WebCPC CPC COOPERATIVE PATENT CLASSIFICATION

C23C　金属質への被覆；金属質材料による材料への被覆；表層への拡散による金属材料の表面処理、化学転換または置換によって；真空蒸着によるコーティング、スパッタすることによって、イオン打込みによって、または化学蒸着析出によって、一般に(一般に液体または他の流暢な材料を表層に適用することB05；押出によって、金属皮膜製品を製造することB21C 23/22既存の層を物品に接続することによって、金属によって、カバーすることは、関連した場所を見る、例えば B21D 39/00, B23K；電極を使用しているワークピース上の電流の高濃度の動作によって、金属の中で作用することB23H；ガラスの真空蒸着C03C；モルタルに金属をかぶせること、コンクリート、人造石、セラミックまたは天然石C04B 41/00；塗料ニス、laquersC09D；エナメル細工の、または硝子体層を適用すること、金属C23D；一般に金属材料または外皮の腐食を阻害することC23F；単結晶フィルム成長C30B；半導体装置の製造H01L；プリント回路の製造H05K)

C23C 2/00 形状に影響を及ぼすことのない熱した状態のコーティング材料を適用する溶融めっきまたは浸入方法；そのための装置

C23C 2/003 ・｛装置、例えばるつぼ、加熱装置}

C23C 2/006 ・{おおわれている材料の前処理のないパターンまたは選択的な沈澱物}

C23C 2/02 ・おおわれている材料の前処理、例えば選択された表面積上のコーティングのための(C23C 2/30 優位をとる)

C23C 2/04 ・コーティング材料によって、特徴付けられる

C23C 2/06 ・・亜鉛メッキする、さもなければ、カドミウムまたは合金はその上に基づいた

C23C 2/08 ・・その上に基礎を形成されるスズまたは合金

C23C 2/10 ・・その上に基礎を形成される紐または合金

C23C 2/12 ・・その上に基礎を形成されるアルミニウムまたは合金

C23C 2/14 ・融解したコーティングの過剰を取り除くこと；皮膜厚さを制御するかまたは調整すること(一般に制御するかまたは厚みを調整することG05D 5/02)

C23C 2/16 ・・圧力の下で流体を使用すること、例えばエアナイフ

C23C 2/18 ・・・細長い材料から融解したコーティングの過剰を取り除くこと

C23C 2/185 ・・・・{管；導線}

C23C 2/20 ・・・・細片；プレート

C23C 2/22 ・・すれることによって、例えばナイフを使用すること、｛例えば固体をこすること}

C23C 2/24 ・・磁気であるか電気的な分野を使用すること

C23C 2/26 ・後処理(C23C 2/14 優位をとる)

C23C 2/265 ・・{融解したコーティングに固体分子を塗布することによって}

C23C 2/28 ・・熱後処理、例えば油浴の処理

C23C 2/285 ・・・{コーティングを再溶解させるための}

C23C 2/30 ・溶融浴上の流動またはカバー(C23C 2/22 優位をとる)

C23C 2/32 ・振動するエネルギーを使用することは、浴槽または基板にあてはまった(C23C 2/14 優位をとる)

C23C 2/34 ・処理される材料の形状によって、特徴付けられる(C23C 2/14 優位をとる)

C23C 2/36 ・・細長い材料

C23C 2/38 ・・・導線；管

C23C 2/385 ・・・・{特定の長さのチューブ}

C23C 2/40 ・・・プレート；細片

C23C 2/405 ・・・・{特定の長さのプレート}

C23C 4/00 熱した状態のコーティング材料を吹き付けることによるコーティング、例えば炎によって、プラズマまたは放電(噴霧銃B05B；金属の溶射によって、繊維またはフィラメントを含んでいる合金を作ることC22C 47/16；プラズマ銃H05H)

C23C 4/005 ・{おおわれている材料の前処理のないパターンまたは選択的な沈澱物}

C23C 4/02 ・おおわれている材料の前処理、例えば選択された表面積上のコーティングのための

C23C 4/04 ・コーティング材料によって、特徴付けられる

C23C 4/06 ・・金属材料｛例えば金属的合金および原文のまま固い分子同類およびWCの混成(C23C 4/085 優位をとる)}

C23C 4/065 ・・・｛非金属素子を含むこと、例えば C、 Si、 B、PまたはAs、単体粒子として}

C23C 4/08 ・・・上記は、金属素子だけを含む

C23C 4/085 ・・・・{MCrAlまたはMCrAlYタイプは、そこでM = Niの合金をつくる、Co、Fe}

C23C 4/10 ・・酸化物、ホウ化物、カーバイド、窒化物、ケイ素化合物またはそれの混合物

C23C 4/105 ・・・{酸化物}

C23C 4/12 ・噴霧の方法によって、特徴付けられる

C23C 4/121 ・・{噴霧溶融金属}

C23C 4/122 ・・{起爆を利用すること(爆発によって、一般に噴霧のための装置B05B 7/0006)}

C23C 4/124 ・・{フレーム溶射を利用すること(炎によって、一般に噴霧のための装置B05B 7/20)}

C23C 4/125 ・・{導線アーク噴霧を利用すること(アークによって、一般に噴霧のための装置B05B 7/22)}

C23C 4/127 ・・{プラズマ溶射を利用すること(プラズマトーチ一般にH05H 1/26、アークによって、一般に噴霧のための装置B05B 7/22)}

C23C 4/128 ・・{真空のまたは不活発なガス室の噴霧}

C23C 4/14 ・・細長い材料をカバーするための

C23C 4/16 ・・・導線；管

C23C 4/18 ・後処理

C23C 4/185 ・・{基板からのコーティングの分離}

C23C 6/00 基板上の溶融材料を投げることによるコーティング

C23C 8/00 金属材料面への非金属素子だけの固体拡散(シリコンの拡散C23C 10/00)コーティングの表面材料層の反応生成物を残して、反応性ガスを有する表層の反応による金属材料の化学表面処理例えば転換コーティング、金属の不動態化(C23C 14/00 優位をとる)

C23C 8/02 ・おおわれている材料の前処理(C23C 8/04 優位をとる)

C23C 8/04 ・選択された表面積の処置、例えばマスクを使用すること

C23C 8/06 ・ガスを使用すること(C23C 8/36 優位をとる)

C23C 8/08 ・・使用されているonylもの素子

C23C 8/10 ・・・酸化すること

C23C 8/12 ・・・・基本的な酸素またはオゾンを使用すること

C23C 8/14 ・・・・・鉄の表層の中で酸化すること

C23C 8/16 ・・・・酸素含有化合物を使用すること、例えば水、二酸化炭素

C23C 8/18 ・・・・・鉄の表層の中で酸化すること

C23C 8/20 ・・・浸炭

C23C 8/22 ・・・・鉄の表層の

C23C 8/24 ・・・窒化

C23C 8/26 ・・・・鉄の表層の

C23C 8/28 ・・1つのステップで使用されている複数の素子

C23C 8/30 ・・・浸炭浸窒

C23C 8/32 ・・・・鉄の表層の

C23C 8/34 ・・複数のステップで使用されている複数の素子

C23C 8/36 ・・イオン化されたガスを使用すること、例えばイオン窒化(目的を導入することに対する準備または放出を浴びる材料を有する放電管H01J 37/00)

C23C 8/38 ・・・鉄の表層の処置

C23C 8/40 ・液体を使用すること、例えば塩浴槽、液サスペンション

C23C 8/42 ・・使用されている1つの素子だけ

C23C 8/44 ・・・浸炭

C23C 8/46 ・・・・鉄の表層の

C23C 8/48 ・・・窒化

C23C 8/50 ・・・・鉄の表層の

C23C 8/52 ・・1つのステップで使用されている複数の素子

C23C 8/54 ・・・浸炭浸窒

C23C 8/56 ・・・・鉄の表層の

C23C 8/58 ・・複数のステップで使用されている複数の素子

C23C 8/60 ・固体を使用すること、例えば粉、ペースト(固体の液サスペンションを使用することC23C 8/40)

