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C30B　単結晶-成長（極めて高い圧力を用いて、例えばダイヤモンドの形成のためのB01J 3/06)；共晶材料の一方向性凝結または共析晶材料の一方向性脱混合；材料の帯域溶融によって、純粋になること(金属または合金のゾーン精製法C22B)；定義済み構造を有する均一な多結晶材料の生産(金属の鋳造、同じ方法または装置による他の物質の鋳造B22D；プラスチックの中で作用することB29；金属または合金の物理的な構造を修正することC21D, C22F)；定義済み構造を有する単結晶または均一な多結晶材料；単結晶の後処理または定義済み構造を有する均一な多結晶材料(生成半導体装置またはそれのパーツのためのH01L)；そのための装置

C30B 1/00 固いステートから直接に単結晶成長(共析晶材料の一方向性脱混合C30B 3/00；保護流体の下でC30B 27/00)

C30B 1/02 ・熱処理によって、例えばアニール化されている圧力(C30B 1/12 優位をとる)

C30B 1/023 ・・{形のない構造を有する固体から}

C30B 1/026 ・・{障害がある中間層による固相エピタキシャル成長}

C30B 1/04 ・・等温再結晶

C30B 1/06 ・・気温傾度の下の再結晶

C30B 1/08 ・・・ゾーン再結晶

C30B 1/10 ・固体反応または多相拡散によって

C30B 1/12 ・成長の間の圧力処理によって

C30B 3/00 共析晶材料の一方向性脱混合

C30B 5/00 ゲル類からの単結晶成長(保護流体の下でC30B 27/00)

C30B 5/02 ・ドーピング材料の追加を有する

C30B 7/00 標準温度の液体である溶媒を使用している溶解による単結晶成長、例えば水溶液(融解した溶媒からC30B 9/00；通常のまたは勾配氷点によってC30B 11/00；保護流体の下でC30B 27/00)

C30B 7/005 ・{エピタキシャル層成長}

C30B 7/02 ・溶媒の蒸発によって

C30B 7/04 ・・水性溶媒を使用すること

C30B 7/06 ・・非水性溶媒を使用すること

C30B 7/08 ・溶液の冷却によって

C30B 7/10 ・圧力の加圧によって、例えば熱水方法

C30B 7/105 ・・｛溶媒としてアンモニアを使用すること、すなわちammonothermalな方法}

C30B 7/12 ・電気分解によって

C30B 7/14 ・溶液の化学反応により形成されている材料を結晶化させること

C30B 9/00 融解した溶媒を使用している焼融物溶解による単結晶成長(通常のまたは勾配氷点によってC30B 11/00；帯域溶融によってC30B 13/00；引いている水晶によってC30B 15/00；浸漬された種晶上のC30B 17/00；液相エピタキシャル成長によってC30B 19/00；保護流体の下でC30B 27/00)

C30B 9/02 ・融解した溶媒の蒸発によって

C30B 9/04 ・溶液の冷却によって

C30B 9/06 ・・溶媒としてクリスタル組成物の構成素子を使用すること

C30B 9/08 ・・他の溶媒を使用すること

C30B 9/10 ・・・金属溶媒

C30B 9/12 ・・・塩溶媒、例えば流動成長

C30B 9/14 ・電気分解によって

C30B 11/00 通常の氷点による単結晶成長または気温傾度の下の氷点、例えばブリッジマン-Stockbarger方法(C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 19/00 優位をとる；保護流体の下でC30B 27/00)

C30B 11/001 ・{連続成長}

C30B 11/002 ・{焼融物を支持するためのるつぼまたは容器}

C30B 11/003 ・{加熱または焼融物または結晶された材料の冷却}

C30B 11/005 ・{照射または放電によって}

C30B 11/006 ・{制御するかまたは調整すること}

C30B 11/007 ・{充電かヒーターを動かす過程}

C30B 11/008 ・{充電に遠心力を使用すること}

C30B 11/02 ・溶媒を使用せずに(C30B 11/06 優位をとる)

C30B 11/04 ・材料を結晶化させている加算または焼融物にsituにおいて、それを形成している反応体

C30B 11/06 ・・加えられているクリスタル組成物の全ての構成素子、しかし、少なくとも1

C30B 11/065 ・・・｛結晶する前に、例えば合成}

C30B 11/08 ・・結晶化の間、加えられているクリスタル組成物のあらゆる構成素子

C30B 11/10 ・・・固いか液構成素子、例えばベルヌーイ法

C30B 11/12 ・・・蒸気の構成素子、例えば蒸気-液体堅実な成長

C30B 11/14 ・種によって、特徴付けられる、例えばその結晶学的な方位

C30B 13/00 帯域溶融による単結晶成長；帯域溶融によって、純粋になること(C30B 17/00 優位をとる；扱われた固体の横断面を変えることによってC30B 15/00；保護流体の下でC30B 27/00；特定の材料のゾーン精製法、材料について関連したサブクラスを参照する)

