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G11C　静的ストア(記録担体と変換器との間の相対運動に基づいた情報記憶G11B；ストレージ用の半導体装置H01L例えば、 H01L 27/108 to H01L 27/115；パルス・テクニック一般にH03K例えば、電子スイッチH03K 17/00； {画像記録媒体として静的ストアを使用することH04N 5/907})

G11C 5/00 カバーされるストアの詳細G11C 11/00

G11C 5/005 ・{半導体記憶装置の情報の損失からの保護のための回路手段(放射線を有するbombardementを用いて製造半導体H01L 21/26；誤り検出、モニタリングG06F 11/00)}

G11C 5/02 ・貯蔵素子の配置、例えばマトリックス配列の形で

G11C 5/025 ・・{storage-の幾何学的なレイアウト考慮および半導体記憶装置の末梢性遮断(集積回路の構成素子の幾何学的な配置、 H01L 27/0207)}

G11C 5/04 ・・貯蔵素子（貯蔵素子用の支持体）のための支持体｛例えばメモリモジュール}；この種の支持体上の貯蔵素子の取付けまたは固定

G11C 5/05 ・・・マトリックスの核の中で支えること

G11C 5/06 ・電気的に貯蔵素子を相互接続するための準備、例えば配線によって

G11C 5/063 ・・｛統合した半導体メモリの電圧および信号配布は、線にアクセスする、例えば語線、ビット線、交差抵抗、伝播遅延}

G11C 5/066 ・・｛半導体メモリのための外部アクセス線を減らすための手段は、とまる例えば最も少なくアドレスおよびデータ信号の多重によって}

G11C 5/08 ・・磁性素子を相互接続するための、例えばドーナツ型核

G11C 5/10 ・・コンデンサを相互接続するための

G11C 5/12 ・装置または貯蔵素子を相互接続する方法、例えば磁気コアにねじ切りするための

G11C 5/14 ・電源装置配置(一般にG05F, H02J, H02M）、｛例えばパワー・ダウン/チップ(de)選択、配線のレイアウト/電力グリッド、多数の供給レベル}

G11C 5/141 ・・{電池およびバックアップ支出(バックアップ支出それ自体H02J 9/061)}

G11C 5/142 ・・｛コンタクトレスの電源装置、例えば RF、誘導、 IR (一般にH02J 5/00)}

G11C 5/143 ・・{メモリ・カセット挿入の検出/除去；連続は、供給および接地線の中で調べる(一般にG01R 31/02)；供給バリエーションの検出/中断/レベル(G11C 5/148 優位をとる)；代わりの電源間のスイッチング(バックアップ支出それ自体H02J 9/061), (G11C 5/141 優位をとる)}

G11C 5/144 ・・・｛予め定められた切断の検出または電源装置の減少、例えばパワー・ダウンまたは動力予備}

G11C 5/145 ・・{電荷ポンプの使用(電荷ポンプそれ自体H02M 3/07)；押し上げられた電圧回路(論理回路または反転回路のためのH03K 19/00)；そのためのクランプ回路(G11C 5/141 優位をとる)}

G11C 5/146 ・・・{下地バイアス発生器(G11C 5/141 優位をとる；一般にG05F 3/205)}

G11C 5/147 ・・{電圧基準発生器、電圧およびカレントレギュレータ(一般にG05F 3/24)；内部的に低下する供給レベル(一般にG05F 1/462)；電圧低下の補償(G11C 5/141 優位をとる)}

G11C 5/148 ・・{上で力またはパワー・ダウン回路の詳細、待機回路または回復回路}

G11C 7/00 情報を書き込むための準備、または情報を外へ読み込むこと、デジタル・ストア(G11C 5/00 優位をとる；半導体装置を使用しているストアのための補助回路G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193)

G11C 7/005 ・{合同のbeam-and別体セル・アクセスを有する}

G11C 7/02 ・寄生的な信号を避けるための手段を有する

G11C 7/04 ・温度効果のために妨害を避けるための手段を有する

G11C 7/06 ・感度増幅器、付随する回路、｛例えばタイミングまたは起動している回路}(アンプそれ自体H03F, H03K)

G11C 7/062 ・・｛非ラッチ係合しているタイプの差動増幅器、例えばコンパレータ、長い尾のある一組}

G11C 7/065 ・・{ラッチ係合する差動増幅器は、タイプする}

G11C 7/067 ・・{片端接地アンプ}

G11C 7/08 ・・それの制御

G11C 7/10 ・入出力用（I/0）データ・インタフェース配置、例えば I/0のデータ制御回路、 I/Oデータバッファ(レベル転換回路一般にH03K 19/0175)

G11C 7/1003 ・・{デイジーチェーンまたはリング・バス・メモリ装置用のインタフェース回路}

G11C 7/1006 ・・｛経営しているデータ、例えば書くかまたは読み出す前にデータを操ること、データ・バススイッチまたは制御回路したがって}

G11C 7/1009 ・・・{入力の間のデータ・マスキング/出力}

G11C 7/1012 ・・・｛入出力の間、追加注文しているデータ例えばクロスバー、マルチプレクサの層、シフトするかまたは回転すること}

G11C 7/1015 ・・｛一つのポート・メモリのためのRead-writeモード、すなわちランダムなポートかシリアルポートを有すること}

G11C 7/1018 ・・・｛連続ビット線アクセス・モード、例えばビット線アドレスシフトレジスタを使用すること、ビット線アドレスカウンタ、ビット線バーストカウンタ}

G11C 7/1021 ・・・・｛ページ・シリアルは、線アクセス・モードを噛んだ、すなわち可能にされた行アドレスを使用することはその関連する語線アドレスを有するパルスを打つ、そして、一連の可能にされた列アドレス脳卒中はその関連するビット線アドレスによって、各々鼓動する}

G11C 7/1024 ・・・・・｛拡張したデータは、（エド）モードを出力した、すなわち出力バッファをその延長期間の間に可能にするように保つこと}

G11C 7/1027 ・・・・｛静的柱復号するシリアルは、線アクセス・モードを噛んだ、すなわち可能にされた行アドレスを使用することは、その関連する語線アドレスおよび一連の可能にされたビット線アドレスを有するパルスを打つ}

G11C 7/103 ・・・{連続的に対象にされたread-writeデータレジスタを使用すること(G11C 7/1036 優位をとる)}

G11C 7/1033 ・・・・｛1つの段階だけがデータを予め定められた数のステージから順番に出力するために対象にされるデータレジスタを使用する例えばread-writeモードをつつく}

G11C 7/1036 ・・・{データシフトレジスタを使用すること}

G11C 7/1039 ・・・｛機能的なメモリ・パーツの間ですなわちラッチを使用して、技術をパイプラインで転送することを使用する例えば列/カラムデコーダ、 I/Oバッファ、感度増幅器}

G11C 7/1042 ・・・｛技術にはさむことを使用すること、すなわち他の一部を配置すると共に、1のread-writeはメモリの中で分かれる}

G11C 7/1045 ・・・{Read-writeモード・セレクティング回路}

G11C 7/1048 ・・｛データバス制御回路、例えばあらかじめ装填すること、プレセット、同点にすること}

G11C 7/1051 ・・｛データは、回路を出力した、例えば読み出しアンプ、データ出力バッファ、データ出力は、登録する、データ出力レベル転換回路}

G11C 7/1054 ・・・{光学出力バッファ}

G11C 7/1057 ・・・｛データ出力バッファ、例えば上記は、レベル転換回路から成る、ロードを適応させるための回路}

G11C 7/106 ・・・{データ出力ラッチ}

G11C 7/1063 ・・・｛制御信号は、回路を出力した、例えば状況または忙しいフラグ、フィードバック指令信号}

G11C 7/1066 ・・・{出力同期}

G11C 7/1069 ・・・{I/O線は、配置を読み出した(ビット線のための大域的であるかローカル感度増幅器G11C 7/06)}

G11C 7/1072 ・・｛刻時信号パルストレインに同期するランダムなアクセスポートを有するメモリのために例えば同期式メモリ、自己は、メモリを計時した}

G11C 7/1075 ・・｛各々ランダムなアクセスポートおよびシリアルポートを有しているマルチポート・メモリのために、例えばビデオRAM}

G11C 7/1078 ・・｛データは、回路を入力した、例えば書込増幅器、データ入力バッファ、データ入力レジスタ、データ入力レベル転換回路}

G11C 7/1081 ・・・{光学入力バッファ}

G11C 7/1084 ・・・｛データ入力バッファ、例えば上記は、レベル転換回路から成る、ロードを適応させるための回路}

G11C 7/1087 ・・・{データ入力ラッチ}

G11C 7/109 ・・・{制御信号入力回路}

G11C 7/1093 ・・・{入力同期}

G11C 7/1096 ・・・｛回路を書く、例えば I/O線書込ドライバ}

G11C 7/12 ・ビット線制御回路、例えばドライバ、ブースタ、懸垂運動回路、プルダウン回路、回路をあらかじめ装填すること、回路を等しくすること、ビット線のための

G11C 7/14 ・ダミー・セル管理；感覚参照電圧発生器

G11C 7/16 ・アナログから成る装置を使用しているデジタル・ストアのアナログ信号の記憶/デジタルである(A/D)変換器群、デジタルメモリおよびディジタル/アナログ(D/A)変換器群

G11C 7/18 ・ビット線組織；ビット線レイアウト

G11C 7/20 ・メモリ初期化回路、例えばそのとき、力行上または下、明白なメモリ、潜在的な画像メモリ

G11C 7/22 ・Read-write(R-W)タイミングまたは計測している回路；Read-write(R-W)御信号発生器または管理

G11C 7/222 ・・{生成することを計測する、メモリデバイスの範囲内の同期であるか分配回路}

G11C 7/225 ・・{クロック入力バッファ}

G11C 7/227 ・・{ダミー・メモリ素子または複製回路に基づくメモリ動作のタイミング}

G11C 7/24 ・メモリ・セル安全性または保護回路、例えば不注意による表示を予防するかまたは書くための配置；状況細胞；テスト・セル

G11C 8/00 デジタル・ストアのアドレスを選ぶための準備(トランジスタを使用しているストアのためのG11C 11/407, G11C 11/413； {一般の使用のためのスイッチングまたはゲート回路H03K 17/00})