C23C 8/62 ・・使用されている1つの素子だけ

C23C 8/64 ・・・浸炭

C23C 8/66 ・・・・鉄の表層の

C23C 8/68 ・・・ボロナイジング

C23C 8/70 ・・・・鉄の表層の

C23C 8/72 ・・1つのステップで使用されている複数の素子

C23C 8/74 ・・・浸炭浸窒

C23C 8/76 ・・・・鉄の表層の

C23C 8/78 ・・複数のステップで使用されている複数の素子

C23C 8/80 ・後処理

C23C 10/00 金属素子だけの固体拡散または金属材料面へのシリコン

C23C 10/02 ・おおわれている材料の前処理(C23C 10/04 優位をとる)

C23C 10/04 ・選択された表面積への拡散、例えばマスクを使用すること

C23C 10/06 ・ガスを使用すること

C23C 10/08 ・・放散されている1つの素子だけ

C23C 10/10 ・・・クロマイジング

C23C 10/12 ・・・・鉄の表層の

C23C 10/14 ・・1つのステップで放散されている複数の素子

C23C 10/16 ・・複数のステップで放散されている複数の素子

C23C 10/18 ・液体を使用すること、例えば塩浴槽、液サスペンション

C23C 10/20 ・・放散されている1つの素子だけ

C23C 10/22 ・・・放散される素子を含んでいる融解金属

C23C 10/24 ・・・放散される素子を含んでいる塩浴槽

C23C 10/26 ・・放散されている複数の素子

C23C 10/28 ・固体を使用すること、例えば粉、ペースト

C23C 10/30 ・・粉の層または表層上のペーストを使用すること(固体の液サスペンションを使用することC23C 10/18)

C23C 10/32 ・・・クロマイジング

C23C 10/34 ・・粉混合の埋め込み、すなわちパック・セメント接合

C23C 10/36 ・・・放散されている1つの素子だけ

C23C 10/38 ・・・・クロマイジング

C23C 10/40 ・・・・・鉄の表層の

C23C 10/42 ・・・・・・揮発性の輸送添加物がある場合には、例えばハロゲン化された物質

C23C 10/44 ・・・・シリコーン処理

C23C 10/46 ・・・・・鉄の表層の

C23C 10/48 ・・・・アルミニウム処理すること

C23C 10/50 ・・・・・鉄の表層の

C23C 10/52 ・・・1つのステップで放散されている複数の素子

C23C 10/54 ・・・・最少のクロミウムの拡散

C23C 10/56 ・・・・・そして、最少のアルミニウムで

C23C 10/58 ・・・複数のステップで放散されている複数の素子

C23C 10/60 ・後処理

C23C 12/00 シリコンおよび少なくとも一つの金属素子以外の少なくとも一つの非金属素子または金属材料面へのシリコンの固体拡散

C23C 12/02 ・1つのステップの拡散

C23C 14/00 真空蒸着によるコーティング、スパッタすることによって、または材料を形成しているコーティングのイオン打込みによって(目的を導入することに対する準備または放出を浴びる材料を有する放電管H01J 37/00)

C23C 14/0005 ・{基板からのコーティングの分離}

C23C 14/001 ・{液体基板上のコーティング}

C23C 14/0015 ・{層の色によって、特徴づけられる}

C23C 14/0021 ・{反応性スパッタリングまたは蒸発}

C23C 14/0026 ・・{コーティング室の外側の反応性ガスの起動または刺激}

C23C 14/0031 ・・・{反動的なイオンビームによる基板の衝撃}

C23C 14/0036 ・・{反応性スパッタリング}

C23C 14/0042 ・・・{測定値のフィードバックを有する反動的であるか不活性ガスの制御分圧または流動度}

C23C 14/0047 ・・・{コーティング室の外側の反応性ガスの起動または刺激}

C23C 14/0052 ・・・・{反動的なイオンビームによる基板の衝撃}

C23C 14/0057 ・・・{O2以外の反応性ガスを使用すること、 H2O、 N2、 NH3 またはCH4}

C23C 14/0063 ・・・{ガスを導入するかまたは除去するための手段によって、特徴付けられる}

C23C 14/0068 ・・・｛ガスまたはスパッタされた材料の分娩のための手段によって、特徴付けられる例えばスクリーン、バッフル}

C23C 14/0073 ・・・{断続的に基板を反応性ガスにさらすことによって}

C23C 14/0078 ・・・・{空間的に別々のスパッタリングおよび反応ステーションの間で基板を移動することによって}

C23C 14/0084 ・・・{勾配組成物を生産すること}

C23C 14/0089 ・・・{金属的モードの}

C23C 14/0094 ・・・{移行モードの}

C23C 14/02 ・おおわれている材料の前処理(C23C 14/04 優位をとる)

C23C 14/021 ・・{清掃またはエッチング処理}

C23C 14/022 ・・・{精力的な分子または放射線を有する衝撃によって}

C23C 14/024 ・・｛副層の堆積、例えばコーティングの癒着を促進する(C23C 14/027 優位をとる)}

C23C 14/025 ・・・{金属的副層}

C23C 14/027 ・・{段階的なインタフェース}

C23C 14/028 ・・｛素地のテクスチャを変える理学的な治療、例えば挽くこと、ポリッシング}

C23C 14/04 ・選択された表面積上のコーティング、例えばマスクを使用すること

C23C 14/042 ・・{マスクを使用すること}

C23C 14/044 ・・・｛全くむしろ再配布するマスクを使用することは、コーティングを予防する、例えば厚み勾配を生じること}

C23C 14/046 ・・｛コーティング空腔または中空空間、例えば管の内部；多孔性基板の浸入}

C23C 14/048 ・・{エネルギーまたは分子によって、照射を使用すること}

C23C 14/06 ・コーティング材料によって、特徴付けられる({C23C 14/0021}, C23C 14/04 優位をとる)

C23C 14/0605 ・・{カーボン}

C23C 14/0611 ・・・{ダイヤモンド}

C23C 14/0617 ・・{AIII BV合成物、そこにおいて、あるアル、 Ga、InまたはTlおよびB‖Nある、 P、 As、SbまたはBi}

C23C 14/0623 ・・{硫化物、セレン化物またはテルル化物}

C23C 14/0629 ・・・{亜鉛の、カドミウムまたは水銀}

C23C 14/0635 ・・{カーバイド}

C23C 14/0641 ・・{窒化物(C23C 14/0617 優位をとる)}

C23C 14/0647 ・・・{窒化ほう素}

C23C 14/0652 ・・・{窒化けい素}

C23C 14/0658 ・・・{カーボン窒化物}

C23C 14/0664 ・・{炭窒化物}

C23C 14/067 ・・{ホウ化物}

C23C 14/0676 ・・{酸素窒化物s}

C23C 14/0682 ・・{ケイ素化合物}

C23C 14/0688 ・・｛サーメット、例えば金属および一つ以上のカーバイドの混合物、窒化物、酸化物またはホウ化物}

C23C 14/0694 ・・{ハロゲン化物}

C23C 14/08 ・・酸化物(C23C 14/10 優位をとる)

C23C 14/081 ・・・{アルミニウムの、マグネシウムまたはベリリウム}

C23C 14/082 ・・・{アルカリ土類金属の}

C23C 14/083 ・・・{耐火性金属またはイットリウムの}

C23C 14/085 ・・・{鉄のグループ金属の}

C23C 14/086 ・・・{亜鉛の、ゲルマニウム、カドミウム、インジウム、スズ、タリウムまたはビスマス}

C23C 14/087 ・・・{銅またはそれの固溶体の}

C23C 14/088 ・・・{表しているアルカリを有するタイプABO3の、アルカリ土属が、金属をかぶせる‖または耐火性であるか珍しい土壌を表しているPbおよびBが、金属をかぶせる‖}