C30B 13/005 ・{連続成長}

C30B 13/02 ・溶媒を有する帯域溶融、例えば溶解力がある方法を進行すること

C30B 13/04 ・ゾーンが水平になることによる均質化

C30B 13/06 ・全部の横断面を通じて伸びていない熱したゾーン

C30B 13/08 ・材料を結晶化させている加算または熱したゾーンにsituにおいて、それを形成している反応体

C30B 13/10 ・・ドーピング材料の追加を有する

C30B 13/12 ・・・ガスのまたは蒸気状態の

C30B 13/14 ・るつぼまたは容器

C30B 13/16 ・熱したゾーンの暖房

C30B 13/18 ・・中であることは接触する加熱エレメント、または中で浸漬される、熱したゾーン

C30B 13/20 ・・誘導によって、例えば最新の導線テクニック(C30B 13/18 優位をとる；誘導コイルH05B 6/36)

C30B 13/22 ・・照射または放電によって

C30B 13/24 ・・・電磁波を使用すること

C30B 13/26 ・熱したゾーンの中で動くこと

C30B 13/28 ・制御するかまたは調整すること(制御するかまたは一般に調整することG05)

C30B 13/285 ・・｛クリスタル・ホルダ、例えばチャック}

C30B 13/30 ・・熱したゾーンの安定化または形状制御、例えばコンセントレータによって、電磁界によって；水晶の部門を管理すること

C30B 13/32 ・充電かヒーターを動かす過程

C30B 13/34 ・種によって、特徴付けられる、例えばその結晶学的な方位によって

C30B 15/00 焼融物から引くことによる単結晶成長、例えばチョクラルスキ法(保護流体の下でC30B 27/00)

C30B 15/002 ・{連続成長}

C30B 15/005 ・{複数の水晶の中で引いている同時}

C30B 15/007 ・{基板に引くこと}

C30B 15/02 ・材料を結晶化させている加算または焼融物にsituにおいて、それを形成している反応体

C30B 15/04 ・・ドーピング材料を加えること、例えばn-p-接合のための

C30B 15/06 ・非縦引き

C30B 15/08 ・引いている下向き

C30B 15/10 ・焼融物を支持するためのるつぼまたは容器

C30B 15/12 ・・二重るつぼ方法

C30B 15/14 ・焼融物または結晶された材料の加熱

C30B 15/16 ・・照射または放電によって

C30B 15/18 ・・加熱の他の方法に加えて直接の抵抗加熱を使用すること、例えば使用することペルティエ熱

C30B 15/20 ・制御するかまたは調整すること(制御するかまたは一般に調整することG05)

C30B 15/203 ・・{引き上げ速度の関係(v)軸熱勾配に(G)}

C30B 15/206 ・・{インゴットを発達させた熱経歴}

C30B 15/22 ・・引かれた水晶の近くの熱したゾーンの安定化または形状制御；水晶の部門を管理すること

C30B 15/24 ・・・機械的手段を使用すること、例えばガイドを形づくること(端定義のフィルムでフィードする水晶の成長のための成形ダイC30B 15/34)

C30B 15/26 ・・・テレビ探知器を使用すること；写真またはｘ線検出器を使用すること

C30B 15/28 ・・・水晶または焼融物の重量変更を使用すること、例えば発行方法

C30B 15/30 ・回転するかまたは焼融物か水晶を移動する過程(発行方法C30B 15/28)

C30B 15/305 ・・{焼融物の中で動くこと}

C30B 15/32 ・種所持者、例えばチャック

C30B 15/34 ・型または切れ込みを使用している端定義のフィルムでフィードするクリスタル成長

C30B 15/36 ・種によって、特徴付けられる、例えばその結晶学的な方位

C30B 17/00 成長の間、焼融物のままである種の上の単結晶成長、例えばNacken-Kyropoulos方法(C30B 15/00 優位をとる)

C30B 19/00 液相エピタキシャル層成長

C30B 19/02 ・融解した溶媒を使用すること、例えば流動

C30B 19/04 ・・クリスタル組成物の構成素子である溶媒

C30B 19/06 ・反応チャンバ；焼融物を支持するためのボート；基板保持体

C30B 19/061 ・・｛チップ・システム、例えば回転によって}

C30B 19/062 ・・{垂直浸漬システム}

C30B 19/063 ・・{摺動ボート・システム}

C30B 19/064 ・・{回動摺動ボート・システム}

C30B 19/065 ・・{多数の積み重ねられたスライダ・システム}

C30B 19/066 ・・{注射または遠心力システム}

C30B 19/067 ・・{ブーツまたは容器}

C30B 19/068 ・・{基板保持体}

C30B 19/08 ・反応チャンバまたは基板の加熱

C30B 19/10 ・制御するかまたは調整すること(制御するかまたは一般に調整することG05)

