WebCPC CPC COOPERATIVE PATENT CLASSIFICATION

G03F　凹凸のある、またはパターン化された表層の写真製版法の製造、例えば印刷するための、半導体装置の処理のための；そのための材料；そのためのオリジナル；装置は、したがって特別に適応した； (phototypographicな構成している装置B41B；感光材または光学的な目的のための方法G03C；電子写真、感度が高い層または方法したがってG03G)

G03F 1/00 凹凸のある、またはパターン化された表層の写真製版法の製造のためのオリジナル、例えば、マスク、フォトマスク、焦点板；マスクブランクまたは薄膜したがって；容器は、したがって特別に適応した；それの準備

G03F 1/0007 ・｛弾性基板を使用するかまたは光学的ひずみを含むこと、例えば非平坦表面に印刷するための}

G03F 1/0015 ・｛図面によって、書いて、例えば感光性の表層上のまたは彫刻によって、例えば針を使用すること；タイプライタを使用すること；化学コピー・シートを使用すること}

G03F 1/0023 ・・｛インクの塗布によって、得られているマスキング・パターン例えばタイプライタを用いてまたは粉のselecitiveな使用によって、インクジェット印刷によって、従来の印刷によって例えばトナー}

G03F 1/003 ・・｛熱手段によって、得られているマスキング・パターン例えばレーザアブレーションによって、（リボンからの熱移動、例えば G03F 1/0023)}

G03F 1/0038 ・・｛化学手段を使用すること、例えば化学カメラ・コピー}

G03F 1/0046 ・{位相シフト・マスク}

G03F 1/0053 ・・｛複合型位相シフト・マスク、すなわち複数の種類の移相パターンを単一の一般のパターンに組み込むこと}

G03F 1/0061 ・・｛位相を交替させることは、マスクを移す、すなわちレバンソン-渋谷タイプ}

G03F 1/0069 ・・・｛補助パターンまたは位相-不一致を避ける移相素子の特定の配置、すなわちマスクを交替させるための移相器レイアウト戦略}

G03F 1/0076 ・・｛半透明の移相器を有するマスク、すなわち減らされた移相マスク}

G03F 1/0084 ・・｛少なくとも、パターンの一部が不透明であるかほとんど不透明のパターン素子から成らないところをマスキングする、すなわち位相-端マスク}

G03F 1/0092 ・｛オリジナルに関している補助方法例えば修理、洗うことまたは点検}

G03F 1/02 ・救助をシミュレーションしているオリジナルの製造のための光学的な方法によって

G03F 1/04 ・モンタージュ過程までに

G03F 1/06 ・表層を印刷することから、｛例えば印象を引くことによって、熱または粘着テープ箔を使用すること例えば感光性のシート上の}

G03F 1/08 ・無機のイメージング層を有するオリジナル、例えばクロム・マスク(G03F 1/12 優位をとる； {Ｘ線吸収装置G03F 1/148})

G03F 1/10 ・色の着いたか着色した有機層を露出させて、洗い落とすことによって；高分子パターンを色づけることによって

G03F 1/103 ・・｛精力的な手段によって、重合パターンの変更態様によって、得られているマスキング・パターン例えば乾留によって、またはイオン打込みによって}

G03F 1/106 ・・｛マスキング手段、例えば感光材に組み込まれている染料または色素}

G03F 1/12 ・銀-ハロゲン化物を含有する感光材またはジアゾ・タイプ材料を露出させることによって

G03F 1/14 ・構造細部によって、特徴付けられるオリジナル、例えば支持体、カバー層、薄膜は、鳴る

G03F 1/142 ・・{薄膜、薄膜リングまたは連続保護層}

G03F 1/144 ・・｛補助パターン、修正パターン、例えば付近修正、グレーのレベル・マスク(G03F 1/0046, G03F 1/146, G03F 9/00 優位をとる)}

G03F 1/146 ・・{Ｘ線露出時間のためのオリジナル、Ｘ線マスク}

G03F 1/148 ・・・{Ｘ線吸収装置}

G03F 1/16 ・開口を有するオリジナル、例えば血球石版印刷のための

G03F 1/20 ・荷電粒子によるイメージングのためのマスクまたはマスクブランクは、[CPB]放射線を放射する、例えば電子ビームによって；それの準備

G03F 1/22 ・100ナノメートルまたはより短い波長の放射線によるイメージングのためのマスクまたはマスクブランク、例えばＸ線マスク、最大の紫外線[EUV]マスク；それの準備

G03F 1/24 ・・反射マスク；それの準備

G03F 1/26 ・位相シフト・マスク[PSM]；PSM空白；それの準備

G03F 1/28 ・・同じPSM上の3つ以上の多様な位相を有する；それの準備

G03F 1/29 ・・端PSMまたはアウトリガPSM；それの準備

G03F 1/30 ・・PSMを交替させること、例えばレバンソン-渋谷PSM；それの準備

G03F 1/32 ・・PSM [att-PSM]を減らすこと、例えば半透明の位相を有するハーフトーンPSMまたはPSMは、部分を移す、；それの準備

G03F 1/34 ・・位相-端PSM、例えばchromelessなPSM；それの準備

G03F 1/36 ・付近修正機能を有するマスク、それの準備、例えば光学付近修正[OPC]設計プロセス

G03F 1/38 ・補助特徴を有するマスク、例えば特別なコーティングまたは配置またはテストの点数；それの準備

G03F 1/40 ・・関する静電的な放出[ESD]は、大きな位置を占める、例えばマスク基板の表面のまわりの静電気防止コーティングまたは伝導性の金属層

G03F 1/42 ・・配置または登録機能、例えばマスク基板上のアライメントマーク

G03F 1/44 ・・テストであるか測定特徴、例えば格子図形、焦点モニタ、のこぎりの歯目盛りまたは刻み目をつけられた目盛り

G03F 1/46 ・・反-反射的コーティング

G03F 1/48 ・・保護コーティング

G03F 1/50 ・カバーされないマスクブランクG03F 1/20 - G03F 1/34；それの準備

G03F 1/52 ・反射器

G03F 1/54 ・吸収装置、例えば不透明材料の

G03F 1/56 ・・有機吸収装置、例えばフォトレジストの

G03F 1/58 ・・2枚以上の異なる吸収装置層を有すること、例えば積み重ねられた多層吸収装置

G03F 1/60 ・下地

G03F 1/62 ・薄膜、例えば薄膜アセンブリ、支持フレーム上の膜を有するe.g；それの準備

G03F 1/64 ・・フレームによって、特徴付けられる、例えば構造または材料、上記は、そのための手段を結合することを含む

G03F 1/66 ・容器は、マスクのために特別に適応した、マスクブランクまたは薄膜；それの準備

G03F 1/68 ・グループにより適用されられない準備プロセスG03F 1/20 - G03F 1/50

G03F 1/70 ・・リソグラフィ方法必要条件にマスクの基本的なレイアウトまたは設計を適応させること、例えば、イメージングのためのマスクパターンの第2の反復修正