G11C 8/005 ・{波アクセスを進行することに関する}

G11C 8/04 ・連続したアドレス指定装置を使用すること、例えば送りレジスタ、カウンタ{(FIFO G06F 5/06； LIFO G06F 7/78；多次元メモリ・アドレス指定G06F 12/0207)}

G11C 8/06 ・アドレス・インタフェース配置、例えばアドレス・バッファ(レベル転換回路一般にH03K 19/0175)

G11C 8/08 ・語線制御回路、例えばドライバ、ブースタ、懸垂運動回路、プルダウン回路、回路をあらかじめ装填すること、語線のための

G11C 8/10 ・復号器

G11C 8/12 ・グループの選任者回路、例えば記憶ブロックより抜きのための、チップ選択、配列選択

G11C 8/14 ・語線組織；語線レイアウト

G11C 8/16 ・多数のアクセス・メモリアレイ、例えば少なくとも独立アドレス指定線グループを経た1つの貯蔵素子を対象にすること{(マルチポート・メモリ一般にG11C 7/1075)}

G11C 8/18 ・アドレス・タイミングまたは計測している回路、アドレス制御信号生成または管理、例えば行アドレス・ストローブのための(RAS)または列アドレス・ストローブ(CAS)信号

G11C 8/20 ・アドレス安全性または保護回路、すなわち未許可であるか偶然のアクセスを予防するための配置

G11C 11/00 特定の電気であるか磁気貯蔵素子の使用によって、特徴付けられるデジタル・ストア；そのための貯蔵素子(G11C 14/00 to G11C 21/00 優位をとる)

G11C 11/005 ・{上記は、複合であるが、それぞれに手術のRAM-ROMから成る、 RAM-PROM、RAM-EPROM細胞}

G11C 11/02 ・磁性素子を使用すること{(マルチビット磁気貯蔵素子を使用することG11C 11/5607；磁性素子を有するカウンタH03K 23/76；パルスジェネレータ、静的スイッチ、この種の素子を有する論理回路H03K 3/45, H03K 17/80, H03K 19/16；磁気変数の測定G01R 33/00)}

G11C 11/04 ・・ロッド-タイプ貯蔵素子を使用すること{文書を含まない；見るG11C 11/06085, G11C 11/14, G11C 11/155}

G11C 11/06 ・・一つの開口貯蔵素子を使用すること、例えばリング核；個々の開口が貯蔵素子を形成するマルチ・アパーチャー・プレートを使用すること

G11C 11/06007 ・・・{単一の開口または一つの磁気閉回路を使用すること}

G11C 11/06014 ・・・・{そのような素子プロのビットを使用すること}

G11C 11/06021 ・・・・・{破壊的な読み出しを有する}

G11C 11/06028 ・・・・・・{マトリックス}

G11C 11/06035 ・・・・・・・{"ビット"- 組織される、例えば2つの1/2D、3Dまたは類似した組織、すなわち書くかまたは読むためのビット中心的な選択、少なくとも2つの一致する部分的な電流によって}

G11C 11/06042 ・・・・・・・{"語"-organised,例えば2D組織または線形選択、すなわち読むことの間の語の全てのビット-中心による完全な現在の選択}

G11C 11/0605 ・・・・・{非破壊的な読み出しを有する}

G11C 11/06057 ・・・・・・{マトリックス}

G11C 11/06064 ・・・・・・・{"ビット"-organised(2 1/2D、3Dまたは類似した組織)}

G11C 11/06071 ・・・・・・・{"語"-organised(2D組織または線形選択)}

G11C 11/06078 ・・・・{この種の素子プロが噛んだ2以上を使用すること}

G11C 11/06085 ・・・｛マルチ開口構造またはマルチ磁気閉回路、保存している各々の開口"ビット"ロッド、プレート、格子、ワッフル焼き型により理解されて、（すなわち溝を彫られたプレート)または類似した装置}

G11C 11/06092 ・・・{ビットにつき2つ以上の開口を使用しているマルチ開口構造またはマルチ磁気閉回路}

G11C 11/061 ・・・一つの開口を有する素子または記憶のための磁気ループを使用すること、ビットにつき1つの素子、そして、破壊的な読み出しのための{文書を含まない、見よ G11C 11/06007, G11C 11/06014, G11C 11/06021, G11C 11/06028}

G11C 11/063 ・・・・ビットは、組織化した（例えば2つの1/2D、3D組織）すなわち読むための、そして、書くための少なくとも2つの一致するparitalな電流によって、素子の選択のための{文書を含まない；見るG11C 11/06035}

G11C 11/065 ・・・・語は、組織化した（例えば2D組織または線形選択）すなわち読むための単一の完全な電流によって、語の全ての素子の選択のための{文書を含まない；見るG11C 11/06042}

G11C 11/067 ・・・一つの開口を有する素子または記憶のための磁気ループを使用すること、ビットにつき1つの素子、そして、非破壊的な読み出しのための{文書を含まない、見よG11C 11/0605 to G11C 11/06071}

G11C 11/08 ・・マルチ開口貯蔵素子を使用すること、例えばtransfluxorsを使用すること；個々のいくつかのマルチ開口貯蔵素子を組み込んでいるプレートを使用すること(G11C 11/10 優位をとる；個々の開口が貯蔵素子を形成するマルチ・アパーチャー・プレートを使用することG11C 11/06)

G11C 11/10 ・・マルチ軸貯蔵素子を使用すること

G11C 11/12 ・・張筋を使用すること、twistorsを使用すること、すなわち磁化の1本の軸がねじられる素子

G11C 11/14 ・・薄膜素子を使用すること

G11C 11/15 ・・・多数の被覆層を使用すること(G11C 11/155 優位をとる)

G11C 11/155 ・・・円筒状構成を有する

G11C 11/16 ・・記憶効果が磁気回転効果に基づく素子を使用すること{(磁気抵抗な多層構造を使用しているセンサG01R 33/093；磁気ディスクのための細い層磁気読取りヘッドG11B 5/31；導波管の非相互の磁性素子H01P；強磁性材料の組成H01F 1/00；旋回するものH03H 7/002)}

G11C 11/161 ・・・｛メモリ・セル構造に関する詳細、例えば強磁性メモリ・セルの層}

G11C 11/165 ・・・{補助回路}

G11C 11/1653 ・・・・{アドレス回路または復号器}

G11C 11/1655 ・・・・・{ビット線または柱回路}

G11C 11/1657 ・・・・・{語線または列回路}

G11C 11/1659 ・・・・{細胞アクセス}

G11C 11/1673 ・・・・{読出であるか検知回路または方法}

G11C 11/1675 ・・・・{書込であるかプログラム回路または方法}

G11C 11/1677 ・・・・{回路または方法を検査すること}

G11C 11/1693 ・・・・{タイミング回路または方法}

G11C 11/1695 ・・・・{保護回路または方法}

G11C 11/1697 ・・・・{電源回路}

G11C 11/18 ・ホール効果素子を使用すること

G11C 11/19 ・共振回路の非線形反動的な装置を使用すること{文書を含まない、見よG11C 11/20}

G11C 11/20 ・・パラメトロンを使用すること、｛すなわちferroresonantなトリガー；overcriticaフィードバック磁気増幅器または類似物を有する(パラメトロンおよびferroresonantな装置を使用しているパルスジェネレータH03K 19/162, H03K 19/164；この種の素子を使用しているカウンタH03K 23/001)}

G11C 11/21 ・電気素子を使用すること

G11C 11/22 ・・強誘電性の素子を使用すること{(マルチビット強誘電性の貯蔵素子を使用することG11C 11/5657；強誘電性の素子を使用しているパルスジェネレータH03K 3/45；この種の素子を使用しているカウンタH03K 23/76)}

G11C 11/221 ・・・{強誘電コンデンサを使用すること}

G11C 11/223 ・・・{強誘電性のゲート絶縁膜を有するMOSを使用すること}

G11C 11/225 ・・・{補助回路}

G11C 11/2253 ・・・・{アドレス回路または復号器}

G11C 11/2255 ・・・・・{ビット線または柱回路}

G11C 11/2257 ・・・・・{語線または列回路}

G11C 11/2259 ・・・・{細胞アクセス}

G11C 11/2273 ・・・・{読出であるか検知回路または方法}

G11C 11/2275 ・・・・{書込であるかプログラム回路または方法}

G11C 11/2277 ・・・・{回路または方法を検査すること}

G11C 11/2293 ・・・・{タイミング回路または方法}

G11C 11/2295 ・・・・{保護回路または方法}

G11C 11/2297 ・・・・{電源回路}

G11C 11/23 ・・一般の層上の静電記憶装置を使用すること、例えばフォレスター-Haef管、 {ウィリアム管}(G11C 11/22 優位をとる； {ウィリアムス管の構造H01J 31/00})

G11C 11/24 ・・コンデンサを使用すること(G11C 11/22 優位をとる；半導体装置およびコンデンサの組合せを使用することG11C 11/34例えば、 G11C 11/40)

G11C 11/26 ・・放電管を使用すること{(この種の素子を使用しているカウンタH03K 25/00)}

G11C 11/265 ・・・｛計数管、例えばdecatrons、trochotrons(この種の素子を使用しているカウンタH03K 29/00)}

G11C 11/28 ・・・ガス入りの管を使用すること{計数管G11C 11/265；パルスジェネレータ、電子スイッチ、この種の素子を使用している論理回路H03K 3/37, H03K 17/52, H03K 19/04}

G11C 11/30 ・・・真空管を使用すること{計数管G11C 11/265；パルスジェネレータ、電子スイッチ、この種の素子を使用している論理回路H03K 3/37, H03K 17/52, H03K 19/04}

G11C 11/34 ・・半導体装置を使用すること{(方法または製造または半導体または固体装置の処置のための装置H01L 21/00；集積回路装置H01L 27/00電気的なパルスを起こすこと、例えば半導体装置を使用している双安定素子H03K 3/00)}