C23C 14/10 ・・ガラスまたは二酸化ケイ素

C23C 14/12 ・・有機材料

C23C 14/14 ・・金属材料、ホウ素またはシリコン

C23C 14/16 ・・・金属的基板上のまたはホウ素またはシリコンの基板上の

C23C 14/165 ・・・・{陰極のスパッタリングによって}

C23C 14/18 ・・・他の無機基板上の

C23C 14/185 ・・・・{陰極のスパッタリングによって}

C23C 14/20 ・・・有機基板上の

C23C 14/205 ・・・・{陰極のスパッタリングによって}

C23C 14/22 ・コーティングの処理によって、特徴付けられる

C23C 14/221 ・・{イオンビーム蒸着(C23C 14/46, C23C 14/48 優位をとる)}

C23C 14/223 ・・{specialyにコーティング分子に適している}

C23C 14/225 ・・{基板上の気化する材料の傾斜した発生率}

C23C 14/226 ・・・{柱状構造を有するフィルム形成する}

C23C 14/228 ・・{ガス流は、PVD堆積を援助した}

C23C 14/24 ・・真空蒸着

C23C 14/243 ・・・{原料物質のためのるつぼ(C23C 14/28, C23C 14/30 優位をとる)}

C23C 14/246 ・・・{原料物質の補充}

C23C 14/26 ・・・抵抗またはソースの帰納的な暖房によって

C23C 14/28 ・・・波エネルギーまたは分子放射線によって(C23C 14/32 to C23C 14/48 優位をとる)

C23C 14/30 ・・・・電子衝撃によって

C23C 14/32 ・・・爆発、によって蒸気の蒸発および次のイオン化によって、｛例えばイオンプレーティング}(C23C 14/34 to C23C 14/48 優位をとる)

C23C 14/325 ・・・・{アーク蒸発}

C23C 14/34 ・・スパッタすること

C23C 14/3407 ・・・｛スパッタしている装置用のカソードアセンブリ、例えば目標}

C23C 14/3414 ・・・・｛目標準備の冶金であるか化学態様、例えば鋳造、粉末や金}

C23C 14/3421 ・・・・{被加熱目標を使用すること}

C23C 14/3428 ・・・・{液目標を使用すること}

C23C 14/3435 ・・・{スパッタすることの間、エネルギーを基板に印加すること}

C23C 14/3442 ・・・・{イオンビームを使用すること}

C23C 14/345 ・・・・{基板バイアスを使用すること}

C23C 14/3457 ・・・{貴ガス・イオンより別の分子を使用すること(C23C 14/0036, C23C 14/46 優位をとる)}

C23C 14/3464 ・・・{複数の目標を使用すること(C23C 14/56 優位をとる)}

C23C 14/3471 ・・・{プラズマへの補助エネルギーの導入}

C23C 14/3478 ・・・・｛電子を使用すること、例えば３極スパッタリング}

C23C 14/3485 ・・・{目標に鼓動された力を使用すること}

C23C 14/3492 ・・・{スパッタすることの間のパラメータの変化}

C23C 14/35 ・・・磁界の印加によって、例えばマグネトロンスパッタリング{(C23C 14/3457 優位をとる)}

C23C 14/351 ・・・・{基板にごく近接している磁界を使用すること}

C23C 14/352 ・・・・{複数の目標を使用すること(C23C 14/56 優位をとる)}

C23C 14/354 ・・・・{プラズマへの補助エネルギーの導入}

C23C 14/355 ・・・・・｛電子を使用すること、例えば３極スパッタリング}

C23C 14/357 ・・・・・｛マイクロ波、例えばスパッタして強化される電子サイクロトロン共鳴}

C23C 14/358 ・・・・・{帰納的なエネルギー}

C23C 14/46 ・・・外部のイオン源によって、生じられるイオンビームによって

C23C 14/48 ・・イオン打込み

C23C 14/50 ・・基板保持体

C23C 14/505 ・・・{基板の回転のための}

C23C 14/52 ・・コーティング・プロセスの診察のための手段

C23C 14/54 ・・コーティング・プロセスを制御するかまたは調整すること(制御するかまたは一般に調整することG05)

C23C 14/541 ・・・{加熱または基板の冷却}

C23C 14/542 ・・・{膜厚または蒸発速度を制御すること}

C23C 14/543 ・・・・{蒸気供給源上の測定を使用すること}

C23C 14/544 ・・・・{ガス位相の測定を使用すること}

C23C 14/545 ・・・・{堆積する材料上の測定を使用すること}

C23C 14/546 ・・・・・{水晶発振機を使用すること}

C23C 14/547 ・・・・・{光学的方法を使用すること}

C23C 14/548 ・・・{構成を制御すること}

C23C 14/56 ・・装置は、連続コーティング、のために特別に適応した真空を維持するための準備、例えば真空ロック

C23C 14/562 ・・・{コーティング細長い基板のための}

C23C 14/564 ・・・{コーティング室（例えば塵）の不純物を最小にするための手段、水分、残留ガス}

C23C 14/566 ・・・・{ロードロック室を使用すること}

C23C 14/568 ・・・{一連のコーティングステーションで基板を(C23C 14/562 優位をとる)}

C23C 14/58 ・後処理

C23C 14/5806 ・・{熱処理}

C23C 14/5813 ・・・{レーザーを使用すること}

C23C 14/582 ・・・{電子衝撃を使用すること}

C23C 14/5826 ・・{プラズマ処理}

C23C 14/5833 ・・・{イオンビーム衝撃}

C23C 14/584 ・・{非反動的な処理}

C23C 14/5846 ・・{反動的な処理}

C23C 14/5853 ・・・{酸化}

C23C 14/586 ・・・{窒化}

C23C 14/5866 ・・・{硫黄を有する処理、セレニウムまたはテルル}

C23C 14/5873 ・・{材料の除去}

C23C 14/588 ・・・{機械の処理によって}

C23C 14/5886 ・・{機械処理(材料14の除去を含むこと/58J2)}

C23C 14/5893 ・・{堆積する材料の中で混じること}

C23C 16/00 コーティングの表面材料層の反応生成物を残さずに、ガス状の合成物の分解による化学コーティングすなわち化学蒸着析出(CVD) 方法(反応性スパッタリングまたは真空蒸着C23C 14/00)

C23C 16/003 ・{液体基板上のコーティング}

C23C 16/006 ・{層の色によって、特徴づけられる}

C23C 16/01 ・一時的な基板上の、例えばエッチングによって、その後除去される基板

C23C 16/02 ・おおわれている材料の前処理(C23C 16/04 優位をとる)