G03F 1/72 ・・マスク欠陥の修理または修正

G03F 1/74 ・・・荷電粒子線[CPB]によって、例えば集束イオンビーム

G03F 1/76 ・・イメージングによるマスクのパターン構成

G03F 1/78 ・・・荷電粒子線[CPB]によって、例えばマスクの電子ビーム・パターン構成

G03F 1/80 ・・エッチング

G03F 1/82 ・・補助方法、例えば清掃または検査する

G03F 1/84 ・・・検査すること

G03F 1/86 ・・・・荷電粒子線によって[CPB]

G03F 1/88 ・救助をシミュレーションしているオリジナルの製造のための光学的な方法により準備される

G03F 1/90 ・モンタージュ過程までに準備される

G03F 1/92 ・印刷表層から準備される

G03F 3/00 色分解；音の値の修正(光学的なコピー装置一般にG03B)

G03F 3/02 ・レタッチによって

G03F 3/04 ・光学的な手段によって

G03F 3/06 ・・マスキングによって

G03F 3/10 ・三原色分解陰図または肯定のカラーであるか音の値を点検すること

G03F 3/101 ・・{非光学的な手段によるまたは非影響印刷方式または複製を使用するかまたは方法をマークすること以外の手段による浅割れ目がカバーしたカラーであるか音の値B41M 5/00}

G03F 3/102 ・・{はり合わせまたは層割れ方法またはシステムを試験している色のための装置}

G03F 3/103 ・・{tonableなフォトレジストまたはphotopolymerisableなシステムを使用すること}

G03F 3/105 ・・{電子写真感光材料を使用すること}

G03F 3/106 ・・{カーボンに対するカーボン二重結合を有する非高分子photopolymerisableな合成物を使用すること、合成物を含んでいるシリコン以外の}

G03F 3/107 ・・{銀のハロゲン化物感光材を使用すること}

G03F 3/108 ・・｛非影響印刷方式を使用すること、例えばインク・ジェット、カバーされる方法を複製するかまたはマークすることを使用することB41M 5/00例えば、除去によって、または熱画像な手段によって}

G03F 5/00 ふるい分けプロセス；そのためのスクリーン{(統合されたスクリーンを有するプレートまたは軽い感度が高い層G03F 7/004)}

G03F 5/02 ・投影方法によって(カメラG03B)

G03F 5/04 ・・スクリーン効果を変えること

G03F 5/06 ・・隔膜効果を変えること

G03F 5/08 ・・線スクリーンを使用すること

G03F 5/10 ・・交差管スクリーンを使用すること

G03F 5/12 ・・他のスクリーンを使用すること、例えば粒状化されたスクリーン

G03F 5/14 ・直接接触法によって

G03F 5/16 ・・灰色の網目スクリーンを使用すること

G03F 5/18 ・・カラー網目スクリーンを使用すること

G03F 5/20 ・グラビア印刷のためのスクリーンを使用すること

G03F 5/22 ・いくつかのスクリーンを結合すること；もく目の除去

G03F 5/24 ・多数の露出によって、例えば線写真およびスクリーンのための合同のプロセス

G03F 7/00 写真製版法の、例えば写真平板（凹凸のある、またはパターン化された表層の製造）例えば印刷表層、そのための材料、例えば上記は、フォトレジストから成る；装置は、したがって特別に適応した（特別な工程のためのフォトレジスト構造を用いて、関連した場所を参照、例えば B44C, H01L例えば、 H01L 21/00, H05K)

G03F 7/0002 ・｛それらが放射線への暴露を含むこと以外のパターニング方法を使用しているリソグラフィ方法、例えばスタンピングによって}

G03F 7/0005 ・{光デバイスまたは中で部品のリソグラフィ過程までに特徴付けられるくらい、はるかに製造または使用する材料したがって}

G03F 7/0007 ・・｛フィルタ、例えば付加波長フィルタ；表示装置のための構成素子}

G03F 7/001 ・・｛パターンを調整することを段階的に実行する、例えば屈折率パターン}

G03F 7/0012 ・｛写真平板材料のタックを利用している方法例えば上るための；写真平板材料のための包装；処理写真平板材料によって、得られるパッケージ}

G03F 7/0015 ・{開口装置の製造、microporousなシステムまたはスタンプ}

G03F 7/0017 ・{エンボシングの生産のための、カットまたは類似した装置；鋳造手段の製造のための}

G03F 7/002 ・｛マイクロカプセルを含んでいる材料を使用すること、備えるかまたはこの種の材料を加工すること、例えば圧力によって；装置または装置は、したがって特別に設計した}

G03F 7/0022 ・・{装置または装置}

G03F 7/0025 ・・・{開発者を被覆するための手段によって、特徴付けられる}

G03F 7/0027 ・・・{圧力手段によって、特徴付けられる}

G03F 7/003 ・・・｛感光材料のための格納手段によって、特徴付けられる例えばカートリッジ}

G03F 7/0032 ・・・{手段に提供しているかまたは注釈を付けている熱によって、特徴付けられる}

G03F 7/0035 ・｛多数の方法、例えば更なるレジスト層を適用するすでにの以前ステップ、被処理パターンまたは織物面}

G03F 7/0037 ・{三次元イメージの製造}

G03F 7/004 ・感光材(G03F 7/12, G03F 7/14 優位をとる)

G03F 7/0041 ・・{露出にエッチング・エージェントを提供すること(G03F 7/075 優位をとる；photolyticなハロゲン合成物G03F 7/0295)}

G03F 7/0042 ・・｛他に分類されない無機または有機金属化合物感光性合成物については、例えば無機防腐剤(G03F 7/075 優位をとる)}

G03F 7/0043 ・・・{カルコゲニド；シリコン、ゲルマニウム、ヒ素またはそれの誘導剤；金属、酸化物またはそれの合金(G03F 7/0044 優位をとる)}

