、曲げ}

H01L 21/50 ・・・方法を使用している半導体装置またはサブグループの単一の一つにおいて、提供されない装置の組立てH01L 21/06 to H01L 21/326、｛例えば容器の基部に対するキャップのシーリング}

H01L 21/52 ・・・・容器の取付半導体部分

H01L 21/54 ・・・・容器の充填材を提供すること、例えばガス充填材

H01L 21/56 ・・・・カプセル化、例えばカプセル化層、コーティング

H01L 21/561 ・・・・・{バッチ処理}

H01L 21/563 ・・・・・{フリップチップ装置の作動面のカプセル化、例えばフリップチップのunderfillingすることまたはunderencapsulation、チップまたは取付下地上のカプセル化プリフォーム}

H01L 21/565 ・・・・・{型}

H01L 21/566 ・・・・・・{型のためのリリース層、例えばリリース層、成形の間の残りに対する層}

H01L 21/568 ・・・・・{カプセル化プロセス援助として使用する一時的な下地(H01L 21/4832 そして、H01L 21/566 優位をとる)}

H01L 21/58 ・・・・{絶縁である}半導体装置を支持体に載置すること{(H01L 21/563, H01L 23/49513 優位をとる)}

H01L 21/62 ・・潜在的ジャンプ・バリアまたは表面バリヤを有しない装置

H01L 21/64 ・製造または半導体装置以外の固体装置の処置、またはそれのパーツの、グループの中に提供される単一の装置に特有でないH01L 31/00 to H01L 51/00

H01L 21/67 ・製造の間、取扱い半導体または電気固体装置のために特別に構成される装置またはそれの処理；製造の間のウェーハまたは半導体または電気固体装置の処置を扱うために特別に構成される装置または構成素子； {他の場所で特に提供されない装置(方法それ自体H01L 21/30, H01L 21/46, H01L 23/00；単純な当面の支持手段、例えば接着剤を使用すること、電気であるか磁気手段H01L 21/68, H01L 21/302；半導体または固体物理体を接続するかまたは分離するための、そして、方法のための装置を製造する装置は、それに対して関したH01L 24/74;)}

H01L 21/67005 ・・{他の場所で特に提供されない装置(方法それ自体H01L 21/30, H01L 21/46, H01L 23/00；単純な当面の支持手段、例えば接着剤を使用すること、電気であるか磁気手段H01L 21/68, H01L 21/302)}

H01L 21/67011 ・・・{製造または処理のための装置(方法H01L 21/30, H01L 21/46；単結晶または均一な多結晶材料の製造または後処理のためのC30B 35/00)}

H01L 21/67017 ・・・・{液体処理のための装置(H01L 21/67126, H01L 21/6715 優位をとる)}

H01L 21/67023 ・・・・・{一般の液処理のための、例えばエッチングは、清掃によって、あとに続いた}

H01L 21/67028 ・・・・・{乾燥が続く清掃のための、すすぎ、はく土、爆破等}

H01L 21/67034 ・・・・・・{乾燥のための}

H01L 21/6704 ・・・・・・{洗浄または洗うことための}

H01L 21/67046 ・・・・・・・{主にスクラビング手段を使用すること、例えばブラシ}

H01L 21/67051 ・・・・・・・{主に吹付け塗り手段を使用すること、例えばノズル}

H01L 21/67057 ・・・・・・・{浴槽または容器において、浸漬されている半導体基板を有する}

H01L 21/67063 ・・・・・{エッチングのための}

H01L 21/67069 ・・・・・・{乾燥エッチングのための}

H01L 21/67075 ・・・・・・{ウェットエッチングのための}

H01L 21/6708 ・・・・・・・{主に吹付け塗り手段を使用すること、例えばノズル}

H01L 21/67086 ・・・・・・・{浴槽または容器において、浸漬されている半導体基板を有する}

H01L 21/67092 ・・・・{機械の処理のための装置(または挽くことまたはカット、サブクラスの関連したグループを参照B24B or B28D)}

H01L 21/67098 ・・・・{熱処理のための装置}

H01L 21/67103 ・・・・・{主に伝導によって}

H01L 21/67109 ・・・・・{主に対流によって}

H01L 21/67115 ・・・・・{主に放射線によって}

H01L 21/67121 ・・・・{他に分類されないアセンブリを製造する装置、例えばパッケージ構造}

H01L 21/67126 ・・・・{シーリングのための装置、封入すること、鏡のようになること、decapsulating等(方法H01L 23/02, H01L 23/28)}

H01L 21/67132 ・・・・{絶縁基体上の打込みのための装置、例えばテープ}

H01L 21/67138 ・・・・{配線半導体または固体装置用の装置}

H01L 21/67144 ・・・・{伝導性部材上の取付けのための装置、例えば絶縁基体上のリードフレームまたは導体}

H01L 21/6715 ・・・・{液体を塗布する装置、樹脂、インク等(H01L 21/67126 優位をとる)}

H01L 21/67155 ・・・・{製造するかまたは複数のワークステーションにおいて、扱う装置}

H01L 21/67161 ・・・・・{加工室のレイアウトによって、特徴づけられる}

H01L 21/67167 ・・・・・・{中心トランスファチャンバを囲むこと}

H01L 21/67173 ・・・・・・{インライン装置}

H01L 21/67178 ・・・・・・{縦割り陳列}

H01L 21/67184 ・・・・・{複数のトランスファチャンバの存在下で、特徴づけられる}

H01L 21/6719 ・・・・・{処理チャンバの構造によって、特徴づけられる、例えばモジュール式の処理チャンバ}

H01L 21/67196 ・・・・・{トランスファチャンバの構造によって、特徴づけられる}

H01L 21/67201 ・・・・・{ロードロック室の構造によって、特徴づけられる}

H01L 21/67207 ・・・・・{上記は、特定の方法に適している室から成る}

H01L 21/67213 ・・・・・・{上記は、少なくとも一つのイオンまたは電子ビーム室から成る(イオン打込みによるコーティングC23C；イオンまたは電子線管H01J 37/00)}

H01L 21/67219 ・・・・・・{上記は、少なくとも一つのつや出し室から成る(つや出し装置B24B)}

H01L 21/67225 ・・・・・・{上記は、少なくとも一つの石版印刷室から成る(リソグラフィ装置G03F 7/00)}

H01L 21/6723 ・・・・・・{上記は、少なくとも一つの析出室から成る(無電解めっき装置C23C、電気めっき装置C25D)}

H01L 21/67236 ・・・・・{半導体ウエハでなくて処理されている下地、例えばリードフレームまたはチップ}

H01L 21/67242 ・・・{モニタリングのための装置、ソーティングまたは跡がつく(試験するかまたは製造の間、測定することH01L 22/00、マークそれ自体H01L 23/544；テスト個々の半導体装置G01R 31/26)}

H01L 21/67248 ・・・・{モニタしている温度}

H01L 21/67253 ・・・・{方法モニタリング、例えば流れまたは厚みモニタリング}

H01L 21/67259 ・・・・{位置モニタリング、例えば誤まり位置検出または存在検出}

H01L 21/67265 ・・・・・{容器に保存される下地の、雑誌、キャリア、ボート等}

H01L 21/67271 ・・・・{ソーティング装置}

H01L 21/67276 ・・・・{生産フロー・モニタリング、例えばスループットを増やすための(プログラム制御システムそれ自体G05B 19/00、例えば完全な工場制御G05B 19/418)}

H01L 21/67282 ・・・・{装置をマークすること}

H01L 21/67288 ・・・・{焼結ひずみのモニタリング、湾曲、損害、欠陥等}

H01L 21/67294 ・・・・{識別手段を使用すること、例えば下地のラベルまたは容器のラベル}

H01L 21/673 ・・特別に構成されるキャリアを使用すること{または保有者；ワークピースをこの種のキャリアまたは保有者に取り付けること(作動中に完全な装置を支持するための保有者H01L 23/32)}

H01L 21/67303 ・・・{下地が水平に支持されるそれによって、垂直ボート・タイプ・キャリア、例えば上記は、ロッド形の素子から成る}

H01L 21/67306 ・・・・{材料によって、特徴づけられる、粗さ、コーティング等}

H01L 21/67309 ・・・・{基板支持部材によって、特徴づけられる}

H01L 21/67313 ・・・{下地が垂直に支持されるそれによって、水平ボート・タイプ・キャリア、例えば上記は、ロッド形の素子から成る}

H01L 21/67316 ・・・・[N：材料によって、特徴づけられる、粗さ、コーティング等

H01L 21/6732 ・・・{下地が水平に支持されるそれによって、壁タイプ素子から成る垂直キャリア、例えば上記は、側壁から成る}

H01L 21/67323 ・・・・{材料によって、特徴づけられる、粗さ、コーティング等}

H01L 21/67326 ・・・{下地が垂直に支持されるそれによって、壁タイプ素子から成る水平キャリア、例えば上記は、側壁から成る}

H01L 21/6733 ・・・・{材料によって、特徴づけられる、粗さ、コーティング等}

H01L 21/67333 ・・・{チップ用のトレイ(部品用のマガジンH05K 13/0084)}

H01L 21/67336 ・・・・{材料によって、特徴づけられる、粗さ、コーティング等}

H01L 21/6734 ・・・{特別に支持大きい正方形の成形された下地に適している(ガラス・シートのための容器および包装素子B65D 85/48、それらの製造の間、ガラス製品の中で運搬することC03B 35/00)}

H01L 21/67343 ・・・・{材料によって、特徴づけられる、粗さ、コーティング等}

H01L 21/67346 ・・・{支持単一の下地のためにまたは多くのこの種の個々の支持体から成ることによって、特別に構成されることによって、特徴づけられる}

H01L 21/6735 ・・・{閉キャリア}

H01L 21/67353 ・・・・{特別に単一の下地に適している}

H01L 21/67356 ・・・・{特別にチップを含むことに適している、型またはIC}

H01L 21/67359 ・・・・{特別にマスクを含むことに適している、焦点板または薄膜}

H01L 21/67363 ・・・・{特別にウェーハ以外の下地を含むことに適している(H01L 21/67356, H01L 21/67359 優位をとる)}

H01L 21/67366 ・・・・{材料によって、特徴付けられる、粗さ、コーティング等(射出成形プロセスに関する材料B29C 45/00；材料の化学組成C08L 51/00)}

H01L 21/67369 ・・・・{素子を吸収しているショックによって、特徴付けられる、例えば保持器またはクッション}

H01L 21/67373 ・・・・{システムを係止することによって、特徴付けられる}

H01L 21/67376 ・・・・{封止配置によって、特徴付けられる}

H01L 21/67379 ・・・・{結合素子によって、特徴付けられる、運動学的な部材、外部的に握持されるハンドルまたは素子}

H01L 21/67383 ・・・・{基板支持部材によって、特徴付けられる}

H01L 21/67386 ・・・・{閉輸送車の建造によって、特徴付けられる}

H01L 21/67389 ・・・・{空気制御によって、特徴付けられる}

H01L 21/67393 ・・・・・{素子を中で修正している気圧の存在下で、特徴付けられるかまたは閉carrierlに取り付けられる}

H01L 21/67396 ・・・・{静電気防止素子の存在下で、特徴付けられる}

H01L 21/677 ・・伝えるための、例えば異なるワークステーション間の

H01L 21/67703 ・・・{異なるワークステーション間の}

H01L 21/67706 ・・・・{機械詳細、例えばローラー、ベルト(H01L 21/67709 優位をとる)}

H01L 21/67709 ・・・・{磁性素子を使用すること}

H01L 21/67712 ・・・・{かなり垂直に扱われている下地}

H01L 21/67715 ・・・・{伝えている経路の方向を変えること}

H01L 21/67718 ・・・・{下地の変更方位、例えば横向姿勢から立向姿勢まで}

H01L 21/67721 ・・・・{半導体ウエハまたは大きい平面下地でなくて伝達される下地、例えばチップ、リードフレーム、 H01L 21/6773 優位をとる}

H01L 21/67724 ・・・・{カートまたはvehiculeによって}

H01L 21/67727 ・・・・{工場の中で伝えている経路の一般の計画を使用すること}

H01L 21/6773 ・・・・{カセットを運搬すること、容器またはキャリア}

H01L 21/67733 ・・・・{一切を含めて伝えること}

H01L 21/67736 ・・・・{コンベヤからの積載または荷卸し}

H01L 21/67739 ・・・{処理チャンバとの間で}

H01L 21/67742 ・・・・{トランスファ・デバイスの機械部分(ロボット一般に中でB25J)}

H01L 21/67745 ・・・・{運動またはトランスファ・デバイスの移動のシーケンスによって、特徴づけられる}

H01L 21/67748 ・・・・{単一のワークピースの横転送}

H01L 21/67751 ・・・・{単一のワークピースの垂直転送}

H01L 21/67754 ・・・・{ワークピースのバッチの横移転}

H01L 21/67757 ・・・・{ワークピースのバッチの垂直移転}

H01L 21/6776 ・・・・{処理チャンバとの間で連続積卸し、例えば処理チャンバの範囲内の輸送ベルト}

H01L 21/67763 ・・・{キャリアに保存されているウェーハ、積卸しを含むこと(H01L 21/6779 優位をとる)}

H01L 21/67766 ・・・・{トランスファ・デバイスの機械部分(ロボット一般に中でB25J)}

H01L 21/67769 ・・・・{格納手段}

H01L 21/67772 ・・・・{蓋の除去を含むこと、ドア、遮蔽物}

H01L 21/67775 ・・・・{ドックに入っている配置}

H01L 21/67778 ・・・・{waersの積卸しを含むこと}

H01L 21/67781 ・・・・・{ウェーハのバッチ移転}

H01L 21/67784 ・・・{空気トラックを使用すること}

H01L 21/67787 ・・・・{ワークピースの角度方針を有する}

H01L 21/6779 ・・・・{キャリアに保存されているワークピース、積卸しを含むこと}

H01L 21/67793 ・・・{振動するボウルまたはトラックによって、環境に適応することおよび位置決めを有する}

H01L 21/67796 ・・・{ワークピースの角度方針を有する(H01L 21/67787 そして、H01L 21/67793 優位をとる)}

H01L 21/68 ・・位置決めのための、オリエンテーションまたは配置(伝えるためのH01L 21/677)

H01L 21/681 ・・・{光学的制御手段を使用すること}

H01L 21/682 ・・・{マスク-ウェーハ配置(一般にG03F 7/20T, G03F 9/00T)}

H01L 21/683 ・・支えるかまたは握持するための(伝えるためのH01L 21/677、位置決めのための、オリエンテーションまたは配置H01L 21/68)

H01L 21/6831 ・・・{静電チャックを使用すること}

H01L 21/6833 ・・・・{静電チャックの詳細}

H01L 21/6835 ・・・{一時的に補助支持体を使用すること}

H01L 21/6836 ・・・・{ウェーハー・テープ、例えば支持テープを回すかまたは小立方体にすること(粘着テープ一般にC09J 7/02)}

H01L 21/6838 ・・・{真空を使用している握持で保持装置を有する；ベルヌーイ装置}

H01L 21/687 ・・・機械的手段を使用すること、例えばチャック、クランプまたはピンチ{(elecrostaticなチャックを使用することH01L 21/683C)}

H01L 21/68707 ・・・・{ロボットの刃に配置されているウェーハ、または運搬のための把持部により握持される}

H01L 21/68714 ・・・・{サセプタに配置されているウェーハ、段階またはサポート}

H01L 21/68721 ・・・・・{端クランピングによって、特徴付けられる、例えば把握リング}

H01L 21/68728 ・・・・・{複数の別々のクランプ部材によって、特徴付けられる、例えば指を固定すること}

H01L 21/68735 ・・・・・{端側面またはサポート側面によって、特徴付けられる}

H01L 21/68742 ・・・・・{リフト構造によって、特徴付けられる、例えばリフトピン}

H01L 21/6875 ・・・・・{複数の個々のサポート部材によって、特徴付けられる、例えばヒンジ支柱または突出}

H01L 21/68757 ・・・・・{コーティングまたは硬度によって、特徴を描写する、または、材料}

H01L 21/68764 ・・・・・{可動サセプタ、段階またはサポート（それらが自分自身の垂直軸を中心に回転するだけのことより他）によって、特徴付けられる例えば回転カル―セル（ラック）上のサセプタ}

H01L 21/68771 ・・・・・{複数の半導体基板を支えることによって、特徴付けられる}

H01L 21/68778 ・・・・・{ウェーハより支持基板他によって、特徴付けられる、例えばチップ}

H01L 21/68785 ・・・・・{サセプタの機械の構造によって、特徴付けられる、段階またはサポート}

H01L 21/68792 ・・・・・{軸の構造によって、特徴付けられる}

H01L 21/70 ・製造または共通基板の上に形成される複数の固体構成素子からなるまたはそれのパーツの装置の処置；集積回路装置のまたはそれのパーツの製作({複数の個々の半導体または他の固体装置からなるアセンブリの多段階製造プロセスH01L 25/00}、成っているアセンブリの製造または予め形成された電気的コンポーネントH05K 3/00, H05K 13/00)

H01L 21/702 ・・{厚−または薄膜回路またはそれのパーツの}

H01L 21/705 ・・・{厚膜回路またはそれのパーツの}

H01L 21/707 ・・・{薄膜回路またはそれのパーツの}

H01L 21/71 ・・グループにおいて、定められる装置の特定の一部の製造 H01L 21/70({H01L 21/0405、 H01L 21/0445}, H01L 21/28, H01L 21/44, H01L 21/48 優位をとる)

H01L 21/74 ・・・埋設された地方｛局所化した｝製作、例えば埋設された捕収剤層、内部接続{基板トランジスタ}

H01L 21/743 ・・・・{内部接続製作、基板トランジスタ}

H01L 21/746 ・・・・{AIII-BV集積回路のための}

H01L 21/76 ・・・構成素子間の分離領域製作

H01L 21/7602 ・・・・{原文のまま合成物から成っている作動中の下地において、製造される構成素子間の}

H01L 21/7605 ・・・・{AIII BV合成物から成る作動中の下地において、製造される構成素子間の}

H01L 21/7607 ・・・・{II〜VI合成物から成る作動中の下地において、製造される構成素子間の}

H01L 21/761 ・・・・pn接合

H01L 21/762 ・・・・誘電地方、｛例えば壮大な誘電隔離、機関車；技術を補充している溝、SOI技術、チャネル・ストッパーの使用}

H01L 21/76202 ・・・・・{シリコンのローカル酸化を使用すること、例えば機関車、賢者、サイロ(H01L 21/76235 優位をとる、垂直隔離と共に、例えば1SOI下地の機関車、 H01L 21/76264)}

H01L 21/76205 ・・・・・・{表層から凹所を作られている領域の、例えば凹部の、溝、桶または溝領域}

H01L 21/76208 ・・・・・・・{凹領域の補助柱を使用すること、例えば拡張した領域の上の機関車を形成する}

H01L 21/7621 ・・・・・・・{矩形であるより、別の形状を有する凹領域、例えば丸いか傾斜した形状(H01L 21/76208 優位をとる)}

H01L 21/76213 ・・・・・・{ローカル酸化領域の電気不活性であるか活性不純物を導くこと、例えば機関車酸化物成長特徴を変える、または、更なる隔離目的のための}

H01L 21/76216 ・・・・・・・{チャネル・ストッパーを作製する唯一のためのローカル酸化領域の電気活性不純物を導くこと}

H01L 21/76218 ・・・・・・・・{チャネル・ストッパーを作製する唯一のためのローカル酸化領域の電気活性不純物の両方のタイプを導入すること、例えば相補ドーピング領域の隔離のための}

H01L 21/76221 ・・・・・・{複数の連続したローカル酸化ステップを有する}

H01L 21/76224 ・・・・・{使用することは、誘電材料によって、補充することに溝をつける(多結晶シリコンを有する溝充填材H01L 21/763；垂直隔離と共に、例えば1SOI下地において、補充することに溝をつけるH01L 21/76264)}

H01L 21/76227 ・・・・・・{非誘電材料の完全な化学転換によって、得られている誘電材料、例えば多結晶シリコン、金属}

H01L 21/76229 ・・・・・・{異なる溝形状または寸法を有する複数の溝の並列の充填材、例えば直角でＶ型の溝、広くて幅が狭い溝、浅くて深い溝}

H01L 21/76232 ・・・・・・{矩形であるより、別の形状またはV-形状を有する溝の、例えば丸コーナ、傾斜したか丸い溝壁(H01L 21/76229 優位をとる)}

H01L 21/76235 ・・・・・・・{シリコン・プロセス段階のローカル酸化によって、変えられる溝形状、例えば機関車による溝角なまり}

H01L 21/76237 ・・・・・・{溝側または下壁の不純物を導くこと、例えばなぜならば、形をなすことはストッパーを向けるかまたは隔離挙動を変える}

H01L 21/7624 ・・・・・{絶縁体上の半導体を使用すること(SOI)技術(H01L 21/76297 優位をとる；絶縁基体上の集積回路の製造H01L 21/84；サファイヤ上のシリコン(SOS)技術H01L 21/86)}

H01L 21/76243 ・・・・・・{シリコンを使用することは、埋設された絶縁層を植設した、例えば酸化物層、すなわちSIMOX技術}

H01L 21/76245 ・・・・・・{多孔性酸化物シリコンによって、完全な隔離を使用すること、すなわちFIPOS技術}

H01L 21/76248 ・・・・・・{横方向の繁茂技術を使用すること、すなわちELO技術}

H01L 21/76251 ・・・・・・{技術を結合することを使用すること}

H01L 21/76254 ・・・・・・・{イオン植設された層に沿った分離/層割れを有する、例えばスマートな切断、Unibond}

H01L 21/76256 ・・・・・・・{シリコン・エッチバック技術を使用すること、例えばBESOI、ELTRAN}

H01L 21/76259 ・・・・・・・{多孔質層に沿った分離/層割れを有する}

H01L 21/76262 ・・・・・・{単結晶シリコンの選択的な堆積を使用すること、すなわち区分技術}

H01L 21/76264 ・・・・・・{横方向の隔離とSOI、例えばシリコンまたは誘電または多結晶材料のローカル酸化を使用することは、溝またはエアギャップ分離領域を補充した、例えば完全に単離された半導体島}