C23C 16/0209 ・・{加熱によって}

C23C 16/0218 ・・・{反動的な空気の(C23C 16/0227 優位をとる)}

C23C 16/0227 ・・{清掃またはエッチングによって}

C23C 16/0236 ・・・{反応性ガスを有するエッチングによって}

C23C 16/0245 ・・・{プラズマを有するエッチングによって}

C23C 16/0254 ・・｛表層のテクスチャを変える理学的な治療、例えば掻くことまたはポリッシング}

C23C 16/0263 ・・・{レーザーまたは粒子線を有する照射}

C23C 16/0272 ・・｛副層の堆積、例えばメイン・コーティングの癒着を促進する}

C23C 16/0281 ・・・{金属的副層の(C23C 16/029 優位をとる)}

C23C 16/029 ・・・{段階的なインタフェース}

C23C 16/04 ・選択された表面積上のコーティング、例えばマスクを使用すること

C23C 16/042 ・・{マスクを使用すること}

C23C 16/045 ・・｛コーティング空腔または中空空間、例えば管の内部；多孔性基板の浸入}

C23C 16/047 ・・{エネルギーまたは分子によって、照射を使用すること}

C23C 16/06 ・金属材料の堆積によって、特徴付けられる

C23C 16/08 ・・金属ハロゲン化物から

C23C 16/10 ・・・クロミウムだけの堆積

C23C 16/12 ・・・アルミニウムだけの堆積

C23C 16/14 ・・・他のひとつ金属元素だけの堆積

C23C 16/16 ・・金属カルボニル化合物から

C23C 16/18 ・・有機金属合成物から

C23C 16/20 ・・・アルミニウムだけの堆積

C23C 16/22 ・無機材料の堆積によって、特徴付けられる、金属材料以外の

C23C 16/24 ・・シリコンだけの堆積

C23C 16/26 ・・カーボンだけの堆積

C23C 16/27 ・・・ダイヤモンドだけ

C23C 16/271 ・・・・{熱いフィラメントを使用すること}

C23C 16/272 ・・・・{DCを使用すること、ACまたはRF放出}

C23C 16/273 ・・・・{熱いフィラメントを使用すること}

C23C 16/274 ・・・・{マイクロ波放出を使用すること}

C23C 16/275 ・・・・{燃焼トーチを使用すること}

C23C 16/276 ・・・・{プラズマジェットを使用すること}

C23C 16/277 ・・・・{カーボンおよび水素の他にガス位相の他の素子を使用すること；カーボンの他に他の素子を使用すること、燃焼トーチの使用の場合には水素および酸素；カーボンの他に他の素子を使用すること、プラズマジェットの使用の場合には水素および不活性ガス}

C23C 16/278 ・・・・{ドーピングまたはダイヤモンドの第２の位相の導入}

C23C 16/279 ・・・・{ダイヤモンド結晶学の制御}

C23C 16/28 ・・他のひとつ非金属元素だけの堆積

C23C 16/30 ・・合成物、混合物または固溶体の堆積、例えばホウ化物、カーバイド、窒化物

C23C 16/301 ・・・{AIII BV合成物、そこにおいて、あるアル、 Ga、InまたはTlおよびB‖Nある、 P、 As、SbまたはBi}

C23C 16/303 ・・・・{窒化物}

C23C 16/305 ・・・{硫化物、セレン化物、またはテルル化物}

C23C 16/306 ・・・・{AII BVI合成物、そこにおいて、あるZn、cdまたはHgおよびB‖Sある、SeまたはTe}

C23C 16/308 ・・・{酸素窒化物s}

C23C 16/32 ・・・カーバイド

C23C 16/325 ・・・・{炭化けい素}

C23C 16/34 ・・・窒化物{(C23C 16/303 優位をとる)}

C23C 16/342 ・・・・{窒化ほう素}

C23C 16/345 ・・・・{窒化けい素}

C23C 16/347 ・・・・{カーボン窒化物}

C23C 16/36 ・・・炭窒化物

C23C 16/38 ・・・ホウ化物

C23C 16/40 ・・・酸化物

C23C 16/401 ・・・・{上記は、シリコンを含む}

C23C 16/402 ・・・・・{二酸化ケイ素}

C23C 16/403 ・・・・{アルミニウムの、マグネシウムまたはベリリウム}

C23C 16/404 ・・・・{アルカリ土類金属の}

C23C 16/405 ・・・・{耐火性金属またはイットリウムの}

C23C 16/406 ・・・・{鉄のグループ金属の}

C23C 16/407 ・・・・{亜鉛の、ゲルマニウム、カドミウム、インジウム、スズ、タリウムまたはビスマス}

C23C 16/408 ・・・・{銅またはそれの固溶体の}

C23C 16/409 ・・・・{表しているアルカリを有するタイプABO3の、アルカリ土類金属または紐、 　　耐火性金属を表しているB、ニッケル、スカンジウムまたはランタニド}

C23C 16/42 ・・・ケイ素化合物

C23C 16/44 ・コーティングの方法によって、特徴付けられる(C23C 16/04 優位をとる)

C23C 16/4401 ・・｛不純物を最小にするための手段、例えば塵、水分または残留ガス、反応チャンバの}

C23C 16/4402 ・・・{原料ガスの不純物の減少}

C23C 16/4404 ・・・{コーティングまたは反応チャンバの内部上のまたはそれのパーツ上の表面処理}

C23C 16/4405 ・・・{原子炉の清掃または反応性ガスを用いて原子炉内部のパーツ}

C23C 16/4407 ・・・{原子炉または原子炉の清掃は、湿式であるか機械の方法を用いて分かれる}

C23C 16/4408 ・・・{反応チャンバまたはガスラインから残留ガスをパージすることによって}

C23C 16/4409 ・・・{封止手段によって、特徴付けられる}

C23C 16/4411 ・・{反応チャンバ壁の冷却(C23C 16/45572 優位をとる)}

C23C 16/4412 ・・｛排気装置に関している詳細例えばポンプ、フィルタ、スクラバー、分子トラップ}

C23C 16/4414 ・・{電気化学的蒸気堆積(EVD)}

C23C 16/4415 ・・{音波CVD}

C23C 16/4417 ・・{方法は、コーティング粉のために特別に適応した}

C23C 16/4418 ・・{独立した記事を製作する方法(C23C 16/00Bは、優位をとる)}

C23C 16/442 ・・流動化された台プロセスを使用すること

C23C 16/448 ・・反応性ガス流を生成するために使用する方法によって、特徴付けられる、例えば前駆体物質の蒸発または純化によって

C23C 16/4481 ・・・{原料物質と接触してはん送ガスを使用している蒸発によって(C23C 16/4486 優位をとる)}

C23C 16/4482 ・・・・{液体原料物質ではん送ガスの中で泡立つことによって}

C23C 16/4483 ・・・・{穴の多い体を使用すること}

C23C 16/4485 ・・・{原料物質と接触してはん送ガスを使用することのない蒸発によって(C23C 16/4486 優位をとる)}

C23C 16/4486 ・・・{液滴または分子のエアゾールおよび次の蒸発をもたらすことによって}

C23C 16/4487 ・・・{コンデンサを用いて}

C23C 16/4488 ・・・{化学であるか電気化学的反応による反応性ガスの元の位置の生成によって}

C23C 16/452 ・・・｛反応チャンバにそれらのはじめにの前に反応性ガス流を起動させることによって、例えばイオン化または反動的な種の追加によって}

C23C 16/453 ・・反応ガスをバーナーまたはトーチに通すこと、例えば気圧

C23C 16/455 ・・ガスを反応チャンバに導入するためにまたは反応チャンバのガス流を修正するために使用する方法によって、特徴付けられる

C23C 16/45502 ・・・{反応チャンバの流れ状況}

C23C 16/45504 ・・・・{層流}

C23C 16/45506 ・・・・{乱流}

C23C 16/45508 ・・・・{放射流れ}

C23C 16/4551 ・・・・{ジェット気流}

C23C 16/45512 ・・・{反応チャンバのはじめにの前の予混合}

C23C 16/45514 ・・・{基板の近い近傍を溶け込ませること}

C23C 16/45517 ・・・{基板の近接に対するガスの分娩}

C23C 16/45519 ・・・{不活性ガス・カーテン}

C23C 16/45521 ・・・・{ガス、熱接触ガス以外の、基板の後部を導入されることは、その末梢周辺で途切れずに続く}

C23C 16/45523 ・・・{鼓動されたガス流または構成の時間とともに変更}

C23C 16/45525 ・・・・{原子層堆積(ALD)}

C23C 16/45527 ・・・・・｛ALDサイクルまでに特徴づけられる例えば半分-反応の間の異なる流れまたは温度、変わった鼓動しているシーケンス、前駆体混合物または補助反対者の利用または起動}