C30B 19/103 ・・{現在の制御であるか誘導された成長}

C30B 19/106 ・・{材料を結晶化させている加算または液体にsituにおいて、それを形成している反応体}

C30B 19/12 ・基板によって、特徴付けられる

C30B 21/00 共晶材料の一方向性凝結

C30B 21/02 ・通常の鋳造物または勾配氷点によって

C30B 21/04 ・帯域溶融によって

C30B 21/06 ・焼融物から引くことによって

C30B 23/00 凝縮することによる単結晶成長は、消え去るかまたは材料を高尚にした

C30B 23/002 ・{制御するかまたは調整すること}

C30B 23/005 ・・{種または蒸気を堆積させる流動または流れを制御するかまたは調整すること}

C30B 23/007 ・{ひげまたは針の成長}

C30B 23/02 ・エピタキシャル層成長

C30B 23/025 ・・{基板によって、特徴付けられる}

C30B 23/04 ・・パターン沈澱物、例えばマスクを用いて

C30B 23/06 ・・析出室の加熱、蒸発する基板または材料

C30B 23/063 ・・・{基板の加熱}

C30B 23/066 ・・・{蒸発する材料の加熱}

C30B 23/08 ・・イオン化された蒸気を凝縮することによって(反応性スパッタリングによってC30B 25/06)

C30B 25/00 反応性ガスの化学反応による単結晶成長、例えば化学蒸気-堆積成長

C30B 25/005 ・{ひげまたは針の成長}

C30B 25/02 ・エピタキシャル層成長

C30B 25/025 ・・{連続成長}

C30B 25/04 ・・パターン沈澱物、例えばマスクを用いて

C30B 25/06 ・・反応性スパッタリングによって

C30B 25/08 ・・反応チャンバ；そのための材料の選択

C30B 25/10 ・・反応チャンバまたは基板の加熱

C30B 25/105 ・・・{照射または放電によって}

C30B 25/12 ・・基板保持体またはサセプタ

C30B 25/14 ・・ガスのための供給および放出口手段；反応性ガスの流れを修正すること

C30B 25/16 ・・制御するかまたは調整すること(制御するかまたは一般に調整することG05)

C30B 25/165 ・・・{反応性ガスの流れ}

C30B 25/18 ・・基板によって、特徴付けられる

C30B 25/183 ・・・｛応力緩衝材を備えている例えば格子の整合層}

C30B 25/186 ・・・｛特別に前もって処理される例えば化学であるか物理的な手段}

C30B 25/20 ・・・エピタキシャル層と同じ材料の中である基板

C30B 25/205 ・・・・{絶縁材料の中である基板}

C30B 25/22 ・・サンドイッチ・プロセス

C30B 27/00 保護流体の下の単結晶成長

C30B 27/02 ・焼融物から引くことによって

C30B 28/00 定義済み構造を有する均一な多結晶材料の生産

C30B 28/02 ・固いステートから直接に

C30B 28/04 ・液体から

C30B 28/06 ・・気温傾度の下の正常に凍ることまたは氷点によって

C30B 28/08 ・・帯域溶融によって

C30B 28/10 ・・焼融物から引くことによって

C30B 28/12 ・ガス状態から直接に

C30B 28/14 ・・反応性ガスの化学反応によって

C30B 29/00 材料によって、またはそれらの形状によって、特徴付けられる定義済み構造を有する単結晶または均一な多結晶材料(合金C22C)

C30B 29/02 ・素子

C30B 29/04 ・・ダイヤモンド

C30B 29/06 ・・シリコン

C30B 29/08 ・・ゲルマニウム

C30B 29/10 ・無機化合物または組成物

C30B 29/12 ・・ハロゲン化物

C30B 29/14 ・・リン酸塩

C30B 29/16 ・・酸化物

C30B 29/18 ・・・クォーツ

C30B 29/20 ・・・アルミニウム酸化物

C30B 29/22 ・・・合成の酸化物

C30B 29/225 ・・・・｛希土酸化物酸化銅に基づく例えば高いT-超伝導体}

C30B 29/24 ・・・・公式AMeO3を有する、そこにおいて、ある希土類元素、そして、私Feある、 Ga、 Sc、cr、CoまたはAl、例えばオルト・フェライト

C30B 29/26 ・・・・公式BMe2O4を有する、そこにおいて、Bは、マグネシウムである、 Ni、 Co、 Al、 Zn、またはcd、そして、MeがFeである、Ga、 Sc、 Cr、 Co、またはAl