H01L 21/76267 ・・・・・・・{シリコンによる垂直隔離は、埋設された絶縁層を植設した、例えば酸化物層、すなわちSIMOX技術}

H01L 21/7627 ・・・・・・・{多孔性酸化物シリコンによる完全な隔離による垂直隔離、すなわちFIPOS技術}

H01L 21/76272 ・・・・・・・{横方向の繁茂技術による垂直隔離、すなわちELO技術}

H01L 21/76275 ・・・・・・・{技術を結合することによる垂直隔離}

H01L 21/76278 ・・・・・・・{単結晶シリコンの選択的な堆積による垂直隔離、すなわち区分技術}

H01L 21/76281 ・・・・・・・{シリコンの選択酸化による横方向の隔離}

H01L 21/76283 ・・・・・・・{誘電材料を有する溝の中で補充することによる横方向の隔離}

H01L 21/76286 ・・・・・・・{多結晶材料を有する溝の中で補充することによる横方向の隔離}

H01L 21/76289 ・・・・・・・{エアギャップによる横方向の隔離}

H01L 21/76291 ・・・・・・・{分野効果による横方向の隔離}

H01L 21/76294 ・・・・・{単結晶シリコンの選択的な堆積を使用すること、すなわち区分技術}

H01L 21/76297 ・・・・・{壮大な技術を使用している誘電隔離、すなわちエピタキシャル不動態化された集積回路}

H01L 21/763 ・・・・多結晶半導体領域{(H01L 21/76264 優位をとる)}

H01L 21/764 ・・・・エアギャップ{(H01L 21/76264 優位をとる)}

H01L 21/765 ・・・・分野効果によって{(H01L 21/76264 優位をとる)}

H01L 21/768 ・・・装置の範囲内で別々の構成素子の間で運搬流のために使用される印加相互接続{上記は、導体および誘電体から成る}

H01L 21/76801 ・・・・{誘電体の形成および後処理によって、特徴付けられる、例えばスムージング}

H01L 21/76802 ・・・・・{誘電体の開口部を形成することによって}

H01L 21/76804 ・・・・・・{先細バイアホールを形成することによって}

H01L 21/76805 ・・・・・・{バイアである開口部または下にある導体を透過しているコンタクトホール}

H01L 21/76807 ・・・・・・{二重ダマスクの構造のための}

H01L 21/76808 ・・・・・・・{材料を有する中間の一時的な充填材を含むこと}

H01L 21/7681 ・・・・・・・{一つ以上の埋設されたマスクを含むこと}

H01L 21/76811 ・・・・・・・{多数の積み重ねられた予めパターン化されたマスクを含むこと}

H01L 21/76813 ・・・・・・・{部分的なバイアを含むことは、エッチングする}

H01L 21/76814 ・・・・・・{後処理または後処理、例えば下にある導体上の酸化物の清掃または除去}

H01L 21/76816 ・・・・・・uN：パターンのレイアウトに関するまたはバイアまたは溝の容積に対する態様(相互接続のレイアウトそれ自体H01L 23/528；ICのCADG06F 17/50)]

H01L 21/76817 ・・・・・・{技術に印刷するかまたは印を押すことを使用すること}

H01L 21/76819 ・・・・・{誘電体のスムージング(絶縁材料の平坦化それ自体H01L 21/31051)}

H01L 21/7682 ・・・・・{エアギャップから成る誘電体}

H01L 21/76822 ・・・・・{誘電層の材料の変更態様、例えばグレーディング、層の安定性を改善する後処理、それらの密度その他を増やす}{警告：グループH01L 21/76822-H01L 21/76837 完全でない；仮に見るH01L 21/76801}

H01L 21/76823 ・・・・・・{絶縁層を導電層に変えること}

H01L 21/76825 ・・・・・・{層を分子放射線にさらすことによって、例えばイオン打込み、紫外線または電子を有する照射その他(プラズマ処理H01L 21/76826)}

H01L 21/76826 ・・・・・・{ガスを有する層を接触させることによって、液体またはプラズマ}

H01L 21/76828 ・・・・・・{熱処理}

H01L 21/76829 ・・・・・{薄い機能的な誘電層の形成によって、特徴付けられる、例えば誘電エッチストップ層、バリア、キャッピングまたはライナー層}

H01L 21/76831 ・・・・・・{バイアホールまたは溝の、例えば非伝導性の側壁ライナー}

H01L 21/76832 ・・・・・・{多数の層}

H01L 21/76834 ・・・・・・{側壁上のまたは導体の上に薄い絶縁膜の形成(H01L 21/76831 優位をとる)}

H01L 21/76835 ・・・・・{低い誘電率を有する2枚以上の異なる誘電層の組合せ(H01L 21/76832 優位をとる)}

H01L 21/76837 ・・・・・{隣接した伝導構造とのすきまを満たすこと；誘電体のすきまを埋めている特性}

H01L 21/76838 ・・・・{導体の形成および後処理によって、特徴付けられる(導体をパターン化するためのエッチングH01L 21/3213)}

H01L 21/7684 ・・・・・{スムージング；平坦化}

H01L 21/76841 ・・・・・{バリア、粘着力またはライナー層}

H01L 21/76843 ・・・・・・{誘電体の開口部において、形成される}

H01L 21/76844 ・・・・・・・{際限のないライナー}

H01L 21/76846 ・・・・・・・{層の組合せ}

H01L 21/76847 ・・・・・・・{メイン・フィリング金属の範囲内で配置されている層}

H01L 21/76849 ・・・・・・・{メイン・フィリング金属の上に配置されている層}

H01L 21/7685 ・・・・・・{伝導構造をカバーしている層(H01L 21/76849 優位をとる)}

H01L 21/76852 ・・・・・・・{また、伝導構造の側壁をカバーしている層}

H01L 21/76853 ・・・・・・{特定の後処理ステップによって、特徴づけられる}

H01L 21/76855 ・・・・・・・{少なくとも一つの追加的な素子を層にもたらしている後処理}

H01L 21/76856 ・・・・・・・・{プラズマまたはガスの環境の処理によって、例えば耐火性金属製ライナを窒化すること}

H01L 21/76858 ・・・・・・・・{アロイング素子を放散することによって}

H01L 21/76859 ・・・・・・・・{イオン打込みによって}

H01L 21/76861 ・・・・・・・{追加的な元素を層にもたらしていない後処理または後処理}

H01L 21/76862 ・・・・・・・・{分子を有する衝撃、例えば貴ガス・プラズマの処理；UV照射}

H01L 21/76864 ・・・・・・・・{熱処理}

H01L 21/76865 ・・・・・・・{層の一部の選択的な除去(H01L 21/76844 優位をとる)}

H01L 21/76867 ・・・・・・{PVD以外の形成の方法によって、特徴づけられる、液体からのCVDまたは堆積(PVDH01L 21/2855；CVDH01L 21/28556；液体からの堆積H01L 21/288)}

H01L 21/76868 ・・・・・・{不連続薄膜を形成するかまたは処理すること、例えば修理、強化または不連続薄膜の強化}

H01L 21/7687 ・・・・・・{コンデンサの接触と関連する薄膜}

H01L 21/76871 ・・・・・・{更なる層の核生成を強化するかまたは可能にするために特に堆積する層、すなわち種子層}

H01L 21/76873 ・・・・・・・{電気めっきのための}

H01L 21/76874 ・・・・・・・{無電解めっきのための}

H01L 21/76876 ・・・・・・・{ガス位相からの堆積のための、例えばCVD}

H01L 21/76877 ・・・・・{穴、溝または溝の充填材、例えばバイア、導電材料を有する}

H01L 21/76879 ・・・・・・{バイアの導電材料の選択的な堆積によって、例えば選択的なC.V.D。半導体材料上の、表面被覆(半導体上の一般に表面被覆H01L 21/288)}

H01L 21/7688 ・・・・・・{犠牲のマスキング層の上の堆積によって、例えば離陸(離陸それ自体H01L 21/00B2)}

H01L 21/76882 ・・・・・・{再流し込みまたは印加するよりよくコンタクトホールを満たす圧力の}

H01L 21/76883 ・・・・・・{導電材料の後処理または後処理}

H01L 21/76885 ・・・・・{保護絶縁材料の堆積の前に伝導性部材を形成することによって、例えば柱、鋲}

H01L 21/76886 ・・・・・{永久に修正する、または、一時的にパターン、または、伝導性部材の伝導率、例えば合金の形成、接触抵抗の減少}

H01L 21/76888 ・・・・・・{なし導通する最も少なく一部の導体の翻訳によって、例えば酸化}

H01L 21/76889 ・・・・・・{耐火性金属のケイ素化合物を形成することによって}

H01L 21/76891 ・・・・・・{材料を超電導することを用いて}

H01L 21/76892 ・・・・・・{パターンを修正すること}

H01L 21/76894 ・・・・・・・{レーザーを使用すること、例えばレーザカット、レーザー直接の書込、レーザー修理}

H01L 21/76895 ・・・・・{ローカルインタコネクト；ローカル・パッド、特許文献EP0896365により例証されるにつれて、}

H01L 21/76897 ・・・・{自己を整列配置されたバイアまたは接触プラグの形成、すなわち石版のように無批判なステップを含むこと(電界効果トランジスタ上の自己を整列配置されたケイ（珪）化H01L 21/336M)}

H01L 21/76898 ・・・・{半導体基板により形成される}

H01L 21/77 ・・製造または複数の固体構成素子からなる装置または形をなされる集積回路の処理、または動いている、共通基板

H01L 21/78 ・・・下地の複数の個々の装置への次の分割を有する(表層物理的な特徴を変えるカットまたは半導体部分の形状H01L 21/304)

H01L 21/7806 ・・・・{下地から活動層の分離を含むこと}

H01L 21/7813 ・・・・・{再使用可能な下地を残すこと、例えばエピタキシャル・リフト離れて}

H01L 21/782 ・・・・装置を生産する、単一の回路素子からなる各々(H01L 21/82 優位をとる)

H01L 21/784 ・・・・・半導体部分である下地

H01L 21/786 ・・・・・半導体部分より別の下地、例えば絶縁体

H01L 21/82 ・・・・装置を生産する、例えば集積回路、複数の構成素子からなる各々

H01L 21/8206 ・・・・・{半導体である下地、ダイヤモンド技術を使用すること(H01L 21/8258 優位をとる)}

H01L 21/8213 ・・・・・{半導体である下地、原文のまま技術を使用すること(H01L 21/8258 優位をとる)}

H01L 21/822 ・・・・・半導体である下地、シリコン技術を使用すること(H01L 21/8258 優位をとる)

H01L 21/8221 ・・・・・・{異なるレベルにおいて、積み重ねられる3つの次元の集積回路}

H01L 21/8222 ・・・・・・両極性の技術

H01L 21/8224 ・・・・・・・上記は、垂直で横方向のトランジスタの組合せから成る

H01L 21/8226 ・・・・・・・上記は、合併されたトランジスタ論理またはIILから成る

H01L 21/8228 ・・・・・・・相補型装置、例えば相補的トランジスタ

H01L 21/82285 ・・・・・・・・{補完的な垂直トランジスタ}

H01L 21/8229 ・・・・・・・メモリ構造

H01L 21/8232 ・・・・・・電界効果技術

H01L 21/8234 ・・・・・・・MIS技術｛すなわち導体-絶縁体-半導体タイプの電界効果トランジスタの統合プロセス}

H01L 21/823406 ・・・・・・・・{電荷結合素子の組合せ、すなわちCCD、またはBBD}

H01L 21/823412 ・・・・・・・・{チャネル構造の特定の製造方法を有する、例えばチャネル移植組織、光輪またはポケット移植組織、またはチャネル材料}

H01L 21/823418 ・・・・・・・・{ソースまたはドレイン構造の特定の製造方法を有する、例えば特定のソースまたはドレインは、植設するかまたはソースまたはドレイン構造を珪化（ケイ素化）するかまたはソースまたはドレイン構造を上げた}

H01L 21/823425 ・・・・・・・・・{複数の導体-絶縁体-半導体構造の間で共通ソースまたはドレイン領域を製造すること}

H01L 21/823431 ・・・・・・・・{半導体部分の直立側壁の横電流の流れを有するトランジスタの特定の製造方法を有する、例えばFinFET、MuGFET}

H01L 21/823437 ・・・・・・・・{ゲート導体の特定の製造方法を有する、例えば特定の材料、形状}

H01L 21/823443 ・・・・・・・・・{珪化（ケイ素化）されたかサリサイドdされたゲート導体}

H01L 21/82345 ・・・・・・・・・{材料または異なるゲート導体が植設する異なるゲート導体を有するゲート導体、例えば二重ゲート構造}

H01L 21/823456 ・・・・・・・・・{異なる形状を有するゲート導体、長さまたは寸法}

H01L 21/823462 ・・・・・・・・{ゲート絶縁層の特定の製造方法を有する、例えば異なるゲート絶縁層厚、材料または特定のゲート絶縁体が植設する特定のゲート絶縁体}

H01L 21/823468 ・・・・・・・・{ゲート・サイドウォールスペーサの特定の製造方法を有する、例えば二重スペーサ、特定のスペーサ材料または形状}

H01L 21/823475 ・・・・・・・・{相互接続または配線または接触製造は、態様を関連づけた}

H01L 21/823481 ・・・・・・・・{関連した態様を製造している分離領域、例えば隣接した構造を有する分離領域の相互作用を避ける}

H01L 21/823487 ・・・・・・・・{垂直トランジスタ構造の特定の製造方法を有する、すなわち素地に垂直なチャネルを有する(素地との電流の流れ類似を有するH01L 21/823431)}

H01L 21/823493 ・・・・・・・・{井戸または桶の特定の製造方法を有する、例えば対の桶、高エネルギー井戸移植組織、横方向の隔離のための埋設された植設された層(ビリ)}

H01L 21/8236 ・・・・・・・・強化および減少トランジスタの組合せ

H01L 21/8238 ・・・・・・・・補完的な電界効果トランジスタ、例えばCMOS

H01L 21/823807 ・・・・・・・・・{チャネル構造の特定の製造方法を有する、例えばチャネル移植組織、光輪またはポケット移植組織、またはチャネル材料}

H01L 21/823814 ・・・・・・・・・{ソースまたはドレイン構造の特定の製造方法を有する、例えば特定のソースまたはドレインは、植設するかまたはソースまたはドレイン構造を珪化（ケイ素化）するかまたはソースまたはドレイン構造を上げた}

H01L 21/823821 ・・・・・・・・・{半導体部分の直立側壁の横電流の流れを有するトランジスタの特定の製造方法を有する、例えばFinFET、MuGFET}

H01L 21/823828 ・・・・・・・・・{ゲート導体の特定の製造方法を有する、例えば特定の材料、形状}

H01L 21/823835 ・・・・・・・・・・{珪化（ケイ素化）されたかサリサイドdされたゲート導体}

H01L 21/823842 ・・・・・・・・・・{材料または異なるゲート導体が植設する異なるゲート導体を有するゲート導体、例えば二重ゲート構造}

H01L 21/82385 ・・・・・・・・・・{異なる形状を有するゲート導体、長さまたは寸法}

H01L 21/823857 ・・・・・・・・・{ゲート絶縁層の特定の製造方法を有する、例えば異なるゲート絶縁層厚、材料または特定のゲート絶縁体が植設する特定のゲート絶縁体}

H01L 21/823864 ・・・・・・・・・{ゲート・サイドウォールスペーサの特定の製造方法を有する、例えば二重スペーサ、特定のスペーサ材料または形状}

H01L 21/823871 ・・・・・・・・・{相互接続または配線または接触製造は、態様を関連づけた}

H01L 21/823878 ・・・・・・・・・{関連した態様を製造している分離領域、例えば隣接した構造を有する分離領域の相互作用を避ける}

H01L 21/823885 ・・・・・・・・・{垂直トランジスタ構造の特定の製造方法を有する、すなわち素地に垂直なチャネルを有する(素地との電流の流れ類似を有するH01L 21/823821)}

H01L 21/823892 ・・・・・・・・・{井戸または桶の特定の製造方法を有する、例えば対の桶、高エネルギー井戸移植組織、横方向の隔離のための埋設された植設された層(ビリ)}

H01L 21/8239 ・・・・・・・・メモリ構造

H01L 21/8248 ・・・・・・両極性で電界効果技術の組合せ

H01L 21/8249 ・・・・・・・両極性のおよびMOS技術

H01L 21/8252 ・・・・・半導体である下地、III〜V技術を使用すること(H01L 21/8258 優位をとる)

H01L 21/8254 ・・・・・半導体である下地、II〜VI技術を使用すること(H01L 21/8258 優位をとる)

H01L 21/8256 ・・・・・半導体である下地、グループのうちの1つ時までに適用されられない技術を使用すること{H01L 21/8206, H01L 21/8213}, H01L 21/822,H01L 21/8252 そして、H01L21/8254(H01L 21/8258 優位をとる)

H01L 21/8258 ・・・・・半導体である下地、カバーされる技術の組合せを使用すること{H01L 21/8206, H01L 21/8213}, H01L 21/822, H01L 21/8252,H01L 21/8254 または、H01L21/8256

H01L 21/84 ・・・・・半導体部分より別の下地、例えば絶縁体であること

H01L 21/845 ・・・・・・{上記は、半導体部分の直立側壁の横電流の流れを有する電界効果トランジスタを含む。例えばFinFET、MuGFET}

H01L 21/86 ・・・・・・サファイア色の絶縁体、例えばサファイヤ構造上のシリコン、すなわちSOS

H01L 22/00 {試験するかまたは製造または処理の間、測定する以下の通り信頼性測定値、すなわちこのようにパーツを修正する更なる処理のないパーツのテスト；そのための構造上の配置(検出する計数する扱えることH01L 21/67005；マークは、半導体装置に向いていたH01L 23/544；テスト方法またはグループの中に提供される装置に特有の構造H01L 31/00 to H01L 51/00、これらのグループを参照；光学手段の使用によって、調査するかまたは材料を分析することG01N 21/00；個々の半導体装置のテスト電気特性G01R 31/26；光電子システムのテストH02S 50/00)}

H01L 22/10 ・{製造プロセスの一部として測定すること(バーンインG01R 31/28C8)}

H01L 22/12 ・・{構造指数のための、例えば厚み、輝線幅、屈折率、温度、ゆがみ、結合強さ、欠陥、光学点検、構造上の寸法の電気測定、拡散部の冶金の測定(拡散部の電気測定H01L 22/14)}

H01L 22/14 ・・{電気パラメータのための、例えば抵抗、深いレベル、CV、電気手段による拡散部}

H01L 22/20 ・{複数の測定値からなる活動のシーケンス、修正、ステップをマークするかまたはソートすること}

H01L 22/22 ・・{接続または副存在物または測定に応答する装置の冗長な部分の切断(テストおよびウェーハ・スケールを含む製造の後のストアの修理G11C 29/00；ヒューズそれ自体H01L 23/525)}

H01L 22/24 ・・{欠陥直接可視状態の光学強化、例えば選択的な電解析出、液体の泡、光放射、色変化(電圧コントラストG01R 31/311)}

H01L 22/26 ・・{処理を中断することなく進行中の測定に応答して行うこと、例えばエンドポイント検出、元の位置の厚み測定(CMP装置のエンドポイント検出配置B24B 37/013、放出装置のH01J 37/32D1C1)}

H01L 22/30 ・{構造上の配置は、試験するかまたは製造または処理の間、測定するために特別に適応した、または特別に信頼性測定値に適している}

H01L 22/32 ・・{装置または下地上の追加的な引込線金属化、例えば追加的なパッドまたはパッド部、筆記者線の線、犠牲にされた導体(作動中に電流を固体体へ導くための配置H01L 23/48)}

H01L 22/34 ・・{製造プロセス（e）を電気的に特徴を描写するかまたはモニタするための回路、例えば全部の試験型、テスト構造で満たされるウェーハ、各々の型上に組み込まれるon-board-devices、プロセス制御モニタまたはそれのパッド構造、筆記者線の装置(スイッチング、多重、ゲート装置G01R 19/25；石版印刷を有するプロセス制御、例えば服用制御、 G03F 7/20；光学手段による配置制御のための構造G03F 7/20T8)}

H01L 23/00 半導体または他の固体装置の詳細(H01L 25/00 優位をとる； {試験するかまたは製造または処理の間、測定するための構造上の配置、または信頼性測定値のためのH01L 22/00；半導体または固体物理体を接続するかまたは分離するための配置、または、方法はそれに対して関したH01L 24/00；指紋センサG06K 9/00006})

H01L 23/02 ・容器；封止(H01L 23/12, H01L 23/34, H01L 23/48, H01L 23/552, {H01L 23/66}優位をとる； {メモリのためのG11C})

H01L 23/04 ・・形状によって、特徴を描写する｛容器またはパーツの中で、例えばキャップ、壁}

H01L 23/041 ・・・{半導体部分のための取付けとして使用するベースを有するくぼんだ構造でない容器}

H01L 23/043 ・・・くぼんだ構造であって、半導体部分のためのリードと同様に取付けとして導電ベースを有している容器

H01L 23/045 ・・・・ベースの絶縁通過を有する他のリード

H01L 23/047 ・・・・その他は、ベースと平行であることを導く

H01L 23/049 ・・・・その他は、ベースに対して垂直であることを導く

H01L 23/051 ・・・・ベースプレートとのふた板類似により形成されている他の鉛、例えばサンドイッチ・タイプ

H01L 23/053 ・・・くぼんだ構造である容器、そして、有する断熱する{または絶縁される}半導体部分のための取付けとしてのベース

H01L 23/055 ・・・・ベースの通過を有するリード{(H01L 23/057 優位をとる)}

H01L 23/057 ・・・・ベースと平行のリード

H01L 23/06 ・・容器またはその電気特性の材料によって、特徴付けられる

H01L 23/08 ・・・電気絶縁体である材料、例えばガラス

H01L 23/10 ・・材料またはparts,weenキャップとの封止の配置によって、特徴付けられる例えばキャップおよび容器または両者間に導線の基部および容器の壁間の