C23C 16/45529 ・・・・・・{特別に異なる組成物または勾配組成物を交替させる層スタックを作ることに適している}

C23C 16/45531 ・・・・・・{特別に組成物を３進であるかより高くすることに適している}

C23C 16/45534 ・・・・・・｛メイン・フィルムの組成に貢献するために使われるより、別の補助反対者の利用例えば触媒、活性剤または捕捉剤}

C23C 16/45536 ・・・・・・{プラズマの使用、放射線または電磁界}

C23C 16/45538 ・・・・・・・{ALDサイクルの間、連続的に使用されているプラズマ}

C23C 16/4554 ・・・・・・・{なし使われているプラズマ連続的にALD反応の間に-(C23C 16/56 優位をとる)}

C23C 16/45542 ・・・・・・・{なし使われているプラズマ連続的にALD反応の間、-}

C23C 16/45544 ・・・・・{装置によって、特徴づけられる}

C23C 16/45546 ・・・・・・{特別にALD原子炉の基板スタックに適している}

C23C 16/45548 ・・・・・・{各々のALD半分-反応のための原子炉の異なる位置でガス圧入法の配置を有すること}

C23C 16/45551 ・・・・・・・{基板および気体注入器の相対的な移動または半分-反応原子炉コンパートメントのための}

C23C 16/45553 ・・・・・{特別にALDに適応する前駆の利用によって、特徴づけられる}

C23C 16/45555 ・・・・・{非半導体技術で適用される}

C23C 16/45557 ・・・{鼓動された圧力または制御圧}

C23C 16/45559 ・・・{基板に対する反応性ガスの拡散}

C23C 16/45561 ・・・{ガス配管反応チャンバの上流で}

C23C 16/45563 ・・・{ガス・ノズル}

C23C 16/45565 ・・・・{シャワー・ノズル}

C23C 16/45568 ・・・・{穴の多いノズル}

C23C 16/4557 ・・・・{被加熱ノズル}

C23C 16/45572 ・・・・{冷却ノズル}

C23C 16/45574 ・・・・{複数のガスのためのノズル}

C23C 16/45576 ・・・・{各々のガスのための同軸の入口}

C23C 16/45578 ・・・・{細長いノズル、穴を有する管}

C23C 16/4558 ・・・・{穿孔されたリング}

C23C 16/45582 ・・・{それの前のガスの展開は、基板に達する}

C23C 16/45585 ・・・{それの前のガスの圧縮は、基板に達する}

C23C 16/45587 ・・・{ガスを変えるための機械的手段は、途切れずに続く}

C23C 16/45589 ・・・・｛可動手段、例えばファン}

C23C 16/45591 ・・・・｛手段を定めた、例えば翼、バッフル}

C23C 16/45593 ・・・{反応性ガスの再流通}

C23C 16/45595 ・・・{同封の反応チャンバのない大気のCVDステム受け}

C23C 16/45597 ・・・{反動的な裏面ガス}

C23C 16/458 ・・反応チャンバの支持基板のために使用する方法によって、特徴付けられる

C23C 16/4581 ・・・{構造の材料または基板を支えるための手段の表面仕上げによって、特徴付けられる}

C23C 16/4582 ・・・｛剛性で平坦な基板、例えばプレートまたはディスク(C23C 16/4581 優位をとる)}

C23C 16/4583 ・・・・{かなり水平に支えられている基板}

C23C 16/4584 ・・・・・{回転している基板}

C23C 16/4585 ・・・・・｛基板支持部材の周辺部のまたはの外側の装置、例えば把握リング、囲い板}

C23C 16/4586 ・・・・・｛サポートの内部の素子、例えば電極、加熱であるか冷却装置}

C23C 16/4587 ・・・・{かなり垂直に支えられている基板}

C23C 16/4588 ・・・・・{回転している基板}

C23C 16/46 ・・基板を加熱するために使用する方法によって、特徴付けられる(C23C 16/48, C23C 16/50 優位をとる)

C23C 16/463 ・・・{基板の冷却}

C23C 16/466 ・・・・{熱接触ガスを使用すること}

C23C 16/48 ・・照射によって、例えば光分解、放射線分解、分子放射線

C23C 16/481 ・・・{基板の放射加熱によって}

C23C 16/482 ・・・｛首尾一貫しない光（Irに対するUV）を使用する例えばランプ}

C23C 16/483 ・・・｛コヒーレント光（Irに対するUV）を使用する例えばレーザー}

C23C 16/484 ・・・{Ｘ線放射線を使用すること}

C23C 16/485 ・・・{シンクロトロン放射を使用すること}

C23C 16/486 ・・・{イオンビーム放射線を使用すること}

C23C 16/487 ・・・{電子放射線を使用すること}

C23C 16/488 ・・・{コーティング室への放射線の導入のためのウインドウの保護}

C23C 16/50 ・・放電を使用すること{(生成および表面処理のための放電管のプラズマの制御H01J 37/32, H01J 37/34)}

C23C 16/503 ・・・DCまたはAC放出を使用すること

C23C 16/505 ・・・Ｒｆ放出を使用すること

C23C 16/507 ・・・・外部電極を使用すること、例えばトンネル・タイプ原子炉の

C23C 16/509 ・・・・内部電極を使用すること

C23C 16/5093 ・・・・・{同軸電極}

C23C 16/5096 ・・・・・{平台型装置}

C23C 16/511 ・・・マイクロ波放出を使用すること

C23C 16/513 ・・・プラズマジェットを使用すること

C23C 16/515 ・・・鼓動された放出を使用すること

C23C 16/517 ・・・グループのうちの2つ以上時までに適用されられる放出の組合せを使用することC23C 16/503 to C23C 16/515

C23C 16/52 ・・コーティング・プロセスを制御するかまたは調整すること({C23C 16/45557, C23C 16/279 優位をとる}；制御するかまたは一般に調整することG05)

C23C 16/54 ・・装置は、連続コーティングのために特別に適応した

C23C 16/545 ・・・{コーティング細長い基板のための}

C23C 16/56 ・後処理

C23C 18/00 いずれの液体合成物もの分解または合成物を形成しているコーティングの溶液による化学コーティング、コーティングの表面材料層の反応生成物を残さずに(化学表面反応C23C 8/00, C23C 22/00)；接触めっき法

C23C 18/02 ・熱分解によって

C23C 18/04 ・・おおわれている材料の前処理(C23C 18/06 優位をとる)

