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H03K　パルス・テクニック(測定パルス特徴G01R；電気入力を有する機械式カウンタG06M；情報記憶装置一般にG11；電気アナログのストアのサンプルおよび準備G11C 27/02；接触をすることを含んでいるスイッチおよびパルスの生成のための柔布の構造、例えば可動磁石を用いて、 H01H；電力の静的転換H02M；非スイッチング方法で作動する能動素子を使用している回路による振動の生成H03B；パルスを有する正弦波振動を調整することH03C, H04L；重要になっているパルスを含んでいる弁別回路H03D；生成プログラムの自動制御H03L；始まること、生成プログラムのタイプが無関係であるか明らかでない生成プログラムの同期化または安定化H03L；符号化、復号化することまたはコード変換一般にH03M)

H03K 3/00 電気的なパルスを起こすための回路；単安定である、双安定であるかmultistableな回路(H03K 4/00 優位をとる；ディジタル計算機のためのG06F 1/025, {G06F 1/04})

H03K 3/01 ・詳細

H03K 3/011 ・・物理的な値における変化を補償する生成プログラムの変更態様、例えば電圧、温度{(エネルギーを一定に保つH03K 3/015)}

H03K 3/012 ・・ステップ応答時間を改良するかまたはパワー消費量を減少させる生成プログラムの変更態様

H03K 3/013 ・・ノイズまたは干渉によって、動作を予防する生成プログラムの変更態様

H03K 3/014 ・・振動の中で始まることを確実にする生成プログラムの変更態様

H03K 3/015 ・・エネルギーを一定に保つ生成プログラムの変更態様

H03K 3/017 ・・幅の調整またはパルスのdutycycle(パルス幅変調H03K 7/08； {エネルギーを一定に保つH03K 3/015})

H03K 3/02 ・回路のタイプによって、またはパルスをもたらすために使用する手段によって、特徴付けられる生成プログラム(H03K 3/64 to H03K 3/84 優位をとる)

H03K 3/021 ・・素子または手段の複数のタイプの中で、能動素子として、使用によって例えばBIMOS、複合装置（例えばIGBT）

H03K 3/023 ・・差動増幅器またはコンパレータの使用によって、内部であるか外部の正のフィードバックを有する

H03K 3/0231 ・・・非安定回路{H03K 3/0315 優位をとる}

H03K 3/02315 ・・・・{出力の安定化、例えば水晶を使用すること}

H03K 3/0232 ・・・単安定回路

H03K 3/0233 ・・・双安定回路

H03K 3/02332 ・・・・{マスター・スレーブ・タイプの}

H03K 3/02335 ・・・・{信頼性を増やすための手段を備えている；保護のための；予め定められた最初のステートに供給電圧が印加された時を保証するための；供給電圧が衰える現状を格納するための(各々不安定で非不安定な記憶特性を結合しているデジタル記憶セルG11C 14/00)}

H03K 3/02337 ・・・・{ヒステリシスを有するバイステーブル、例えばシュミットトリガ素子(非再生する振幅識別者G01R 19/165)}

H03K 3/0234 ・・・Multistableな回路

H03K 3/027 ・・論理回路の使用によって、内部であるか外部の正のフィードバックを有する

H03K 3/03 ・・・非安定回路

H03K 3/0307 ・・・・{出力の安定化、例えば水晶を使用すること}

H03K 3/0315 ・・・・{リング発振器}

H03K 3/0322 ・・・・・{差動電池を有する}

H03K 3/033 ・・・単安定回路

H03K 3/037 ・・・双安定回路

H03K 3/0372 ・・・・{マスター・スレーブ・タイプの}

H03K 3/0375 ・・・・{信頼性を増やすための手段を備えている；保護のための；予め定められた最初のステートに供給電圧が印加された時を保証するための；供給電圧が衰える現状を格納するための(各々不安定で非不安定な記憶特性を結合しているデジタル記憶セルG11C 14/00)}

H03K 3/0377 ・・・・{ヒステリシスを有するバイステーブル、例えばシュミットトリガ素子(非再生する振幅識別者G01R 19/165)}

H03K 3/038 ・・・Multistableな回路

H03K 3/04 ・・使用によって、能動素子として、真空管だけの、正のフィードバックを有する(H03K 3/023, H03K 3/027 優位をとる)

H03K 3/05 ・・・フィードバックのためのトランス以外の手段を使用すること

H03K 3/06 ・・・・1の入力がもう一方の出力に由来するように、連結される少なくとも2本のチューブを使用すること、例えばマルチバイブレータ

H03K 3/08 ・・・・・astableである

H03K 3/09 ・・・・・・出力の安定化

H03K 3/10 ・・・・・単安定である

H03K 3/12 ・・・・・双安定である

H03K 3/13 ・・・・・・ヒステリシスを有するバイステーブル、例えばシュミットトリガ素子

H03K 3/14 ・・・・・multistableである

H03K 3/16 ・・・フィードバックのためのトランスを使用すること、例えば飽和可能な核を有するブロッキング発振器

H03K 3/22 ・・・・特別に振幅比較に適している、すなわちMultiar

H03K 3/26 ・・使用によって、能動素子として、内部であるか外部の正のフィードバックを有するバイポーラトランジスタの(H03K 3/023, H03K 3/027 優位をとる)