H01L 23/12 ・実装、例えば非着脱可能な絶縁基体

H01L 23/13 ・・形状によって、特徴付けられる

H01L 23/14 ・・材料またはその電気特性によって、特徴付けられる{(印刷回路基板H05K 1/00)}

H01L 23/142 ・・・{絶縁層を有する金属的な下地}

H01L 23/145 ・・・{有機下地、例えばプラスチック}

H01L 23/147 ・・・{半導体絶縁基体(半導体導電基板H01L 23/4926)}

H01L 23/15 ・・・セラミックまたはガラス製基板{(H01L 23/142, H01L 23/145, H01L 23/147 優位をとる)}

H01L 23/16 ・容器｛またはカプセル化｝の充填材または補助部材、例えばセンタリングは、鳴る(H01L 23/42, H01L 23/552 優位をとる)

H01L 23/18 ・・材料によって、特徴付けられる充填材、その身体検査または化学的性質、または完全な装置の範囲内のその装置

H01L 23/20 ・・・装置の通常の運転温度でガスである

H01L 23/22 ・・・装置の通常の運転温度の液体

H01L 23/24 ・・・装置の通常の運転温度の固体またはゲル{(H01L 23/3135 優位をとる)}

H01L 23/26 ・・・上記は、水分または他の望まれていない物質を吸収するかまたは化学反応するための材料を含む、｛例えばゲッタ}

H01L 23/28 ・カプセル化、例えば層（コーティング）をカプセル化する｛例えば保護のための}(H01L 23/552 優位をとる； {接触または相互接続のための絶縁層H01L 23/5329})

H01L 23/29 ・・材料によって、特徴を描写する｛例えばカーボン(層間絶縁膜H01L 23/5329)}

H01L 23/291 ・・・{酸化物または窒化または炭化物、例えばセラミック、ガラス}

H01L 23/293 ・・・{有機、例えばプラスチック}

H01L 23/295 ・・・・{上記は、充填材を含む(H01L 23/296 優位をとる)}

H01L 23/296 ・・・・{有機シリコン合成物}

H01L 23/298 ・・・{半導体材料、例えばアモルファスシリコン}

H01L 23/31 ・・装置によって、特徴付けられる{または形状}

H01L 23/3107 ・・・{完全に囲まれている装置}

H01L 23/3114 ・・・・{チップ・スケールであることはパックする装置、例えばCSP}

H01L 23/3121 ・・・・{カプセル化の一部を形成している下地}

H01L 23/3128 ・・・・・{外部コネクションのための球状衝突を有する下地}

H01L 23/3135 ・・・・{二重カプセル化またはコーティング、そして、カプセル化}

H01L 23/3142 ・・・・{パーツ間の封止配置、例えば粘着力促進剤}

H01L 23/315 ・・・・{空腔を有するカプセル化}

H01L 23/3157 ・・・{部分的なカプセル化またはコーティング(絶縁層として使用するマスク層H01L 21/31)}

H01L 23/3164 ・・・・{箔であるコーティング}

H01L 23/3171 ・・・・{直接半導体部分に適用されているコーティング、例えばパシベーション層(H01L 23/3178 優位をとる)}

H01L 23/3178 ・・・・{半導体部分において、作られる溝のコーティングまたは充填材}

H01L 23/3185 ・・・・{また、半導体部分の側壁をカバーしているコーティング}

H01L 23/3192 ・・・・{多層コーティング}

H01L 23/32 ・作動中に完全な装置を支持するための保有者、すなわち着脱可能な備品(H01L 23/40 優位をとる、コネクタ、｛例えばソケット}、一般にH01R；プリント回路のためのH05K)

H01L 23/34 ・冷えるための配置、加熱、通気しているまたは温度補償； {温度感知装置(熱処理装置H01L 21/00)}

H01L 23/345 ・・{暖房用の配置(熱処理装置H01L 21/00)}

H01L 23/36 ・・材料または、冷えることまたは加熱を容易にするために、形削りの選択例えばヒートシンク{(H01L 23/28, H01L 23/40, H01L 23/42, H01L 23/44, H01L 23/46 優位をとる；加熱H01L 23/345)}

H01L 23/367 ・・・装置の形状によって、容易にされる冷却{(H01L 23/38, H01L 23/40, H01L 23/42, H01L 23/44, H01L 23/46 優位をとる)}

H01L 23/3672 ・・・・{箔のようなクーリングフィンまたはヒートシンク(リードフレームの一部であることH01L 23/49568)}

H01L 23/3675 ・・・・{ハウジングの形状によって、特徴付けられる}

H01L 23/3677 ・・・・{導線のようであるかピンのようなクーリングフィンまたはヒートシンク}

H01L 23/373 ・・・装置のための材料の選択によって、容易になる冷却｛または熱膨張適合のための材料、例えばカーボン}

H01L 23/3731 ・・・・{セラミック材料またはガラス(H01L 23/3732, H01L 23/3733, H01L 23/3735, H01L 23/3737, H01L 23/3738 優位をとる)}

H01L 23/3732 ・・・・{ダイヤモンド}

H01L 23/3733 ・・・・{異質であるか異方性の構造を有すること、例えばマトリックスの粉または繊維、導線メッシュ、多孔質構造体(H01L 23/3732, H01L 23/3737 優位をとる)}

H01L 23/3735 ・・・・{積層体または多層フィルム、例えば直接の結合銅のセラミック基板}

H01L 23/3736 ・・・・{金属材料(H01L 23/3732, H01L 23/3733, H01L 23/3735, H01L 23/3737, H01L 23/3738 優位をとる)}

H01L 23/3737 ・・・・{熱伝導性な充填材の有無にかかわらない有機材料}

H01L 23/3738 ・・・・{半導体材料}

H01L 23/38 ・・ペルチェ効果を使用している冷却配置

H01L 23/40 ・・着脱可能な冷却であるか加熱装置のための実装または緊締手段{(加熱H01L 23/345)；摩擦によって、固定する、プラグまたはばね}

H01L 23/4006 ・・・{ボルトまたはネジを有する}

H01L 23/4012 ・・・・{複数の半導体装置の積み重ねられた配置のための(アセンブリそれ自体H01L 25/00)}

H01L 23/4093 ・・・{パチンとはまる配置、例えば切り抜き}

H01L 23/42 ・・容器の充填材または補助部材{またはカプセル化}選ばれるかまたは加熱または冷却を容易にするために配列される({加熱H01L 23/345}；装置のための材料の選択によって、特徴付けられるH01L 23/373)

H01L 23/427 ・・・状態の変化による冷却、例えばヒートパイプの使用{(液化されたガスによってH01L 23/445)}

H01L 23/4275 ・・・・{固体の溶融または蒸発によって}

H01L 23/433 ・・・それらの形状によって、特徴付けられる補助部材｛容器で｝、例えばピストン

H01L 23/4332 ・・・・{ベローズ}

H01L 23/4334 ・・・・{カプセル化の補助部材(H01L 23/49568 優位をとる)}

H01L 23/4336 ・・・・{ジェット衝突と結合して}

H01L 23/4338 ・・・・{ピストンズ、例えばばね式部材}

H01L 23/44 ・・空気以外の流体にまったく浸漬されている完全な装置{(H01L 23/427 優位をとる)}

H01L 23/445 ・・・{液化されたガスである流体、例えば低温容器の}

H01L 23/46 ・・流れる流体によって、熱の転送を含むこと(H01L 23/42, H01L 23/44 優位をとる)

H01L 23/467 ・・・流れるガスによって、例えば空気{(H01L 23/473 優位をとる)}

H01L 23/473 ・・・流れる液体によって{(H01L 23/4332, H01L 23/4338 優位をとる)}

H01L 23/4735 ・・・・{ジェット衝突(H01L 23/4336 優位をとる)}

H01L 23/48 ・作動中に電流を固体体へ導くための配置、例えばリード、終端の準備(一般にH01R)； {そのための材料の選択}

H01L 23/481 ・・{内部鉛製の接続、例えば接続を経た、フィードスルー構造}

H01L 23/482 ・・不可分に半導体部分に適用される引込線層からなる{(電極H01L 29/40)}

H01L 23/4821 ・・・{エアギャップを有する橋構造}

H01L 23/4822 ・・・{ビーム・リード}

H01L 23/4824 ・・・{拡張した輪郭を有するパッド、例えば格子構造、分岐構造、指構造}

H01L 23/4825 ・・・{絶縁することまたは半絶縁基体上の半導体層からなる装置のための、例えばサファイヤ装置上のシリコン、すなわちSOS}

H01L 23/4827 ・・・{材料}

H01L 23/4828 ・・・・{伝導性の有機材料またはペースト、例えば導電性接着剤、インク}

H01L 23/485 ・・・導電層および絶縁層から成る層をなした構造からなる、例えば平面接触{(H01L 23/4821, H01L 23/4822, H01L 23/4824,H01L 23/4825 優位をとる；材料H01L 23/532、結合パッドH01L 24/02、衝突コネクタH01L 24/10)}

H01L 23/4855 ・・・・{オーバーハング構造}

H01L 23/488 ・・成ることは、はんだ付けした{または結合される}構造{(衝突コネクタH01L 24/01)}

H01L 23/49 ・・・導線のようである{配置またはピンまたはロッド(光ファイバを使用することH01L 23/48；ピンは、絶縁基体に付属したH01L 23/49811)}

H01L 23/492 ・・・ベースまたはプレート{またはそのためのはんだ}

H01L 23/4922 ・・・・{異質であるか異方性の構造を有する}

H01L 23/4924 ・・・・{材料によって、特徴付けられる}

H01L 23/4926 ・・・・・{半導体材料を含んでいる材料}

H01L 23/4928 ・・・・・{カーボンを含んでいる材料}

H01L 23/495 ・・・リードフレーム{または他の平坦なリード(H01L 23/498 優位をとる；構成素子間のリードフレーム相互接続H01L 23/52)}

H01L 23/49503 ・・・・{型パッドによって、特徴付けられる}

H01L 23/49506 ・・・・・{diepadとして使用されている絶縁の下地、例えばセラミック、プラスチック(H01L 23/49531 優位をとる)}

H01L 23/4951 ・・・・・{リード上のチップまたはリード・オンチップ技術、すなわち型パッドとして使用されている内側リードフィンガ}

H01L 23/49513 ・・・・・{チップおよび型パッド間の接合材料を有する}

H01L 23/49517 ・・・・{更なるリード}

H01L 23/4952 ・・・・・{衝突または導線である更なるリード}

H01L 23/49524 ・・・・・{テープ・キャリアまたは平坦なリードである更なるリード}

H01L 23/49527 ・・・・・{多層フィルムである更なるリード}

H01L 23/49531 ・・・・・{配線盤である更なるリード}

H01L 23/49534 ・・・・{マルチ層}

H01L 23/49537 ・・・・{リードフレームの複数は、1台のデバイスで上昇した}

H01L 23/49541 ・・・・{リードフレームのジオメトリ}

H01L 23/49544 ・・・・・{パーツをリードフレーム平面に吸収している変形、例えばメアンダライン形状(H01L 23/49562 優位をとる)}

H01L 23/49548 ・・・・・{断面積幾何学(H01L 23/49562 優位をとる)}

H01L 23/49551 ・・・・・・{曲がったパーツによって、特徴付けられる}

H01L 23/49555 ・・・・・・・{外側のリードである曲がったパーツ}

H01L 23/49558 ・・・・・{リードフレーム上の絶縁層、例えばブリッジング部材}

H01L 23/49562 ・・・・・{中で提供されている装置のためのH01L 29/00}

H01L 23/49565 ・・・・・{リードフレームのサイドレール、例えば切取り線を有する、スプロケット穴}

H01L 23/49568 ・・・・{熱放散を容易にするために特に構成される}

H01L 23/49572 ・・・・{フィルム・キャリアの有無にかかわらない細い可撓性金属的テープからなる(H01L 23/49503 to H01L 23/49568 そして、H01L 23/49575 to H01L 23/49579 優位をとる)}

H01L 23/49575 ・・・・{リードフレーム上の半導体装置のアセンブリ}

H01L 23/49579 ・・・・{その上にリードフレームまたは層の材料によって、特徴付けられる}

H01L 23/49582 ・・・・・{リードフレーム上の金属的層}

H01L 23/49586 ・・・・・{リードフレーム上の絶縁層}

H01L 23/49589 ・・・・{リードフレームを有するまたは上のコンデンサ積分}

H01L 23/49593 ・・・・{リードフレームと結合する電池}

H01L 23/49596 ・・・・{リードフレームと結合する発振器}

H01L 23/498 ・・・絶縁基体に｛すなわちmetallisationsまたはリードフレーム｝、リードする｛例えばチップ・キャリア(下地の形状H01L 23/13)}

H01L 23/49805 ・・・・{また、側壁に適用されているリードまたは下地の一番下、例えば表面実装のための無鉛のパッケージ}

H01L 23/49811 ・・・・{絶縁基体上の金属化に結ばれる更なるリード、例えばピン、衝突、導線、平坦なリード(H01L 23/49827 優位をとる)}

H01L 23/49816 ・・・・・{外部コネクションのための下地上の球状衝突、例えばボールグリッドアレイ(BGA)}

H01L 23/49822 ・・・・{積層基板(単分子層下地上の多層金属化H01L 23/498)}

H01L 23/49827 ・・・・{下地による接続を経た、例えば下地を通過しているピン、同軸ケーブル(H01L 23/49822, H01L 23/49833, H01L 23/4985,H01L 23/49861 優位をとる)}

H01L 23/49833 ・・・・{複数の絶縁基体からなるチップ支持構造物}

H01L 23/49838 ・・・・{幾何学またはレイアウト}

H01L 23/49844 ・・・・・{中で提供されている装置のためのH01L 29/00}

H01L 23/4985 ・・・・{可撓性絶縁基体(H01L 23/49572 そして、H01L 23/49855 優位をとる)}

H01L 23/49855 ・・・・{フラットカードのための、例えばクレジットカード(カードそれ自体G06K 19/00)}

H01L 23/49861 ・・・・{絶縁基体を固定するかまたはカプセル化されるリードフレーム(H01L 23/4985, H01L 23/49805 優位をとる)}

H01L 23/49866 ・・・・{材料によって、特徴付けられる(下地の材料H01L 23/14、リードフレームのH01L 23/49579)}

H01L 23/49872 ・・・・・{半導体材料を含んでいる導電材料}

H01L 23/49877 ・・・・・{カーボン、例えばフラーレン(超伝導フラーレンH01L 39/123)}

H01L 23/49883 ・・・・・{有機材料またはペーストを含んでいる導電材料、例えば厚膜のための(プリント回路のためのH05K 1/092)}

H01L 23/49888 ・・・・・{超電導材料を含んでいる導電材料}

H01L 23/49894 ・・・・・{絶縁層またはコーティングの材料}

H01L 23/50 ・・集積回路装置のための、｛例えばパワーバス、リードの数}(H01L 23/482 to H01L 23/498 優位をとる)

H01L 23/52 ・1つの構成素子からもう一方まで運転中の装置の範囲内で電流を実行するための準備‖｛すなわち相互接続、例えば導線、リードフレーム(光学相互接続G02B 6/00)}

H01L 23/522 ・・上記は、不可分に半導体部分の上に形成される伝導で絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含む

H01L 23/5221 ・・・{交差相互接続}

H01L 23/5222 ・・・{容量性装置または効果の、または配線層間の(他の容量配置H01L 23/642)}

H01L 23/5223 ・・・・{配線層を有するコンデンサ積分}

H01L 23/5225 ・・・・{遮へい層は、配線層と共に形をなした}

H01L 23/5226 ・・・{多層配線構造の接続を経た}

H01L 23/5227 ・・・{帰納的な装置または効果の、または、両者間に、配線層(他の帰納的取り決めH01L 23/645)}

H01L 23/5228 ・・・{電気抵抗装置または効果の、または、両者間に、配線層(他の電気抵抗配置H01L 23/647)}

H01L 23/525 ・・・適合できる相互接続を有する

H01L 23/5252 ・・・・{上記は、反ヒューズから成る、すなわち変化されるそれらの状態を非導通するようにしている接続ために導通する}

H01L 23/5254 ・・・・・{外部梁の使用から生じている状態の変化、例えばレーザー光線またはイオンビーム}

H01L 23/5256 ・・・・{上記は、ヒューズから成る、すなわち変化されるそれらの状態を導通するようにしている接続ために非導通する}

H01L 23/5258 ・・・・・{外部梁の使用から生じている状態の変化、例えばレーザー光線またはイオンビーム}

H01L 23/528 ・・・{幾何学、または、}相互接続構造のレイアウト{(H01L 27/0207 優位をとる；アルゴリズムG06F 17/50)}

H01L 23/5283 ・・・・{断面幾何学}

H01L 23/5286 ・・・・{力または接地バスの配列}

H01L 23/532 ・・・材料によって、特徴付けられる

H01L 23/53204 ・・・・{導電材料}

H01L 23/53209 ・・・・・{金属を主成分として、例えば合金、金属ケイ素化合物(H01L 23/53285 優位をとる)}

H01L 23/53214 ・・・・・・{アルミニウムである主要な金属}

H01L 23/53219 ・・・・・・・{アルミニウム合金}

H01L 23/53223 ・・・・・・・{アルミニウム層と関連する追加的な層、例えば粘着力、バリア、クラッディング}

H01L 23/53228 ・・・・・・{銅である主要な金属}

H01L 23/53233 ・・・・・・・{銅の合金}

H01L 23/53238 ・・・・・・・{銅層と関連する追加的な層、例えば粘着力、バリア、クラッディング}

H01L 23/53242 ・・・・・・{貴金属である主要な金属、例えば金}

H01L 23/53247 ・・・・・・・{貴金属合金}

H01L 23/53252 ・・・・・・・{貴金属層と関連する追加的な層、例えば粘着力、バリア、クラッディング}

H01L 23/53257 ・・・・・・{耐火性金属である主要な金属}

H01L 23/53261 ・・・・・・・{耐火性金属合金}

H01L 23/53266 ・・・・・・・{耐火性金属層と関連する追加的な層、例えば粘着力、バリア、クラッディング}

H01L 23/53271 ・・・・・{上記は、半導体材料を含む。例えばポリシリコン}

H01L 23/53276 ・・・・・{上記は、カーボンを含む。例えばフラーレン(超伝導フラーレンH01L 39/123)}

H01L 23/5328 ・・・・・{上記は、伝導性の有機材料またはペーストを含む。例えば導電性接着剤、インク}

H01L 23/53285 ・・・・・{上記は、超電導材料を含む}

H01L 23/5329 ・・・・{絶縁材料}

H01L 23/53295 ・・・・・{積み重ねられた絶縁層}

H01L 23/535 ・・上記は、内部相互接続を含む。例えばcross-under構造{(内部鉛製の接続H01L 23/481)}

H01L 23/538 ・・形をなされている複数の半導体チップ間の相互接続構造、または、の、絶縁基体({H05K 優位をとる；製造または処理H01L 21/4846}；実装それ自体H01L 23/12； {材料H01L 23/49866})

H01L 23/5381 ・・・{交差相互接続、例えば橋stepovers}

H01L 23/5382 ・・・{適合できる相互接続、例えば工学変化のための}

H01L 23/5383 ・・・{積層基板(H01L 23/5385 優位をとる；単分子層下地上の多層金属化H01L 23/538)}

H01L 23/5384 ・・・{ピンの有無にかかわらない下地による伝導のバイア、例えば埋設された中間導体(H01L 23/5383, H01L 23/5385 優位をとる；ピンは、絶縁基体に付属したH01L 23/49811)}

H01L 23/5385 ・・・{複数の絶縁基体の組立て}

H01L 23/5386 ・・・{相互接続構造の幾何学またはレイアウト}

H01L 23/5387 ・・・{可撓性絶縁基体(H01L 23/5388 優位をとる)}

H01L 23/5388 ・・・{フラットカードのための、例えばクレジットカード(カードそれ自体G06K 19/00)}

H01L 23/5389 ・・・{相互接続および支持構造物によって、一体的に囲まれているチップ}

H01L 23/544 ・半導体装置｛またはパーツ｝に適用されるマーク、例えば登録マーク、 {配置構造、ウェーハ・マップ(製造プロセスを特徴を描写するかまたはモニタするためのテストパターンH01L 22/00)}

H01L 23/552 ・放射線からの保護、例えば光{または電磁波}

H01L 23/556 ・・α線に対して

H01L 23/562 ・{機械の損傷に対する保険(H01L 23/02, H01L 23/28 優位をとる)}

H01L 23/564 ・{他に分類されない詳細、例えば水分からの保護(ゲッタH01L 23/26)}

H01L 23/57 ・{点検からの保護、リバース・エンジニアリングまたはむやみに変更をする}

H01L 23/573 ・・{受動的な手段を使用すること}

H01L 23/576 ・・{作動中の回路を使用すること}

H01L 23/58 ・他に分類されない半導体装置用の構造上の電気配置、｛例えば電池と組み合わせて(H01L 23/49593, H01L 23/49596 優位をとる)}

H01L 23/585 ・・{上記は、導電層またはプレートから成るかまたは剥離する、または、ロッド‖またはリング‖(H01L 23/60, H01L 23/62, H01L 23/64, H01L 23/66 優位をとる)}

H01L 23/60 ・・帯電または放出からの保護、例えばファラデー・シールド(一般にH05F)

H01L 23/62 ・・過電圧からの保護、例えばヒューズ、短絡

H01L 23/64 ・・インピーダンス配置

H01L 23/642 ・・・{容量配置(H01L 23/49589, H01L 23/645, H01L 23/647,H01L 23/66 優位をとる；半導体部分上の配線層間の容量性効果H01L 23/5222)}

H01L 23/645 ・・・{帰納的取り決め(H01L 23/647, H01L 23/66 優位をとる)}

H01L 23/647 ・・・{電気抵抗配置(H01L 23/66, H01L 23/62 優位をとる)}

H01L 23/66 ・・・高周波改作

H01L 24/00 {半導体または固体物理体を接続するかまたは分離するための準備；方法または装置は、それに対して関した}

H01L 24/01 ・{か形をなされて、接続される（例えばパッケージに対するチップ、ダイ接着剤）表層に取り付けられることを結合するための手段"第1のレベル"相互接続；製造方法は、それに対して関した}

H01L 24/02 ・・{領域を結合する（絶縁基体に、例えばチップ・キャリア、 H01L 23/49816,H01L 23/49838, H01L 23/5389); 製造方法は、それに対して関した}