G11C 11/35 ・・・空乏層の充電ストレージを有する、例えば充電される被結合装置{(送りレジスタのG11C 19/282)}

G11C 11/36 ・・・ダイオードを使用すること、例えば出発点素子として、｛すなわち厩舎を装っているダイオード

G11C 11/38 ・・・・トンネルダイオードを使用すること

G11C 11/39 ・・・サイリスタを使用する｛または雪崩または負の抵抗タイプ、例えば PNPN、 SCR、 SCS、 UJT}

G11C 11/40 ・・・トランジスタを使用すること

G11C 11/401 ・・・・再活性化または充電再生を必要としているセルの形成、｛すなわちダイナミック・セル}

G11C 11/402 ・・・・・各々のメモリ・セルに対する充電再生個人と、すなわち内部リフレッシュ

G11C 11/4023 ・・・・・・{電界効果トランジスタを使用すること}

G11C 11/4026 ・・・・・・{バイポーラトランジスタを使用すること}

G11C 11/403 ・・・・・多数のメモリ・セルに共通の充電再生を有する、すなわち外部のリフレッシュ

G11C 11/404 ・・・・・・1つの充電トランスファーゲートを有する、例えばMOSトランジスタ、細胞につき

G11C 11/4045 ・・・・・・・{複数の連続的に被接続アクセス・トランジスタを使用すること、記憶コンデンサを有する各々}

G11C 11/405 ・・・・・・3つの充電トランスファーゲートを有する、例えばMOSトランジスタ、細胞につき

G11C 11/406 ・・・・・管理または再活性化または充電再生サイクルの制御

G11C 11/40603 ・・・・・・{仲裁、優先権および読むためのメモリ・セルへの並列のアクセス/動作を書くかまたはよみがえらせる}

G11C 11/40607 ・・・・・・{内部キャッシュまたはデータバッファを有するメモリデバイスのリフレッシュ動作}

G11C 11/40611 ・・・・・・｛外部に起動することまたは内部であるか部分的に内部リフレッシュ動作のタイミング、例えばRASの前の自動リフレッシュまたはCASは、リフレッシュを起動させた}

G11C 11/40615 ・・・・・・｛内部に起動することまたはリフレッシュのタイミング、例えば隠れたリフレッシュ、自己リフレッシュ、疑似SRAM}

G11C 11/40618 ・・・・・・{多数のバンクまたはインターリービングの上のリフレッシュ動作}

G11C 11/40622 ・・・・・・{メモリアレイの部分的なリフレッシュ}

G11C 11/40626 ・・・・・・{リフレッシュ動作の温度関連した態様}

G11C 11/4063 ・・・・・補助回路、例えばアドレス指定のための、復号化すること、運転すること、書くこと、検出することまたはタイミング

G11C 11/4067 ・・・・・・両極性のタイプのメモリ・セルのための

G11C 11/407 ・・・・・・電界効果タイプのメモリ・セルのための

G11C 11/4072 ・・・・・・・回路または初期化、力行上または下、メモリまたはプレセットをクリアすること

G11C 11/4074 ・・・・・・・電源装置または電圧生成回路、例えばバイアス電圧発生器、下地電圧発生器、バックアップ力、動力制御回路

G11C 11/4076 ・・・・・・・タイミング回路(再生管理のためのG11C 11/406)

G11C 11/4078 ・・・・・・・安全性または保護回路、例えば不注意によるか未許可の表示を予防するかまたは書くための；状況細胞；テスト・セル(浅割れ目またはテストの間のメモリ内容の保護G11C 29/52)

G11C 11/408 ・・・・・・・アドレス回路

G11C 11/4082 ・・・・・・・・{Address Buffers；レベル転換回路}

G11C 11/4085 ・・・・・・・・｛語線制御回路、例えばワードラインドライバ、- ブースタ、- 懸垂運動、- プルダウンである、- プレチャージ}

G11C 11/4087 ・・・・・・・・｛アドレスデコーダ、例えばビット−または語線復号器；多数の線復号器}

G11C 11/409 ・・・・・・・Read-write(R-W)回路

G11C 11/4091 ・・・・・・・・感覚または感覚/リフレッシュ・アンプまたは付随する感覚回路、例えば被結合ビット線のためのあらかじめ装填する、等しくするかまたは分離すること

G11C 11/4093 ・・・・・・・・入出力（I/O）データ・インタフェース配置、例えばデータバッファ(レベル転換回路一般にH03K 19/0175)

G11C 11/4094 ・・・・・・・・ビット線管理または制御回路

G11C 11/4096 ・・・・・・・・入出力（I/O）データ管理または制御回路、例えば回路を読込みまたは書込みを行うこと、 I/Oドライバ、ビット線は、切り替えをする

G11C 11/4097 ・・・・・・・・ビット線組織、例えばビット線レイアウト、折られたビット線

G11C 11/4099 ・・・・・・・・ダミー・セル処理；参照電圧発生器

G11C 11/41 ・・・・細胞を正のフィードバック（すなわち再活性化または充電再生を必要としていない細胞）により形成する｛静的な｝こと例えば二安定マルチバイブレータまたはシュミットトリガ素子

G11C 11/411 ・・・・・バイポーラトランジスタだけを使用すること

G11C 11/4113 ・・・・・・｛基礎を形成する少なくとも一つの細胞アクセスまたは少なくとも一つの前記トランジスタの収集装置で、例えばアクセスダイオードを経た、アクセス・トランジスタ}

G11C 11/4116 ・・・・・・｛前記トランジスタのまたは多数のemittorsを経た別に被接続emittorsを経た少なくとも一つの細胞アクセスについては、例えば T2L、 ECL}

G11C 11/412 ・・・・・電界効果トランジスタだけを使用すること{(潜在的な画像メモリG11C 7/20；マルチポート細胞G11C 8/160)}

G11C 11/4125 ・・・・・・{情報の損失からの保護のための回路手段を組み込んでいる細胞(一般にG11C 5/005)}

G11C 11/413 ・・・・・補助回路、例えばアドレス指定のための、復号化すること、運転すること、書くこと、検出すること、タイミング、力の減少(一般にG11C 5/00 to G11C 8/00)

G11C 11/414 ・・・・・・両極性のタイプのメモリ・セルのための

G11C 11/415 ・・・・・・・アドレス回路

G11C 11/416 ・・・・・・・Read-write回路

G11C 11/417 ・・・・・・電界効果タイプのメモリ・セルのための

G11C 11/418 ・・・・・・・アドレス回路

G11C 11/419 ・・・・・・・Read-write回路

G11C 11/42 ・・光電子装置を使用すること、すなわち電気的に発光で光電装置 ― または光学的に ―{フィードバック−}連結される

G11C 11/44 ・・超伝導素子を使用すること、例えばクライオトロン{(この種の素子を使用しているパルスジェネレータH03K 3/38；カウンタH03K 23/001)}

G11C 11/46 ・熱可塑性素子を使用すること

G11C 11/48 ・置換可能な結合素子を使用すること、例えば強磁性コア、異なる状態間の変化を生じる相互の自己インダクタンス{文書を含まない；見るG11C 17/00 そして、サブグループ}

G11C 11/50 ・情報を格納するために電気的な接触の作動を使用すること(機械のストアG11C 23/00；操作の部分の単一の手動作動によって、選択された数の接触の連続的な動作をprovisingしているスイッチH01H 41/00)

G11C 11/52 ・・電磁リレーを使用すること

G11C 11/54 ・生物学的細胞をシミュレーションしている素子を使用すること、例えば神経単位

G11C 11/56 ・ステップにより表される2つ以上の安定状態を有する貯蔵素子を使用すること、例えば電圧の、電流、位相、頻度(このタイプのマルチ安定元素から成る計数配置H03K 25/00, H03K 29/00)

G11C 11/5607 ・・{磁気貯蔵素子を使用すること}

G11C 11/5614 ・・{伝導ブリッジングRAMを使用すること[CBRAM}またはプログラム金属化細胞[PMC]

G11C 11/5621 ・・{フローティングゲートの充電記憶を使用すること}

G11C 11/5628 ・・・{プログラムであるか書込回路；データ入力回路}

G11C 11/5635 ・・・・{回路を消すこと}

G11C 11/5642 ・・・{検知であるか読出回路；データ出力回路}

G11C 11/565 ・・{容量充電貯蔵素子を使用すること}

G11C 11/5657 ・・{強誘電性の貯蔵素子を使用すること}

G11C 11/5664 ・・{有機メモリ材料貯蔵素子を使用すること}

G11C 11/5671 ・・{絶縁体の充電捕獲を使用すること}

G11C 11/5678 ・・{非晶形を使用すること/結晶質の相転移貯蔵素子}

G11C 11/5685 ・・｛金属酸化物メモリ材料から成る貯蔵素子を使用すること、例えばペロブスカイト}

G11C 11/5692 ・・{2つ以上の安定状態を有する貯蔵素子を使用している読出し専用デジタル・ストア}

G11C 13/00 グループにより適用されられない貯蔵素子の使用によって、特徴付けられるデジタル・ストアG11C 11/00, G11C 23/00 to G11C 25/00

G11C 13/0002 ・{抵抗ランダム・アクセス・メモリを使用すること[RRAM}素子]

G11C 13/0004 ・・{上記は、非晶形から成る/結晶質の相転移細胞}

G11C 13/0007 ・・｛金属酸化物メモリ材料から成ること、例えばペロブスカイト}

G11C 13/0009 ・・{動作が化学変化に依存するRRAM素子}

G11C 13/0011 ・・・{上記は、伝導ブリッジングRAMから成る[CBRAM}またはプログラム金属化細胞[PMCs]]