C23C 18/06 ・・選択された表面積上のコーティング、例えばマスクを使用すること

C23C 18/08 ・・金属材料の堆積によって、特徴付けられる

C23C 18/10 ・・・アルミニウムだけの堆積

C23C 18/12 ・・金属材料以外の無機材料の堆積によって、特徴付けられる

C23C 18/1204 ・・・{}

C23C 18/1208 ・・・・｛酸化物、例えばセラミック}

C23C 18/1212 ・・・・・{沸石、眼鏡}

C23C 18/1216 ・・・・・{金属酸化物(C23C 18/1212 優位をとる)}

C23C 18/122 ・・・・｛無機高分子、例えばシラン、ポリシラザン誘導体、ポリシーロキサン}

C23C 18/1225 ・・・{無機材料の多層の堆積}

C23C 18/1229 ・・・{基板の組成}

C23C 18/1233 ・・・・{有機基板}

C23C 18/1237 ・・・・・｛複合基板、例えば積層である、使用前に混合される}

C23C 18/1241 ・・・・{金属的基板}

C23C 18/1245 ・・・・{メタリック以外の無機基板}

C23C 18/125 ・・・{無機材料の沈澱の処理}

C23C 18/1254 ・・・・{ゾルまたはゾル-ゲル処理}

C23C 18/1258 ・・・・{スプレー熱分解}

C23C 18/1262 ・・・・｛分子を含むこと、例えばカーボン・ナノチューブ(CNT)、剥片}

C23C 18/1266 ・・・・・{分子は、元の位置に生じた}

C23C 18/127 ・・・・・{予め形成された分子}

C23C 18/1275 ・・・・{不活性雰囲気の下で実行される}

C23C 18/1279 ・・・・｛反動的な空気の下で実行した例えば空気を酸化させるかまたは減らすこと}

C23C 18/1283 ・・・・｛温度の制御、例えば段階的な温度増加、温度の変調}

C23C 18/1287 ・・・・｛手段を誘導している流れについては、例えば超音波である}

C23C 18/1291 ・・・・{基板の加熱によって}

C23C 18/1295 ・・・・{堆積する無機材料の後処理を有する}

C23C 18/14 ・照射による分解、例えば光分解、分子放射線

C23C 18/16 ・減少または置換によって、例えば無電解めっき(C23C 18/54 優位をとる)

C23C 18/1601 ・・{方法または装置}

C23C 18/1603 ・・・{選択された表面積上のコーティング}

C23C 18/1605 ・・・・{マスキングによって}

C23C 18/1607 ・・・・{直接のパターニングによって}

C23C 18/1608 ・・・・・｛処理前のステップから、すなわち選択的な前処理}

C23C 18/161 ・・・・・｛表面被覆ステップから、例えばインクジェット式である}

C23C 18/1612 ・・・・・{照射手段による}

C23C 18/1614 ・・・・{一方上の表面被覆}

C23C 18/1616 ・・・・・{内部または内面}

C23C 18/1617 ・・・{コーティング浴槽の浄化および再生}

C23C 18/1619 ・・・{無電解めっきのための装置}

C23C 18/1621 ・・・・{装置の内面の保護}

C23C 18/1623 ・・・・・{電気化学的方法による}

C23C 18/1625 ・・・・・{化学プロセスによる}

C23C 18/1626 ・・・・・{機械の方法による}

C23C 18/1628 ・・・・{特定の素子または装置の部分}

C23C 18/163 ・・・・・{おおわれている物品の支持装置}

C23C 18/1632 ・・・・｛装置に固有な特集例えば細胞の、そして、その器材のレイアウト、多数の細胞}

C23C 18/1633 ・・・{無電解めっきの方法}

C23C 18/1635 ・・・・{基板の組成}

C23C 18/1637 ・・・・・{金属的基板}

C23C 18/1639 ・・・・・｛メタリック以外の基板、例えば無機であるか有機であるか非導通する}

C23C 18/1641 ・・・・・・｛有機基板、例えば樹脂、プラスチック}

C23C 18/1642 ・・・・・・{半導体(半導体H01L 21/288)}

C23C 18/1644 ・・・・・{多孔性基板}

C23C 18/1646 ・・・・{得られた製品の特性}

C23C 18/1648 ・・・・・{多孔質生成物}

C23C 18/165 ・・・・・{多層製品(層をなした製品B32B)}

C23C 18/1651 ・・・・・・{無電解めっきによって、得られるだけの2枚の層以上}

C23C 18/1653 ・・・・・・{無電解めっきによって、得られた少なくとも一つの層および電気メッキによって、得られた1枚の層を有する2枚の層以上}

C23C 18/1655 ・・・・{方法機能}

C23C 18/1657 ・・・・・｛非電着性金属析出の化成、すなわち取り除かれるかまたはプロセス終了後破壊される基板}

C23C 18/1658 ・・・・・{還元剤の追加が続く金属堆積から始めている2つのステップを有する}

C23C 18/166 ・・・・・{金属堆積が続く還元剤の追加から始めている2つのステップを有する}

C23C 18/1662 ・・・・・｛溶液または分散の統合された材料の使用、例えば分子、ひげ、導線}

C23C 18/1664 ・・・・・{表面被覆過程の間の追加的な手段を有する}

C23C 18/1666 ・・・・・・{超音波学}

C23C 18/1667 ・・・・・・｛放射エネルギー、例えばレーザー}

C23C 18/1669 ・・・・・・｛振動、例えば空気はじめに}

C23C 18/1671 ・・・・・・{電界}

C23C 18/1673 ・・・・・・{磁界}

C23C 18/1675 ・・・・{方法状況}

C23C 18/1676 ・・・・・{溶液の加熱}

C23C 18/1678 ・・・・・[N.基板の加熱]

C23C 18/168 ・・・・・｛温度の制御、例えば浴槽の温度、基板}

C23C 18/1682 ・・・・・{気圧の制御}

C23C 18/1683 ・・・・・｛電解質組成の制御、例えば測定、調整(浴槽の再生C23C 18/1617)}

C23C 18/1685 ・・・・・｛臨界超過の状態については、例えば化学流体堆積}

C23C 18/1687 ・・・・・{イオンの液体を有する}

C23C 18/1689 ・・・・{後処理}

C23C 18/1691 ・・・・・｛冷却（e g）。強制的であるか制御冷却}

C23C 18/1692 ・・・・・{ヒートトリートメント}

C23C 18/1694 ・・・・・・{連続したヒートトリートメント}

C23C 18/1696 ・・・・・・{気圧の制御}

C23C 18/1698 ・・・・・・{温度の制御}

C23C 18/18 ・・おおわれている材料の前処理

C23C 18/1803 ・・・{金属材料面のまたは非特定の具体的な表層の}

C23C 18/1806 ・・・・｛機械の前処理によって、例えば挽くこと、研摩}

C23C 18/181 ・・・・・｛帯電の形成によって、例えばtribofriction}

C23C 18/1813 ・・・・{放射エネルギーによって}

C23C 18/1817 ・・・・・{熱}

C23C 18/182 ・・・・・｛放射線、例えば UV、レーザー}

C23C 18/1824 ・・・・{化学前処理によって}

C23C 18/1827 ・・・・・{1つのステップ前処理だけ}

C23C 18/1831 ・・・・・・｛金属の使用、例えば起動、貴金属を有する増感}

C23C 18/1834 ・・・・・・｛金属以外の有機であるか無機合成物の使用、例えば起動、重合体を有する増感}

C23C 18/1837 ・・・・・{多段階前処理}

C23C 18/1841 ・・・・・・{第1の金属の使用を有する}

C23C 18/1844 ・・・・・・{金属以外の有機であるか無機合成物の使用を有する、第1である}

C23C 18/1848 ・・・・{電気化学的前処理によって}

C23C 18/1851 ・・・{非メタリックの表面または有機材料の半導体化の}

C23C 18/1855 ・・・・｛機械の前処理によって、例えば挽くこと、研摩}

C23C 18/1858 ・・・・・｛帯電の形成によって、例えばtribofriction}

C23C 18/1862 ・・・・{放射エネルギーによって}

C23C 18/1865 ・・・・・{熱}

C23C 18/1868 ・・・・・｛放射線、例えば UV、レーザー}

C23C 18/1872 ・・・・{化学前処理によって}

C23C 18/1875 ・・・・・{1つのステップ前処理だけ}

C23C 18/1879 ・・・・・・｛金属の使用、例えば起動、貴金属を有する増感}

C23C 18/1882 ・・・・・・｛金属以外の有機であるか無機合成物の使用、例えば起動、重合体を有する増感}

C23C 18/1886 ・・・・・{多段階前処理}

C23C 18/1889 ・・・・・・{第1の金属の使用を有する}

C23C 18/1893 ・・・・・・{金属以外の有機であるか無機合成物の使用を有する、第1である}

C23C 18/1896 ・・・・{電気化学的前処理によって}

C23C 18/20 ・・・有機表層の、例えば樹脂

C23C 18/2006 ・・・・{それらより別の方法によって、のC23C 18/22 to C23C 18/30}

C23C 18/2013 ・・・・・｛機械の前処理によって、例えば挽くこと、研摩}

C23C 18/202 ・・・・・・｛帯電の形成によって、例えばtribofriction}

C23C 18/2026 ・・・・・{放射エネルギーによって}

C23C 18/2033 ・・・・・・{熱}

C23C 18/204 ・・・・・・｛放射線、例えば UV、レーザー}

C23C 18/2046 ・・・・・{化学前処理によって}

C23C 18/2053 ・・・・・・{1つのステップ前処理だけ}

C23C 18/206 ・・・・・・・｛貴金属およびスズ以外の金属の使用、例えば起動、金属を有する増感(スズによって、感度を高めることC23C 18/285、貴金属によって、感度を高めることC23C 18/30)}