G03F 7/0044 ・・・｛金属的で非金属的構成素子の間の相互作用を含むこと、例えばphotodopeシステム}

G03F 7/0045 ・・｛他に分類されない有機非高分子感光性合成物については、例えば解散禁止剤}

G03F 7/0046 ・・｛perfluoro合成物については、例えば乾燥石版印刷のための(G03F 7/0048 優位をとる)}

G03F 7/0047 ・・｛金属的であるかセラミック・パターンを得るための添加物によって、特徴付けられる例えば発火によって}

G03F 7/0048 ・・｛のり引きを容易にしている溶媒または薬品によって、特徴付けられる例えばtensio活性薬品}

G03F 7/008 ・・アジ化物(G03F 7/075 優位をとる)

G03F 7/0085 ・・・{非高分子添加物によって、特徴付けられる}

G03F 7/012 ・・・高分子アジ化物、高分子添加物、例えばバインダ{(G03F 7/0085 優位をとる)}

G03F 7/0125 ・・・・{高分子アジ化物以外の高分子バインダまたは高分子添加物によって、特徴付けられる}

G03F 7/016 ・・ジアゾニウム塩または合成物(G03F 7/075 優位をとる)

G03F 7/0163 ・・・｛非イオンのジアゾニウム化合物、例えばdiazosulphonates、それの前駆体、例えばtriazenes}

G03F 7/0166 ・・・{非高分子添加物によって、特徴付けられる}

G03F 7/021 ・・・高分子ジアゾニウム化合物、高分子添加物、例えばバインダ{G03F 7/0166 優位をとる}

G03F 7/0212 ・・・・{ジアゾ樹脂または重合ジアゾニウム化合物以外の高分子バインダまたは高分子添加物によって、特徴付けられる}

G03F 7/0215 ・・・・・｛天然ゴム、タンパク質、例えばゼラチン、高分子炭水化物、例えばセルロース、ポリビニルアルコールおよびそれの誘導剤、例えばポリビニールアセタル}

G03F 7/0217 ・・・・・{ポリウレタン；エポキシ樹脂}

G03F 7/022 ・・Quinonediazides(G03F 7/075 優位をとる)

G03F 7/0223 ・・・Iminoquinonediazides；パラグラフ-quinonediazides]

G03F 7/0226 ・・・{非高分子添加物によって、特徴付けられる}

G03F 7/023 ・・・高分子quinonediazides、高分子添加物、例えばバインダ{(G03F 7/0226 優位をとる)}

G03F 7/0233 ・・・・{高分子quinonediazides以外の高分子バインダまたは高分子添加物によって、特徴付けられる}

G03F 7/0236 ・・・・・｛カルボニル合成物およびフェノールの合成物の凝結製品、例えばノボラック樹脂}

G03F 7/025 ・・カーボンに対するカーボン三重結合を有する非高分子photopolymerisableな合成物、例えばacetylenicな合成物(G03F 7/075 優位をとる)

G03F 7/027 ・・カーボンに対するカーボン二重結合を有する非高分子photopolymerisableな合成物、例えばエチレン合成物(G03F 7/075 優位をとる)

G03F 7/0275 ・・・{dithiolまたは多硫化物合成物を有する}

G03F 7/028 ・・・感光性増加している物質を有する、例えば光重合開始剤

G03F 7/0285 ・・・・｛銀塩、例えば潜在的な銀塩イメージ}

G03F 7/029 ・・・・無機化合物；オニウム合成物；酸素以外のヘテロ原子を有する有機化合物、窒素または硫黄

G03F 7/0295 ・・・・・{Photolyticハロゲン合成物}

G03F 7/031 ・・・・グループにより適用されられない有機化合物G03F 7/029

G03F 7/032 ・・・バインダを有する

G03F 7/0325 ・・・・｛多糖であるバインダ、例えばセルロース}

G03F 7/033 ・・・・カーボンに対するカーボン不飽和結合を含んでいるだけの反応によって、得られる重合体であるバインダ、例えばビニル重合体

G03F 7/035 ・・・ポリウレタンであるバインダ

G03F 7/037 ・・・ポリアミドまたはポリイミドであるバインダ

G03F 7/038 ・・溶解しなくなる高分子合成物または差別的にぬれ性(G03F 7/075 優位をとる；高分子アジ化物G03F 7/012；高分子ジアゾニウム化合物G03F 7/021)

G03F 7/0381 ・・・{フェノール樹脂およびpolyoxyethylene樹脂の組合せを使用すること}

G03F 7/0382 ・・・{化学的に増幅された陰フォトレジスト構成物に存在する高分子合成物}

G03F 7/0384 ・・・{フォトポリマーのメイン一続きのエチレンであるかacetylenicなバンドを有する}

G03F 7/0385 ・・・{epoxydisednovolak樹脂を使用すること}

G03F 7/0387 ・・・{ポリアミドまたはポリイミド}

G03F 7/0388 ・・・{フォトポリマーのサイドチェーンのエチレンであるかacetylenicなバンドを有する}

G03F 7/039 ・・photodegradableである高分子合成物、例えば陽電子は、抵抗する(G03F 7/075 優位をとる；高分子quinonediazidesG03F 7/023)

G03F 7/0392 ・・・{化学的に増幅された明確なフォトレジスト合成に存在する高分子合成物}

G03F 7/0395 ・・・・{脂環式半分を有する背骨を有する高分子合成物}

G03F 7/0397 ・・・・・{サイドチェーンにおいて、ある脂環式半分}

G03F 7/04 ・・クロメート処理(G03F 7/075 優位をとる)

G03F 7/06 ・・銀塩(G03F 7/075 優位をとる)

G03F 7/063 ・・・｛リソグラフィ特性を改善する添加物または手段、この種の添加物によって、特徴付けられる処理液、発現または転送の後の処理、例えば印刷物加工、洗うこと；修正または削除流体}

G03F 7/066 ・・・・｛二価硫黄の有機派生物、例えばオニウム誘導剤}

G03F 7/07 ・・・拡散転送のために使われる{(G03F 7/063 優位をとる)}

G03F 7/075 ・・シリコンを含有する合成物

G03F 7/0751 ・・・{粘着力を向上させるために癒着を促進している添加物としてまたは手段として使われる}

G03F 7/0752 ・・・｛非感光層でまたは添加物として、例えば乾燥石版印刷のための}

G03F 7/0754 ・・・{シリコンに対するシリコン結合を含んでいる非高分子合成物(G03F 7/0752 優位をとる)}

G03F 7/0755 ・・・{Si-Oを含んでいる非高分子合成物、Si-Cまたは罪結合(G03F 7/0752 優位をとる)}

G03F 7/0757 ・・・{Si-Oを含んでいる高分子合成物、Si-Cまたは罪結合(G03F 7/0752 優位をとる)}

G03F 7/0758 ・・・・{サイドチェーンのグループを含んでいるsilicon-を有する}

G03F 7/085 ・・癒着を促進している非高分子添加物によって、特徴付けられる感光性の組成物(G03F 7/075 優位をとる)