H03K 3/28 ・・・フィードバックのためのトランス以外の手段を使用すること

H03K 3/281 ・・・・1の入力がもう一方の出力に由来するように、連結される少なくとも2つのトランジスタを使用すること、例えばマルチバイブレータ

H03K 3/282 ・・・・・astableである

H03K 3/2821 ・・・・・・{コンデンサを用いてお互いに接続しているエミッタ}

H03K 3/2823 ・・・・・・{同じ伝導率タイプの2つの活性トランジスタを使用すること(H03K 3/2821 優位をとる)}

H03K 3/2825 ・・・・・・・{非対称の回路構成の}

H03K 3/2826 ・・・・・・{補完的なタイプの2つの活性トランジスタを使用すること(H03K 3/2821 優位をとる)}

H03K 3/2828 ・・・・・・・{非対称の回路構成の}

H03K 3/283 ・・・・・・出力の安定化｛例えば水晶を使用すること}

H03K 3/284 ・・・・・単安定である

H03K 3/286 ・・・・・双安定である

H03K 3/2865 ・・・・・・{予め定められたイニシャルを確実にすることは、供給電圧がいつ印加されたかについて告示する；供給電圧が衰える現状を格納すること(各々不安定で非不安定な記憶特性を結合しているデジタル記憶セルG11C 14/00)}

H03K 3/287 ・・・・・・フィードバック回路の追加トランジスタを使用すること(H03K 3/289 優位をとる)

H03K 3/288 ・・・・・・入力回路の追加トランジスタを使用すること(H03K 3/289 優位をとる)

H03K 3/2885 ・・・・・・・差動の構成を有する入力回路

H03K 3/289 ・・・・・・マスター・スレーブ・タイプの

H03K 3/2893 ・・・・・・ヒステリシスを有するバイステーブル、例えばシュミットトリガ素子

H03K 3/2897 ・・・・・・・差動の構成の入力回路を有する

H03K 3/29 ・・・・・multistableである

H03K 3/30 ・・・フィードバックのためのトランスを使用すること、例えばブロッキング発振器

H03K 3/313 ・・使用によって、能動素子として、2本の電極を有する半導体装置の、1、2潜在的ジャンプ・バリア、そして、負の抵抗特徴を呈すること

H03K 3/315 ・・・トンネルダイオードである装置

H03K 3/33 ・・使用によって、能動素子として、穴記憶または強化効果を呈している半導体装置の

H03K 3/335 ・・使用によって、能動素子として、2本以上の電極および呈している雪崩効果を有する半導体装置の

H03K 3/35 ・・使用によって、能動素子として、2つ以上のpn接合を有する二極式半導体装置の、または3本以上の電極、または同じ伝導率領域に接続している複数の電極(H03K 3/023, H03K 3/027 優位をとる)

H03K 3/351 ・・・単接合トランジスタである装置(H03K 3/352 優位をとる)

H03K 3/352 ・・・サイリスタである装置

H03K 3/3525 ・・・・陽極ゲート・サイリスタまたはプログラム可能な単接合トランジスタ

H03K 3/353 ・・使用によって、能動素子として、内部であるか外部の正のフィードバックを有する電界効果トランジスタの(H03K 3/023, H03K 3/027 優位をとる)

H03K 3/354 ・・・非安定回路

H03K 3/3545 ・・・・{出力の安定化、例えば水晶を使用すること}

H03K 3/355 ・・・単安定回路

H03K 3/356 ・・・双安定回路

H03K 3/356008 ・・・・{予め定められたイニシャルを確実にすることは、供給電圧がいつ印加されたかについて告示する；供給電圧が衰える現状を格納すること(各々不安定で非不安定な記憶特性を結合しているデジタル記憶セルG11C 14/00)}