H01L 24/03 ・・・{製造方法}

H01L 24/04 ・・・{構造、形状、材料または接続方法の前に領域を結合することの配列}

H01L 24/05 ・・・・{面積を結合している個人の}

H01L 24/06 ・・・・{複数の接着している領域の}

H01L 24/07 ・・・{構造、形状、材料または接続プロセスの後、領域を結合することの配列}

H01L 24/08 ・・・・{面積を結合している個人の}

H01L 24/09 ・・・・{複数の接着している領域の}

H01L 24/10 ・・{コネクタをぶつける（絶縁基体に衝突する例えばチップ・キャリア、H01L 23/49816); 製造方法は、それに対して関した}

H01L 24/11 ・・・{製造方法(絶縁基体上の衝突のためのH01L 21/4853)}

H01L 24/12 ・・・{構造、形状、材料または接続方法より前の衝突コネクタの配置}

H01L 24/13 ・・・・{個々の衝突コネクタの}

H01L 24/14 ・・・・{複数の衝突コネクタの}

H01L 24/15 ・・・{構造、形状、材料または接続方法の後の衝突コネクタの配置}

H01L 24/16 ・・・・{個々の衝突コネクタの}

H01L 24/17 ・・・・{複数の衝突コネクタの}

H01L 24/18 ・・{高密度は、相互接続する[HDI}コネクタ；製造方法は、それに対して関した(複数の半導体チップ間の相互接続構造H01L 23/5389)]

H01L 24/19 ・・・{高密度の製造方法は、プリフォームを相互接続する}

H01L 24/20 ・・・{構造、形状、材料または高密度相互接続プリフォームの配列}

H01L 24/23 ・・・{構造、形状、材料または接続方法の後の高密度相互接続コネクタの配置}

H01L 24/24 ・・・・{個々の高密度相互接続コネクタの}

H01L 24/25 ・・・・{複数の高密度相互接続コネクタの}

H01L 24/26 ・・{層コネクタ、例えばプレート・コネクタ、はんだまたは接着材層；製造方法は、それに対して関した}

H01L 24/27 ・・・{製造方法}

H01L 24/28 ・・・{構造、形状、材料または接続方法より前の層コネクタの配置}

H01L 24/29 ・・・・{個々の層コネクタの}

H01L 24/30 ・・・・{複数の層コネクタの}

H01L 24/31 ・・・{構造、形状、材料または接続方法の後の層コネクタの配置}

H01L 24/32 ・・・・{個々の層コネクタの}

H01L 24/33 ・・・・{複数の層コネクタの}

H01L 24/34 ・・{ストラップ・コネクタ、例えば動力装置を接地するための銅色のバンド；製造方法は、それに対して関した}

H01L 24/35 ・・・{製造方法}

H01L 24/36 ・・・{構造、形状、材料または接続方法より前のストラップ・コネクタの配置}

H01L 24/37 ・・・・{個々のストラップ・コネクタの}

H01L 24/38 ・・・・{複数のストラップ・コネクタの}

H01L 24/39 ・・・{構造、形状、材料または接続方法の後のストラップ・コネクタの配置}

H01L 24/40 ・・・・{個々のストラップ・コネクタの}

H01L 24/41 ・・・・{複数のストラップ・コネクタの}

H01L 24/42 ・・{導線コネクタ；製造方法は、それに対して関した}

H01L 24/43 ・・・{製造方法}

H01L 24/44 ・・・{構造、形状、材料または接続方法より前の導線コネクタの配置}

H01L 24/45 ・・・・{個々の導線コネクタの}

H01L 24/46 ・・・・{複数の導線コネクタの}

H01L 24/47 ・・・{構造、形状、材料または接続方法の後の導線コネクタの配置}

H01L 24/48 ・・・・{個々の導線コネクタの}

H01L 24/49 ・・・・{複数の導線コネクタの}

H01L 24/50 ・・{TAB [タブ｝コネクタ、すなわちフィルム・キャリア；製造方法は、それに対して関した(フィルム・キャリアの有無にかかわらない細い可撓性金属的テープ　H01L 23/49572, 可撓性絶縁基体H01L 23/4985, H01L 23/5387)]

H01L 24/63 ・・{グループの何にもおいて提供されないコネクタH01L 24/10 to H01L 24/50 そして、サブグループ；製造方法は、それに対して関した}

H01L 24/64 ・・・{製造方法}

H01L 24/65 ・・・{構造、形状、材料または接続方法より前のコネクタの配置}

H01L 24/66 ・・・・{個々のコネクタの}

H01L 24/67 ・・・・{複数のコネクタの}

H01L 24/68 ・・・{構造、形状、材料または接続方法の後のコネクタの配置}

H01L 24/69 ・・・・{個々のコネクタの}

H01L 24/70 ・・・・{複数のコネクタの}

H01L 24/71 ・{付属されないことを結合するための手段、または形をなされないこと、接続される表層(作動中に完全な装置を支持するための保有者H01L 23/32)}

H01L 24/72 ・・{装置を接続している機械の補足編からなる着脱可能な接続手段、例えばばねまたは切り抜きを使用している圧力接触}

H01L 24/73 ・{グループのうちの2つ以上において、提供される異なるタイプの中であることを結合するための手段H01L 24/10, H01L 24/18, H01L 24/26, H01L 24/34, H01L 24/42, H01L 24/50, H01L 24/63, H01L 24/71}

H01L 24/74 ・{半導体または固体物理体を接続するかまたは分離するための装置を製造する装置}

H01L 24/741 ・・{接着するための手段を製造する装置、例えばコネクタ}

H01L 24/742 ・・・{衝突コネクタを製造する装置}

H01L 24/743 ・・・{層コネクタを製造する装置}

H01L 24/744 ・・・{ストラップ・コネクタを製造する装置}

H01L 24/745 ・・・{導線コネクタを製造する装置}

H01L 24/75 ・・{衝突コネクタまたは層コネクタと連結する装置}

H01L 24/76 ・・{増強相互接続と連結する装置}

H01L 24/77 ・・{ストラップ・コネクタと連結する装置}

H01L 24/78 ・・{導線コネクタと連結する装置}

H01L 24/79 ・・{TAB [タブ]のための装置}

H01L 24/799 ・・{分離する装置}

H01L 24/80 ・{接続半導体のための方法または付属されることを結合するための手段を使用している他の固体体、または形をなされること、接続される表層}

H01L 24/81 ・・{衝突コネクタを使用すること}

H01L 24/82 ・・{チップ-レベルで増強相互接続を形成することによって、例えば高密度相互接続のための[HDI}(複数の半導体チップ間の相互接続構造H01L 23/5389)]

H01L 24/83 ・・{層コネクタを使用すること}

H01L 24/84 ・・{ストラップ・コネクタを使用すること}

H01L 24/85 ・・{導線コネクタを使用すること(ワイヤボンディング一般にB23K 20/004)}

H01L 24/86 ・・{TABを使用する[タブ}]

H01L 24/89 ・・{グループの何にもおいて提供されない少なくとも一つのコネクタを使用することH01L 24/81 to H01L 24/86}

H01L 24/90 ・{接続半導体のための方法または、形をなされて、接続される体表に取り付けられないことを結合するための手段を使用している固体体、例えばばねまたは切り抜きを使用している圧力接触}

H01L 24/91 ・{接続半導体のための方法またはグループのうちの2つ以上において、提供される異なる方法を含んでいる固体体H01L 24/80 to H01L 24/90}

H01L 24/92 ・・{方法ステップの特定のシーケンス}

H01L 24/93 ・{バッチ操作}

H01L 24/94 ・・{ウェーハ-レベルで、すなわち接続することに関する、複数のundicedされた個々の装置から成るウェーハに、実行される}

H01L 24/95 ・・{チップ-レベルで、すなわち接続することに関する、複数のsingulatedされた装置に実行される、すなわち小立方体にされたチップ上の}

H01L 24/96 ・・・{一般の層にカプセル化されている装置、例えば新ウェーハまたは疑似ウェーハ、接続した後に個々のアセンブリに分離可能な前記一般の層}

H01L 24/97 ・・・{共通基板に接続している装置、例えば介入物、接続した後に個々のアセンブリに分離可能な前記共通基板}

H01L 24/98 ・{半導体または固体物理体を分離する方法}

H01L 25/00 複数の個々の半導体または他の固体装置からなるアセンブリ{；それの多段階製造プロセス}({半導体装置のその上にアセンブリを有するリードフレームH01L 23/49575；方法を使用している組立半導体装置またはサブグループの単一の一つにおいて、提供されない装置H01L 21/06 to H01L 21/326、例えば容器の基部に対するキャップのシーリング、 H01L 21/50}；共通基板の上に形成される複数の固体構成素子からなる装置H01L 27/00；光電セルのアセンブリH01L 31/042, {H01G 9/20}；太陽電池または太陽電池板を使用している生成プログラム{H02S}；供給が他のサブクラスの中に存在する完全な回路アセンブリの詳細、例えばテレビ受信機の詳細は、関連したサブクラスを見る、例えば H04N；電気的コンポーネントの一般にアセンブリの詳細H05K)

H01L 25/03 ・グループの同じサブグループにおいて、提供されるタイプの中である全ての装置H01L 27/00 to H01L 51/00、例えば整流ダイオードのアセンブリ

H01L 25/04 ・・別々の容器を有する装置でない

H01L 25/041 ・・・{グループにおいて、提供されるタイプの中である装置H01L 31/00}

H01L 25/042 ・・・・{各々の次に配置されている装置(太陽電池H01L 31/042)}

H01L 25/043 ・・・・{装置の積み重ねられた配置}

H01L 25/045 ・・・・・{太陽電池である装置}

H01L 25/046 ・・・{グループにおいて、提供されるタイプの中である装置H01L 51/00}

H01L 25/047 ・・・・{グループにおいて、提供されるタイプの中である装置H01L 51/42、例えば有機太陽電池に基づく光電子モジュール}

H01L 25/048 ・・・・{グループにおいて、提供されるタイプの中である装置H01L 51/50 、例えば有機発光デバイスの組立て}

H01L 25/065 ・・・グループにおいて、提供されるタイプの中である装置H01L 27/00

H01L 25/0652 ・・・・{互いに次に配列されて動いている装置、すなわち混合アセンブリ}

H01L 25/0655 ・・・・{各々の次に配置されている装置}

H01L 25/0657 ・・・・{装置の積み重ねられた配置}

H01L 25/07 ・・・グループにおいて、提供されるタイプの中である装置H01L 29/00

H01L 25/071 ・・・・{互いに次に配列されて動いている装置、すなわち混合アセンブリ}

H01L 25/072 ・・・・{各々の次に配置されている装置}

H01L 25/073 ・・・・{一つ以上のロッドに載置する孔のある装置は、開口を通過した}

H01L 25/074 ・・・・{非孔のある装置の積み重ねられた配置}

H01L 25/075 ・・・グループにおいて、提供されるタイプの中である装置H01L 33/00

H01L 25/0753 ・・・・{各々の次に配置されている装置}

H01L 25/0756 ・・・・{装置の積み重ねられた配置}

H01L 25/10 ・・別々の容器を有する装置

H01L 25/105 ・・・{グループにおいて、提供されるタイプの中である装置H01L 27/00}

H01L 25/11 ・・・グループにおいて、提供されるタイプの中である装置H01L 29/00

H01L 25/112 ・・・・{混合アセンブリ}

H01L 25/115 ・・・・{各々の次に配置されている装置}

H01L 25/117 ・・・・{装置の積み重ねられた配置}

H01L 25/13 ・・・グループにおいて、提供されるタイプの中である装置H01L 33/00

H01L 25/16 ・2つ以上の異なるメインにおいて、提供されるタイプの中であることは集まる装置H01L 27/00 toH01L 49/00{andH01L 51/00}、例えばフォーミング（成形）ハイブリッド回路{(ハイブリッド回路のための相互接続H01L 23/5389)}

H01L 25/162 ・・{2つ以上の異なる下地に載置している装置}

H01L 25/165 ・・{容器}

H01L 25/167 ・・{上記は、光電子工学の装置から成る、例えばLED、フォトダイオード}

H01L 25/18 ・同じ主グループの群の2つ以上の異なるサブグループにおいて、提供されるタイプの中である装置H01L 27/00 to H01L 51/00{(上記は、中で提供される装置から成る H01L 27/144 そして、サブグループ、見るH01L27/144およびサブグループ)}

H01L 25/50 ・{装置からなるアセンブリの多段階製造プロセス、グループにおいて、提供されるタイプの中である各々の装置H01L 27/00 or H01L 29/00(H01L 21/50 優位をとる)}

H01L 27/00 複数の半導体または他の固体構成素子からなる装置は、共通基板において、またはに形をなした(方法または装置は、製造またはそれの処理のためにまたはそれのパーツの中で特別に適応したH01L 21/70, H01L 31/00 to H01L 51/00；それの詳細H01L 23/00, H01L 29/00 to H01L 51/00；複数の個々の固体装置からなるアセンブリH01L 25/00；電気的コンポーネントの一般にアセンブリH05K)

H01L 27/01 ・上記は、一般の絶縁基体の上に形成される受動的な薄膜または厚膜素子だけから成る{(潜在的ジャンプのない受動的な2-端末構成素子または集積回路のための表面バリヤ、それの詳細およびそのための多段階製造プロセスH01L 28/00)}

H01L 27/013 ・・{厚膜回路}

H01L 27/016 ・・{薄膜回路}

H01L 27/02 ・上記は、調整するために特別に構成される半導体構造体を含む、振動すること、詳細に述べてまたは切り替えをして、少なくとも一つの潜在的ジャンプ・バリアまたは表面バリヤを有すること；上記は、少なくとも一つの潜在的ジャンプ・バリアまたは表面バリヤを有する統合化受動的な回路素子を含む

H01L 27/0203 ・・{集積回路のための特定の設計考慮}

H01L 27/0207 ・・・{構成素子の幾何学的な配置、例えばCAD；カスタムLSI、半カスタムLSI、標準電池テクニック}

H01L 27/0211 ・・・・{温度の必要条件のために構成される(配置を冷やすことそれ自体H01L 23/34)}

H01L 27/0214 ・・・{内部分極化のための、例えばI2L}

H01L 27/0218 ・・・・{分野効果構造の}

H01L 27/0222 ・・・・・{充電ポンピング、下地バイアス生成構造(回路G05F 3/205)}

H01L 27/0225 ・・・・・{静的誘導トランジスタ論理構造の充電注射、すなわちSITL(回路H03K 19/0912)}

H01L 27/0229 ・・・・{二極式構造の}

H01L 27/0233 ・・・・・{IIL構造、すなわちI2L(回路H03K 19/091)}

H01L 27/0237 ・・・・・・{垂直インゼクタ構造を使用すること}

H01L 27/024 ・・・・・・{分野を使用することは、インゼクタ構造を遂行する}

H01L 27/0244 ・・・・・・{アナログ構造と組み合わせて統合されるI2L構造}

H01L 27/0248 ・・・{電気であるか熱プロテクションのための、例えば静電的な放出[ESD}保護(非常用の保護回路配置H02H；保護電子スイッチ用の回路準備H03K 17/08；保護論理回路のための回路準備H03K 19/003)]

H01L 27/0251 ・・・・{MOS装置のための}

H01L 27/0255 ・・・・・{保護素子としてダイオードを使用すること(ダイオードは、電界効果トランジスタを接続したH01L 27/0266；ダイオードは、バイポーラトランジスタを接続したH01L 27/0259)}

H01L 27/0259 ・・・・・{保護素子としてバイポーラトランジスタを使用すること}

H01L 27/0262 ・・・・・・{上記は、PNPトランジスタおよびNPNトランジスタを含む。そこにおいて、前記トランジスタの各々は、他のトランジスタの収集装置に連結するそのベースを有する、例えばシリコン制御整流器[SCR}devices]

H01L 27/0266 ・・・・・{保護素子として電界効果トランジスタを使用すること}

H01L 27/027 ・・・・・・{特別に分野効果以外の電流経路が現在の経路を誘導したと定めるのに適している}

H01L 27/0274 ・・・・・・・{電界効果トランジスタのゲート電極に電気に付勢することにより起動する寄生的なバイポーラトランジスタを含むこと、例えばゲート被結合トランジスタ}

H01L 27/0277 ・・・・・・・{寄生的なバイポーラトランジスタを含むことは、電気のローカルによって、前記寄生的なバイポーラトランジスタのベースとして作用している層の中で付勢することを起こした}

H01L 27/0281 ・・・・・・{中で電界効果トランジスタ"ダーリントンのようである"構成}

H01L 27/0285 ・・・・・・{電界効果トランジスタのゲート電極用のバイアス配置、例えばRCネットワーク、回路を分割している電圧(H01L 27/0281 優位をとる)}

H01L 27/0288 ・・・・・{保護素子として受動的な素子を使用すること、例えばレジスタ、コンデンサ、インダクタンスコイル、スパークギャップ}

H01L 27/0292 ・・・・・{調速機の保護装置を接続している手段を実行することの特定の構成を使用すること、例えばESDバス}

H01L 27/0296 ・・・・・{調速機の保護装置の特定の配列を含むこと}

H01L 27/04 ・・半導体部分である下地

H01L 27/06 ・・・上記は、複数の個々の構成素子を非反復性構成に含む

H01L 27/0605 ・・・・{合成材料でできている集積回路、例えばAIIIBV}

H01L 27/0611 ・・・・{一般のアクティブ領域のない構成素子の二次元の配置を有する集積回路}

H01L 27/0617 ・・・・・{上記は、電界効果タイプの構成素子から成る(H01L 27/0251 優位をとる)}

H01L 27/0623 ・・・・・・{バイポーラトランジスタと結合して}

H01L 27/0629 ・・・・・・{ダイオードと結合して、またはレジスタ、またはコンデンサ}

H01L 27/0635 ・・・・・・{バイポーラトランジスタおよびダイオードと結合して、またはレジスタ、またはコンデンサ}

H01L 27/0641 ・・・・・{分野効果タイプの構成素子なしで}

H01L 27/0647 ・・・・・・{ダイオードまたはコンデンサと結合するバイポーラトランジスタ‖またはレジスタ、例えば垂直バイポーラトランジスタおよび二極式横方向のトランジスタおよびレジスタ}

H01L 27/0652 ・・・・・・・{ダイオードと結合する垂直バイポーラトランジスタ、またはコンデンサ、またはレジスタ}

H01L 27/0658 ・・・・・・・・{レジスタまたはコンデンサと結合する垂直バイポーラトランジスタ}

H01L 27/0664 ・・・・・・・・{ダイオードと結合する垂直バイポーラトランジスタ}

H01L 27/067 ・・・・・・・{ダイオードと結合する横方向のバイポーラトランジスタ、またはコンデンサ、またはレジスタ}

H01L 27/0676 ・・・・・・{上記は、ダイオードの組合せから成る、またはコンデンサまたはレジスタ}

H01L 27/0682 ・・・・・・・{上記は、コンデンサおよびレジスタの組合せから成る}

H01L 27/0688 ・・・・{三次元レイアウトを有する集積回路}

H01L 27/0694 ・・・・・{上記は、半導体基板の対向側に形成される構成素子から成る}

H01L 27/07 ・・・・共通するアクティブ領域を有する構成素子

H01L 27/0705 ・・・・・{上記は、分野効果タイプの構成素子から成る}

H01L 27/0711 ・・・・・・{バイポーラトランジスタおよびダイオードと結合して、またはコンデンサ、またはレジスタ}

H01L 27/0716 ・・・・・・・{垂直バイポーラトランジスタおよびダイオードと結合して、またはコンデンサ、またはレジスタ}

H01L 27/0722 ・・・・・・・{横方向のバイポーラトランジスタおよびダイオードと結合して、またはコンデンサ、またはレジスタ}

H01L 27/0727 ・・・・・・{ダイオードと結合して、またはコンデンサまたはレジスタ}

H01L 27/0733 ・・・・・・・{コンデンサだけと組み合わせて}

H01L 27/0738 ・・・・・・・{レジスタだけと組み合わせて}

H01L 27/0744 ・・・・・{分野効果タイプの構成素子なしで}

H01L 27/075 ・・・・・・{ダイオードまたはコンデンサと結合するバイポーラトランジスタ‖またはレジスタ、例えば横方向のバイポーラトランジスタ、そして、垂直バイポーラトランジスタおよびレジスタ}

H01L 27/0755 ・・・・・・・{ダイオードと結合する垂直バイポーラトランジスタ、またはコンデンサ、またはレジスタ}

H01L 27/0761 ・・・・・・・・{ダイオードだけと結合する垂直バイポーラトランジスタ}

H01L 27/0766 ・・・・・・・・・{ショットキーダイオードだけを有する}

H01L 27/0772 ・・・・・・・・{レジスタだけと結合する垂直バイポーラトランジスタ}

H01L 27/0777 ・・・・・・・・{コンデンサだけと結合する垂直バイポーラトランジスタ}

H01L 27/0783 ・・・・・・・{ダイオードと結合する横方向のバイポーラトランジスタ、またはコンデンサ、またはレジスタ}

H01L 27/0788 ・・・・・・{上記は、ダイオードまたはコンデンサの組合せまたはレジスタから成る}

H01L 27/0794 ・・・・・・・{コンデンサおよびレジスタの組合せ}

H01L 27/08 ・・・上記は、単一の種類の半導体構造体だけを含む

H01L 27/0802 ・・・・{レジスタだけ}

H01L 27/0805 ・・・・{コンデンサだけ}

H01L 27/0808 ・・・・・{バラクタダイオード}

H01L 27/0811 ・・・・・{MIS ダイオード}

H01L 27/0814 ・・・・{ダイオードだけ}

H01L 27/0817 ・・・・{サイリスタだけ}

H01L 27/082 ・・・・上記は、二極式部品だけを含む

H01L 27/0821 ・・・・・{横方向および縦方向のトランジスタだけの組合せ}

H01L 27/0823 ・・・・・{上記は、垂直バイポーラトランジスタだけを含む}

H01L 27/0825 ・・・・・・{異なる特徴を有する同じ伝導率タイプの垂直直接的なトランジスタの組合せ、（例えばダーリントン・トランジスタ)}

H01L 27/0826 ・・・・・・{垂直相補的トランジスタの組合せ}

H01L 27/0828 ・・・・・・{直接で逆の垂直トランジスタの組合せ}

H01L 27/085 ・・・・{上記は、電界効果部品だけを含む}

H01L 27/088 ・・・・・絶縁されたゲートを有する電界効果トランジスタである構成素子

H01L 27/0883 ・・・・・・{減少および強化電界効果トランジスタの組合せ}

H01L 27/0886 ・・・・・・{上記は、半導体部分の直立側壁の横電流の流れを有するトランジスタを含む。例えばFinFET、MuGFET}

H01L 27/092 ・・・・・・補完的なMIS電界効果トランジスタ

H01L 27/0921 ・・・・・・・{双極を予防するための手段、例えばサイリスタ（異なるトランジスタ領域間の動き）例えばLatchup防止}

H01L 27/0922 ・・・・・・・{異なる構造を有する相補的トランジスタの組合せ、例えば積み重ねられたCMOS、高圧で低電圧CMOS}

H01L 27/0924 ・・・・・・・{上記は、半導体部分の直立側壁の横電流の流れを有するトランジスタを含む。例えばFinFET、MuGFET}

H01L 27/0925 ・・・・・・・{上記は、ｎ−ウェルを下地だけに含む}

H01L 27/0927 ・・・・・・・{上記は、ｐ型ウェルを下地だけに含む}

H01L 27/0928 ・・・・・・・{上記は、両方のN-から成る。そして、p-下地の湧き出る例えば対の桶}

H01L 27/095 ・・・・・ショットキ・バリア・ゲート電界効果トランジスタである構成素子

H01L 27/098 ・・・・・pn接合ゲート電界効果トランジスタである構成素子

H01L 27/10 ・・・上記は、複数の個々の構成素子を反復性構成に含む

H01L 27/101 ・・・・{上記は、レジスタまたはコンデンサだけを含む}

H01L 27/102 ・・・・上記は、二極式部品を含む

H01L 27/1021 ・・・・・{上記は、ダイオードだけを含む}

H01L 27/1022 ・・・・・{上記は、バイポーラトランジスタを含む}

H01L 27/1023 ・・・・・・{二極式ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ構造(回路G11C 11/24, G11C 11/34)}