C23C 18/2066 ・・・・・・・｛金属以外の有機であるか無機合成物の使用、例えば起動、重合体を有する増感}

C23C 18/2073 ・・・・・・{多段階前処理}

C23C 18/208 ・・・・・・・{第1の金属の使用を有する}

C23C 18/2086 ・・・・・・・{金属以外の有機であるか無機合成物の使用を有する、第1である}

C23C 18/2093 ・・・・・{電気化学的前処理によって}

C23C 18/22 ・・・・粗くすること、例えばエッチングによって

C23C 18/24 ・・・・・酸性水溶液を使用すること

C23C 18/26 ・・・・・有機液体を使用すること

C23C 18/28 ・・・・感度を高めるかまたは起動させること{(使われない、サブグループを参照)}

C23C 18/285 ・・・・・{感度を高めるかまたはスズのベースの合成物または構成により起動させること}

C23C 18/30 ・・・・・{起動させるかまたは加速するかまたはパラジウムまたは他の貴金属によって、感度を高めること}

C23C 18/31 ・・金属を有するコーティング

C23C 18/32 ・・・ニッケルを有するコーティング、コバルトまたはリンまたはホウ素によって、それの混合物(C23C 18/50 優位をとる)

C23C 18/34 ・・・・還元剤を使用すること

C23C 18/36 ・・・・・次亜リン酸塩を使用すること

C23C 18/38 ・・・銅を有するコーティング

C23C 18/40 ・・・・還元剤を使用すること

C23C 18/405 ・・・・・{ホルムアルデヒド}

C23C 18/42 ・・・貴金属を有するコーティング

C23C 18/44 ・・・・還元剤を使用すること

C23C 18/48 ・・合金を有するコーティング

C23C 18/50 ・・・鉄を主成分とした合金を有する、コバルトまたはニッケル

C23C 18/52 ・・グループの単一の一つにおいて、提供されない金属材料を有するコーティングのための還元剤を使用することC23C 18/32 to C23C 18/50

C23C 18/54 ・接触めっき法、すなわち非電着性金属析出の電気化学的表面被覆

C23C 20/00 いずれの固体合成物もの分解または合成物を形成しているコーティングの懸濁液による化学コーティング、コーティングの表面材料層の反応生成物を残さずに(化学表面反応C23C 8/00, C23C 22/00)

C23C 20/02 ・金属材料を有するコーティング

C23C 20/04 ・・金属を有する

C23C 20/06 ・無機材料を有するコーティング、金属材料以外の

C23C 20/08 ・・合成物、混合物または固溶体を有する、例えばホウ化物、カーバイド、窒化物

C23C 22/00 コーティングの表面材料層の反応生成物を残して、反動的な液体を有する表層の反応による金属材料の化学表面処理例えば転換コーティング、金属の不動態化(プライマC09D 5/12)

C23C 22/02 ・非水溶液を使用すること

C23C 22/03 ・・上記は、リン合成物を含む

C23C 22/04 ・・上記は、六価クロム合成物を含む

C23C 22/05 ・水溶液を使用すること

C23C 22/06 ・・6より少なくpHの水性酸性の溶液を使用すること

C23C 22/07 ・・・上記は、リン酸塩を含む

C23C 22/08 ・・・・オルトエステル

C23C 22/10 ・・・・・上記は、オキシダントを含む

C23C 22/12 ・・・・・上記は、亜鉛陽イオンを含む

C23C 22/13 ・・・・・・上記は、また、硝酸塩または亜硝酸陰イオンを含む

C23C 22/14 ・・・・・・上記は、また、塩素酸塩陰イオンを含む

C23C 22/16 ・・・・・・上記は、また、ペルオキソ基を含む合成物を含む

C23C 22/17 ・・・・・・上記は、また、有機酸を含む

C23C 22/18 ・・・・・上記は、マンガン陽イオンを含む

C23C 22/182 ・・・・・・{上記は、また、亜鉛陽イオンを含む}

C23C 22/184 ・・・・・・・{上記は、また、ニッケル陽イオンを含む}

C23C 22/186 ・・・・・・{上記は、また、銅の陽イオンを含む}

C23C 22/188 ・・・・・・{上記は、また、マグネシウム陽イオンを含む}

C23C 22/20 ・・・・・上記は、アルミニウム陽イオンを含む

C23C 22/22 ・・・・・上記は、アルカリ土類金属陽イオンを含む

C23C 22/23 ・・・・縮合りん酸塩

C23C 22/24 ・・・上記は、六価クロム合成物を含む

C23C 22/26 ・・・・上記は、また、有機化合物を含む

C23C 22/27 ・・・・・酸

C23C 22/28 ・・・・・高分子合成物

C23C 22/30 ・・・・上記は、また、三価染色体クロミウムを含む

C23C 22/32 ・・・・上記は、また、粉末状金属を含む

C23C 22/33 ・・・・上記は、また、リン酸塩を含む

C23C 22/34 ・・・上記は、フッ化物または合成のフッ化物を含む

C23C 22/36 ・・・・上記は、また、リン酸塩を含む

C23C 22/361 ・・・・・{上記は、チタンを含む、ジルコニウムまたはハフニウム化合物}

C23C 22/362 ・・・・・{上記は、また、亜鉛陽イオンを含む}

C23C 22/364 ・・・・・{上記は、また、マンガン陽イオンを含む}

C23C 22/365 ・・・・・・{上記は、また、亜鉛およびニッケル陽イオンを含む}

C23C 22/367 ・・・・・{上記は、アルカリ土類金属陽イオンを含む}

C23C 22/368 ・・・・・{上記は、マグネシウム陽イオンを含む}

C23C 22/37 ・・・・上記は、また、六価クロム合成物を含む

C23C 22/38 ・・・・・上記は、また、リン酸塩を含む

C23C 22/40 ・・・上記は、モリブデン酸塩を含む、タングステン酸塩またはバナジウム酸塩

C23C 22/42 ・・・・上記は、また、リン酸塩を含む

C23C 22/43 ・・・・上記は、また、六価クロム合成物を含む

C23C 22/44 ・・・・上記は、また、フッ化物または合成のフッ化物を含む

C23C 22/46 ・・・上記は、シュウ酸エステルを含む

C23C 22/47 ・・・・上記は、また、リン酸塩を含む

C23C 22/48 ・・・リン酸塩を含まないこと、六価クロム合成物、フッ化物または合成のフッ化物、モリブデン酸塩、タングステン酸塩、バナジウム酸塩またはシュウ酸エステル