H03K 3/356017 ・・・・{入力回路の追加トランジスタを使用すること(H03K 3/356104, H03K 3/3562 優位をとる)}

H03K 3/356026 ・・・・・{同期作業を有する(H03K 3/356034, H03K 3/356052 優位をとる)}

H03K 3/356034 ・・・・・{差動の構成を有する入力回路}

H03K 3/356043 ・・・・・・{同期作業を有する}

H03K 3/356052 ・・・・・{パス・ゲートを使用すること}

H03K 3/35606 ・・・・・・{同期作業を有する}

H03K 3/356069 ・・・・{フィードバック回路の追加トランジスタを使用すること(H03K 3/356104, H03K 3/3562 優位をとる)}

H03K 3/356078 ・・・・・{同期作業を有する}

H03K 3/356086 ・・・・{メイン・ノードを制御するための追加的な手段を有する(H03K 3/356104, H03K 3/3562 優位をとる)}

H03K 3/356095 ・・・・・{同期作業を有する}

H03K 3/356104 ・・・・{補完的な電界効果トランジスタを使用すること(H03K 3/35625 優位をとる)}

H03K 3/356113 ・・・・・{入力回路の追加トランジスタを使用すること}

H03K 3/356121 ・・・・・・{同期作業を有する(H03K 3/35613, H03K 3/356147 優位をとる)}

H03K 3/35613 ・・・・・・{差動の構成を有する入力回路}

H03K 3/356139 ・・・・・・・{同期作業を有する}

H03K 3/356147 ・・・・・・{パス・ゲートを使用すること}

H03K 3/356156 ・・・・・・・{同期作業を有する}

H03K 3/356165 ・・・・・{フィードバック回路の追加トランジスタを使用すること}

H03K 3/356173 ・・・・・・{同期作業を有する}

H03K 3/356182 ・・・・・{メイン・ノードを制御するための追加的な手段を有する}

H03K 3/356191 ・・・・・・{同期作業を有する}

H03K 3/3562 ・・・・マスター・スレーブ・タイプの

H03K 3/35625 ・・・・・{補完的な電界効果トランジスタを使用すること}

H03K 3/3565 ・・・・ヒステリシスを有するバイステーブル、例えばシュミットトリガ素子

H03K 3/3568 ・・・Multistableな回路

H03K 3/357 ・・バルク陰抵抗体装置の中で、能動素子として、使用によって例えばガン効果装置

H03K 3/36 ・・使用によって、能動素子として、半導体の、一方提供されない

H03K 3/37 ・・ガス入りの管の中で、能動素子として、使用によって例えばastableなトリガ回路(H03K 3/55 優位をとる)

H03K 3/38 ・・使用によって、能動素子として、超電導な装置の

H03K 3/40 ・・使用によって、能動素子として、電気化学セルの

H03K 3/42 ・・光電子装置の中で、能動素子として、使用によってすなわち発光で光電の装置electrically-、または、光学的に被結合である

H03K 3/43 ・・使用によって、能動素子として、光線屈折管の

H03K 3/45 ・・使用によって、能動素子として、非線形磁気であるか誘電装置の

H03K 3/455 ・・・{薄膜を使用すること}

H03K 3/47 ・・・パラメトロンである装置

H03K 3/49 ・・・ferro反響する装置

H03K 3/51 ・・・マルチ開口磁気コアである装置、例えばtransfluxors

H03K 3/53 ・・外部信号により制御されて、正のフィードバックを組み込んでいない切換装置によって、負荷により放出されるエネルギーを蓄積している素子の使用によって(H03K 3/335 優位をとる； {スパーク放電を有する電子浸食によって、金属の中で作用することB23H；内燃機関点火系統のためのF02P 3/08；電子ライターF23Q 2/285, F23Q 3/00；閃光電球H05B 41/30})

H03K 3/537 ・・・スパークギャップである切換装置

H03K 3/543 ・・・真空管である切換装置

H03K 3/55 ・・・制御電極を有するガス入りの管である切換装置

H03K 3/57 ・・・半導体装置である切換装置

H03K 3/59 ・・ガルバノ磁気装置の使用によって、例えばホール効果素子

H03K 3/64 ・パルスの連続性を生じている生成プログラム、すなわちパルスの有限連続

H03K 3/66 ・・生成プログラムの出力を中断することによって

H03K 3/70 ・・・同等の1台の電車の全ての隣接したパルス間の時間間隔

H03K 3/72 ・・電車の繰り返し率を変化させるための手段を有する

H03K 3/78 ・予め定められたパターンを有するパルスの生成単一の連続性、例えば予め定められた数

H03K 3/80 ・正弦波振動の生成連続性(中断することによってH03C, H04L)

H03K 3/84 ・パラメータの予め定められた統計配布を有するパルスを起こすこと、例えばランダムなパルスジェネレータ

H03K 3/86 ・生成することは、遅延線によって、鼓動して、前のサブグループによって、カバーしなかった

H03K 4/00 基本的に有限傾斜または段部を有しているパルスを起こすこと(屈折波形からの供給電圧の発生H04N 3/18)