H01L 27/1024 ・・・・・・{一つのバイポーラトランジスタだけの配列、例えばリードオンリーメモリ構造}

H01L 27/1025 ・・・・・・{静的二極式メモリ・セル構造(回路G11C 11/40)}

H01L 27/1026 ・・・・・・{二極式電気的にプログラム可能なメモリ構造(ヒューズを使用することH01L 23/525)}

H01L 27/1027 ・・・・・{サイリスタ}

H01L 27/1028 ・・・・・{ダブルベースダイオード}

H01L 27/105 ・・・・上記は、電界効果部品を含む

H01L 27/1052 ・・・・・{メモリ構造およびグループの中に提供されなくてそのための多段階製造プロセスH01L 27/1055 to H01L 27/112}

H01L 27/1055 ・・・・・{上記は、いわゆるバケツリレーの列タイプの電荷結合素子から成る}

H01L 27/1057 ・・・・・{上記は、電荷結合素子から成る(CCD)または充電注射装置(CID)}

H01L 27/108 ・・・・・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ構造(回路G11C 1/24, G11C 11/34)

H01L 27/10802 ・・・・・・{上記は、浮きまだら-体トランジスタから成る、例えば浮きまだら-体細胞(浮きまだら-体トランジスタそれ自体H01L 29/7841)}

H01L 27/10805 ・・・・・・{1-トランジスタ1-コンデンサ・メモリ・セルを有する}

H01L 27/10808 ・・・・・・・{トランジスタを通じて積み重ねられる記憶電極}

H01L 27/10811 ・・・・・・・・{コンデンサより高いビット線を有する}

H01L 27/10814 ・・・・・・・・{ビット線レベルより高いコンデンサを有する}

H01L 27/10817 ・・・・・・・・{多数の翼を有する記憶電極}

H01L 27/1082 ・・・・・・・{転送トランジスタ域の下で伸びているコンデンサ}

H01L 27/10823 ・・・・・・・{下地の溝構造を有するトランジスタ}

H01L 27/10826 ・・・・・・・{FinFETの中であることは入力するトランジスタ}

H01L 27/10829 ・・・・・・・{下地溝において、あるコンデンサ}

H01L 27/10832 ・・・・・・・・{転送トランジスタ域の下でまたは周辺で伸びているコンデンサ}

H01L 27/10835 ・・・・・・・・{トランジスタを通じて積み重ねられる記憶突出し長さを有する}

H01L 27/10838 ・・・・・・・{1本の溝において、あるコンデンサおよびトランジスタ}

H01L 27/10841 ・・・・・・・・{垂直なトランジスタ}

H01L 27/10844 ・・・・・・{多段階製造方法}

H01L 27/10847 ・・・・・・・{1つのトランジスタ1-コンデンサ・メモリ・セルから成る構造のための}

H01L 27/1085 ・・・・・・・・{それに対してコンデンサまたは接続をする少なくとも一つのステップを有する(集積回路にコンデンサを作ることH01L 28/40, H01L 29/66181)}

H01L 27/10852 ・・・・・・・・・{アクセス・トランジスタを通じて伸びているコンデンサ}

H01L 27/10855 ・・・・・・・・・・{トランジスタおよびコンデンサとの結合をする少なくとも一つのステップを有する、例えばプラグ}

H01L 27/10858 ・・・・・・・・・{アクセス・トランジスタ域の下で伸びているコンデンサ}

H01L 27/10861 ・・・・・・・・・{下地溝において、あるコンデンサ}

H01L 27/10864 ・・・・・・・・・・{垂直トランジスタと結合して}

H01L 27/10867 ・・・・・・・・・・{トランジスタおよびコンデンサとの結合をする少なくとも一つのステップを有する、例えば埋設されたストラップ}

H01L 27/1087 ・・・・・・・・・・{溝を作る少なくとも一つのステップを有する}

H01L 27/10873 ・・・・・・・・{トランジスタを製造する少なくとも一つのステップを有する(トランジスタを製造することそれ自体H01L 29/66409)}

H01L 27/10876 ・・・・・・・・・{下地の溝構造を有するトランジスタ(コンデンサと結合する垂直トランジスタは、下地溝において、形をなしたH01L 27/10864)}

H01L 27/10879 ・・・・・・・・・{FinFETの中であることは入力するトランジスタ}

H01L 27/10882 ・・・・・・・・{データ・ラインを作る少なくとも一つのステップを有する}

H01L 27/10885 ・・・・・・・・・{ビット線を作る少なくとも一つのステップを有する}

H01L 27/10888 ・・・・・・・・・{ビット線コンタクトを作る少なくとも一つのステップを有する}

H01L 27/10891 ・・・・・・・・・{語線を作る少なくとも一つのステップを有する}

H01L 27/10894 ・・・・・・・{末梢およびメモリ・セルの同時製造を有する}

H01L 27/10897 ・・・・・・{周辺構造}

H01L 27/11 ・・・・・スタティックRAM構造{そして、そのための多段階製造プロセス(回路G11C 11/40)}

H01L 27/1104 ・・・・・・{MOSFETトランジスタであるロード部材}

H01L 27/1108 ・・・・・・・{薄膜トランジスタであるロード部材}

H01L 27/1112 ・・・・・・{レジスタであるロード部材(集積回路のためのレジスタH01L 28/20, H01L 29/8605)}

H01L 27/1116 ・・・・・・{周辺回路領域}

H01L 27/112 ・・・・・読取り専用記憶装置構造{[ROM}そして、そのための多段階製造プロセス]

H01L 27/11206 ・・・・・・{プログラム可能なROM [PROM]、例えばトランジスタおよびヒューズから成るメモリ・セルまたはantifuse}

H01L 27/11213 ・・・・・・{ROMだけ}

H01L 27/1122 ・・・・・・・{ソースおよび同じレベルの消耗を有する、例えば横方向のトランジスタ}

H01L 27/11226 ・・・・・・・・{プログラムされるソースまたはドレイン接点}

H01L 27/11233 ・・・・・・・・{プログラムされるゲート、例えば異なるゲート材料またはゲートでない}

H01L 27/1124 ・・・・・・・・・{プログラムされるゲート接点}

H01L 27/11246 ・・・・・・・・・{プログラムされるゲート誘電層、例えば異なる厚み}

H01L 27/11253 ・・・・・・・・{プログラムされるドーピング、例えばマスクROM}

H01L 27/1126 ・・・・・・・・・{ドーピングがプログラムした全チャンネル}

H01L 27/11266 ・・・・・・・・・{プログラムされるソースまたはドレイン・ドーピング}

H01L 27/11273 ・・・・・・・{ソースおよび異なるレベルの消耗を有する、例えば垂直チャンネル}

H01L 27/1128 ・・・・・・・{異なるレベル上のトランジスタを有する、例えば3D ROM}

H01L 27/11286 ・・・・・・{周辺回路地方}

H01L 27/11293 ・・・・・・・{ROMのみのタイプのメモリ構造の}

H01L 27/115 ・・・・・・電気的にプログラム可能な読出し専用メモリ{そして、そのための多段階製造プロセス}

H01L 27/11502 ・・・・・・・{強誘電性のメモリ容量素子を有する}

H01L 27/11504 ・・・・・・・・{上面図レイアウト}

H01L 27/11507 ・・・・・・・・{メモリ・コア領域}

H01L 27/11509 ・・・・・・・・{周辺回路領域}

H01L 27/11512 ・・・・・・・・{中心的で周辺回路領域間の境界線領域}

H01L 27/11514 ・・・・・・・・{三次元配置、例えば異なる高さレベル上の細胞}

H01L 27/11517 ・・・・・・・{フローティングゲートを有する}

H01L 27/11519 ・・・・・・・・{上面図レイアウト}

H01L 27/11521 ・・・・・・・・{メモリ・コア領域コア領域(三次元配置H01L 27/11551)}

H01L 27/11524 ・・・・・・・・・{少なくとも一つの細胞セレクトトランジスタを有する、例えばNAND}

H01L 27/11526 ・・・・・・・・{周辺回路領域}

H01L 27/11529 ・・・・・・・・・{少なくとも一つの細胞セレクトトランジスタから成るメモリ地方の、例えばNAND}

H01L 27/11531 ・・・・・・・・・{末梢およびメモリ・セルの同時製作}

H01L 27/11534 ・・・・・・・・・・{上記は、1種類の周辺トランジスタだけを含む}

H01L 27/11536 ・・・・・・・・・・・{周辺トランジスタのために使用するコントロールゲート層}

H01L 27/11539 ・・・・・・・・・・・{周辺トランジスタのために使用する集積（インターゲート？）誘電層}

H01L 27/11541 ・・・・・・・・・・・{周辺トランジスタのために使用するフローティングゲート層}

H01L 27/11543 ・・・・・・・・・・・{周辺トランジスタのために使用するトンネル誘電層層}

H01L 27/11546 ・・・・・・・・・・{上記は、周辺トランジスタの異なるタイプを含む}

H01L 27/11548 ・・・・・・・・{中心的で周辺回路地方間の境界線領域}

H01L 27/11551 ・・・・・・・・{三次元配置、例えば異なる高さレベル上の細胞}

H01L 27/11553 ・・・・・・・・・{ソースおよび異なるレベルの消耗を有する、例えば傾斜したチャネルを有する}

H01L 27/11556 ・・・・・・・・・・{少なくとも一つの垂直部分から成るチャネル、例えばＵ型のチャネル}

　　警告 - 完全な未定の再編成でない、仮にまた見よH01L 27/11551

H01L 27/11558 ・・・・・・・・{ドーピング領域であるコントロールゲート、例えば一つのポリ・メモリ・セル}

H01L 27/1156 ・・・・・・・・N：複数の構成素子により共有される電極であるフローティングゲート]

H01L 27/11563 ・・・・・・・{充電捕獲ゲート絶縁体を有する、例えばMNOS、NROM}

H01L 27/11565 ・・・・・・・・{上面図レイアウト}

H01L 27/11568 ・・・・・・・・{メモリ・コア領域(三次元配置H01L 27/11578)}

H01L 27/1157 ・・・・・・・・・{少なくとも一つの細胞セレクトトランジスタを有する、例えばNAND}

H01L 27/11573 ・・・・・・・・{周辺回路領域}

H01L 27/11575 ・・・・・・・・{中心的で周辺回路領域間の境界線領域}

H01L 27/11578 ・・・・・・・・{三次元配置、例えば異なる高さレベル上の細胞}

H01L 27/1158 ・・・・・・・・・{ソースおよび異なるレベルの消耗を有する、例えば傾斜したチャネルを有する}

H01L 27/11582 ・・・・・・・・・・{少なくとも一つの垂直部分から成るチャネル、例えばＵ型のチャネル}

H01L 27/11585 ・・・・・・・{その強誘電性のメモリ特性のために使われる層から成るゲート電極を有する、例えばMFS(金属-強誘電性の半導体)、MFMIS(金属-強誘電性のMIS)}

H01L 27/11587 ・・・・・・・・{上面図レイアウト}

H01L 27/1159 ・・・・・・・・{メモリ・コア領域}

H01L 27/11592 ・・・・・・・・{周辺回路領域}

H01L 27/11595 ・・・・・・・・{中心的で周辺回路領域間の境界線領域}

H01L 27/11597 ・・・・・・・・{三次元配置、例えば異なる高さレベル上の細胞}

H01L 27/118 ・・・・マスタースライス集積回路

H01L 27/11801 ・・・・・{両極性の技術を使用すること}

H01L 27/11803 ・・・・・{分野を使用することは、技術を遂行する}

H01L 27/11807 ・・・・・・{CMOSゲート・アレイ}

H01L 27/11896 ・・・・・{複合分野効果/双極技術を使用すること}

H01L 27/11898 ・・・・・{入出力緩衝/ドライバ構造}

H01L 27/12 ・・半導体部分より別の下地、例えば絶縁体

H01L 27/1203 ・・・{半導体部分上の絶縁体から成る下地、例えばSOI(三次元レイアウトH01L 27/0688)}

H01L 27/1207 ・・・・{半導体部分と接触して装置と結合される、すなわち大きさ/SOIハイブリッド回路}

H01L 27/1211 ・・・・{半導体部分の直立側壁の横電流の流れを有する電界効果トランジスタと結合される、例えばFinFET、MuGFET}

H01L 27/1214 ・・・{上記は、非半導体化している下地の上に形成される複数のTFTから成る、例えばAMLCDsのための駆動回路}

H01L 27/1218 ・・・・{特定の構成または下地の構造を有する}

H01L 27/1222 ・・・・{特定の構成を有する、活動層の形状または結晶構造}

H01L 27/1225 ・・・・・{周期表のグループIVに、帰属していない半導体材料を有する、例えばInGaZnO}

H01L 27/1229 ・・・・・{装置または両者間に異なる装置の範囲内の異なる水晶の特性を有する}

H01L 27/1233 ・・・・・{異なる装置の活動層の異なる厚みを有する}

H01L 27/1237 ・・・・{異なる構成を有する、形状、レイアウトまたは異なる装置のゲート絶縁体の厚み}

H01L 27/124 ・・・・{特定の構成（特別に回路装置に適している配線層の形状またはレイアウト）を有する例えばLCD画素回路の走査線(構造を配線することそれ自体H01L 23/52)}

H01L 27/1244 ・・・・・{破損を予防するための、剥いた皮または短く巡回する}

H01L 27/1248 ・・・・{特定の構成または特別に回路装置に適している層間絶縁膜の形状を有する}

H01L 27/1251 ・・・・{上記は、異なる建築を有するTFTから成る、例えばtop-および押し上げ堰TFT}

H01L 27/1255 ・・・・{受動素子と統合される、例えば補助コンデンサ}

H01L 27/1259 ・・・・{多段階製造方法}

H01L 27/1262 ・・・・・{特定の形成を有する、下地の処理またはコーティング}

H01L 27/1266 ・・・・・・{装置が最終的なデバイス基板でなくて形成される下地、例えば一時的な下地を使用すること}

H01L 27/127 ・・・・・{特定の形成を有する、処理または活動層のパターン構成は、特別に回路装置に適応した}

H01L 27/1274 ・・・・・・{アモルファス半導体の結晶化または結晶質の半導体の再結晶を使用すること(結晶化それ自体H01L 21/02667)}

H01L 27/1277 ・・・・・・・{種を進めている結晶化を使用すること、例えばローカルなはじめにのNi触媒}

H01L 27/1281 ・・・・・・・{水晶の成長を制御する構造上の特徴を用いて、例えば穀物の配置は、濾過される}

H01L 27/1285 ・・・・・・・{アニーリングまたは照射パラメータの制御を使用すること、例えば異なるトランジスタのための異なる探傷方向または強度を使用すること}

H01L 27/1288 ・・・・・{特定のマスキング・シーケンスまたは特別に構成されるマスクを使用すること、例えばハーフトーン・マスク}

H01L 27/1292 ・・・・・{液体沈澱を使用すること、例えば印刷すること}

H01L 27/1296 ・・・・・{装置パラメータの均一性を増やすために構成される}

H01L 27/13 ・・・薄膜または厚膜静的機器と結合される{(潜在的ジャンプのない受動的な2-端末構成素子または集積回路のための表面バリヤ、それの詳細およびそのための多段階製造プロセスH01L 28/00)}

H01L 27/14 ・上記は、赤外放射に影響される半導体構造体を含む、光、より短い波長の電磁放射、または血球放射線、そして、特別に電気エネルギ源へのこの種の放射線のエネルギーの転換のためのこの種の放射線による電気エネルギ源の制御のための適している(放射線に敏感な構成素子は、構造的に一つ以上の電気光源だけと関連したH01L 31/14；光電子工学の素子を有する光導体の結合G02B 6/42)

H01L 27/142 ・・エネルギー変換装置

H01L 27/1421 ・・・{上記は、統合されるバイパスダイオードから成るかまたは直接装置と関連した、例えば統合されるかまたは太陽電池と同じ下地の上に形成されるバイパスダイオード}

H01L 27/1422 ・・・{反復性構成の、例えば平面multijunction太陽電池}

H01L 27/1423 ・・・・{上記は、下地に置かれる薄膜太陽電池だけから成る、例えば薄膜(a-Si、CIS、CdTe)ソーラー・モジュール}

H01L 27/1425 ・・・・・{モジュールの細胞を接続するために特別なパターニング方法によって、特徴づけられる、例えば伝導のおよび／または活発な層のレーザカット}

H01L 27/1426 ・・・・・{上記は、モジュールの隣接した太陽電池の電気相互接続のための特定の構造から成る}

H01L 27/1427 ・・・・・{上記は、モジュールの部分的な軽い伝送を得るための特定の手段から成る、例えばウインドウのための部分的に透明な薄膜ソーラー・モジュール}

H01L 27/1428 ・・・・{上記は多数の垂直接合から成る、または、V-溝接合太陽電池は半導体基板において、形をなした}

H01L 27/144 ・・放射線により制御される装置

H01L 27/1443 ・・・{少なくとも一つの潜在的ジャンプまたは表面バリヤを有する}

H01L 27/1446 ・・・{反復性構成の}

H01L 27/146 ・・・映像器構造

H01L 27/14601 ・・・・{それの構造上であるか機能的な詳細}

H01L 27/14603 ・・・・・{特別な幾何学または画素エレメントの配列、アドレスラインまたはゲート電極}

H01L 27/14605 ・・・・・・{画素エレメントの位置に関する構造上であるか機能的な詳細、例えば末梢の画素エレメントと比較した映像器の中央のより小さい画素エレメント}

H01L 27/14607 ・・・・・・{感光性の領域のジオメトリ}

H01L 27/14609 ・・・・・{統合したスイッチングを有する画素エレメント、制御、記憶または増幅部材(映像器の詳細を走査することH04N 3/15；映像器の回路H04N 5/369)}