G11C 13/0014 ・・・{上記は、有機メモリ材料を主成分として細胞から成る}

G11C 13/0016 ・・・・{上記は、重合体から成る}

G11C 13/0019 ・・・・{上記は、生体分子から成る}

G11C 13/0021 ・・{補助回路}

G11C 13/0023 ・・・{アドレス回路または復号器}

G11C 13/0026 ・・・・{ビット線または柱回路}

G11C 13/0028 ・・・・{語線または列回路}

G11C 13/003 ・・・{細胞アクセス}

G11C 13/0033 ・・・{妨害防止または評価；妨げられたメモリ・データの中でリフレッシュすること}

G11C 13/0035 ・・・｛低下（保持またはwearout）を評価する例えば計数書込自転車までに}

G11C 13/0038 ・・・{電源回路}

G11C 13/004 ・・・{読出であるか検知回路または方法}

G11C 13/0059 ・・・{セキュリティまたは保護回路または方法}

G11C 13/0061 ・・・{タイミング回路または方法}

G11C 13/0064 ・・・{回路または方法を検査すること}

G11C 13/0069 ・・・{書込であるかプログラム回路または方法}

G11C 13/0097 ・・・｛消すこと、例えばレールの設定替、回路または方法}

G11C 13/02 ・動作が化学変化に依存する素子を使用すること{(G11C 13/0009 優位をとる)}；電気化学的負担を使用することG11C 11/00

G11C 13/025 ・・｛フラーレンを使用すること、例えばC60またはナノチューブ、例えばカーボンまたはシリコン・ナノチューブ}

G11C 13/04 ・光学エレメントを使用する｛他の光線を使用することは、素子にアクセスした、例えば電子、イオンビーム(静電メモリ管を使用することG11C 11/23；テレビ信号の記録H04N 5/76)}

G11C 13/041 ・・{光発色性貯蔵素子を使用すること(G11C 13/042 優位をとる)}

G11C 13/042 ・・{干渉パターンの形で格納される情報を使用すること(ホログラム、lippman；ホログラフィG03H, G02B 5/32)}

G11C 13/043 ・・・{磁気光記憶装置素子を使用すること}

G11C 13/044 ・・・{電気光学素子を使用すること}

G11C 13/045 ・・・{光発色性貯蔵素子を使用すること}

G11C 13/046 ・・・{干渉パターンの形で情報を格納している他の貯蔵素子を使用すること}

G11C 13/047 ・・{電気光学素子を使用すること(G11C 13/042 優位をとる)}

G11C 13/048 ・・{他の光学貯蔵素子を使用すること}

G11C 13/06 ・・光磁気素子を使用すること(磁気光学一般にG02F){G11C 13/042 優位をとる}

G11C 14/00 力が下にあるバックアップのための不安定で非不安定な記憶特性を有する電池の配置によって、特徴付けられるデジタル・ストア{供給電圧が衰える現状を格納している双安定素子H03K 3/02335, H03K 3/0375, H03K 3/2865, H03K 3/356008}

G11C 14/0009 ・{揮発性の元素は、いずれにおいて、1ドラム細胞であるか}

G11C 14/0018 ・・｛そして、不揮発性素子は、EEPROM素子である、例えばフローティングゲートまたはMNOSトランジスタ}

G11C 14/0027 ・・{そして、不揮発性素子は、強誘電性の素子である}

G11C 14/0036 ・・{そして、不揮発性素子は、磁気RAMである[MRAM}素子または強磁性細胞]

G11C 14/0045 ・・｛そして、不揮発性素子は、電気抵抗RAM素子（すなわちプログラム可能なレジスタ）である例えば相変化またはカルコゲニド材料の中で形成される。}

G11C 14/0054 ・{揮発性の元素は、いずれにおいて、SRAM細胞であるか}

G11C 14/0063 ・・｛そして、不揮発性素子は、EEPROM素子である、例えばフローティングゲートまたはMNOSトランジスタ}

G11C 14/0072 ・・{そして、不揮発性素子は、強誘電性の素子である}

G11C 14/0081 ・・{そして、不揮発性素子は、磁気RAMである[MRAM}素子または強磁性細胞]

G11C 14/009 ・・｛そして、不揮発性素子は、電気抵抗RAM素子（すなわちプログラム可能なレジスタ）である例えば相変化またはカルコゲニド材料の中で形成される。}

G11C 15/00 一つ以上の特性パーツから成る情報がストアに含まれる。そして、情報がこれらの特性パーツの一つ以上を捜すことによる読み出しであるデジタル・ストア、すなわち関連したか内容を対象にされたストア(情報は、いずれにおいて、特定の場所に申し出られるかG11C 11/00｛アドレス指定手段を使用している選択情報、例えばハッシュ法、木アドレス指定、チェイニングG06F 11/22；コンピュータを使用している情報検索システムG06F 17/30})

G11C 15/02 ・磁性素子を使用すること

G11C 15/04 ・半導体素子を使用すること

G11C 15/043 ・・{容量充電貯蔵素子を使用すること}

G11C 15/046 ・・{非揮発性の貯蔵素子を使用すること}

G11C 15/06 ・低温素子を使用すること

G11C 16/00 消去及びプログラム可能読取り専用記憶装置(G11C 14/00 優位をとる)

G11C 16/02 ・電気的にプログラム可能である{(プログラム可能なマルチビット・デジタル貯蔵素子G11C 11/5621)}

G11C 16/04 ・・可変閾値トランジスタを使用すること、例えば FAMOS

G11C 16/0408 ・・・{上記は、フローティングゲート・トランジスタを含んでいる細胞から成る(G11C 16/0483, G11C 16/0491 優位をとる)}

G11C 16/0416 ・・・・｛単一のフローティングゲート・トランジスタおよびセレクトトランジスタ以外を含んでいる細胞から成ること、例えばUV EPROM}

G11C 16/0425 ・・・・[N.上記は、合併されたフローティングゲートおよびセレクトトランジスタを含んでいる細胞から成る]

G11C 16/0433 ・・・・{上記は、単一のフローティングゲート・トランジスタおよび一つ以上の別々のセレクトトランジスタを含んでいる細胞から成る}

G11C 16/0441 ・・・・｛多数のフローティングゲート装置を含んでいる細胞から成ること、例えば被接続フローティングゲートを有する別々の読出しおよび書込みFAMOSトランジスタ}

G11C 16/045 ・・・・・{PおよびNを有するフローティングゲート・メモリ・セルは、メモリトランジスタを向ける、一般のフローティングゲートを通常共有すること}

G11C 16/0458 ・・・・・{上記は、独立データを格納する複数の独立フローティングゲートから成る(単一のフローティングゲートの2つ以上の安定状態の記憶のためのG11C 11/5621)}

G11C 16/0466 ・・・｛絶縁層の充電ストレージを有する細胞から成ること、例えば MNOS、 SNOS (G11C 16/0483, G11C 16/0491 優位をとる)}

G11C 16/0475 ・・・・{上記は、独立データを格納する複数の独立ストレージ地域から成る(単一のストレージ地域の2つ以上の安定状態の記憶のためのG11C 11/5621)}

G11C 16/0483 ・・・{上記は、直列に接続されるいくつかの記憶トランジスタを有する細胞から成る}

G11C 16/0491 ・・・{仮想地上配列}

G11C 16/06 ・・補助回路、例えばメモリに書くための(一般にG11C 7/00)

G11C 16/08 ・・・アドレス回路；復号器；語線制御回路

G11C 16/10 ・・・プログラミングまたはデータ入力回路

G11C 16/102 ・・・・｛外部プログラム回路、例えばEPROMプログラマ；In-circuitプログラミングまたは再プログラムする；EPROMエミュレータ}

G11C 16/105 ・・・・・｛回路または、特に信頼性が高い置換を確実にする『セキュリティ』機能については、不揮発性メモリの内容を更新する方法すなわち新しいデータが確実に書かれる前に、その旧データを予防することは失われる}

G11C 16/107 ・・・・{全ての細胞を配列でプログラムすること、消えているフラッシュより前の同じ状態に対するセクターまたはブロック}

G11C 16/12 ・・・・回路を切替えているプログラミング電圧

G11C 16/14 ・・・・電気的に消えるための回路、例えば回路を切替えている消去電圧

G11C 16/16 ・・・・・ブロックを消去するための、例えば配列、語、グループ

G11C 16/18 ・・・・光学的に消えるための回路

G11C 16/20 ・・・・初期化すること；予め設定されるデータ；チップ識別

G11C 16/22 ・・・メモリ・セルへの未許可であるか偶然のアクセスを予防している安全性または保護回路

G11C 16/225 ・・・・{抹消を予防すること、電源電圧が必須の範囲の外にある時をプログラムするかまたは読み込むこと}

G11C 16/24 ・・・ビット線制御回路

G11C 16/26 ・・・検知であるか読出回路；データ出力回路

G11C 16/28 ・・・・差動検知であるか参照電池を使用すること、例えばダミー・セル

G11C 16/30 ・・・電源回路

G11C 16/32 ・・・タイミング回路

G11C 16/34 ・・・プログラム・ステータスの測定、例えばAEしきい値、overprogrammingするかまたはunderprogrammingすること、保持

G11C 16/3404 ・・・・{メモリ・セルAEしきい値の収束または修正；overerasedされたかoverprogrammedされた細胞の修理または回復}

G11C 16/3409 ・・・・・｛検出されるovererasedされた不揮発性メモリ・セルを回復する回路または方法は、確認を消す通常手段によって、‖の"柔らかい"プログラム・ステップ}

G11C 16/3413 ・・・・・｛回復する回路または方法は、手段によって、通常プログラムの検証の間、検出される不揮発性メモリ・セルをoverprogrammedした‖の"柔らかい"ステップを消去すること}

G11C 16/3418 ・・・・{妨害防止または評価；妨げられたメモリ・データの中でリフレッシュすること}

G11C 16/3422 ・・・・・{評価する回路または方法は、不揮発性メモリの妨害を読込みまたは書込みを行う、課題を緩和するステップなしで}

G11C 16/3427 ・・・・・{隣接した細胞が読込みまたは書込みを行われるメモリ・セルの状態の妨害を予防するかまたは減らす回路または方法}

G11C 16/3431 ・・・・・｛検出する回路または方法は、不揮発性メモリ・セルを妨げた、例えばプログラム検定出発点未満の出発点によって、以外プログラムされるか、または読まれて読まれる静止画は、より大きい出発点によって、以外消えた消す出発点検査する、そして、再活性化プログラミングまたは消しているステップを経た妨害を逆転させる}