C30B 29/28 ・・・・公式を有するA3Mそこにおいて、e5O12ある希土類元素、そして、私Feある、 Ga、sc、cr、CoまたはAl、例えばガーネット

C30B 29/30 ・・・・ニオブ酸塩；バナジウム酸塩；タンタル酸塩

C30B 29/32 ・・・・チタン酸塩；ゲルマニウム酸塩；モリブデン酸塩；タングステン酸塩

C30B 29/34 ・・ケイ酸塩

C30B 29/36 ・・カーバイド

C30B 29/38 ・・窒化物

C30B 29/40 ・・AIIIBV合成物{そこにおいて、あるB、 Al、 Ga、InまたはTlおよびB‖Nある、 P、 As、SbまたはBi}

C30B 29/403 ・・・AIII-nitrides

C30B 29/406 ・・・・窒化ガリウム

C30B 29/42 ・・・ヒ化ガリウム

C30B 29/44 ・・・ガリウム・リン化物

C30B 29/46 ・・硫黄、selenium-またはテルル含有化合物

C30B 29/48 ・・・AIIBVI合成物{そこにおいて、あるZn、cdまたはHg、そして、BはSである、SeまたはTe}

C30B 29/50 ・・・・硫化カドミウム

C30B 29/52 ・・合金

C30B 29/54 ・有機化合物

C30B 29/56 ・・酒石酸塩

C30B 29/58 ・・高分子合成物

C30B 29/60 ・形状によって、特徴付けられる

C30B 29/602 ・・{ナノチューブ}

C30B 29/605 ・・｛倍数を含んでいる製品は、クリスタライトを正しい位置に置いた、例えば円柱のクリスタライト}

C30B 29/607 ・・[N：複合の幾何学的な形状の結晶、例えば管、シリンダ(ナノチューブ29/60B)

C30B 29/62 ・・ひげまたは針

C30B 29/64 ・・平坦な結晶、例えばプレート、細片、ディスク

C30B 29/66 ・・複合の幾何学的な形状の結晶、例えば管、シリンダ

C30B 29/68 ・・ラミネート構造体を有する、例えば、結晶"超格子"

C30B 30/00 単結晶の生産または起電物体または磁界の動作によって、特徴付けられる定義済み構造を有する均一な多結晶材料、波エネルギーまたは他の特定の体調

C30B 30/02 ・電界を使用すること、例えば電気分解

C30B 30/04 ・磁界を使用すること

C30B 30/06 ・機械の振動を使用すること

C30B 30/08 ・無重力または低い重力の条件の

C30B 31/00 単結晶のための拡散またはドーピング方法または定義済み構造を有する均一な多結晶材料；そのための装置

C30B 31/02 ・固いステートの拡散材料によって、接触することによって

C30B 31/04 ・液状態の拡散材料によって、接触することによって

C30B 31/045 ・・{電気分解によって}

C30B 31/06 ・ガスの状態の拡散材料によって、接触することによって(C30B 31/18 優位をとる)

C30B 31/08 ・・放散される素子の合成物である拡散材料

C30B 31/10 ・・反応チャンバ；そのための材料の選択

C30B 31/103 ・・・{充電かヒーターを動かす過程}

C30B 31/106 ・・・{連続方法}

C30B 31/12 ・・反応チャンバの加熱

C30B 31/14 ・・基板保持体またはサセプタ

C30B 31/16 ・・ガスのための供給および放出口手段；ガスの流れを修正すること

C30B 31/165 ・・・{拡散ソース}

C30B 31/18 ・・制御するかまたは調整すること(制御するかまたは一般に調整することG05)

C30B 31/185 ・・・｛拡散をパターン化する、例えばマスクを用いて}

C30B 31/20 ・電磁波を有するまたは分子放射線による照射によるドーピング

C30B 31/22 ・・イオン打込みによって

C30B 33/00 単結晶の後処理または定義済み構造を有する均一な多結晶材料(C30B 31/00 優位をとる；挽くこと、ポリッシングB24；宝石の機械の微細な作業、宝石、結晶B28D 5/00)

C30B 33/005 ・{酸化}

C30B 33/02 ・ヒートトリートメント(C30B 33/04, C30B 33/06 優位をとる)

C30B 33/04 ・帯電したまたは磁界または分子放射線を使用すること

C30B 33/06 ・結晶の中で接続すること

C30B 33/08 ・エッチング

C30B 33/10 ・・溶液または焼融物の

C30B 33/12 ・・ガス雰囲気またはプラズマの

C30B 35/00 装置一般に、特別に成長に適している、定義済み構造を有する単結晶または均一な多結晶材料の製造または後処理

C30B 35/002 ・{るつぼまたは容器}

C30B 35/005 ・{輸送システム}

C30B 35/007 ・{準備をする装置、原料物質tioを前もって処理することは、水晶の成長のために使用される}