H01L 27/1461 ・・・・・・{感光性の領域によって、特徴付けられる}

H01L 27/14612 ・・・・・・{トランジスタを含むこと}

H01L 27/14614 ・・・・・・・{特別なゲート構造を有する}

H01L 27/14616 ・・・・・・・{トランジスタのチャネルによって、特徴付けられる、例えばドーピング勾配を有するチャネル}

H01L 27/14618 ・・・・・{容器}

H01L 27/1462 ・・・・・{コーティング}

H01L 27/14621 ・・・・・・{波長フィルタ配置}

H01L 27/14623 ・・・・・・{光学遮へい}

H01L 27/14625 ・・・・・{光学エレメントまたは配置は、装置と関連した}

H01L 27/14627 ・・・・・・{マイクロレンズ}

H01L 27/14629 ・・・・・・{反射器}

H01L 27/1463 ・・・・・{ピクセル隔離構造体}

H01L 27/14632 ・・・・・{ウェーハ-レベル被処理構造}

H01L 27/14634 ・・・・・{アセンブリ、すなわち複合型構造}

H01L 27/14636 ・・・・・{相互接続構造体}

H01L 27/14638 ・・・・・{構造は、イメージング平面と直角をなす映像器全体の負担を転送するために特別に適応した}

H01L 27/1464 ・・・・・{後部は、映像器構造を照らした}

H01L 27/14641 ・・・・・{2つ以上の画素エレメントにより共有される電子構成部品、例えば2つの画素エレメントにより共有される1台のアンプ}

H01L 27/14643 ・・・・{フォトダイオードアレイ；MOS映像器}

H01L 27/14645 ・・・・・{カラー撮影装置}

H01L 27/14647 ・・・・・・{積み重ねられた画素エレメント構造を有する多色映像器、例えばnpn、npnpnまたはMQW素子}

H01L 27/14649 ・・・・・{赤外線映像器}

H01L 27/1465 ・・・・・・{複合型タイプの}

H01L 27/14652 ・・・・・・{積み重ねられた画素エレメント構造を有して、多スペクトル感応性の赤外線映像器例えばnpn、npnpnまたはMQW構造}

H01L 27/14654 ・・・・・{花のような抑制}

H01L 27/14656 ・・・・・・{オーバフロー・ドレイン構造}

H01L 27/14658 ・・・・・{Ｘ線、ガンマ線または血球放射線映像器(Xを測定すること、ガンマ-または血球放射線G01T 1/00)}

H01L 27/14659 ・・・・・・{直接的な放射線映像器構造}

H01L 27/14661 ・・・・・・{複合型タイプの}

H01L 27/14663 ・・・・・・{間接的な放射線映像器例えば発光の部材を使用すること}

H01L 27/14665 ・・・・{光導電体層を使用している映像器}

H01L 27/14667 ・・・・・{カラー撮影装置}

H01L 27/14669 ・・・・・{赤外線映像器}

H01L 27/1467 ・・・・・・{複合型タイプの}

H01L 27/14672 ・・・・・{花のような抑制}

H01L 27/14674 ・・・・・・{オーバフロー・ドレイン構造}

H01L 27/14676 ・・・・・{Ｘ線、ガンマ線または血球放射線映像器(Xを測定すること、ガンマ-または血球放射線G01T 1/00)}

H01L 27/14678 ・・・・{接触タイプ映像器}

H01L 27/14679 ・・・・{接合電界効果トランジスタ(JFET)映像器；静的誘導トランジスタ(座る)映像器}

H01L 27/14681 ・・・・{バイポーラトランジスタ映像器}

H01L 27/14683 ・・・・{方法または製造またはこれらの装置またはそれのパーツの処理に特有の装置(特有でないそれに対してH01L 21/00)}

H01L 27/14685 ・・・・・{コーティングまたは光学エレメントのための方法}

H01L 27/14687 ・・・・・{ウェーハ・レベル処理}

H01L 27/14689 ・・・・・{MOSは、技術の基礎を形成した}

H01L 27/1469 ・・・・・{アセンブリ、すなわち複合型統合}

H01L 27/14692 ・・・・・{薄膜技術、例えば不定形である、ポリ、ミクロのまたはナノ結晶化シリコン}

H01L 27/14694 ・・・・・{AIIIBV合成物だけから成る活動層、例えばGaAs、InP}

H01L 27/14696 ・・・・・{AIIBVI合成物だけから成る活動層、例えばCdS、ZnS、CdTe}

H01L 27/14698 ・・・・・{装置のための後処理、例えばアニーリング、不純物-ゲッタリング、shor-回路除去、再結晶}

H01L 27/148 ・・・・充電被結合映像器{(個々の電荷結合素子H01L 29/765)}

H01L 27/14806 ・・・・・{それの構造上であるか機能的な詳細}

H01L 27/14812 ・・・・・・{特別な幾何学または画素エレメントの配列、アドレスラインまたはゲート電極}

H01L 27/14818 ・・・・・・・{光学遮へい}

H01L 27/14825 ・・・・・{線形CCD映像器}

H01L 27/14831 ・・・・・{領域CCD映像器}

H01L 27/14837 ・・・・・・{フレーム・インターライン転送}

H01L 27/14843 ・・・・・・{転送を行間に書き入れる}

H01L 27/1485 ・・・・・・{フレーム転送}

H01L 27/14856 ・・・・・・{時間遅れおよび統合}

H01L 27/14862 ・・・・・{CID映像器}

H01L 27/14868 ・・・・・{CCDまたはCIDは、映像器を色づける}

H01L 27/14875 ・・・・・{赤外線のCCDまたはCID映像器}

H01L 27/14881 ・・・・・・{複合型タイプの}

H01L 27/14887 ・・・・・{花のような抑制}

H01L 27/14893 ・・・・・{上記は、CCD構造に置かれる光導電層から成る}

H01L 27/15 ・上記は少なくとも一つの潜在的ジャンプ・バリアを有する半導体構造体を含む、または、表面バリヤは光放射のために特別に適応した{(半導体レーザ構成素子を含んでいるモノリシックな統合化コンポーネントH01S 5/026)}

H01L 27/153 ・・{反復性構成の、例えばLED棒}

H01L 27/156 ・・・{二次元の配列}

H01L 27/16 ・上記は、異なる材料の接合の有無にかかわらず熱電気構成素子を含む；上記は、熱磁気構成素子を含む(半導体または他の固体装置の冷却の用途にだけ、ペルチェ効果を使用することH01L 23/38)

H01L 27/18 ・上記は、超電導を示している構成素子を含む

H01L 27/20 ・上記は、圧電部品を含む；上記は、el電歪な構成素子を含む；上記は、磁気ひずみの構成素子を含む

H01L 27/22 ・上記は、ガルバノ磁気効果を利用している構成素子を含む。例えばホール効果；類似した磁場効果を使用すること

H01L 27/222 ・・{磁気非不安定なメモリ構造、例えばMRAM}

H01L 27/224 ・・・{上記は、2-端末構成素子から成る、例えばダイオード、MIM素子}

H01L 27/226 ・・・{上記は、マルチ終端の構成素子から成る、例えばトランジスタ}

H01L 27/228 ・・・・{電界効果トランジスタ・タイプの}

H01L 27/24 ・上記は、潜在的ジャンプ・バリアまたは表面バリヤを調整するか、増幅するかまたは切り替えをするための固体構成素子を含む、｛例えば非不安定なメモリ構造を切替えている抵抗}

H01L 27/2409 ・・{上記は、2-端末選択構成素子から成る、例えばダイオード}

H01L 27/2418 ・・・{金属-絶縁体-金属タイプの}

H01L 27/2427 ・・・{オブシンスキー効果の閾値スイッチング・タイプの}

H01L 27/2436 ・・{上記は、マルチ終端の選択構成素子から成る、例えばトランジスタ}

H01L 27/2445 ・・・{両極性のタイプの}

H01L 27/2454 ・・・{垂直チャンネル電界効果トランジスタ・タイプの}

H01L 27/2463 ・・{下地との平面類似上の同じタイプの多数の双安定であるかmultistableな切換部品から成る準備、例えばクロスポイント配列、水平レイアウトの詳細}

H01L 27/2472 ・・・{一般の活物質層を有する切換部品}

H01L 27/2481 ・・・{下地に対して垂直な方向に配列される、例えば3Dセル・アレイ、垂直レイアウトの詳細}

H01L 27/249 ・・・・{普通の垂直コンダクタに接続している切換部品}

H01L 27/26 ・上記は、大きさ陰抵抗体効果構成素子を含む

H01L 27/265 ・・{ガン効果装置}

H01L 27/28 ・上記は、作動中の部分として有機材料を使用している構成素子を含む、または作動中の部分としてその他の材料を有する有機材料の組合せを使用すること

H01L 27/281 ・・{三次元レイアウトを有する集積回路}

H01L 27/283 ・・{上記は、電界効果タイプの構成素子から成る}

H01L 27/285 ・・{一般の活動層を有する集積回路、例えば交差ポイント装置}

H01L 27/286 ・・{無機半導体から成るアクティブ領域を有する}

H01L 27/288 ・・{有機発光部品を有する有機軽い高感度部品の組合せ、例えばオプトカプラ}

H01L 27/30 ・・特別に検知赤外放射、光、より短い波長の電磁放射または血球放射線に適応する構成素子を有する、特別にどちらにでも適応する構成素子を有するelecricalなエネルギーへのこの種の放射線のエネルギーのまたはこの種の放射線による電気エネルギ源の制御のための転換｛（有機発光部品を有する有機軽い高感度部品の組合せ、例えばオプトカプラH01L 27/288)}

H01L 27/301 ・・・{エネルギー変換装置}

H01L 27/302 ・・・・{上記は、多数の接合から成る、例えば縦に並んだ細胞}

H01L 27/304 ・・・・{繊維または管の形状の、例えば光電子繊維}

H01L 27/305 ・・・{放射線により制御される装置}

H01L 27/307 ・・・・{映像器構造}

H01L 27/308 ・・・・{装置は、Ｘ線放射線を探知するために特別に適応した(測定すること、Ｘ線照射G01T 1/00)}

H01L 27/32 ・・特別に光放射に適応する構成素子を有する、例えば有機発光ダイオード（OLED）を使用しているフラットパネル・ディスプレイ｛有機発光部品を有する有機軽い高感度部品の組合せ、例えばオプトカプラH01L 27/288}

H01L 27/3202 ・・・{平行に電気的に接続されるOLED}

H01L 27/3204 ・・・{直列に電気的に接続されるOLED}

H01L 27/3206 ・・・{マルチ・カラー光放射}

H01L 27/3209 ・・・・{積み重ねられたOLEDを使用すること}

H01L 27/3211 ・・・・{RGBサブピクセルを使用すること}

H01L 27/3213 ・・・・・{3つ以上のサブピクセルを使用すること、例えばRGBW}

H01L 27/3216 ・・・・・{異なるRGBサブピクセルの領域}

H01L 27/3218 ・・・・・{RGBサブピクセルの幾何学的な配列によって、特徴付けられる}

H01L 27/322 ・・・・{波長フィルタまたは色変更メディアを使用すること(CCM)}

H01L 27/3223 ・・・{ダミー素子と結合される、すなわち非機能的な特徴}

H01L 27/3225 ・・・{他の部品と統合されるOLED(H01L 27/3223 優位をとる)}

H01L 27/3227 ・・・・{軽いゲージ受感部である他の構成素子、例えば無機の太陽電池、無機のフォトダイオード(H01L 27/288 優位をとる)}

H01L 27/323 ・・・・{接触画面である他の構成素子}

H01L 27/3232 ・・・・{素子を調整している光である他の構成素子、例えばエレクトロクロミック素子、光発色性素子、液体水晶素子}

H01L 27/3234 ・・・・{描く人であることは構築する他の構成素子(H01L 27/146 優位をとる)}

H01L 27/3237 ・・・{グループにおいて、提供されないディスプレイH01L 27/3241 そして、サブグループ、例えば部分-タイプ・ディスプレイ}

H01L 27/3239 ・・・・{発光ロゴス}

H01L 27/3241 ・・・{マトリックス-タイプ・ディスプレイ}

H01L 27/3244 ・・・・{アクティブ・マトリックス・ディスプレイ}

H01L 27/3246 ・・・・・{バンク、すなわち層を定めているピクセル}

H01L 27/3248 ・・・・・{TFTに対するピクセル電極の接続}

H01L 27/3251 ・・・・・{二重下地、すなわち異なる下地上のOLEDおよびTFTを有する}

H01L 27/3253 ・・・・・・{2つの下地の電気接続}

H01L 27/3255 ・・・・・{Chiplets}

H01L 27/3258 ・・・・・{絶縁層は、TFT素子およびOLED素子の間で形をなした}

H01L 27/326 ・・・・・{特別な幾何学または画素エレメントの配列}

H01L 27/3262 ・・・・・・{TFTの}

H01L 27/3265 ・・・・・・{コンデンサの}

H01L 27/3267 ・・・・・{デュアル・ディスプレイ、すなわち2台の独立ディスプレイを有する}

H01L 27/3269 ・・・・・{制御輝度に光検出器を含むこと}

H01L 27/3272 ・・・・・{遮へい、例えばTFTの}

H01L 27/3274 ・・・・・{上記は、有機薄膜トランジスタを含む[OTFT}]

H01L 27/3276 ・・・・・{配線線}

H01L 27/3279 ・・・・・・{上記は、抵抗を下げるために特別に構成される構造から成る}

H01L 27/3281 ・・・・{パッシブ・マトリックス・ディスプレイ}

H01L 27/3283 ・・・・・{バンクまたはシャドウマスクを含むこと}

H01L 27/3286 ・・・・・[デュアル・ディスプレイ、すなわち2台の独立ディスプレイを有する]

H01L 27/3288 ・・・・・{配線線}

H01L 27/329 ・・・・・・{上記は、抵抗を下げるために特別に構成される構造から成る}

H01L 27/3293 ・・・・{タイル張りのディスプレイ}

H01L 27/3295 ・・・・{上記は、バンクまたはシャドウマスクを含む}

H01L 27/3297 ・・・・{配線線、例えば動力供給ライン}

H01L 28/00 {潜在的ジャンプのない受動的な2-端末構成素子または集積回路のための表面バリヤ；それの詳細；そのための多段階製造プロセス(試験するかまたは製造の間、測定することH01L 22/00；統合方法H01L 21/70；集積回路H01L 27/00；潜在的ジャンプまたは表面バリヤを有する2-端末構成素子H01L 29/00；レジスタ一般にH01C；インダクタンスコイル一般にH01F；コンデンサ一般にH01G)}

H01L 28/10 ・{インダクタンスコイル}

H01L 28/20 ・{レジスタ}

H01L 28/22 ・・{カーボンから成る活物質を有する、例えばダイヤモンドまたはダイヤモンドのようなカーボン[DLC}]

H01L 28/24 ・・{耐火物、移行または貴金属（金属合成物または金属合金）から成る活物質を有する例えばケイ素化合物、酸化物、窒化}

H01L 28/26 ・・{有機伝導材料から成る活物質を有する、例えば重合体を実行すること}

H01L 28/40 ・{コンデンサ}

H01L 28/55 ・・{ペロブスカイト構造材料から成る誘電体を有する}

H01L 28/56 ・・・{2枚の層以上から成る誘電体、例えば上記は、応力緩衝材から成る、種子層、勾配層}

H01L 28/57 ・・・{上記は、水素または酸素の拡散を予防するためにバリヤー層から成る}

H01L 28/60 ・・{電極}

H01L 28/65 ・・・{上記は、貴金属または不活性の金属酸化物から成る、例えばプラチナ(Pt)、ルテニウム(Ru)、ルテニウム二酸化物(RuO2)、イリジウム(Ir)、イリジウム二酸化物(IrO2)}

H01L 28/75 ・・・{上記は、2枚の層以上から成る、例えば上記は、バリヤー層および金属層から成る}

H01L 28/82 ・・・{拡大した表層を有する、例えばtexturisationにより形成される}

H01L 28/84 ・・・・{ざらつきであること、例えば半球状の穀物を使用すること}

H01L 28/86 ・・・・{横拡張を有する}

H01L 28/87 ・・・・・{層を堆積させることによって、作られる、例えば交流伝導で絶縁層を堆積させることによって}

H01L 28/88 ・・・・・{パターニング層によって、作られる、例えば導電層にエッチングすることによって}

H01L 28/90 ・・・・{垂直拡張を有する}

H01L 28/91 ・・・・・{層を堆積させることによって、作られる、例えば交流伝導で絶縁層を堆積させることによって}

H01L 28/92 ・・・・・{パターニング層によって、作られる、例えば導電層にエッチングすることによって}

H01L 29/00 半導体装置は、詳細に述べて、振動することまたはスイッチングを調整するために適応した、または、少なくとも一つの潜在的ジャンプを有するコンデンサまたはレジスタはバリアに柵で囲むかまたは表面をつける、例えばpn接合空乏層またはキャリア濃度層；半導体部分のまたはそれの電極の詳細； {そのための多段階製造プロセス}(H01L 31/00-H01L 47/00, H01L 51/05 優位をとる；方法または装置は、製造またはそれの処理のためにまたはそれのパーツの中で適応したH01L 21/00；半導体部分のまたはそれの電極の別の詳細H01L 23/00；共通基板の上に形成される複数の固体構成素子からなる装置H01L 27/00； {潜在的ジャンプのない受動的な2-端末構成素子または集積回路のための表面バリヤ、それの詳細およびそのための多段階製造プロセスH01L 28/00；}レジスタ一般にH01C；コンデンサ一般にH01G、｛例えばセラミック・バリヤー層コンデンサH01G 4/1272})

H01L 29/02 ・半導体部分； {そのための多段階製造プロセス}

H01L 29/04 ・・それらの結晶構造によって、特徴付けられる、例えば多結晶、三次式、結晶平面の特定の方位(欠点H01L 29/30)

H01L 29/045 ・・・{結晶平面のそれらの特定の方位によって}

H01L 29/06 ・・それらの形状によって、特徴付けられる；形状によって、特徴付けられる、相対的なサイズ、または半導体地方の配置； {半導体領域の中で集中または不純物の配布によって、特徴付けられる}

H01L 29/0603 ・・・{特定の構造上の設計考慮によって、特徴付けられる、例えば表層漏出を予防するための、制御電界集中のためのまたは内部隔離地方のための(構成素子間の分離領域H01L 21/76；集積回路のための設計考慮H01L 27/00；装置のための幾何学的な設計考慮H01L 29/0657)}

H01L 29/0607 ・・・・{表層漏出または制御電界集中を予防するための}

H01L 29/0611 ・・・・・{逆の付勢装置の絶縁破壊電圧を増やすかまたは制御するための(H01L 29/0661 優位をとる)}

H01L 29/0615 ・・・・・・{ドーピング側面または形状によって、または、pn接合のまたは補助地方を有する取り決め、例えば接合終了拡張(JTE) (LDDまたはドレインは、地方を相殺したH01L 29/7833)}

H01L 29/0619 ・・・・・・・{領域を含んでいるかまたは接触させている半導体との接触を調整するまたは反対の位置に不純物を添加される補助領域を有する、例えばpnまたはショットキ接合を有する留め指輪}

H01L 29/0623 ・・・・・・・・{埋設された補助領域、例えば埋設された留め指輪(マルチRESURFH01L 29/0634)}

H01L 29/0626 ・・・・・・・{局所化された故障領域を有する、例えば内蔵型殺到している領域(自動被保護サイリスタのH01L 29/7424)}

H01L 29/063 ・・・・・・・{減少する表層分野(RESURF)pn-接合構造}

H01L 29/0634 ・・・・・・・・{多数の減少する表層フィールド（マルチRESURF）構造、例えば二重RESURF、充電補償、涼しさ、superjunction(SJ)、3D RESURF、複合緩衝装置(CB)構造}

H01L 29/0638 ・・・・・{表層逆転層のために表層漏出を予防するための、例えばチャネル・ストッパーを有する(集積回路のための分離領域と結合するチャネル・ストッパーH01L 21/762)}

H01L 29/0642 ・・・・{構成素子の範囲内の隔離、すなわち内部隔離}

H01L 29/0646 ・・・・・{pn接合}

H01L 29/0649 ・・・・・{誘電地方、例えばSiO2地方、エアギャップ}

H01L 29/0653 ・・・・・・{電界効果装置の入力または出力領域に隣接すること、例えばソースまたはドレイン領域}

H01L 29/0657 ・・・{体の形状によって、特徴付けられる}

H01L 29/0661 ・・・・{近辺でまたはにおいて、半導体材料を除去することによって、絶縁破壊電圧を変えるために特別に構成されて、後退は接合に付勢した、例えば斜角をつけることによって、濠エッチング、減少エッチング}

H01L 29/0665 ・・・・{ナノ構造を定めている体の形状(ナノテクノロジーそれ自体B82B)}

H01L 29/0669 ・・・・・{ナノワイヤまたはナノチューブ(活発なソリッドステート装置の材料としてのカーボン・ナノチューブは、分かれるH01L 51/0048)}

H01L 29/0673 ・・・・・・{下地との正しい位置に置かれた類似}

H01L 29/0676 ・・・・・・{垂直であるか下地にある角度に志向した}

H01L 29/068 ・・・・・・{上記は、接合から成る}

H01L 29/0684 ・・・{形状によって、特徴付けられる、相対的なサイズまたは地方間の半導体領域または接合の配列}

H01L 29/0688 ・・・・{半導体領域の間で接合の特定の形状によって、特徴付けられる}

H01L 29/0692 ・・・・{表層レイアウト}

H01L 29/0696 ・・・・・{細胞電界効果装置の、例えば多房DMOSトランジスタまたはIGBTs}

H01L 29/08 ・・・整流される電流を担持している電極に接続している半導体領域を有する、増幅してまたは切替えるその他3本以上の電極から成る半導体装置の一部である電極

H01L 29/0804 ・・・・{バイポーラトランジスタのエミッタ領域}

H01L 29/0808 ・・・・・{横方向のトランジスタの}

H01L 29/0813 ・・・・・{非相互に連結したマルチ・エミッタ構造}

H01L 29/0817 ・・・・・{ヘテロ接合バイポーラトランジスタの(H01L 29/7375 優位をとる)}

H01L 29/0821 ・・・・{バイポーラトランジスタのコレクタ領域}

H01L 29/0826 ・・・・・{台収集装置}

H01L 29/083 ・・・・{サイリスタまたはゲートで制御された両極性のモード装置の陽極またはカソード領域}

H01L 29/0834 ・・・・・{サイリスタまたはゲートで制御された両極性のモード装置の陽極領域、例えば陽極地方を囲んでいる補助地方}

H01L 29/0839 ・・・・・{サイリスタのカソード領域}

H01L 29/0843 ・・・・{電界効果装置のソースまたはドレイン領域}

H01L 29/0847 ・・・・・{絶縁されたゲートを有する電界効果トランジスタの(H01L 29/0653 優位をとる；ソースまたはドレイン間の受動的な補助領域および突き抜け現象に関連した下地を有する、容量または隔離現象H01L 29/1079；LDDまたはDDD構造を有するH01L 29/7833；薄膜トランジスタのためのH01L 29/78618)}

H01L 29/0852 ・・・・・・{DMOSトランジスタの}{警告：このグループおよびそれのサブグループは、完全でない、仮にまた見よH01L 29/0847 and H01L 29/7801 そして、それのサブグループ}

H01L 29/0856 ・・・・・・・{ソース領域}

H01L 29/086 ・・・・・・・・{不純物濃度または配布}

H01L 29/0865 ・・・・・・・・{傾向}

H01L 29/0869 ・・・・・・・・{形状(細胞レイアウトH01L 29/0696)}

H01L 29/0873 ・・・・・・・{ドレイン領域}

H01L 29/0878 ・・・・・・・・{不純物濃度または配布}

H01L 29/0882 ・・・・・・・・{傾向}

H01L 29/0886 ・・・・・・・・{形状}

H01L 29/0891 ・・・・・{ショットキ・ゲートを有する電界効果トランジスタの}

H01L 29/0895 ・・・・{トンネル注入器}

H01L 29/10 ・・・整流される電流を担持していない電極に接続している半導体領域を有する、増幅してまたは切替えるその他3本以上の電極から成る半導体装置の一部である電極

H01L 29/1004 ・・・・{バイポーラトランジスタのベース領域}

H01L 29/1008 ・・・・・{横方向のトランジスタの}

H01L 29/1012 ・・・・{サイリスタのベース領域(H01L 29/083 優位をとる)}

H01L 29/1016 ・・・・・{サイリスタの陽極ベース領域}

H01L 29/102 ・・・・・{サイリスタのカソード・ベース領域}

H01L 29/1025 ・・・・{電界効果装置のチャネル領域}

H01L 29/1029 ・・・・・{電界効果トランジスタの}

H01L 29/1033 ・・・・・・{絶縁されたゲートを有する、例えば長さによって、特徴付けられる、幅、幾何学的な輪郭またはドーピング構造(長手方向において、整列配置されるチャネルおよびゲートを有するH01L 29/42376；埋設されたチャネルを有するH01L 29/7838)}