G03F 7/09 ・・構造細部によって、特徴付けられる、例えば支持体、補助層(印刷版用の一般に支持体B41N)

G03F 7/091 ・・・｛antireflection手段または軽いフィルタであるか吸収手段によって、特徴付けられる例えばハレーション防止、コントラスト増強}

G03F 7/092 ・・・{後方コーティングまたは層によって、特徴付けられる、油をさす紙片層または手段によって、酸素バリヤー層によって、またはく土-リリース層または手段によって}

G03F 7/093 ・・・｛静電気防止手段によって、特徴付けられる例えば充電減少のための}

G03F 7/094 ・・・｛多層レジスト・システム、例えば層を平面化すること}

G03F 7/095 ・・・複数の感光層を有する(G03F 7/075 優位をとる)

G03F 7/0952 ・・・・｛銀のハロゲン化物または銀の塩から成ることは、イメージフォーミング（成形）システムの基礎を形成した、例えばカメラ速度露出のための}

G03F 7/0955 ・・・・｛カーボンに対するカーボンを有する非高分子photopolymerisableな合成物から成る感光性のシステムのうちの1つは、結合を２倍にする、例えばエチレン合成物}

G03F 7/0957 ・・・・{下地の両側上の感度が高い層を有する}

G03F 7/105 ・・・物質を有すること、例えばインジケータ、可視イメージを形成するための

G03F 7/11 ・・・カバー層または中間層を有すること、例えば地下潅漑層{(G03F 7/091 to G03F 7/093, B41N 3/03 優位をとる)}

G03F 7/115 ・・・支持体またはスクリーン効果を得るための手段を有するまたは真空印刷のより良い接触を得るための層を有する

G03F 7/12 ・スクリーンなせん形式または類似した印刷書式の提出、例えばステンシル

G03F 7/14 ・形式を印刷しているコロタイプの生産

G03F 7/16 ・コーティング・プロセス；そのための装置(一般にコーティングを基板に適用することB05；光学的な目的のための主成分に感光性の組成物を塗布することG03C 1/74)

G03F 7/161 ・・｛前におおわれている表層を使用すること、例えばスタンピングによって、または転送はり合わせによって}

G03F 7/162 ・・｛回動サポート上のコーティング、例えばファーラまたはスピナーを使用すること}

G03F 7/164 ・・{起電物体を使用すること、静電であるか磁気手段；粉コーティング}

G03F 7/165 ・・｛単分子層、例えばラングミュア-Blodgett}

G03F 7/167 ・・{ガス位相から、プラズマ堆積によって(G03F 7/2035 優位をとる)}

G03F 7/168 ・・｛おおわれている層を終えること、例えば乾燥、焼くこと、浸ること}

G03F 7/18 ・・コーティング湾曲面

G03F 7/20 ・露出；そのための装置(コピーを製作するための光学的なプリンタ装置G03B 27/00)

G03F 7/2002 ・・｛可視光または紫外線については、透明支持体上の不透明なパターンを有するオリジナルによって、例えば出ているフィルム、投影焼付け；オリジナル（例えば印刷イメージ）からの可視またはUV光の反射によって}

G03F 7/2004 ・・・｛特定の光源の使用によって、特徴付けられる例えば蛍光ランプまたは深い紫外線}

G03F 7/2006 ・・・・{コヒーレント光を使用すること；極性を与えられた光を使用すること}

G03F 7/2008 ・・・{反射器によって、特徴付けられる、ディフューザ、軽いまたは熱フィルタ手段または使用する反反射する手段}

G03F 7/201 ・・・{斜めの露出によって、特徴付けられる；複数のソースの使用によって、特徴付けられる；光デバイスの回転によって、特徴付けられる；光デバイスの相対的な移動によって、特徴付けられる、光源、感度が高いシステムまたはマスク}

G03F 7/2012 ・・・｛組成物をphotohardeningしている液体を使用すること、例えば救助（例えばフレキソ印刷なプレートまたはスタンプ）の生産のための}

G03F 7/2014 ・・・｛軽い高感度プレート（例えばリソグラフィ・プレートまたは回路基板）の接触またはフィルム露顕例えば真空フレームで}

G03F 7/2016 ・・・・{感光性の素子の、そして、ポスト露出処理の間の破壊的な除去を受ける不可欠な部分であるコンタクトマスク}

G03F 7/2018 ・・・・・｛インクまたはトナーの選択的な塗布によって、得られるマスキング・パターン例えばインクジェット印刷}

G03F 7/202 ・・・・・｛熱手段によって、得られているマスキング・パターン例えばレーザアブレーション}

G03F 7/2022 ・・｛多段階露出、例えばハイブリッド、後方露出、包括的な露出、例えばイメージ反転のための、端露出、例えば端ビード除去のための；矯正露出}

G03F 7/2024 ・・・{すでに発達したイメージの}

G03F 7/2026 ・・・｛不必要な材料の除去のために、例えばイメージまたはバックグラウンド補正}

G03F 7/2028 ・・・・{ウェーハ上の端ビードの}

G03F 7/203 ・・・{上記は、電磁放射または血球放射線へのimagewise暴露から成る}

G03F 7/2032 ・・・{前方側面および後方の同時の露顕}

G03F 7/2035 ・・｛同時のコーティングおよび露出、ベルト・マスクを使用すること、例えば終りがない}

G03F 7/2037 ・・{Ｘ線放射線または血球放射線を有する露出、その放射線に対するパターン不透明体を有するマスクによる}

G03F 7/2039 ・・・{Ｘ線放射線}

G03F 7/2041 ・・｛流体がある場合には、例えば浸入；流体冷却手段を使用すること}

G03F 7/2043 ・・・｛流体からの化学活性薬品の生産については、例えばエッチング・エージェント、液相からのmeterialな堆積を有する、例えば汚染は、抵抗する}

G03F 7/2045 ・・｛開口を有するオリジナルを使用すること、例えばステンシル露光マスク}

G03F 7/2047 ・・・｛可視光または紫外線以外の放射線を有する露出、例えば印刷している陰、印刷している付近}

G03F 7/2049 ・・{カンチレバーを使用すること}

G03F 7/2051 ・・｛最初のマスクのない露出、例えば点光源のプログラムされた屈折を使用すること、スキャンによって、光線を有する図面によって、提出された軽いか血球ソースを使用すること(G03F 7/70 優位をとる)}