G11C 16/3436 ・・・・{正しいプログラミングまたは抹消を検査するための準備}

G11C 16/344 ・・・・・{正しい抹消を検査するためのまたはovererasedされた細胞を検出するための準備}

G11C 16/3445 ・・・・・・{不揮発性メモリ・セルの正しい抹消を検査する回路または方法}

G11C 16/345 ・・・・・・{検出する回路または方法は、不揮発性メモリ・セルをovererasedした、通常抹消確認の間、}

G11C 16/3454 ・・・・・{正しいプログラミングを検査するためのまたはoverprogrammedされた細胞を検出するための準備}

G11C 16/3459 ・・・・・・{不揮発性メモリ・セルの正しいプログラミングを検査する回路または方法}

G11C 16/3463 ・・・・・・{検出する回路または方法は、不揮発性メモリ・セルをoverprogrammedした、通常プログラムの検証の間、}

G11C 16/3468 ・・・・・｛overerasureまたはoverprogrammingすること防止、例えば消えているかまたは書いているその間中を検査することによって}

G11C 16/3472 ・・・・・・｛消すことは進行中の間、検査する回路または方法は不揮発性メモリ・セルの抹消を修正する、例えば開始または細胞の電流の流れの停止を検出して、抹消を終了するために検出器出力を使用することによって}

G11C 16/3477 ・・・・・・｛不揮発性メモリ・セルの中でovererasingするのを妨げる回路または方法例えば開始または細胞の電流の流れの停止を検出して、消すことを終了する検出器出力を使用することによって}

G11C 16/3481 ・・・・・・｛プログラミングが進行中の間、検査する回路または方法は不揮発性メモリ・セルのプログラミングを修正する、例えば開始または細胞の電流の流れの停止を検出して、プログラミングを終了するために検出器出力を使用することによって}

G11C 16/3486 ・・・・・・｛不揮発性メモリ・セルの中でoverprogrammingするのを妨げる回路または方法例えば開始または細胞の電流の流れの停止を検出して、プログラミングを終了するために検出器出力を使用することによって}

G11C 16/349 ・・・・｛低下（保持またはwearout）を評価するための準備例えば計数することによって、サイクルを消す}

G11C 16/3495 ・・・・・｛不揮発性EPROMまたはEEPROMメモリデバイスのwearoutを検出するかまたは遅延させる回路または方法、例えば数を計数することによって、サイクルを消すかまたは再プログラムする、多数のメモリ領域を用いて連続的にまたは周期的に}

G11C 17/00 プログラム可能な読取り専用記憶装置一度だけ、半永久的なストア、例えば手動で入れ替え可能な情報カード({マルチビット読取り専用記憶装置G11C 11/5692；}消去及びプログラム可能読取り専用記憶装置G11C 16/00；符号化、復号化することまたはコード変換、一般にH03M； {ROMおよびRAMの組合せG11C 11/005, G11C 14/00；内燃機関の電気操作のためのF02D 41/2406})

G11C 17/005 ・｛多数のデータに共通の貯蔵素子で例えば穴をあけられたカード(G11C 17/02, G11C 17/04 優位をとる)}

G11C 17/02 ・磁気または誘導素子を使用すること(G11C 17/14 優位をとる)

G11C 17/04 ・容量性素子を使用すること(G11C 17/06, G11C 17/14 優位をとる)

G11C 17/06 ・ダイオード素子を使用すること(G11C 17/14 優位をとる)

G11C 17/08 ・半導体装置を使用すること、例えば二極式素子(G11C 17/06, G11C 17/14 優位をとる)

G11C 17/10 ・・内容は、いずれにおいて、結合素子の予め定められた配置によって、製造の間、決定されるか例えばマスク・プログラム可能なROM

G11C 17/12 ・・・電界効果装置を使用すること

G11C 17/123 ・・・・{上記は、直列に接続されるいくつかの記憶トランジスタを有する細胞から成る}

G11C 17/126 ・・・・{仮想地上配列}

G11C 17/14 ・内容は、いずれにおいて、結合素子の状態を永久に変えることによって、選択的に決めるか、壊すかまたは結合リンクを修正することで測定されるか例えば PROM

G11C 17/143 ・・{レーザー可融性関連を使用すること}

G11C 17/146 ・・｛追記型メモリ、すなわち追加的なビットを書くことによって、メモリ内容の中で変化することを可能にすること}

G11C 17/16 ・・電気的に可融性関連を使用すること

G11C 17/165 ・・・｛抵抗の変化を引き起こすように電気的にプログラムされるメモリ・セル、例えばヒューズおよびantifusesの非行為変更、へ、あるいは、から、行為よりむしろプログラムされる多数の抵抗ステップができるようにする(抵抗ランダム・アクセス・メモリ素子を使用しているデジタル・ストアG11C 13/0002)}

G11C 17/18 ・・補助回路、例えばメモリに書くための(一般にG11C 7/00)

G11C 19/00 情報が段階を追って移動するデジタル・ストア、例えば送りレジスタ(計数チェーンH03K 23/00){スタック・ストア、プッシュダウン・ストア(線形パルスカウンタH03K 23/02、パルス・ディストリビュータH03K 5/15、データを移すための方法および配置G06F 5/01)}

G11C 19/005 ・{強誘電性素子を有する(コンデンサ)}

G11C 19/02 ・磁性素子を使用すること(G11C 19/14 優位をとる)

G11C 19/04 ・・1つの開口または磁気ループを有する核を使用すること

G11C 19/06 ・・多くの開口または磁気ループを有する構造を使用すること、例えばtransfluxors{laddicである}

G11C 19/08 ・・平面構造の薄膜を使用すること{磁気フィルムを薄くする。そして、装置または方法は同じものを製造するかまたはアセンブルするために特別に適応したH01F 10/00, H01F 41/14}

G11C 19/0808 ・・・{磁区普及を使用すること}

G11C 19/0816 ・・・・{回動であるか交流同一平面上の磁場を使用すること}

G11C 19/0825 ・・・・{可変的な垂直な磁場を使用すること}

G11C 19/0833 ・・・・{磁区相互作用を利用すること}

G11C 19/0841 ・・・・{電流を使用すること}

G11C 19/085 ・・・｛そのための磁場を生成すること、例えば磁区安定化のための同一の磁場(コイル構造H01F 5/00；リフティングマグネットH01F 7/06)}

G11C 19/0858 ・・・｛磁区を生成して、繰り返してまたは絶滅させる（また、磁区の、例えば、異なるタイプから成る"ハードバブル")(G11C 19/0866 優位をとる)}

G11C 19/0866 ・・・{磁区を検出すること(一般に測定するかまたは磁場を検出することG01R 33/02)}

G11C 19/0875 ・・・{複数の磁気送りレジスタの組織(FIFO G06F 5/06； LIFO G06F 7/78)}

G11C 19/0883 ・・・・｛他の経路への1本の経路からのスイッチング磁区のための手段、すなわち転送は、切り替えをする、交換ゲート、磁区を使用している復号器論理回路H03K 19/168}

G11C 19/0891 ・・・・・｛複合型構造を使用すること、例えばイオン・ドープ層}

G11C 19/10 ・・ロッド上の薄膜を使用すること；twistorsを有する

G11C 19/12 ・共振回路の非線形反動的な装置を使用すること、｛例えばパラメトロン；あまりに批判的なフィードバックを有する磁気増幅器}

G11C 19/14 ・能動素子と組み合わせて磁性素子を使用すること、例えば放電管、半導体素子{文書を含まない、仮に見るG11C 19/02 to G11C 19/10}

G11C 19/18 ・段階のメイン素子としてコンデンサを使用すること{コンデンサが、他の素子を有するメイン段階の間に補助段階として用いられるかどうか、後者は、優位をとる； G11C 19/005 優位をとる}

G11C 19/182 ・・｛半導体素子と組み合わせて、例えばバイポーラトランジスタ、ダイオード}

G11C 19/184 ・・・｛電界効果トランジスタについては、例えば MOS-FET}

G11C 19/186 ・・・・｛コンデンサにつき1つのトランジスタだけを使用すること、例えばバケツリレーの列送りレジスタ}

G11C 19/188 ・・・｛多数のシフトの組織は、登録する、例えば再生、タイミング、入出力回路(FIFO G06F 5/06； LIFO G06F 7/78)}

G11C 19/20 ・放電管を使用すること(G11C 19/14 優位をとる)

G11C 19/202 ・・{真空管を有する(G11C 19/207 優位をとる)}

G11C 19/205 ・・{ガス入りの管を有する(G11C 19/207 優位をとる)}

G11C 19/207 ・・{計数管を有する}

G11C 19/28 ・半導体素子を使用すること(G11C 19/14 優位をとる)

G11C 19/282 ・・｛空乏層の充電ストレージで、すなわち電荷結合素子(C.C.D)}

G11C 19/285 ・・・｛周辺回路、例えば第1の段階に書くための；最後の段階の中で読み出すための}

G11C 19/287 ・・{多数の送りレジスタの組織(FIFO G06F 5/06； LIFO G06F 7/78)}

G11C 19/30 ・光電子装置を使用すること、すなわち電気的にまたは光学的に連結される発光で光電装置

G11C 19/32 ・超伝導素子を使用すること

G11C 19/34 ・ステップにより表される2つ以上の安定状態を有する貯蔵素子を使用すること、例えば電圧の、電流、位相、頻度{(RAM multistableな細胞のG11C 11/56；容量アナログ・ストアのG11C 27/04)}

G11C 19/36 ・・使用すること{multistableである}半導体素子

G11C 19/38 ・二次元の、例えば水平および垂直送りレジスタ

G11C 21/00 情報が循環するデジタル・ストア{連続的に}(段階を追ってG11C 19/00)