H01L 29/1037 ・・・・・・・{そして、非平面チャネル‖（ゲート電極傾向から生じる例えば溝の中で、 H01L 29/42356)}

H01L 29/1041 ・・・・・・・{チャネル領域面の非同一のドーピング構造を有する}

H01L 29/1045 ・・・・・・・・{チャネル長と平行のドーピング構造、例えばDMOS同類}

H01L 29/105 ・・・・・・・{垂直ドーピング変化を有する(H01L 29/7827 優位をとる)}

H01L 29/1054 ・・・・・・・{構成のバリエーションを有する、例えば可動性を増やすための緊張した層を有するチャネル}

H01L 29/1058 ・・・・・・{pn接合ゲートを有する}

H01L 29/1062 ・・・・・{電荷結合素子の}

H01L 29/1066 ・・・・{pn接合ゲートを有する電界効果装置のゲート領域}

H01L 29/107 ・・・・{電界効果装置の下地領域}

H01L 29/1075 ・・・・・{電界効果トランジスタの}

H01L 29/1079 ・・・・・・{絶縁されたゲートを有する}

H01L 29/1083 ・・・・・・・{不活発な補助領域を有する、例えば突き抜け現象を予防するための、容量効果または漏れ電流を改良すること}

H01L 29/1087 ・・・・・・・{下地領域のコンタクト構造によって、特徴付けられる、例えば両極性の効果を制御するかまたは予防するための}

H01L 29/1091 ・・・・・{電荷結合素子の}

H01L 29/1095 ・・・・{人体の部位、すなわちベース領域、DMOSトランジスタまたはIGBTsの(細胞レイアウトH01L 29/0696)}

H01L 29/12 ・・それらが形成される材料によって、特徴付けられる

H01L 29/122 ・・・{一つの量子井戸構造(一つのヘテロ構造、材料の対H01L 29/165, H01L 29/205, H01L 29/225, H01L 29/267)}

H01L 29/125 ・・・・{量子導線構造}

H01L 29/127 ・・・・{量子箱構造}

H01L 29/15 ・・・周期的であるか類似した周期的な潜在的バリエーションを有する構造、例えば多数の量子ウェル、超格子(この種の構造は、光の制御を申し込んだG02F 1/017、半導体レーザにおいて、適用されるH01S 5/34)

H01L 29/152 ・・・・・{垂直方向だけの量子効果を有する、すなわち単に垂直潜在的変化から生じているだけの量子結果を有する階層構造}

H01L 29/154 ・・・・・・{上記は、少なくとも一つの長い範囲構造的に障害がある材料から成る、例えば一次元の垂直アモルファス超格子}

H01L 29/155 ・・・・・・{半導体材料だけから成ること(H01L 29/154 優位をとる)}

H01L 29/157 ・・・・{ドーピング構造、例えばドーピング超格子、nipi超格子(デルタ・ドーピング一般にH01L 29/365)}

H01L 29/158 ・・・・{下地（すなわち垂直方向）の主要面と直角をなす方向の潜在的定期性のない構造例えば横方向の超格子、横方向の表層超格子(LSS)}

H01L 29/16 ・・・上記が、含む、ドーピング材料または他の不純物から離れた、結合してない形式の周期系の第4の群の素子だけ{(上記が、原文のまま含むH01L 29/24)}

H01L 29/1602 ・・・・[N：ダイアモンド]

H01L 29/1604 ・・・・{非晶質}

H01L 29/1606 ・・・・{グラフェン}

H01L 29/1608 ・・・・{炭化けい素}

H01L 29/161 ・・・・上記は、グループにおいて、提供される素子のうちの2つ以上を含むH01L 29/16、｛例えば合金(H01L 29/1604 優位をとる)}

H01L 29/165 ・・・・・異なる半導体領域の、｛例えばヘテロ構造}

H01L 29/167 ・・・・更に、ドーピング材料によって、特徴付けられる{(H01L 29/1604 優位をとる)}

H01L 29/18 ・・・セレニウムまたはテルルだけ、ドーピング材料または他の不純物から離れた

H01L 29/185 ・・・・{非晶質}

H01L 29/20 ・・・上記が、含む、ドーピング材料または他の不純物から離れた、AIIIBV合成物だけ

H01L 29/2003 ・・・・{窒化合成物}

H01L 29/2006 ・・・・{非晶質}

H01L 29/201 ・・・・上記は、2つ以上の合成物を含む、｛例えば合金(H01L 29/2006 優位をとる)}

H01L 29/205 ・・・・・異なる半導体領域の、｛例えばヘテロ構造}

H01L 29/207 ・・・・更に、ドーピング材料によって、特徴付けられる{(H01L 29/2006 優位をとる)}

H01L 29/22 ・・・上記が、含む、ドーピング材料または他の不純物から離れた、AIIBVI合成物だけ

H01L 29/2203 ・・・・{cd Xは、間欠的なものの第6の群の1つの素子であることを倍加させるシステム(H01L 29/2206 優位をとる)}

H01L 29/2206 ・・・・{非晶質}

H01L 29/221 ・・・・上記は、2つ以上の合成物を含む、｛例えば合金(H01L 29/2206 優位をとる)}

H01L 29/225 ・・・・・異なる半導体領域の、｛例えばヘテロ構造}

H01L 29/227 ・・・・更に、ドーピング材料によって、特徴付けられる{(H01L 29/2206 優位をとる)}

H01L 29/24 ・・・上記が、含む、ドーピング材料または他の不純物から離れた、グループの中に提供されない半導体材料だけH01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20, H01L 29/22(上記は、有機材料を含むH01L 51/00)

H01L 29/242 ・・・・{AIBVIまたはAIBVII合成物、例えばCu2O、Cu i(H01L 29/247 優位をとる)}

H01L 29/245 ・・・・{Pb合成物、例えばPbO(H01L 29/247 優位をとる)}

H01L 29/247 ・・・・{非晶質}

H01L 29/26 ・・・上記が、含む、ドーピング材料または他の不純物から離れた、グループのうちの2つ以上において、提供される素子H01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20, H01L 29/22, H01L 29/24、｛例えば合金}

H01L 29/263 ・・・・{非晶質}

H01L 29/267 ・・・・異なる半導体領域の、｛例えばヘテロ構造(H01L 29/263 優位をとる)}

H01L 29/30 ・・物理的な欠点によって、特徴付けられる；磨かれたか粗くなる表層を有する

H01L 29/32 ・・・半導体部分の範囲内である欠点

H01L 29/34 ・・・表層にある欠点

H01L 29/36 ・・集中または不純物の配布によって、特徴付けられる{バルク材の(半導体領域の中でH01L 29/06)}

H01L 29/365 ・・・{平面ドーピング、例えば原子力飛行機ドーピング、デルタ-ドーピング}

H01L 29/40 ・電極； {そのための多段階製造プロセス}

H01L 29/401 ・・{多段階製造プロセス}

H01L 29/402 ・・{分野プレート}

H01L 29/404 ・・・{多数の分野プレート構造}

H01L 29/405 ・・・{電気抵抗配置、例えば電気抵抗であるか半絶縁分野プレート}

H01L 29/407 ・・・{凹所を作られた分野プレート、例えば溝分野プレート、埋設された分野プレート}

H01L 29/408 ・・{特定の誘電体または帯電性を有する絶縁層を有する、例えば静電気を有するまたは閉じ込められた負担を制御するかまたは、あるいは、可能性または絶縁体が満たす絶縁体に作用している金属板で、イオンを移動するための例えば絶縁層の負担効果または潜在的配布を制御するための、または直接半導体表面を接触させている半絶縁層を有する}

H01L 29/41 ・・それらの形状によって、特徴付けられる、相対的なサイズまたは傾向

H01L 29/413 ・・・{ナノサイズ化電極、例えば一つまたは複数のナノワイヤから成るナノワイヤ電極(カーボン・ナノチューブから成る透明電極H01L 51/444、ナノテクノロジーそれ自体B82B；ナノサイズ化されたカーボン材、例えばカーボン・ナノチューブ、当然C01B 31/0206)}

H01L 29/417 ・・・整流される電流を担持すること、増幅されるかまたは切替えられる

H01L 29/41708 ・・・・{バイポーラトランジスタのためのエミッタまたはコレクタ電極}

H01L 29/41716 ・・・・{サイリスタ用のカソードまたは陽極電極}

H01L 29/41725 ・・・・{分野効果装置用のソースまたはドレイン電極(ソース/ドレイン領域上の単結晶半導体を有するH01L 29/0843)}

H01L 29/41733 ・・・・・{絶縁されたゲートを有する薄膜トランジスタのための}

H01L 29/41741 ・・・・・{垂直であるか疑似垂直装置のための}

H01L 29/4175 ・・・・・{ソースまたはドレイン領域とのつながりが半導体基板厚の少なくとも一つの部分でされる横方向の装置のための、例えば接続シンクを有するまたはバイアホールを有する}

H01L 29/41758 ・・・・・{ソースまたはドレイン領域のための構造レイアウトを有する横方向の装置のための、すなわちソースまたはドレイン領域有している細胞状である、カーブするかまたは角互いに嵌合されたまたはリング構造または存在(H01L 29/41733 to H01L 29/4175 優位をとる)}

H01L 29/41766 ・・・・・{ソースまたはドレイン電極の半導体表面の下の接触を有する最少の部分を有する、例えばソースまたはドレイン電極は、溝において、または半導体内部の導体の包含によって、少なくとも部分的に形をなした(H01L 29/41733 to H01L 29/41758 優位をとる)}

H01L 29/41775 ・・・・・{付近またはソースまたはドレイン電極およびゲート電極の相対的な位置によって、特徴付けられる、例えばソースまたはドレイン電極は、ゲート電極周辺でまたはより上に側壁またはのり引きによって、ゲート電極と分離した}

H01L 29/41783 ・・・・・・{高くなったソースまたはドレイン電極自己は、ゲートによって、整列配置した}

H01L 29/41791 ・・・・・{直立側壁の横電流の流れを有するトランジスタのための、例えばFinFET、MuGFET}

H01L 29/423 ・・・整流される電流を担持しないこと、増幅されるかまたは切替えられる

H01L 29/42304 ・・・・{バイポーラトランジスタのためのベース電極}

H01L 29/42308 ・・・・{サイリスタ用のゲート電極}

H01L 29/42312 ・・・・{分野効果装置用のゲート電極}

H01L 29/42316 ・・・・・{電界効果トランジスタのための}

H01L 29/4232 ・・・・・・{絶縁されたゲートを有する}

H01L 29/42324 ・・・・・・・{フローティングゲートを有するトランジスタ用のゲート電極}

H01L 29/42328 ・・・・・・・・{フローティングゲートおよびコントロールゲート以外の少なくとも一つの追加ゲートを有する、例えばプログラム・ゲート、消去ゲートまたはセレクトゲート}

H01L 29/42332 ・・・・・・・・{2つ以上の非被接続パーツにより形成されるフローティングゲートを有する、例えばゲートをflatingしているマルチ分子}

H01L 29/42336 ・・・・・・・・{溝において、少なくとも部分的に形成される1つのゲートを有する}

H01L 29/4234 ・・・・・・・{充電捕獲ゲート絶縁体を有するトランジスタ用のゲート電極}

H01L 29/42344 ・・・・・・・・{少なくとも一つの追加ゲートを有する、例えばプログラム・ゲート、消去ゲートまたはセレクトゲート}

H01L 29/42348 ・・・・・・・・{少なくとも2つの分離されたサイトにより形成される捕獲サイトを有する、例えばマルチ分子捕獲サイト}

H01L 29/42352 ・・・・・・・・{溝において、少なくとも部分的に形成されるゲートを有する}

H01L 29/42356 ・・・・・・・{傾向、例えば埋設されたゲート電極(H01L 29/42324 and H01L 29/4234 優位をとる)}{警告：このグループおよびそれのサブグループは、完全でない、仮にまた見よH01L 29/78, H01L 29/7801 そして、それのサブグループ、 H01L 29/7827 そして、H01L 29/7834}

H01L 29/4236 ・・・・・・・・{溝の中で、例えば溝ゲート電極、溝ゲート電極}

H01L 29/42364 ・・・・・・・[N：絶縁層によって、特徴付けられる、例えば厚みまたは均一性(H01L 29/42324 そして、H01L 29/4234 優位をとる)

H01L 29/42368 ・・・・・・・・{非同一の厚み}

H01L 29/42372 ・・・・・・・{実行している層によって、特徴付けられる、例えば長さ、部分的な形状またはレイアウト(H01L 29/42324 優位をとる)}

H01L 29/42376 ・・・・・・・・{長さまたは部分的な形状によって、特徴付けられる}

H01L 29/4238 ・・・・・・・・{表層レイアウトによって、特徴付けられる}

H01L 29/42384 ・・・・・・・{薄膜電界効果トランジスタのための、例えば厚みまたは絶縁体または寸法の様子によって、特徴付けられる、形状または導体の配置}

H01L 29/42392 ・・・・・・・・{チャネルを完全に囲むこと、例えばゲート・オールラウンドである}

H01L 29/42396 ・・・・・{電荷結合素子のための}

H01L 29/43 ・・それらが形成される材料によって、特徴付けられる

H01L 29/432 ・・・{分野効果装置のヘテロ構造ゲート}

H01L 29/435 ・・・{分野効果装置のための抵抗性材料、例えばMOSFETまたはMESFETの電気抵抗ゲート}

H01L 29/437 ・・・{超伝導体材}

H01L 29/45 ・・・オームの電極

H01L 29/452 ・・・・{AIII-BV合成物上の}

H01L 29/454 ・・・・・{薄膜AIII-BV合成物上の}

H01L 29/456 ・・・・{シリコン上の}

H01L 29/458 ・・・・・{薄膜シリコンのための、例えばソースまたはドレイン電極}

H01L 29/47 ・・・ショットキ・バリア電極{(H01L 29/435 優位をとる)}

H01L 29/475 ・・・・{AIII-BV合成物上の}

H01L 29/49 ・・・MIS電極、｛例えばMOSFETの入口(H01L 29/435 優位をとる)}

H01L 29/4908 ・・・・{薄膜半導体のための、例えばTFTの入口}

H01L 29/4916 ・・・・{シリコン層である絶縁体の隣の導体材、例えばホウ素によって、不純物を添加されるポリシリコン、リンまたは窒素(H01L 29/4908, H01L 29/4983 優位をとる)}

H01L 29/4925 ・・・・・{多数の層状構造を有する、例えば異なる結晶構造または穀物装置を有するいくつかのシリコン層(垂直ドーピング構造だけまたは垂直ドーピング変化だけを有するH01L 29/4916)}

H01L 29/4933 ・・・・・・{シリコン層を接触させているケイ素化合物層を有する、例えばPolycideゲート(ケイ素化合物およびシリコン層間のバリヤー層を有するH01L 29/4941)}

H01L 29/4941 ・・・・・・{シリコンおよび金属または金属ケイ素化合物上層間のバリヤー層を有する、例えばケイ素化合物/スズ/ポリシリコン}

H01L 29/495 ・・・・{単純な金属である絶縁体の隣の導体材、例えば W、Mo(H01L 29/4908, H01L 29/4983 優位をとる)}

H01L 29/4958 ・・・・・{多数の層状構造を有する}

H01L 29/4966 ・・・・{複合材料である絶縁体の隣の導体材、例えば有機材料、スズ、MoSi2(H01L 29/4908, H01L 29/4983 優位をとる)}

H01L 29/4975 ・・・・・{ケイ素化合物層であること、例えばTiSi2}

H01L 29/4983 ・・・・{横方向の構造を有する、例えばポリシリコンは、横方向のドーピング変化によって、または横方向の構成変化によって、ゲートで制御するかまたは構成されられている側壁によって、特徴を描写した導通する、電気抵抗であるか誘電材料}

H01L 29/4991 ・・・・・{上記は、エアギャップから成る}{警告：完全でない、仮にまた見よH01L 29/4983}

H01L 29/51 ・・・・それとともに関連する絶縁材料{(薄膜半導体上のMIS構造のためのH01L 29/4908)}

H01L 29/511 ・・・・・{構成変化を有する、例えば多層構造(H01L 29/516 優位をとる)}

H01L 29/512 ・・・・・・{チャネル平面と平行の変化}

H01L 29/513 ・・・・・・{チャネル平面と直角をなす変化}

H01L 29/515 ・・・・・{空腔を有する、例えば上記は、ガスを含む}

H01L 29/516 ・・・・・{少なくとも一つの強誘電性の層を有する}

H01L 29/517 ・・・・・{金属的合成物から成る絶縁材料、例えば金属酸化物、金属ケイ酸塩(H01L 29/518 優位をとる)}

H01L 29/518 ・・・・・{窒素を含んでいる絶縁材料、例えば窒化、酸素窒化物、窒素ドープ材料}

H01L 29/66 ・半導体装置のタイプ； {そのための多段階製造プロセス}

H01L 29/66007 ・・{多段階製造プロセス}

H01L 29/66015 ・・・{カーボンを半導体化することから成る半導体部分を有する装置の、例えばダイヤモンド、ダイヤモンドのようなカーボン、グラフェン}

H01L 29/66022 ・・・・{供給される電流の変化または、整流される電流を担持している電極の一つ以上まで、適用される電位だけによって、制御可能な装置は、詳細に述べるか、振動するかまたは切り替えをした、例えば2-端子デバイス}

H01L 29/6603 ・・・・・{ダイオード}

H01L 29/66037 ・・・・{調整されるか、増幅されるかまたは切替えられる電流を担持しない電極に、供給される電流だけによって、制御可能な装置または電位は印加した例えば3-端子デバイス}

H01L 29/66045 ・・・・・{電界効果トランジスタ}

H01L 29/66053 ・・・{結晶炭化けい素から成る半導体部分を有する装置の}

H01L 29/6606 ・・・・{供給される電流の変化または、整流される電流を担持している電極の一つ以上まで、適用される電位だけによって、制御可能な装置は、詳細に述べるか、振動するかまたは切り替えをした、例えば2-端子デバイス}

H01L 29/66068 ・・・・{調整されるか、増幅されるかまたは切替えられる電流を担持しない電極に、供給される電流だけによって、制御可能な装置または電位は印加した例えば3-端子デバイス}

H01L 29/66075 ・・・{グループ14またはグループ13/15材料から成る半導体部分を有する装置の(上記は、カーボンを半導体化することから成るH01L 29/66015；上記は、結晶炭化けい素から成るH01L 29/66053)}

H01L 29/66083 ・・・・{供給される電流の変化または、整流される電流を担持している電極の一つ以上まで、適用される電位だけによって、制御可能な装置は、詳細に述べるか、振動するかまたは切り替えをした、例えば2-端子デバイス}

H01L 29/6609 ・・・・・{ダイオード}

H01L 29/66098 ・・・・・・{故障ダイオード}

H01L 29/66106 ・・・・・・・{ゼナーダイオード}

H01L 29/66113 ・・・・・・・{アバランシェダイオード}

H01L 29/66121 ・・・・・・{多層ダイオード、例えばPNPN ダイオード}

H01L 29/66128 ・・・・・・{平面ダイオード}

H01L 29/66136 ・・・・・・{pn接合ダイオード}

H01L 29/66143 ・・・・・・{ショットキーダイオード}

H01L 29/66151 ・・・・・・{トンネルダイオード(13/15反響するトンネル効果ダイオードを集めるH01L 29/66219)}

H01L 29/66159 ・・・・・・{走行時間ダイオード、例えばIMPATT、TRAPATT ダイオード}

H01L 29/66166 ・・・・・{pn接合を有するレジスタ}

H01L 29/66174 ・・・・・{pnまたはショットキ接合を有するコンデンサ、例えばバラクタ(コンデンサを有する

H01L 29/66181 ・・・・・{導体-絶縁体-半導体コンデンサ、例えばトレンチキャパシタ}

H01L 29/66189 ・・・・・・{pn接合を有する、例えば複合型コンデンサ}

H01L 29/66196 ・・・・・{グループ13/15材料でできている活動層を有する}

H01L 29/66204 ・・・・・・{ダイオード}

H01L 29/66212 ・・・・・・・{ショットキーダイオード}

H01L 29/66219 ・・・・・・・{ヘテロ構造を有する、例えば反響するトンネル効果ダイオード[RTD}]

H01L 29/66227 ・・・・{調整されるか、増幅されるかまたは切替えられる電流を担持しない電極に、供給される電流だけによって、制御可能な装置または電位は印加した例えば3-端子デバイス}

H01L 29/66234 ・・・・・{両極性の接合トランジスタ[BJT}]

H01L 29/66242 ・・・・・・{ヘテロ構造トランジスタ[HBT}(グループ13/15材料でできている活動層を有するH01L 29/66318)]

H01L 29/6625 ・・・・・・{横方向のトランジスタ(H01L 29/66242 そして、H01L 29/66265 優位をとる)}

H01L 29/66257 ・・・・・・{ショットキ・トランジスタ}

H01L 29/66265 ・・・・・・{薄膜バイポーラトランジスタ(H01L 29/66242 優位をとる)}

H01L 29/66272 ・・・・・・{シリコン垂直トランジスタ(H01L 29/66242, H01L 29/66257 and H01L 29/66265 優位をとる)}

H01L 29/6628 ・・・・・・・{逆のトランジスタ}

H01L 29/66287 ・・・・・・・{単結晶エミッタ、収集装置またはベースに含むを有する外部（シリコン基板の上に形成される関連または移植片ベース）例えばエピタキシによって、再結晶、装置隔離を絶縁した後に(H01L 29/6628 優位をとる)}

H01L 29/66295 ・・・・・・・{全部のシリコン基板を行っている趨勢を有する、例えば動力バイポーラトランジスタ}

H01L 29/66303 ・・・・・・・・{マルチ・エミッタを有する、例えば互いに嵌合される、多細胞であるか分散エミッタ}

H01L 29/6631 ・・・・・・{グループ13/15材料でできている活動層を有する}

H01L 29/66318 ・・・・・・・{ヘテロ構造トランジスタ}

H01L 29/66325 ・・・・・・{制御そばに電界効果、例えば絶縁ゲートバイポーラトランジスタ[IGBT}]