G03F 7/2053 ・・・{レーザーを使用すること(除去する除去B41C)}

G03F 7/2055 ・・・・{印刷版の生産のための；組成物をphotohardeningしている液体の露顕}

G03F 7/2057 ・・・｛対処された光弁を使用すること、例えば液晶装置}

G03F 7/2059 ・・・｛スキャン血球放射線ビームを使用すること、例えば電子ビーム}

G03F 7/2061 ・・・・{電子散乱(付近)修正または防止方法}

G03F 7/2063 ・・・・{露光マスクまたは焦点板の生産のための}

G03F 7/2065 ・・・・{電子ビーム以外の血球放射線を使用すること}

G03F 7/213 ・・同じ照明で露出させることは、同時に、同じ表層の異なる位置をパターン化する{G03F 7/70 優位をとる}

G03F 7/22 ・・同じ照明で順番に露出させることは、同じ表層の異なる位置をパターン化する{G03F 7/70 優位をとる}

G03F 7/24 ・・湾曲面{G03F 7/70 優位をとる}

G03F 7/26 ・処理感光材；そのための装置(G03F 7/12 to G03F 7/24 優位をとる)

G03F 7/265 ・・｛イメージに関する露出の後の無機または有機金属化合物試薬を有する選択的な反応、例えばsilylation}

G03F 7/28 ・・粉イメージを得るための(G03F 3/10 優位をとる)

G03F 7/30 ・・液手段を使用しているImagewise除去

G03F 7/3007 ・・・｛電気手段と組み合わさった例えばフォース・フィールド}

G03F 7/3014 ・・・{超音波手段と結合される}

G03F 7/3021 ・・・{回転チャックで支えられるウェーハから}

G03F 7/3028 ・・・・{処理のon-waferモニタリングのための手段によって、特徴付けられる}

G03F 7/3035 ・・・{シリンダ上にまたは湾曲面上に取り付けられる印刷版から；シリンダを印刷することから}

G03F 7/3042 ・・・{処理ステーションで水平に輸送される印刷版から}

G03F 7/305 ・・・・{ブラシ研磨またはすれている手段によって、特徴付けられる}

G03F 7/3057 ・・・・｛発展途上の単位以外の処理装置によって、特徴付けられる例えば装置を洗うこと}

G03F 7/3064 ・・・・｛輸送手段または異なる装置を限るための手段によって、特徴付けられる例えばオーバフローを避ける}

G03F 7/3071 ・・・・｛制御手段を処理する、例えば補充するための}

G03F 7/3078 ・・・・｛処理異なる種類のプレート、例えば負および正のプレート、同じ機械の}

G03F 7/3085 ・・・{垂直に運搬されるプレートまたは巣から；サスペンドされるかまたは垂直に処理装置に浸漬されるプレートから}

G03F 7/3092 ・・・{材料の回復；廃物の処理}

G03F 7/32 ・・・そのための液体組成物、例えば開発者

G03F 7/322 ・・・・{水性アルカリ組成物}

G03F 7/325 ・・・・{非水溶組成物}

G03F 7/327 ・・・・・｛非水溶アルカリ組成物、例えば無水第四級アンモニウム塩}

G03F 7/34 ・・選択的な転送によるImagewise除去、例えば剥離すること

G03F 7/343 ・・・{はり合わせまたは層割れ方法またはphotolitographicな感光材のための装置}

G03F 7/346 ・・・{カーボンに対するカーボン二重結合を有する非高分子photopolymerisableな合成物以外の感光材を使用すること}

G03F 7/36 ・・グループにより適用されられないImagewise除去G03F 7/30 to G03F 7/34例えば、ガス流を使用すること、プラズマを使用すること

G03F 7/38 ・・imagewise除去の前の処理、例えばprebakingすること{(G03F 7/265 優位をとる)}

G03F 7/40 ・・imagewise除去の後の処理、例えば焼くこと

G03F 7/405 ・・・{imagewise除去の後の無機または有機金属化合物試薬での治療}

G03F 7/42 ・・はく土または薬品したがって

G03F 7/421 ・・・｛生物学的手段だけを使用すること、例えば酵素}

G03F 7/422 ・・・{液体だけを使用すること(G03F 7/421 優位をとる)}

G03F 7/423 ・・・・｛物質を酸化しているミネラルを含んで、鉱物の酸またはそれの塩類を含む例えばペルオキソ基を含む合成物}

G03F 7/425 ・・・・｛鉱物のアルカリ合成物を含むこと、上記は、有機基本的合成物を含む。例えば第四アンモニウム化合物；上記は、窒素を含んでいる複素環式基本的合成物を含む}

G03F 7/426 ・・・・{上記は、有機ハロゲン合成物を含む；上記は、有機スルホン酸またはそれの塩類を含む；上記は、スルフォキシドを含む}

G03F 7/427 ・・・{プラズマ手段だけを使用すること}

G03F 7/428 ・・・{超音波手段だけを使用すること}

G03F 7/70 ・{microlithographyのための露出装置}

G03F 7/70008 ・・｛露出照明の製造、すなわち光源}

G03F 7/70016 ・・・{放電ランプによって(放電ランプそれ自体H01J 61/00)}

G03F 7/70025 ・・・{レーザーによって(レーザーそれ自体H01S 3/00)}

G03F 7/70033 ・・・{プラズマEUVソースによって(プラズマEUVソースそれ自体H05G 2/00)}

G03F 7/70041 ・・・{鼓動されたソースによって}

G03F 7/7005 ・・・{多数のソースによって{(アドレス指定可能な配列ソースは、パターンを生じるために特別に適応したG03F 7/70391)}}

G03F 7/70058 ・・{マスク照明システム}

G03F 7/70066 ・・・｛サイズおよびマスク面の照らされた領域の形状、例えば REMA}

G03F 7/70075 ・・・｛積算器を用いて、マスク面の照明強度の均質化例えばハエのアイレンズ、小面鏡、ガラス・ロッド、拡散性光学エレメントを用いてまたは光線屈折によって}

G03F 7/70083 ・・・{マスク面の非均一な強度配布}

G03F 7/70091 ・・・｛照明設定（すなわち瞳孔平面の強度配布、分野平面の角度配布）、On-axisまたは外れた軸設定、例えば環状（ダイポールアンテナ）四重極、部分干渉性制御、すなわちシグマまたは開口数(NA)}