C23C 22/50 ・・・・鉄の処理またはその上に基礎を形成される合金

C23C 22/52 ・・・・銅の処理またはその上に基礎を形成される合金

C23C 22/53 ・・・・亜鉛の処理またはその上に基礎を形成される合金

C23C 22/54 ・・・・耐火性金属の処理またはその上に基礎を形成される合金

C23C 22/56 ・・・・アルミニウムの処理またはその上に基礎を形成される合金

C23C 22/57 ・・・・マグネシウムの処理またはその上に基礎を形成される合金

C23C 22/58 ・・・・他の金属材料の処理

C23C 22/60 ・・pH 8を超えるを有するアルカリ水溶液を使用すること

C23C 22/62 ・・・鉄の処理またはその上に基礎を形成される合金

C23C 22/63 ・・・銅の処理またはその上に基礎を形成される合金

C23C 22/64 ・・・耐火性金属の処理またはその上に基礎を形成される合金

C23C 22/66 ・・・アルミニウムの処理またはその上に基礎を形成される合金

C23C 22/67 ・・・・六価クロムを含んでいる溶液を有する

C23C 22/68 ・・6および8の間でpHを有する水溶液を使用すること

C23C 22/70 ・使用することは、溶解する

C23C 22/72 ・・鉄の処理またはその上に基礎を形成される合金

C23C 22/73 ・過程までに特徴付けられる

C23C 22/74 ・・burned-in転換コーティングを得るための

C23C 22/76 ・・噴霧によって、液体を塗布すること

C23C 22/77 ・・制御するかまたはコーティング・プロセスの中で調整すること(制御するかまたは一般に調整することG05)

C23C 22/78 ・おおわれている材料の前処理

C23C 22/80 ・・チタンまたはジルコニウム合成物を含んでいる溶液を有する

C23C 22/82 ・後処理

C23C 22/83 ・・化学後処理

C23C 22/84 ・・染色

C23C 22/86 ・コーティング浴槽の再生

C23C 24/00 無機粉から始まっているコーティング(熱した状態のコーティング材料の噴霧C23C 4/00；固体拡散C23C 8/00 to C23C 12/00；コンポジット層の製造、金属的粉を焼結することによるワークピースまたは物品B22F 7/00；摩擦圧接B23K 20/12)

C23C 24/02 ・圧力だけの加圧によって

C23C 24/04 ・・影響または分子の運動堆積

C23C 24/045 ・・・{不活性媒体に衝撃を与えることを使用して震えることによって}

C23C 24/06 ・・粉末状のコーティング材料を圧縮すること、例えばミリングによって

C23C 24/08 ・熱または圧力の加圧および熱によって(C23C 24/04 優位をとる)

C23C 24/082 ・・{層の液体の中間の形成なしで}

C23C 24/085 ・・・｛金属材料、すなわち金属または、任意に硬い分子から成って、金属合金を有するコーティング例えば酸化物、カーバイドまたは窒化物}

C23C 24/087 ・・・・{金属合金または金属素子だけを有するコーティング}

C23C 24/10 ・・層の液相の中間の形成を有する

C23C 24/103 ・・・｛金属材料、すなわち金属または、任意に硬い分子から成って、金属合金を有するコーティング例えば酸化物、カーバイドまたは窒化物}

C23C 24/106 ・・・・{金属合金または金属素子だけを有するコーティング}

C23C 26/00 グループの中に提供されないコーティングC23C 2/00 to C23C 24/00

C23C 26/02 ・基板に溶融材料を塗布すること(印加することは、表層に溶解する、一般にB05)

C23C 28/00 最低2つの上に置かれたコーティングでグループの単一の一つにおいて、提供されない方法によるどちらでも得るためのコーティングC23C 2/00 to C23C 26/00 またはサブクラスにおいて、提供される方法の組合せによってC23C そして、C25C or C25D

C23C 28/02 ・コーティングだけ{層を含むだけであること}金属材料の

C23C 28/021 ・・上記は、少なくとも一つの金属合金層を含む

C23C 28/022 ・・・少なくとも一つのMCrAlX層を有する

C23C 28/023 ・・{金属素子だけのコーティングだけ}

C23C 28/025 ・・・少なくとも一つの亜鉛に基づく層を有する

C23C 28/026 ・・上記は、少なくとも一つの形のない金属材料層を含む

C23C 28/027 ・・上記は、少なくとも2つの金属または金属位相または金属基複合材料の混成から成る少なくとも一つの金属マトリクス材料を含む。例えば埋め込み無機硬い分子を有する金属母体、 CERMET、 MMC.

C23C 28/028 ・・段階的な層を構成において、または物理的特性において、含むこと、例えば密度、多孔性、結晶粒度

C23C 28/04 ・無機の非金属材料のコーティングだけ

C23C 28/042 ・・上記は、耐火性セラミック層を含む。例えば耐火性金属酸化物、 ZrO2、希土酸化物酸化物

C23C 28/044 ・・コーティングは、特別に切断工具のために適応するかまたはアプリケーションを着用する。

C23C 28/046 ・・｛少なくとも一つのアモルファス無機材料層については、例えば DLC、a-c：H、a-c：Me、不純物を添加されている層}

C23C 28/048 ・・{構成または物理的特性において、等級分けされる層を有する}

C23C 28/30 ・{少なくとも一つの金属的層および少なくとも一つの無機の非金属的層を結合しているコーティング}

C23C 28/32 ・・{上記は、少なくとも一つの純粋な金属的層を含む}

C23C 28/321 ・・・{少なくとも一つの金属合金層を有する}

C23C 28/3215 ・・・・{少なくとも一つのMCrAlX層}

C23C 28/322 ・・・{金属素子だけのコーティングだけ}

C23C 28/3225 ・・・・{少なくとも一つの亜鉛に基づく層を有する}

C23C 28/323 ・・・{少なくとも一つの形のない金属材料層を有する}

C23C 28/324 ・・・｛少なくとも2つの金属または金属位相の混成または硬い埋め込み分子を有する金属-マトリクス材料から成る少なくとも一つの金属マトリクス材料層については、例えば WC-Me}

C23C 28/325 ・・・[構成において、または物理的特性において、等級分けされる層を有する]

C23C 28/34 ・・｛少なくとも一つの無機の非金属材料層を含むこと、例えば金属カーバイド、窒化物、ホウ化物、ケイ素化合物層およびそれらの混合物、エナメル、リン酸塩および硫酸塩}

C23C 28/341 ・・・{少なくとも一つのカーバイド層を有する}

C23C 28/343 ・・・{少なくとも一つのDLCまたは形のないカーボン・ベースの層を有する、不純物を添加されている層}

C23C 28/345 ・・・{少なくとも一つの酸化物層を有する}

C23C 28/3455 ・・・・｛耐火性セラミック層については、例えば耐火性金属酸化物、 ZrO2、少なくとも一つの耐火性酸化物層から成る希土酸化物酸化物または熱障壁システム}

C23C 28/347 ・・・{切断工具または衣服アプリケーションに適応する層を有する}

C23C 28/36 ・・{上記は、構成または物理的特性において、等級分けされる層を含む}

C23C 28/40 ・{パターン後の交互層を含むコーティング、周期的であるか定義済み繰り返し}

C23C 28/42 ・・{交互層の構成によって、特徴づけられる}

C23C 28/44 ・・｛交互層またはシステムの測定できる物理的なプロパティによって、特徴づけられる例えば厚み、密度、硬度}

C23C 30/00 金属材料の構成だけによって、特徴付けられる金属材料を有するコーティング、すなわちコーティング過程までに特徴を描写されない(C23C 26/00, C23C 28/00 優位をとる)

C23C 30/005 ・{硬い金属基板上の}

C23C 2222/00 反動的な媒体を有する表層の反応による金属材料の化学表面処理に関する態様

C23C 2222/10 ・三価染色体クロミウムを含んでいる解決案の活用法、しかし、六価クロムの自由

C23C 2222/20 ・シランを含んでいる解決案の活用法