H01L 29/66333 ・・・・・・・{垂直絶縁ゲートバイポーラトランジスタ}

H01L 29/6634 ・・・・・・・・{ソース/エミッタ接点領域のエッチングにより形成される凹部を有する(H01L 29/66348 優位をとる；半導体部分のエッチングH01L 21/302)}

H01L 29/66348 ・・・・・・・・{凹部を作られたゲートを有する}

H01L 29/66356 ・・・・・{ゲートで制御されたダイオード、例えば分野は、ダイオードを制御した[FCD}、静的誘導サイリスタ[SITh]、分野制御サイリスタ[FCTh]]

H01L 29/66363 ・・・・・{サイリスタ}

H01L 29/66371 ・・・・・・{構造的に他の装置と関係している、例えば内蔵ダイオード(集積回路を作ることH01L 21/82)}

H01L 29/66378 ・・・・・・・{制御電界効果装置である他の装置}

H01L 29/66386 ・・・・・・{双方向性サイリスタ}

H01L 29/66393 ・・・・・・{横方向であるか平面サイリスタ}

H01L 29/66401 ・・・・・・{グループ13/15材料でできている活動層を有する}

H01L 29/66409 ・・・・・{単極電界効果トランジスタ}

H01L 29/66416 ・・・・・・{静的な誘導トランジスタ[引っ込んでいる}(群でできている活動層を有する 13/15材料H01L 29/66454)]

H01L 29/66424 ・・・・・・・{浸透するベース・トランジスタ[PBT}]

H01L 29/66431 ・・・・・・{ヘテロ構造インタフェース・チャネルまたはゲートを有する、例えばHFET、HIGFET、SISFET、HJFET、HEMT(グループ13/15材料でできている活動層を有するH01L 29/66462)}

H01L 29/66439 ・・・・・・{one-または0次元のチャネルを有する、例えば量子導線FET、平面方向のゲート・トランジスタ[IPG}、一つの電子トランジスタ[セット]、ストライプのチャンネルトランジスタ、クーロン封鎖トランジスタ(グループ13/15材料でできている活動層を有するH01L 29/66469)]

H01L 29/66446 ・・・・・・{グループ13/15材料でできている活動層を有する、例えば13/15速度変調トランジスタを集める[VMT}、13/15負の抵抗FET [NERFET]を集める]

H01L 29/66454 ・・・・・・・{静的な誘導トランジスタ[引っ込んでいる｝、例えば浸透性ベース・トランジスタ[PBT]]

H01L 29/66462 ・・・・・・・{ヘテロ構造インタフェース・チャネルまたはゲートを有する、例えばHFET、HIGFET、SISFET、HJFET、HEMT}

H01L 29/66469 ・・・・・・・{one-または0次元のチャネルを有する、例えば量子導線電界効果トランジスタ、平面方向のゲート・トランジスタ[IPG}、一つの電子トランジスタ[セット]、クーロン封鎖トランジスタ、ストライプのチャンネルトランジスタ]

H01L 29/66477 ・・・・・・{絶縁されたゲートを有する、すなわちMISFET}

H01L 29/66484 ・・・・・・・{多数のゲートを有する、絶縁されたゲートである少なくとも一つのゲート(H01L 29/66742 優位をとる)}

H01L 29/66492 ・・・・・・・{ゲートの側で選択的に形成されるポケットまたは軽くドーピングしたドレインを有する}

H01L 29/665 ・・・・・・・{自己を使用することは、ケイ（珪）化を整列配置した、すなわちサリサイド(ケイ素化合物から成る導電層の形成H01L 21/28518)}

H01L 29/66507 ・・・・・・・・{ゲート上の、そして、ソースまたはドレイン上の異なるケイ素化合物厚を提供すること}

H01L 29/66515 ・・・・・・・{自己を使用することは、ゲート上の、そして、ソース上の同時に選択的な金属堆積を整列配置するかまたは流出する}

H01L 29/66522 ・・・・・・・{グループ13/15材料でできている活動層を有する(H01L 29/66446 優位をとる)}

H01L 29/6653 ・・・・・・・{スペーサで最少の一部の除去を使用すること、例えば使い捨てのスペーサ}

H01L 29/66537 ・・・・・・・{自己を使用することは、ゲート領域の下にストッパーまたは閾値植設によるパンチを整列配置した(H01L 29/66606 優位をとる)}

H01L 29/66545 ・・・・・・・{ダミーを使用すること、すなわち方法の最終版の一部がゲートで制御する最少の交替ゲートは、そこにおいて、ダミー・ゲートに整列配置される自己である}

H01L 29/66553 ・・・・・・・{内部のスペーサを使用すること、永続的な}

H01L 29/6656 ・・・・・・・{多数のスペーサ層を使用すること、例えば多数のサイドウォールスペーサ}

H01L 29/66568 ・・・・・・・{横方向の一つのゲート・シリコン・トランジスタ}

H01L 29/66575 ・・・・・・・・{そこにおいて、ソースおよびドレインまたはソースおよびドレイン拡張は、ゲートの側に自己を整列配置する(H01L 29/66606 優位をとる)}

H01L 29/66583 ・・・・・・・・・{最初のゲート・マスクまたは将来のゲート場所と相補的なマスキング層を有する、例えばダミー・ソースおよびドレイン接点を有する}

H01L 29/6659 ・・・・・・・・・{軽くドーピングしたソースおよびドレイン拡張部およびソースおよびゲートの側に自己整合されるドレインを有する、例えば軽くドーピングしたドレイン‖[LDD}MOSFET、放散される倍は、[DDD] MOSFETを排出する]

H01L 29/66598 ・・・・・・・・・・{フォーミング（成形）は、排液させる[D｝、そして、軽くドーピングしたドレイン[LDD]同時に、例えば翼で着床を使用するＴ字状の層、または特別に形づくられた層による]

H01L 29/66606 ・・・・・・・・{最終的なソースおよびドレイン接点構造を有する厳しく最終的であるかダミー・ゲート構造の前に、例えば接触第1の技術(H01L 29/66621 優位をとる)}

H01L 29/66613 ・・・・・・・・{ゲート逃げ溝切りステップを有する、例えばローカル酸化を使用すること(製作は、ゲートLDMOSトランジスタに凹所を作ったH01L 29/66704)}

H01L 29/66621 ・・・・・・・・・{ゲート場所で凹部を形成するためにエッチングを使用すること(半導体部分のエッチングH01L 21/302)}

H01L 29/66628 ・・・・・・・・・{ソースまたはドレイン場所で単結晶半導体材料を形成することによって、ゲートに凹部を作ること}

H01L 29/66636 ・・・・・・・・{エッチングによって、凹部を作られてまたはエッチングによって、最初に凹部を作られて、それから補充されるソースまたはドレインを有する}

H01L 29/66643 ・・・・・・・・{ショットキ・バリアまたは導体-絶縁体-半導体構造により形成されるソースまたはドレイン領域を有する}

H01L 29/66651 ・・・・・・・・{装置隔離を絶縁した後にシリコン基板の上に形成される単一の透明な水路を有する}

H01L 29/66659 ・・・・・・・・{チャネル方向の非対称を有する、例えばドレインを有する横方向の高圧MISFETは、領域を相殺した、拡張ドレインMISFET}

H01L 29/66666 ・・・・・・・{垂直トランジスタ(H01L 29/66712, H01L 29/66742 優位をとる)}

H01L 29/66674 ・・・・・・・{DMOSトランジスタ、すなわち体に対応しているチャネルまたはドレイン・ドリフト領域に隣接しているベース領域を有するMISFET(よくチャネルおよびドレインを有する横方向の高圧MISFETを製造することは、領域を相殺したH01L 29/66659)}

H01L 29/66681 ・・・・・・・・{横方向のDMOSトランジスタ、すなわちLDMOSトランジスタ}

H01L 29/66689 ・・・・・・・・・{絶縁側壁スペーサを形成するステップを有する(絶縁材料を下地の上に形成することH01L 21/02107)}

H01L 29/66696 ・・・・・・・・・{ソース電極に凹所を作るステップを有する}

H01L 29/66704 ・・・・・・・・・{ゲート電極に凹所を作るステップを有する、例えば溝ゲート電極を形成する}

H01L 29/66712 ・・・・・・・・{垂直DMOSトランジスタ、すなわちVDMOSトランジスタ}

H01L 29/66719 ・・・・・・・・・{絶縁側壁スペーサを形成するステップを有する}

H01L 29/66727 ・・・・・・・・・{ソース電極に凹所を作るステップを有する}

H01L 29/66734 ・・・・・・・・・{ゲート電極に凹所を作るステップを有する、例えば溝ゲート電極を形成する}

H01L 29/66742 ・・・・・・・{薄膜単極トランジスタ}

H01L 29/6675 ・・・・・・・・{アモルファスシリコンまたはポリシリコン・トランジスタ}

H01L 29/66757 ・・・・・・・・・{非逆にされた構造を有する横方向の一つのゲート一つのチャンネルトランジスタ、すなわちチャネル層は、ゲートの前に形成される}

H01L 29/66765 ・・・・・・・・・{逆にされた構造を有する横方向の一つのゲート一つのチャンネルトランジスタ、すなわちチャネル層は、ゲートから形成される}

H01L 29/66772 ・・・・・・・・{絶縁基体上の単結晶シリコン・トランジスタ、例えば石英基板(H01L 29/66666 優位をとる；薄膜　FinFETsH01L 29/66M6T6F16B)}

H01L 29/6678 ・・・・・・・・・{サファイア基板上の、例えばSOSトランジスタ}

H01L 29/66787 ・・・・・・・{チャネルの側のゲートを有する}

H01L 29/66795 ・・・・・・・・{半導体部分の直立側壁の横電流の流れを有する、例えばFinFET、MuGFET}

H01L 29/66803 ・・・・・・・・・{直立側壁に不純物を添加するステップを有する、例えば傾けられるかマルチ曲げられた移植組織を使用すること}

H01L 29/6681 ・・・・・・・・・{基本的に半導体部分と同じ形状を有しているダミー構造体を使用すること、例えば安定性を提供する}

H01L 29/66818 ・・・・・・・・・{パターニングの後、薄くなっているチャネル、例えばフィン上の犠牲の酸化}

H01L 29/66825 ・・・・・・・{フローティングゲートを有する(H01L 29/6684 優位をとる)}

H01L 29/66833 ・・・・・・・{ゲート絶縁体を閉じ込めている負担を有する、例えばMNOSトランジスタ}

H01L 29/6684 ・・・・・・・{強誘電性のゲート絶縁体を有する}

H01L 29/66848 ・・・・・・{ショットキ・ゲートを有する、すなわちMESFET}

H01L 29/66856 ・・・・・・・{グループ13/15材料でできている活動層を有する(H01L 29/66446 優位をとる)}

H01L 29/66863 ・・・・・・・・{横方向の一つのゲート・トランジスタ}

H01L 29/66871 ・・・・・・・・・{最終的なゲートがソースの形成および活動層のドレイン領域の後で作られる方法、例えばダミー・ゲート・プロセス}

H01L 29/66878 ・・・・・・・・・{最終的なゲートが形成の前に作られる方法、例えば活性化アニーリング、活動層のソースおよびドレイン領域の}

H01L 29/66886 ・・・・・・・・・{2つ以上の独立ゲートを有する横方向のトランジスタ}

H01L 29/66893 ・・・・・・{pn接合ゲートを有する、すなわちJFET}

H01L 29/66901 ・・・・・・・{pn ホモ接合ゲートを有する}

H01L 29/66909 ・・・・・・・・{垂直トランジスタ、例えばテクネトロン}

H01L 29/66916 ・・・・・・・{pnヘテロ構造ゲートを有する}

H01L 29/66924 ・・・・・・・{グループ13/15材料でできている活動層を有する(H01L 29/66446 優位をとる)}

H01L 29/66931 ・・・・・{BJTのような単極トランジスタ、例えば熱い電子トランジスタ‖[励振した}、金属製基部トランジスタ[MBT]、反響するトンネル効果トランジスタ[RTT]、大きさバリア・トランジスタ[BBT]、平面ドーピングしたバリア・トランジスタ[PDBT]、充電注射トランジスタ[CHINT]]

H01L 29/66939 ・・・・・・{グループ13/15材料でできている活動層を有する}

H01L 29/66946 ・・・・・{電荷転送器}

H01L 29/66954 ・・・・・・{絶縁されたゲートを有する}

H01L 29/66962 ・・・・・・{ショットキ・ゲートを有する}

H01L 29/66969 ・・・{グループ14またはグループから成る半導体部分を有する装置でない13/15 材料(上記は、セレニウムまたはテルルをその他の材料の半導体部分の不純物以外の結合してない形式に含む、上記は、酸化第一銅または第一銅のヨウ化物から成るH01L 21/02365)}

H01L 29/66977 ・・{量子効果手段、例えば量子反射、回折または干渉効果を利用すること、すなわちBragg-またはアハロノフ-ベーム効果}

H01L 29/66984 ・・{回転を使用している装置は、キャリアを分極化させた}

H01L 29/66992 ・・{印加温度の変化だけによって、制御可能である(Ir放射線によって、制御可能であるH01L 31/00；熱の測定量G01K 17/00)}

H01L 29/68 ・・供給される電流だけによって、制御可能である、または、電位だけは印加した、整流される電流を担持しない電極に、増幅されるかまたは切替えられる

H01L 29/685 ・・・{ヒロ半導体装置、例えばメモリデバイス}

H01L 29/70 ・・・二極式装置

H01L 29/705 ・・・・{ダブルベースダイオード}

H01L 29/72 ・・・・トランジスタ-タイプ装置、すなわち連続的に印加制御信号に反応することが可能である

H01L 29/73 ・・・・・二極式接合トランジスタ

H01L 29/7302 ・・・・・・{構造的に他の装置と関係している(装置のアセンブリH01L 25/00；集積回路H01L 27/00；IGBTH01L 29/7393)}

H01L 29/7304 ・・・・・・・{抵抗性素子である装置、例えば敷き砂利レジスタ(抵抗器と統合されるトランジスタH01L 27/075)}

H01L 29/7306 ・・・・・・{位置接触トランジスタ}

H01L 29/7308 ・・・・・・{ショットキ・トランジスタ}

H01L 29/7311 ・・・・・・{トンネル・トランジスタ}

H01L 29/7313 ・・・・・・{雪崩トランジスタ}

H01L 29/7315 ・・・・・・{フック収集装置を有するトランジスタ}

H01L 29/7317 ・・・・・・{二極式薄膜トランジスタ}

H01L 29/732 ・・・・・・垂直トランジスタ

H01L 29/7322 ・・・・・・・{体の同じ表層で去ろうとしているエミッタ-ベースおよびベース-収集装置接合を有すること、例えば平面トランジスタ}

H01L 29/7325 ・・・・・・・{メイン表層で去ろうとしているエミッタ-ベース接合および体の周面で去ろうとしているベース-収集装置接合を有すること、例えばメサ平面トランジスタ}

H01L 29/7327 ・・・・・・・{逆の垂直トランジスタ}

H01L 29/735 ・・・・・・横方向のトランジスタ

H01L 29/737 ・・・・・・ヘテロ接合トランジスタ

H01L 29/7371 ・・・・・・・{垂直トランジスタ}

H01L 29/7373 ・・・・・・・・{二次元のベースを有すること、例えば変調ドープ・ベース、逆転層ベース、デルタ・ドープ・ベース}

H01L 29/7375 ・・・・・・・・{グループIVの一つ以上の非単結晶素子から成るエミッタを有すること、例えばアモルファスシリコン、グループIV素子から成る合金}

H01L 29/7376 ・・・・・・・・{反響するトンネル効果トランジスタ}

H01L 29/7378 ・・・・・・・・{上記は、格子の組合せを誤られた活動層から成る、例えばSiGeは、層トランジスタの重圧となった}

H01L 29/739 ・・・・・制御そばに電界効果、｛例えば二極式静的誘導トランジスタ(BSIT) (単接合トランジスタH01L 29/705)}

H01L 29/7391 ・・・・・・{ゲートで制御されたダイオード構造}

H01L 29/7392 ・・・・・・・{pn接合ゲートを有する、例えば分野は、サイリスタを制御した(FCTh)、静的誘導サイリスタ(SITh)}

H01L 29/7393 ・・・・・・{絶縁されたゲート両極性のモード・トランジスタ、すなわちIGBT；IGT；COMFET}

H01L 29/7394 ・・・・・・・{絶縁層または下地上の、例えばバルク基板から分離される薄膜装置または装置(H01L 29/7398 優位をとる)}

H01L 29/7395 ・・・・・・・{垂直トランジスタ、例えば垂直IGBT}

H01L 29/7396 ・・・・・・・・{非平坦面を有する、例えば非平面ゲートを有するまたは溝または凹部を有する、または、エミッタの表面に柱、電流密度を改良するかまたは不足してエミッタおよびベース領域を巡回するためのベースまたはコレクタ領域(H01L 29/7398 優位をとる)}

H01L 29/7397 ・・・・・・・・・{そして、傾斜されるか垂直表層にあっているかまたは溝において、形成されるゲート構造、例えば溝ゲートIGBT}

H01L 29/7398 ・・・・・・・・{同じ下地側のエミッタおよびコレクタ接触体を有する}

H01L 29/74 ・・・・サイリスタ-タイプ装置、例えば4-ゾーン再生する動きを有する{(2-端末サイリスタH01L 29/87)}

H01L 29/7404 ・・・・・{構造的に少なくとも一つの他の装置と関係している(アセンブリH01L 25/00；集積回路H01L 27/00)}

H01L 29/7408 ・・・・・・{コンデンサまたはレジスタである装置}

H01L 29/7412 ・・・・・・{ダイオードである装置}

H01L 29/7416 ・・・・・・・{逆平行のダイオードである装置、例えば領収書(逆の伝導を可能にしている短絡する陽極構造H01L 29/0834)}

H01L 29/742 ・・・・・・{電界効果トランジスタである装置(分野効果による刺激または岐路のためのH01L 29/745, H01L 29/749)}

H01L 29/7424 ・・・・・{内蔵型局所化された故障/記事が他ページへ続く部分領域があること、例えば自己から守られた破壊的な自然発生的な、例えば電圧記事が他ページへ続く部分、発射}

H01L 29/7428 ・・・・・{増幅しているゲート構造を有すること、例えばカスケード(ダーリントン)構成}

H01L 29/7432 ・・・・・{非対称のサイリスタ(特定の短絡する陽極構造を有するH01L 29/0834)}

H01L 29/7436 ・・・・・{横方向のサイリスタ}

H01L 29/744 ・・・・・ゲート-岐路装置

H01L 29/745 ・・・・・・分野効果による岐路を有する

H01L 29/7455 ・・・・・・・{断熱されたゲート構造によって、できる}

H01L 29/747 ・・・・・双方向性装置、例えばトライアック

H01L 29/749 ・・・・・分野効果による刺激を有する

H01L 29/76 ・・・単極装置、｛例えば電界効果トランジスタ}

H01L 29/7606 ・・・・{トランジスタのような構造、例えば熱い電子トランジスタ(励振した)；金属製基部トランジスタ(MBT)}

H01L 29/7613 ・・・・{一つの電子トランジスタ；クーロン封鎖装置(H01L 29/7888 優位をとる)}

H01L 29/762 ・・・・電荷転送器

H01L 29/765 ・・・・・電荷結合素子{(CCD記憶装置用の周辺回路G11C 19/285)}

H01L 29/768 ・・・・・・絶縁されたゲートにより発生される分野効果を有する

H01L 29/76808 ・・・・・・・{入力構造}

H01L 29/76816 ・・・・・・・{出力構造}

H01L 29/76825 ・・・・・・・{再生のための構造、リフレッシュすること、漏出補償等}

H01L 29/76833 ・・・・・・・{埋設されたチャネルCCD}

H01L 29/76841 ・・・・・・・・{二相のCCD}

H01L 29/7685 ・・・・・・・・{三相のCCD}

H01L 29/76858 ・・・・・・・・{4-位相CCD}

H01L 29/76866 ・・・・・・・{表層チャネルCCD}

H01L 29/76875 ・・・・・・・・{二相のCCD}

H01L 29/76883 ・・・・・・・・{三相のCCD}

H01L 29/76891 ・・・・・・・・{4-位相CCD}

H01L 29/772 ・・・・電界効果トランジスタ

H01L 29/7722 ・・・・・{静的分野を使用することは、地方を誘導した、例えば座る、PBT}

H01L 29/7725 ・・・・・{デルタ・ドープ・チャネルを有する(H01L 29/778 優位をとる)}

H01L 29/7727 ・・・・・{速度変調トランジスタ、すなわちVMT}

H01L 29/775 ・・・・・1つの次元の電荷担体ガスチャンネルを有する、例えば量子導線FET

H01L 29/778 ・・・・・二次元の電荷担体ガスチャンネルを有する、例えばHEMT； {ヘテロ構造インタフェースで形成される二次元の電荷担体層を有する(H01L 29/804B4 優先する)}

H01L 29/7781 ・・・・・・{すなわち広いバンドギャップ層の上に形成される活動層については、逆にされた一つのヘテロ構造を有する例えばIHEMT}

H01L 29/7782 ・・・・・・{少なくとも2つのヘテロ構造によるキャリアの分娩を有する、例えばDHHEMT、量子ウェルHEMT、DHMODFET}

H01L 29/7783 ・・・・・・・{III〜V半導体材料を使用すること}

H01L 29/7784 ・・・・・・・・{デルタまたは平面ドーピングしたドナー層を有する(H01L 29/7785 優位をとる)}

H01L 29/7785 ・・・・・・・・{ドナー複数の層を有する}

H01L 29/7786 ・・・・・・{すなわち活動層の上に形成される広いバンドギャップ層については、直接の一つのヘテロ構造を有する例えば直接の一つのヘテロ構造MISのようなHEMT}

H01L 29/7787 ・・・・・・・{層を供給している広いバンドギャップ電荷担体を有する、例えば直接の一つのヘテロ構造MODFET}

H01L 29/7788 ・・・・・・{垂直トランジスタ}

H01L 29/7789 ・・・・・・{少なくとも部分的に半導体部分のメイン表層と、平行でない二次元の充電はん送ガス}

H01L 29/78 ・・・・・絶縁されたゲートにより発生される分野効果を有する{(H01L 29/7725, H01L 29/775, H01L 29/778 優位をとる)}