G11C 21/005 ・{電気遅延線を使用すること(この種の境界の構築H03H 7/30, H03H 11/26)}

G11C 21/02 ・電気機械遅延線を使用すること、例えば水銀タンクを使用すること{この種の境界の構築H03H 9/00}

G11C 21/023 ・・｛ピエゾ電気変換器を使用すること、例えば水銀タンク}

G11C 21/026 ・・｛磁気ひずみトランスデューサを使用すること、例えばニッケル遅延線}

G11C 23/00 効果ストレージに機械式パーツの移動によって、特徴付けられるデジタル・ストア、例えばボールを使用すること；そのための貯蔵素子(接触に作用することによる記憶G11C 11/50)

G11C 25/00 流れるメディアの使用によって、特徴付けられるデジタル・ストア；そのための貯蔵素子{(デジタル動作を実行するための多数の流体回路素子配置F15C 1/12)}

G11C 27/00 電気アナログのストア、例えば格納瞬時値のための{(ストアとして作用している回路を統合することG06G 7/18；段階的な統合および静的記憶装置を有するパルスカウンタH03K 25/00)}

G11C 27/005 ・｛非不安定な充電ストレージで、例えばフローティングゲートまたはMNOS上の}

G11C 27/02 ・サンプルおよび配置(G11C 27/04 優位をとる；サンプリング電気信号、一般にH03K)

G11C 27/022 ・・{磁気メモリ素子を使用すること}

G11C 27/024 ・・{容量メモリ素子を使用すること(G11C 27/04 優位をとる)}

G11C 27/026 ・・・{アンプと関連する(G11C 27/028 優位をとる)}

G11C 27/028 ・・・｛現在のモード回路、例えば切替えられた現在のメモリ}

G11C 27/04 ・送りレジスタ(電荷結合素子それ自体H01L 29/76)

G11C 29/00 正しい動作のためのチェック・ストア； {次の修理}；待機またはオフライン動作の間のテスト・ストア{(電子回路の一般にテストG01R 31/28；通常運転の間のコンピュータ・メモリの誤り検出または誤り訂正G06F 11/1008, G06F 11/1666；待機の間のコンピュータのテストG06F 11/22)}

G11C 29/003 ・{連続メモリの}

G11C 29/006 ・｛ウェーハ・スケール・レベルで、すなわち WSI (製造の間の試験および構成のためのH01L 22/00)}

G11C 29/02 ・検出または不完全な補助回路の位置、例えば不完全なリフレッシュカウンタ

G11C 29/021 ・・{電圧または電流発生器の}

G11C 29/022 ・・{iの/O回路}

G11C 29/023 ・・{クロック・ジェネレータまたはタイミング回路の}

G11C 29/024 ・・{復号器の}

G11C 29/025 ・・{信号回線の}

G11C 29/026 ・・{感度増幅器で}

G11C 29/027 ・・{ヒューズの}

G11C 29/028 ・・{パラメータの適合またはトリミングを有する}

G11C 29/04 ・検出または不完全なメモリ素子の位置、｛例えば細胞constructio詳細、テスト信号のタイミング}

G11C 29/06 ・・加速テスト

G11C 29/08 ・・機能的なテスト、例えばリフレッシュの間のテスト、電源投入自己テスト(POST)または分散テスト

G11C 29/10 ・・・試験アルゴリズム、例えばメモリは、（MScan）アルゴリズムを走査する、テストパターン、例えばチェッカーボードパターン

G11C 29/12 ・・・テストのための内蔵型配置、例えば内蔵型自己テスト(BIST) {または相互接続詳細}

G11C 29/12005 ・・・・{上記は、電圧または電流発生器から成る}

G11C 29/1201 ・・・・{上記は、iから成る/O回路}

G11C 29/12015 ・・・・{上記は、時計生成またはタイミング回路から成る}

G11C 29/14 ・・・・制御ロジックの実施態様、例えばテストモード復号器

G11C 29/16 ・・・・・マイクロプログラムを組み込まれた装置を使用すること、例えば状態装置

G11C 29/18 ・・・・アドレス生成装置、メモリにアクセスする装置、例えばアドレス指定回路の詳細

G11C 29/20 ・・・・・カウンタまたは線形フィードバック送りレジスタを使用すること(LFSR)

G11C 29/22 ・・・・・連続メモリにアクセスすること

G11C 29/24 ・・・・・余分の電池にアクセスすること、例えばダミー・セルまたは冗長な細胞

G11C 29/26 ・・・・・多数の配列にアクセスすること(G11C 29/24 優位をとる)

G11C 29/28 ・・・・・・従属する多数の配列、例えばマルチビット配列

G11C 29/30 ・・・・・一つの配列にアクセスすること

G11C 29/32 ・・・・・・連続アクセス；走査テスト

G11C 29/34 ・・・・・・同時に多数のビットにアクセスすること

G11C 29/36 ・・・・データ生成装置、例えばデータインバータ

G11C 29/38 ・・・・反応確認装置

G11C 29/40 ・・・・・圧縮技術を使用すること

G11C 29/42 ・・・・・誤り訂正符号を使用すること(ECC)または奇偶検査

G11C 29/44 ・・・・徴候またはエラーの識別、例えば修理のための

G11C 29/4401 ・・・・・{自己修理のための}

G11C 29/46 ・・・・試験トリガー論理

G11C 29/48 ・・・ストアに外部の手段によって、特別にテストに適応する静的ストアの準備、例えば直接記憶アクセスを使用すること(DMA)または補助アクセス経路を使用すること(外部テスト器材G11C 29/56)

G11C 29/50 ・・重要でないテスト、例えばレース、電圧または現在のテスト

G11C 29/50004 ・・・{AEしきい値の}

G11C 29/50008 ・・・{インピーダンスの}

G11C 29/50012 ・・・{タイミングの}

G11C 29/50016 ・・・{保持の}

G11C 29/52 ・メモリ内容の保護；メモリ内容におけるエラーの検出

G11C 29/54 ・テスト回路を設計するための準備、例えば試験のための設計(DFT)ツール

G11C 29/56 ・静的ストアのための外部テスト器材、例えば自動試験装置(ATE)；そのためのインタフェース

G11C 29/56004 ・・{パターン生成}

G11C 29/56008 ・・{エラー分析、エラーの表現}

G11C 29/56012 ・・{タイミング態様、時計生成、同期化}

G11C 29/56016 ・・{装置機能}

G11C 29/70 ・{予備を用いてまたは変更することによるメモリのマスキング欠陥}

G11C 29/702 ・・｛補助回路を交換することによって、例えば予備電圧発生器、復号器または感度増幅器、不完全である代わりに使い古したものである}

G11C 29/72 ・・{最適化された交替アルゴリズムを有する}

G11C 29/74 ・・｛二重メモリを使用すること、すなわち二重コピーを使用すること}

G11C 29/76 ・・{アドレス翻訳または変更態様を使用すること}

G11C 29/765 ・・・{固体ディスクの}

G11C 29/78 ・・{プログラム可能な装置を使用すること}

G11C 29/781 ・・・{冗長な復号器に組み込まれる}

G11C 29/783 ・・・｛交替細胞のリフレッシュについては、例えばDRAMの}

G11C 29/785 ・・・{冗長プログラム計画を有する}

G11C 29/787 ・・・・{ヒューズ階層を使用すること(一般にヒューズを使用しているメモリのためのG11C 17/16)}

G11C 29/789 ・・・・{非揮発性の細胞またはラッチを使用すること(消去可能なプログラム可能なメモリ・セル一般にG11C 16/00)}

G11C 29/80 ・・・{改良されたレイアウトを有する}

G11C 29/802 ・・・・{冗長信号をコード化することによって}

G11C 29/804 ・・・・{集まられた誤りを予防する}

G11C 29/806 ・・・・{復号器の容積を減らすことによって}

G11C 29/808 ・・・・{可撓性交替計画を使用すること}

G11C 29/81 ・・・・{階層的な冗長計画を使用すること}

G11C 29/812 ・・・・{ヒューズの減少する量を使用すること}

G11C 29/814 ・・・・{最適化された産出高のための}

G11C 29/816 ・・・・{アプリケーションに特有のレイアウトのための}

G11C 29/818 ・・・・・{ジュアル・ポート・メモリのための}

G11C 29/82 ・・・・・{EEPROMのための}

G11C 29/822 ・・・・・{リードオンリーメモリのための}

G11C 29/824 ・・・・・{同期式メモリのための}

G11C 29/83 ・・・{減少するパワー消費量を有する}

G11C 29/832 ・・・・{不完全な素子の切断を有する}

G11C 29/835 ・・・{冗長な置換のための点呼装置を有する}

G11C 29/838 ・・・{不完全な予備の置換を有する}

G11C 29/84 ・・・{改良されたアクセス時間または安定性を有する}

G11C 29/842 ・・・・{信号経路の遅れを導くことによって}

G11C 29/844 ・・・・{復号器を段階に分割することによって}

G11C 29/846 ・・・・{出力段で冗長な線を選択することによって}

G11C 29/848 ・・・・{隣接したスイッチングによって}

G11C 29/86 ・・｛連続アクセス・メモリで、例えば送りレジスタ、 CCDs、バブル記憶装置}

G11C 29/88 ・・{部分的に良いメモリを有する}

G11C 29/883 ・・・｛減少する容量を有する単一の不完全なメモリデバイスを使用する例えば半分の容量}

G11C 29/886 ・・・｛隣接するアドレス範囲を提供するために複数の不完全なメモリデバイスを結合する例えば1台のデバイスは、他の装置の不完全なブロックを交換するために働くブロックを提供する}

G11C 99/00 このサブクラスの他の群において、提供されない内容

G11C 2013/00 グループにより適用されられない貯蔵素子の使用によって、特徴付けられるデジタル・ストアG11C 11/00, G11C 23/00 to G11C 25/00

G11C 2013/0002 ・{抵抗ランダム・アクセス・メモリを使用すること[RRAM}素子]

G11C 2013/0021 ・・{補助回路}

G11C 2013/004 ・・・{読出であるか検知回路または方法}

G11C 2013/0042 ・・・・差動に検出することを使用している読むこと、例えばビット線(BL)そして、ビット線棒(BLB)