G03F 7/701 ・・・・{開口を使用することをセットしている外れた軸}

G03F 7/70108 ・・・・{光案内素子を使用することをセットしている外れた軸}

G03F 7/70116 ・・・・｛プログラム可能な手段を使用することをセットしている外れた軸、例えばLCDまたはDMD}

G03F 7/70125 ・・・{特定のマスクパターンに合わせて調整される照明設定の使用(設定手段の詳細G03F 7/70091)}

G03F 7/70133 ・・・{照明配布の測定、瞳孔平面または分野平面の}

G03F 7/70141 ・・・{照明システム調整、照明システムのアセンブリの間の配置(ワークピースを有するマスクの配置G03F 9/70)}

G03F 7/7015 ・・・{光学エレメントの詳細}

G03F 7/70158 ・・・・{回折光学素子}

G03F 7/70166 ・・・・｛毛管のまたはチャネル素子、例えば入れ子にされたEUV鏡}

G03F 7/70175 ・・・・｛ランプハウス反射器配置、すなわち光源の上流で立体角から光を集めること}

G03F 7/70183 ・・・・{ズーム・システム}

G03F 7/70191 ・・・{光学的補正部材、制御強度のためのフィルタまたは位相板、波長、分極化、位相等}

G03F 7/702 ・・・｛反射する照明、すなわちフォールドミラー以外の反射する光学エレメント}

G03F 7/70208 ・・・｛多数の照明経路、例えば放射線配布装置、マルチプレクサ、一つであるか多数のプロジェクション・システムのためのデマルチプレクサ}

G03F 7/70216 ・・{ワークピースの上のイメージング・マスクのシステム}

G03F 7/70225 ・・・｛反射屈折光学系、すなわち光学設計態様詳細を記載している文書}

G03F 7/70233 ・・・{反射光学系の光学態様}

G03F 7/70241 ・・・{屈折システムの光学態様}

G03F 7/7025 ・・・{サイズまたはプロジェクション・システム開口の形式}

G03F 7/70258 ・・・{プロジェクション・システム調整、プロジェクション・システムの組立ての間の配置(ワークピースを有するマスクの配置G03F 9/70)}

G03F 7/70266 ・・・・｛適応制御光学、例えば波面制御のための変形可能な光学エレメント}

G03F 7/70275 ・・・{多数の投影経路、プロジェクション・システムの列、マイクロレンズ・プロジェクション・システム、縦に並んだプロジェクション・システム}

G03F 7/70283 ・・・｛マスクまたはイメージング・プロセスに対するそれらの効果、例えばフーリエ・マスク、greyscaleマスク、ホログラフィック・マスク、位相シフト・マスク、phasemasks、レンズ状のマスク、多数のマスク、傾けられたマスク、縦に並んだマスク(マスクそれ自体G03F 1/14)}

G03F 7/70291 ・・・・{アドレス指定可能なマスク}

G03F 7/703 ・・・{非平面パターン域または非平面マスク}

G03F 7/70308 ・・・｛光学的補正部材、フィルタおよび操るための位相板例えば強度、波長、分極化、位相、イメージ・シフト(フィルタそれ自体G02B 5/20)}

G03F 7/70316 ・・・｛光学エレメントの詳細、例えばブラッグ反射体または回折光学素子の}

G03F 7/70325 ・・・｛他に分類されない解像度強化技術、例えば暗視野イメージング、干渉する光線、空間周波数乗算、nearfieldレンズ}

G03F 7/70333 ・・・・｛穿孔を集中させる、例えば FLEX}

G03F 7/70341 ・・・{浸入(浸液の化学組成G03F 7/2041)}

G03F 7/7035 ・・・{付近または密着印画機}

G03F 7/70358 ・・・｛露出を走査すること、すなわちパターン化された梁の相対的な移動およびイメージングの間のワークピース}

G03F 7/70366 ・・・・{回転スキャン}

G03F 7/70375 ・・｛他に分類されない画像処理システム、例えば多光子石版印刷；1種類の放射線を他の種類の放射線に変換するための手段から成る画像処理システム、光電陰極を有するマスクから成るシステム}

G03F 7/70383 ・・・｛直接的に、書く、すなわち、パターンは1によるマスクまたは多数の光線を用いずに直接書かれる（"マスクなしである"プログラム可能なマスクを使用している石版印刷G03F 7/70291)}

G03F 7/70391 ・・・・｛アドレス指定可能な配列ソースは、パターンを生じるために特別に適応した、例えばアドレス指定可能なLED配列体(マスクから成る露出装置のための配列ソースG03F 7/7005；マスクから成る露出装置のプログラム可能な手段を使用することをセットしている照明G03F 7/70116)}

G03F 7/704 ・・・・｛露光ビームを走査した、例えばラスタ、rotary-およびベクトル・スキャン(イメージングの間、パターン化された光線およびワークピースの相対的な移動を含んでいるマスク投影露出G03F 7/70358)}

G03F 7/70408 ・・・{Interferometric石版印刷；ホログラフィック石版印刷；自己イメージング石版印刷}

G03F 7/70416 ・・・{ステレオリソグラフィー（光造形法）、印刷している3D、急速に試作すること}

G03F 7/70425 ・・｛イメージング戦略、例えばスループットを増やすための、像視野より大きい印刷製品分野、lithography-または非石版印刷エラーを補正すること、例えば付近修正、混合物およびマッチ、縫い目、倍のパターニング}

G03F 7/70433 ・・・｛イメージング・エラーを補正するために、効率を増やすためのレイアウト例えば照射野のレイアウト、 {；効率を増やすためのマスク機能の活用法、イメージング・エラーを補正するための(回路設計それ自体G06F 17/5068；設計またはマスク製造G03F 1/14)}}

G03F 7/70441 ・・・・{光学付近修正}

G03F 7/7045 ・・・｛複合型露出（すなわち組み合わさっている異なる種類の露顕）例えば映像、付近、直接的に、書く、interferometricである、uv、Ｘ線、粒子線(構造上の詳細G03F 7/70991)}

G03F 7/70458 ・・・｛Mix-and-match（すなわち類似した種類の露顕を使用している同じ領域の多数の露出時間）例えばUV露出}

G03F 7/70466 ・・・｛多数の露出時間、例えば微細で粗い露出時間の組合せ、倍のパターニング、単独形体を印刷するための多数の露出時間、混合物およびマッチ(縫い目G03F 7/70475)}

G03F 7/70475 ・・・｛縫い目、すなわち装置分野を生じる接続像視野、装置（例えばメモリチップ）により占有される分野、プロセッサチップ、 CCD、フラットパネルディスプレイ}

G03F 7/70483 ・・｛情報管理、制御、テストおよびウェーハ・モニタリング、例えばパターン・モニタリング(検出配置G03F 7/7085)}

G03F 7/70491 ・・・{情報管理および制御、上記は、ソフトウェアを含む}

G03F 7/705 ・・・・{完全なウェーハ・プロセスまでの物理的な現象またはウェーハ製作の全部のワークフローからのモデリングおよびシミュレーション}

G03F 7/70508 ・・・・｛microlithographicな装置の各部で、データ処理例えばアドレス指定可能なマスク}

G03F 7/70516 ・・・・｛microlithographicな装置の構成素子の較正、例えば光源、アドレス指定可能なマスク、探知器}

G03F 7/70525 ・・・・｛制御通常の運転モード、例えばマッチしている異なる装置、遠隔制御、失敗の予測}

G03F 7/70533 ・・・・｛制御異常な運転モード、例えば待っている時間を考慮すること、再処理する決定、流れを再処理する}

G03F 7/70541 ・・・・｛タグを付けること、すなわちハードウェアまたはソフトウェア・タグを付けている‖特徴または構成素子の}

G03F 7/7055 ・・・｛microlithographicな装置の各部で、露出軽い制御例えばパルス長調節、軽い中断}

G03F 7/70558 ・・・・｛制御の一回分を盛る、すなわち所望の服用の成就(必須の量の測定G03F 7/70625)}

G03F 7/70566 ・・・・{分極化制御}

G03F 7/70575 ・・・・｛波長調節、例えばバンド幅の制御、多数の波長、波長の選択、波長に光学部品の中で合うこと}

G03F 7/70583 ・・・・｛減少に小斑をつける、例えば一貫性制御、振幅/分裂している波面}

G03F 7/70591 ・・・{テスト光学部品(光学鏡のテストG01M 11/005；レンズのテストG01M 11/02；迷光伝達G03F 7/70941)}

G03F 7/706 ・・・・{異常測定(異常測定一般にG01M 11/0242)}

G03F 7/70608 ・・・｛ウェーハ・レジスト・モニタリング、例えば測定厚み、反射率、レジスト上の浸液の効果}

G03F 7/70616 ・・・｛ウェーハ・パターン・モニタリング、すなわちウェーハ平面で印刷パターンまたは空間画像を測定すること(光学的測定学ツールそれ自体G01B 11/02 そして、G01B 9/04)}

G03F 7/70625 ・・・・｛寸法をパターン化する、例えば輝線幅、側面、側壁角度、端粗さ}

G03F 7/70633 ・・・・{オーバレイ(マスク間の配置および露出より前のウェーハG03F 9/70)}

G03F 7/70641 ・・・・{焦点(露出より前の焦点測定G03F 9/7026)}

G03F 7/7065 ・・・・{欠陥検査(欠陥検査装置それ自体G06T 7/0004, G01N 21/956)}

G03F 7/70658 ・・・・{電気である}

G03F 7/70666 ・・・・{空間画像を使用すること(マスク検査のための空間画像測定道具G03F 1/0092)}

G03F 7/70675 ・・・・{潜像を使用すること}

G03F 7/70683 ・・・・｛プロセス制御を使用することは、跡がつく、すなわち特定のマークは、設計する}

G03F 7/70691 ・・{マスクまたはウェーハの取扱い}

G03F 7/707 ・・・｛チャック、例えば投げているか非投げている動作(ワークピース処理ツール用のチャックH01L 21/683 or H01L 21/687 投げることのタイプに従い)}

G03F 7/70708 ・・・・{静電的であること；静電気的変形可能な真空チャック(ワークピース処理ツールのための静電チャックH01L 21/6831)}

G03F 7/70716 ・・・{段階(ワークピース処理ツールのための段階H01L 21/682)}

G03F 7/70725 ・・・・{制御}

G03F 7/70733 ・・・｛マスクおよびワークピースを扱うこと、例えばワークピースまたはマスクの交換、ワークピースまたはマスクの輸送}

G03F 7/70741 ・・・・｛取扱いは、外側の露光位置をマスキングする、例えば焦点板ライブラリ}

G03F 7/7075 ・・・・｛露光位置の外側でワークピースを扱うこと、例えばSMIFボックス}

G03F 7/70758 ・・・｛手段を動かす、例えばアクチュエータ、モーター(レンズまたは鏡アクチュエータG03F 7/70825)}

G03F 7/70766 ・・・｛反力制御装置、例えばcountermass}

G03F 7/70775 ・・・{位置制御(干渉計それ自体G01B 9/02；符号器当然G01D 5/00；ワークピースを有するマスクの配置G03F 9/70)}

G03F 7/70783 ・・・｛チャック（マスクまたはワークピース）に応力を加えるかまたはゆがむ例えばイメージング・エラーを補償する}

G03F 7/70791 ・・・｛大きなワークピース、例えばウェブまたはポリゴンの形に}

G03F 7/708 ・・｛装置の構造、例えば環境、衛生態様または材料}

G03F 7/70808 ・・・｛構造詳細、例えばハウジング、ロードロック、封止、軽いin-を通過するための、そして、装置からのウインドウ(ワークピース・プロセッサのための一般にロードロック室H01L 21/67201)}

G03F 7/70816 ・・・・{ベアリング(流体ベアリングそれ自体F16C 32/06)}

G03F 7/70825 ・・・・｛個々の素子の中で上る例えばマウント、保有者または支持体(projection-および照明システムおよびベースプレートまたは接地点上の段階の間のマウントまたは支持体G03F 7/70833；ワークピースおよびマスク・ホルダG03F 7/707)}

G03F 7/70833 ・・・・｛光学系の中で上る例えば照明システムの取付け、ベースプレートまたは接地点上のプロジェクション・システムまたは段階システム(前記システムの個々の素子の取付けG03F 7/70825)}