G11C 2013/0045 ・・・・細胞を流れる読み込まれた使用している電流

G11C 2013/0047 ・・・・データを破壊するかまたは妨げることを読み込む

G11C 2013/005 ・・・・電位差を使用している読むことは、細胞電極の間であてはまった

G11C 2013/0052 ・・・・形状によって、特徴づけられる読み込まれた方法、例えば調子、長さ、読み込まれたパルスの振幅

G11C 2013/0054 ・・・・読むことは、基準素子に実行される、例えば細胞、そして、参照は値が選択セルの検出された値を比較するために用いることを感知した

G11C 2013/0057 ・・・・2つのステップでされる読むこと、例えばそこにおいて、細胞は二回読み込まれる。そして、2つの読むことのうちの1つは参照値として役立つことを評価する

G11C 2013/0064 ・・・{回路または方法を検査すること}

G11C 2013/0066 ・・・・書くことは進行中の間、正しい書込を検査する、例えば開始または細胞の電流の流れの停止を検出して、書くことを終了するために検出器出力を使用することによって

G11C 2013/0069 ・・・{書込であるかプログラム回路または方法}

G11C 2013/0071 ・・・・使用することはアクセス装置ゲートに適用される可能性を書くと書く

G11C 2013/0073 ・・・・双方向性細胞を使用する付勢することを書く

G11C 2013/0076 ・・・・読み込まれた結果に従い実行される書込み操作

G11C 2013/0078 ・・・・細胞を流れる電流を使用することを書く

G11C 2013/008 ・・・・メモリ材料の環境の熱を発生させることによって、書く、例えばthermowrite

G11C 2013/0083 ・・・・初期化することを実行するために、書く、形成工程、電子フォーミング（成形）または調節

G11C 2013/0085 ・・・・同時にページまたは情報のセクターを書く、例えば完全な列または語線

G11C 2013/0088 ・・・・複数の細胞を同時に書くと共に、書く

G11C 2013/009 ・・・・細胞電極の間で適用される電位差を使用することを書く

G11C 2013/0092 ・・・・形状によって、特徴づけて書く、例えば調子、長さ、振幅の書き込むパルス

G11C 2013/0095 ・・・・誘発される緊張を使用することを書く、例えば圧電性である、熱効果

G11C 2029/00 正しい動作のためのチェック・ストア； {次の修理}；待機またはオフライン動作の間のテスト・ストア{(電子回路の一般にテストG01R 31/28；通常運転の間のコンピュータ・メモリの誤り検出または誤り訂正G06F 11/1008, G06F 11/1666；待機の間のコンピュータのテストG06F 11/22)}

G11C 2029/04 ・検出または不完全なメモリ素子の位置、｛例えば細胞constructio詳細、テスト信号のタイミング}

G11C 2029/0401 ・・組込形メモリの

G11C 2029/0403 ・・製造するフィードバックの間、またはを有する

G11C 2029/0405 ・・上記は、完全な試験ループから成る

G11C 2029/0407 ・・動いている力上の

G11C 2029/0409 ・・オンライン試験

G11C 2029/0411 ・・オンライン誤り訂正

G11C 2029/08 ・・機能的なテスト、例えばリフレッシュの間のテスト、電源投入自己テスト(POST)または分散テスト

G11C 2029/12 ・・・テストのための内蔵型配置、例えば内蔵型自己テスト(BIST) {または相互接続詳細}

G11C 2029/1202 ・・・・語線制御

G11C 2029/1204 ・・・・ビット線制御

G11C 2029/1206 ・・・・チップまたはウェーハ上の試験回路の位置

G11C 2029/1208 ・・・・エラー・キャッチ・メモリ

G11C 2029/18 ・・・・アドレス生成装置、メモリにアクセスする装置、例えばアドレス指定回路の詳細

G11C 2029/1802 ・・・・・アドレスデコーダ

G11C 2029/1804 ・・・・・語長の操作

G11C 2029/1806 ・・・・・アドレス転換またはマッピング、すなわち物理アドレスに論理的である

G11C 2029/26 ・・・・・多数の配列にアクセスすること(G11C 29/24 優位をとる)

G11C 2029/2602 ・・・・・・並列の試験

G11C 2029/30 ・・・・・一つの配列にアクセスすること

G11C 2029/3202 ・・・・・・走査チェーン

G11C 2029/36 ・・・・データ生成装置、例えばデータインバータ

G11C 2029/3602 ・・・・・パターン・ジェネレータ

G11C 2029/38 ・・・・反応確認装置

G11C 2029/40 ・・・・・圧縮技術を使用すること

G11C 2029/4002 ・・・・・・製品の比較、すなわちチップのまたは金色のチップを有する試験結果

G11C 2029/4402 ・・・・試験結果の内部記憶、良質なデータ、チップ識別、修理情報

G11C 2029/50 ・・重要でないテスト、例えばレース、電圧または現在のテスト

G11C 2029/5002 ・・・特徴

G11C 2029/5004 ・・・電圧

G11C 2029/5006 ・・・電流

G11C 2029/56 ・静的ストアのための外部テスト器材、例えば自動試験装置(ATE)；そのためのインタフェース

G11C 2029/5602 ・・被試験デバイスに対するインタフェース

G11C 2029/5604 ・・エラー情報の表示

G11C 2029/5606 ・・エラー・キャッチ・メモリ

G11C 2207/00 情報を書き込むための配置に関する索引作業計画、または情報を外へ読み込むこと、デジタル・ストア

G11C 2207/002 ・隔離ゲート、すなわち感度増幅器に対するゲート結合ビット線

G11C 2207/005 ・トランスファーゲート、すなわち感覚増幅器出力端をデータ・ラインに連結しているゲート、 I/O線または大域的ビット線。

G11C 2207/007 ・レジスタアレイ

G11C 2207/06 ・感度増幅器関連した態様

G11C 2207/061 ・・感度増幅器は、アドレス移行によって、検出関連した制御信号を可能にした

G11C 2207/063 ・・電流センス増幅器

G11C 2207/065 ・・感度増幅器ドライバ

G11C 2207/066 ・・タイプ感度増幅器を読み込んでいる頻度

G11C 2207/068 ・・積算器タイプ感度増幅器

G11C 2207/10 ・外部バスに対するメモリデバイスのインタフェースに関する態様

G11C 2207/101 ・・アナログであるか多平面バス

G11C 2207/102 ・・記憶の前のデータの圧縮または減圧法

G11C 2207/104 ・・組込形メモリデバイス、例えば同じ型またはASICメモリ・デザイン上の処理デバイスを有するメモリ

G11C 2207/105 ・・態様は、パッドに関した、ピンまたは端末

G11C 2207/107 ・・データまたは先取りの連続平行転換

G11C 2207/108 ・・広いデータ・ポート

G11C 2207/12 ・ビット線の同等化

G11C 2207/16 ・固体オーディオ(非難される、歴史的な理由の用途にだけ、、 G06F 3/16, G11B)

G11C 2207/22 ・制御および内部メモリ動作のタイミング

G11C 2207/2209 ・・並列の読出しおよび書込み(マルチポート・メモリのためのG11C 7/1075)

G11C 2207/2218 ・・遅く、書く

G11C 2207/2227 ・・待機または低電力モード

G11C 2207/2236 ・・コピー

G11C 2207/2245 ・・内部キャッシュバッファを有するメモリデバイス

G11C 2207/2254 ・・較正

G11C 2207/2263 ・・条件つきで書く、例えば新しいデータおよび旧データが異なる場合だけ、

G11C 2207/2272 ・・待ち時間関連した態様

G11C 2207/2281 ・・読込み操作のタイミング(感度増幅器タイミングG11C 7/06, G11C 7/08)

G11C 2207/229 ・・書込み操作のタイミング(感度増幅器タイミングG11C 7/06, G11C 7/08)

G11C 2211/00 特定の電気であるか磁気貯蔵素子の使用によって、特徴づけられるデジタル・ストアに関する索引作業計画；そのための貯蔵素子

G11C 2211/401 ・再活性化または充電再生を必要としている細胞に関する索引作業計画、すなわちダイナミック・セル

G11C 2211/4013 ・・ビットにつき多数の細胞を有するメモリデバイス、例えば対の細胞

G11C 2211/4016 ・・シリコン−オン−絶縁物細胞を有するメモリデバイス

G11C 2211/406 ・・ダイナミック・セルの中でリフレッシュすること

G11C 2211/4061 ・・・較正、または、チューニング食べる‖または循環させる‖

G11C 2211/4062 ・・・リフレッシュ動作の等価またはECC

G11C 2211/4063 ・・・はさまれたリフレッシュ動作

G11C 2211/4065 ・・・リフレッシュ動作の低レベル詳細

G11C 2211/4066 ・・・疑似SRAM

G11C 2211/4067 ・・・待機または低電力モードにおいて、リフレッシュする。

G11C 2211/4068 ・・・リフレッシュ動作の電圧または漏出

G11C 2211/56 ・計画にインデックスを付けることG11C 11/56 そして、これらのグループにより適用されられない特徴のためのサブグループ

G11C 2211/561 ・・多平面メモリ・セル態様

G11C 2211/5611 ・・・複数のコントロールゲートを有する多平面メモリ・セル

G11C 2211/5612 ・・・複数のフローティングゲートを有する多平面メモリ・セル

G11C 2211/5613 ・・・追加ゲートを有する多平面メモリ・セル、浮きまだらまたはコントロールゲートでないこと

G11C 2211/5614 ・・・陰抵抗体から成る多平面メモリ・セル、量子トンネリングまたは反響トンネル効果素子

G11C 2211/5615 ・・・非磁気非実行している中間の層を使用している多平面磁気メモリ・セル、例えば MTJ

G11C 2211/5616 ・・・非磁気実行している中間の層を使用している多平面磁気メモリ・セル、例えば GMR、 SV、 PSV

G11C 2211/5617 ・・・ソースによって、プログラムされる多平面ROM細胞、接触しているドレインまたはゲート

G11C 2211/562 ・・多平面メモリ・プログラム態様

G11C 2211/5621 ・・・多平面プログラム確認

G11C 2211/5622 ・・・複数の細胞の並列の多平面プログラミング

G11C 2211/5623 ・・・並列の多平面プログラミングおよび読み込み

G11C 2211/5624 ・・・並列の多平面プログラムでプログラム確認

G11C 2211/5625 ・・・自己収束している多平面プログラミング

G11C 2211/563 ・・態様を読み込んでいる多平面メモリ

G11C 2211/5631 ・・・複数の細胞の並列の多平面読み込み

G11C 2211/5632 ・・・連続した近似値を使用している多平面読み込み

G11C 2211/5633 ・・・混合並列の連続多平面読み込み

G11C 2211/5634 ・・・対照セル

G11C 2211/564 ・・雑多な態様

G11C 2211/5641 ・・・記憶レベルの異なる数を有する細胞を有する多平面メモリ

G11C 2211/5642 ・・・バッファを有する多平面メモリ、ラッチ、入力または出力のレジスタ

G11C 2211/5643 ・・・キャッシュ記憶装置を備えた多平面メモリ

G11C 2211/5644 ・・・計数装置を備えた多平面メモリ

G11C 2211/5645 ・・・電流ミラー装置を有する多平面メモリ

G11C 2211/5646 ・・・フラグ・ビットを有する多平面メモリ例えばそれを示すための‖"第1のページ"線がプログラムされる語の"第2のページ"