G03F 7/70841 ・・・・{構造上の問題は、真空環境に関した}

G03F 7/7085 ・・・｛検出装置、例えばおそらくウェーハに載置する装置配置の探知器、照射線量、フォト清掃流動、迷光、熱負荷}

G03F 7/70858 ・・・｛環境態様、例えば光路ガスの圧力、温度(汚染態様G03F 7/70916)}

G03F 7/70866 ・・・・{マスクまたはワークピースの}

G03F 7/70875 ・・・・・{温度}

G03F 7/70883 ・・・・{光学系の}

G03F 7/70891 ・・・・・{温度}

G03F 7/709 ・・・・｛振動、例えば振動検出、補償、抑制}

G03F 7/70908 ・・・｛衛生、例えば装置汚染を予防すること、汚染の影響を緩和すること、装置から汚染物質を除去すること；電磁気のおよび帯電汚染}

G03F 7/70916 ・・・・｛汚染緩和（すなわち汚染または破片の緩和している効果）例えば箔トラップ}

G03F 7/70925 ・・・・｛清掃、すなわち装置を汚染物質から能動的に解くこと}

G03F 7/70933 ・・・・{パージ}

G03F 7/70941 ・・・・｛流れてきた分野および負担、例えば迷光、散乱光、炎、送電損失}

G03F 7/7095 ・・・｛材料、例えばハウジング、段階または特定の特性を有する他のサポートのための材料、例えば重量、強さ、伝導率、熱熱膨張率}

G03F 7/70958 ・・・・｛光学材料およびコーティング、例えば特定の透過率を有する、拡散反射率(光学エレメントの詳細G03F 7/70316)}

G03F 7/70966 ・・・・・{複屈折}

G03F 7/70975 ・・・{アセンブリ、保守、装置の輸送および記憶}

G03F 7/70983 ・・・｛光学系保護、例えば薄膜またはマスクのプロテクションの取り外し可能なカバー}

G03F 7/70991 ・・・｛他の装置との接続、例えば多数の露光ステーション、露出装置および前露光の特定の配列および／またはポスト露出装置（共有装置）例えば線源（共有マスクまたはワークピース段階）を共有したことは、ベースプレート（ユーティリティ）を共有した例えばケーブル、データのためのパイプまたは無線配置、力、流体、真空(少なくとも一つの石版印刷室を含んでいる複数のワークステーションのワークピースを加工する装置H01L 21/67225)}

G03F 9/00 オリジナル、マスク、フレーム、光学的なシートまたは凹凸のある、またはパターン化された表層の登録または位置決め、例えば自動的に(G03F 7/22 優位をとる；光学的なマスクの準備G03F 1/00；コピーを製作するための光学的なプリンタ装置の範囲内でG03B 27/00)

G03F 9/70 ・{microlithographyのための(監視オーバレイのための測定印刷パターン G03F 7/70633 または焦点G03F 7/70641；プロジェクション・システム調整G03F 7/70258；位置制御G03F 7/70775)}

G03F 9/7003 ・・｛配置タイプまたは戦略、例えば山くずし、大域的配置}

G03F 9/7007 ・・・{ワークピースを有するオリジナル以外の配置}

G03F 9/7011 ・・・・｛前露光走査、最初の保有者調整を有するオリジナル、Prealignment、すなわちワークピース・ホルダを有するワークピース}

G03F 9/7015 ・・・・｛参照、すなわちオリジナルの配置またはオリジナルまたはワークピース上の参照に関するワークピースでない}

G03F 9/7019 ・・・{較正}

G03F 9/7023 ・・・{素地に対して垂直な方向の整列配置することまたは位置決め}

G03F 9/7026 ・・・・{集束}

G03F 9/703 ・・・・｛すきま設定、例えば付近プリンタの}

G03F 9/7034 ・・・・{山くずし}

G03F 9/7038 ・・・{付近または密着印画機のための配置(付近または密着印画機それ自体G03F 7/7035)}

G03F 9/7042 ・・・｛それらが放射線への暴露を含むこと以外のパターニング方法を使用しているリソグラフィ装置のための配置、例えばスタンピングまたは刷り込みによって(非露出リソグラフィ方法それ自体G03F 7/0002)}

G03F 9/7046 ・・・｛戦略、例えばマーク、センサまたは波長選択}

G03F 9/7049 ・・｛テクニック、例えばinterferometricである}

G03F 9/7053 ・・・｛非光学、例えば機械的である、容量性である、電子ビームを使用すること、音響または熱波}

G03F 9/7057 ・・・・｛ガス流、例えば集束のための、山くずしまたはすきま設定}

G03F 9/7061 ・・・・｛スキャンすることは、顕微鏡検査を徹底調査する、例えば AFM、トンネル効果顕微鏡検査を走査すること}

G03F 9/7065 ・・｛配置照明の製造、例えば光源、一貫性の制御、分極化、パルス長、波長}

G03F 9/7069 ・・｛アライメントマーク照明、例えば暗視野である、二重焦点}

G03F 9/7073 ・・{アライメントマークおよびそれらの環境(マスクに固有なマークG03F 1/42；型またはスタンプに固有なマークG03F 7/0002；オーバレイは、跡がつくG03F 7/20T22; marks applied to 半導体 devices H01L 23/544)}

G03F 9/7076 ・・・｛詳細をマークする、例えばマークを軋らせている位相、一時的なマーク}

G03F 9/708 ・・・{マーク構造}

G03F 9/7084 ・・・｛下地上のマークの位置：すなわちマークの中で（x、y、z）位置、例えばおおわれたマークに埋めるかまたは抵抗する、rearside上のマーク、基板エッジで、回路域の、潜在的なイメージマーク、複数のレベルの点数}

G03F 9/7088 ・・｛アライメントマーク検出、例えば TTR、 TTL、外れた軸検出、アレー検出器、ビデオ検出}

G03F 9/7092 ・・{信号処理}

G03F 9/7096 ・・{装置、取付け、ハウジング、環境、清掃または装置の保守}

G03F 2007/00 写真製版法の、例えば写真平板（凹凸のある、またはパターン化された表層の製造）例えば印刷表層、そのための材料、例えば上記は、フォトレジストから成る；装置は、したがって特別に適応した（特別な工程のためのフォトレジスト構造を用いて、関連した場所を参照、例えば B44C, H01L例えば、 H01L 21/00, H05K)

G03F 2007/20 ・露出；そのための装置(コピーを製作するための光学的なプリンタ装置G03B 27/00)

G03F 2007/2067 ・・microlithographyのための装置

G03F 2009/00 オリジナル、マスク、フレーム、光学的なシートまたは凹凸のある、またはパターン化された表層の登録または位置決め、例えば自動的に(G03F 7/22 優位をとる；光学的なマスクの準備G03F 1/00；コピーを製作するための光学的なプリンタ装置の範囲内でG03B 27/00)

G03F 2009/005 ・microlithographyのための