G11C 2211/5647 ・・・ビット逆転装置を有する多平面メモリ

G11C 2211/5648 ・・・多平面メモリ・プログラミング、命令または動作のシーケンスが関連する動作を読み込むかまたは消すこと

G11C 2211/5649 ・・・プレート線または層を有する多平面メモリ、例えばプログラミング電圧低下させる

G11C 2211/565 ・・・素子を３倍の井戸構造に含んでいる多平面メモリ

G11C 2213/00 計画にインデックスを付けることG11C 13/00 このグループにより適用されられない特徴のための

G11C 2213/10 ・電気抵抗細胞；技術態様

G11C 2213/11 ・・金属イオン捕獲、すなわち空腔を含んでいるメモリ材料を使用すること、トンネルの形状または金属イオンが閉じ込められることができてが、反応しなくて、フィラメントまたは樹枝状結晶を作成している電着物を形成するチャネルの孔またはスペース

G11C 2213/12 ・・すなわち書込み操作の間、電極または他の層によって、与えられるメモリ材料捕獲非金属イオンを使用して、非金属イオン捕獲例えば捕獲、ドーピング

G11C 2213/13 ・・分離、すなわち分子を含んでいるメモリ材料を使用するそれ、書込み操作の間、、メモリ材料において、更に移住するイオンにおいて、分離される

G11C 2213/14 ・・記憶状態としての異なる分子構造の使用、例えば回転している分子の一部

G11C 2213/15 ・・現在の電圧カーブ

G11C 2213/16 ・・ナノチューブであるメモリ・セル、例えば懸架されたナノチューブ

G11C 2213/17 ・・ナノワイヤトランジスタであるメモリ・セル

G11C 2213/18 ・・放射構成を有するナノワイヤであるメモリ・セル

G11C 2213/19 ・・少なくともナノワイヤおよび2台の端末だけから成っているメモリ・セル

G11C 2213/30 ・電気抵抗細胞、メモリ材料態様

G11C 2213/31 ・・合成の金属酸化物を有する材料、例えばペロブスカイト構造

G11C 2213/32 ・・単純なバイナリの金属酸化物構造を有する材料

G11C 2213/33 ・・シリコンを含んでいる材料

G11C 2213/34 ・・材料は、酸化物または窒化を含む

G11C 2213/35 ・・カーボンを含んでいる材料例えば黒鉛、書記素

G11C 2213/50 ・電気抵抗細胞構造態様

G11C 2213/51 ・・移動を予防しているかまたは制限しているバリヤー層を含んでいる構造、イオンまたは負担の拡散または電極の近くの電解質の形成

G11C 2213/52 ・・電極材料によって、特徴づけられる構造、形状、その他。

G11C 2213/53 ・・そこにおいて、トランジスタにおいて、ある抵抗性材料を構築する、例えばゲート

G11C 2213/54 ・・トンネル効果バリヤー層を含んでいる構造、トンネル障壁伝導率の変更態様を意味しているメモリ効果

G11C 2213/55 ・・2本の電極を含んでいる構造、受動的であるかソースまたは貯水池層またはよりドーピングしたでないメモリ活動層でありえるメモリ活動層および少なくとも2枚の他の層

G11C 2213/56 ・・2本の電極を含んでいる構造、電極でないメモリ活動層およびいわゆる受動的であるかソースまたは貯水池層、そこにおいて、受動的であるかソースまたは貯水池層は、そこで罠にかけられるだけのメモリ活動層において、その後移住するイオンの供給源である、伝導性のそこのフィラメントを形成するかまたはレドックス方法のメモリ活動層の材料とともに化学反応する

G11C 2213/70 ・電気抵抗配列態様

G11C 2213/71 ・・3つの次元の配列

G11C 2213/72 ・・そこにおいて、ダイオードであるアクセス装置を配列する

G11C 2213/73 ・・アクセス装置が機能するところを配列する、例えばダイオード機能、メモリ素子の機能を記憶することに合併されること

G11C 2213/74 ・・各々のメモリ・セルがアクセス複数の装置を備えている配列

G11C 2213/75 ・・NANDを有することは成ることを構築する配列、例えば、直列にメモリ・セルまたはメモリ素子直列に、アクセス・トランジスタと並列のメモリ・セルであるメモリ素子

G11C 2213/76 ・・各セルのアクセス装置を使用している配列どの存在トランジスタ、そして、ダイオード

G11C 2213/77 ・・直接ビット線に接続しているメモリ素子およびいずれのないでも語線が使用されている装置にアクセスする配列

G11C 2213/78 ・・グループのメモリ・セルがアクセス装置を共有する配列、対向電極を有するグループおよび語線の一部でないアクセス装置の全てのメモリ・セルまたは1ビットのライン駆動回路

G11C 2213/79 ・・そこにおいて、トランジスタであるアクセス装置を配列する

G11C 2213/80 ・・そこにおいて、下地を配列する、細胞、導体およびアクセス装置は、全て有機材料から成り立つ

G11C 2213/81 ・・そこにおいて、配列導体を配列する、例えば語線、ビット線、ナノワイヤでできている

G11C 2213/82 ・・有することを配列する、電池にアクセスするための、語線、異なる可能性を受信しているビット線および皿またはソース線

G11C 2216/00 計画にインデックスを付けることG11C 16/00 そして、サブグループ、これらのグループによって、直接適用されられない特徴のための

G11C 2216/02 ・消去及びプログラム可能読取り専用記憶装置の構造上の態様

G11C 2216/04 ・・細胞を消すための別々のコントロールゲートを備えている不揮発性メモリ・セル、すなわち消去ゲート、通常の読み込まれたコントロールゲートから独立している

G11C 2216/06 ・・フローティングゲートが多数の単離されたシリコン島から成るフローティングゲート細胞、例えばナノクリスタル

G11C 2216/08 ・・データ収納部が比較的少ない電子を記憶層に格納することにより達成される不揮発性メモリ、すなわち一つの電子メモリ

G11C 2216/10 ・・単一のポリシリコン層を有するフローティングゲート・メモリ・セル

G11C 2216/12 ・消去及びプログラム可能読取り専用記憶装置の態様を読込み及び書込みを行うこと

G11C 2216/14 ・・不揮発性メモリに同時にページまたは情報のセクターを書く回路または方法、概してフラッシュメモリの完全な列または語線

G11C 2216/16 ・・配列の全てのセルのフラッシュ・プログラミング、セクターまたはブロック同時に

G11C 2216/18 ・・配列の全てのセルのフラッシュ抹消、セクターまたはブロック同時に

G11C 2216/20 ・・それの他の細胞を読み込むためにプログラムするかまたは配列のセルを消すことの中止

G11C 2216/22 ・・他のバンクまたは配列の語またはセクターが消されているかまたは同時にプログラムされている間、読み込みがあることができる不揮発性メモリは1つのメモリバンクまたは配列から外へ持ち運んだ

G11C 2216/24 ・・他のバンクまたは配列の語またはセクターが同時に消されている間、プログラミングがあることができる不揮発性メモリは1つのメモリバンクまたは配列を中で実行した

G11C 2216/26 ・・昔のプログラマブル[OTP]であるのに適しているフローティングゲート・メモリ、例えば上記は、限られた最新版能力ができるようにしている多数のOTPブロックを含む

G11C 2216/28 ・・逆のプログラミングによって、プログラムされるフローティングゲート・メモリ、例えば負のゲート電圧によって、プログラムされて、陽ゲート電圧により消されてまたは高いソースまたはドレイン電圧によって、プログラムされて、高いゲート電圧により消される

G11C 2216/30 ・・アドレスまたはデータを送信するかまたは受信するシリアルインターフェースを用いて入出力ピンの数の減少、すなわち連続アクセス・メモリ

G11C 2229/00 正しい動作のためのストアを点検することに関する索引作業計画、待機またはオフライン動作の間の次の修理またはテスト・ストア

G11C 2229/70 ・計画にインデックスを付けることG11C 29/70、冗長修理の実施態様のための

G11C 2229/72 ・・冗長情報の位置

G11C 2229/723 ・・・修理される磁心の部分に格納される冗長情報。

G11C 2229/726 ・・・メモリに外側からロードされる冗長情報

G11C 2229/74 ・・修理がされる時間

G11C 2229/743 ・・・包装の後、

G11C 2229/746 ・・・その後に、包装

G11C 2229/76 ・・修理のために使用する記憶技術

G11C 2229/763 ・・・Ｅヒューズ、例えば電気ヒューズまたはantifuses、フローティングゲート・トランジスタ

G11C 2229/766 ・・・レーザー・ヒューズ