H03K 4/02 ・段部を有すること、例えば階段波形

H03K 4/023 ・・{コンデンサの反復性負担または放出によって、アナログ生成プログラム}

H03K 4/026 ・・{デジタル技術を使用すること}

H03K 4/04 ・放物線状の形状を有する

H03K 4/06 ・三角形形状を有する

H03K 4/063 ・・{高電圧−または電流発生器}

H03K 4/066 ・・{ミラー積分器を使用すること(H03K 4/08 優位をとる)}

H03K 4/08 ・・のこぎりの歯形状を有する

H03K 4/085 ・・・{のこぎり波発生器の保護}

H03K 4/10 ・・・能動素子として真空管だけを使用すること

H03K 4/12 ・・・・のこぎりの歯電圧が、いずれにおいて、コンデンサ全体にできるか

H03K 4/14 ・・・・・それぞれの入力がその他の出力に由来するように、連結される2本のチューブを使用すること、例えばマルチバイブレータ{(他のパルスを起こしているマルチバイブレータH03K 3/00)}

H03K 4/16 ・・・・・トランスによる正のフィードバックを有する単一の管を使用すること、例えばブロッキング発振器{(他のパルスを起こしているブロッキング発振器H03K 3/00)}

H03K 4/18 ・・・・・その電極のうちの2本の間で負の抵抗を示している単一の管を使用すること、例えばtransitron、ダイナトロン

H03K 4/20 ・・・・・コンデンサによって、負帰還を有する管を使用すること、例えばミラー積分器

H03K 4/22 ・・・・・・transitronと結合される、例えばphantastron、sanatron

H03K 4/24 ・・・・・ブート・ストラップ発生器

H03K 4/26 ・・・・のこぎりの歯電流は、いずれにおいて、インダクタンスコイルによって、生じるか

H03K 4/28 ・・・・・切換装置として作動している管を使用すること

H03K 4/32 ・・・・・・駆動パルスを起こすための手段と結合される

H03K 4/34 ・・・・・・・トランスによる正のフィードバックを有する単一の管を使用すること

H03K 4/36 ・・・・・・・その電極のうちの2本の間で負の抵抗を示している単一の管を使用すること、例えばtransitron、ダイナトロン

H03K 4/38 ・・・・・・・・ミラー積分器と結合される

H03K 4/39 ・・・・・アンプとして作動している管を使用すること

H03K 4/41 ・・・・・・コンデンサによる負帰還を有する、例えばミラー積分器

H03K 4/43 ・・・・・・駆動パルスを起こすための手段と結合される

H03K 4/48 ・・・能動素子として半導体装置を使用すること(H03K 4/787 to H03K 4/84 優位をとる)

H03K 4/50 ・・・・のこぎりの歯電圧が、いずれにおいて、コンデンサ全体にできるか

H03K 4/501 ・・・・・コンデンサ全体の電圧の振幅で測定されているフライバック期間の出発点、例えばコンパレータによって

H03K 4/502 ・・・・・・定電流ソースから充電されているコンデンサ

H03K 4/52 ・・・・・それぞれの入力がその他の出力に由来するように、連結される2つの半導体装置を使用すること、例えばマルチバイブレータ{(他のパルスを起こしているマルチバイブレータH03K 3/00)}

H03K 4/54 ・・・・・トランスによる正のフィードバックを有する単一の半導体装置を使用すること、例えばブロッキング発振器{(他のパルスを起こしているブロッキング発振器H03K 3/00)}

H03K 4/56 ・・・・・コンデンサによる負帰還を有する半導体装置を使用すること、例えばミラー積分器

H03K 4/58 ・・・・・ブート・ストラップ発生器

H03K 4/60 ・・・・のこぎりの歯電流は、いずれにおいて、インダクタンスコイルによって、生じるか

H03K 4/62 ・・・・・切換装置として作動している半導体装置を使用すること

H03K 4/625 ・・・・・・{のこぎりの歯の生成の技術が振るパルス変調を使用すること、例えばクラスD、切替えられたモード}

H03K 4/64 ・・・・・・駆動パルスを起こすための手段と結合される{(H03K 4/625 優位をとる)}

H03K 4/66 ・・・・・・・正のフィードバックを有する単一の装置を使用すること、例えばブロッキング発振器

H03K 4/68 ・・・・・・切換装置がフライバックの間、サイクルの一部を実行している生成プログラム

H03K 4/69 ・・・・・アンプとして作動している半導体装置を使用すること

H03K 4/693 ・・・・・・{プッシュプル増幅器において、作動すること、例えばクラスB(H03K 4/696 優位をとる)}

H03K 4/696 ・・・・・・{ワット損を減らすためのまたはフライバック時間を短くするための手段を使用すること、例えばフライバック時間の間により高い電圧を印加すること}

H03K 4/71 ・・・・・・コンデンサによる負帰還を有する、例えばミラー積分器

H03K 4/72 ・・・・・・駆動パルスを起こすための手段と結合される

H03K 4/725 ・・・・・・・{プッシュプル・アンプ回路}

H03K 4/787 ・・・能動素子として2本の電極を有する半導体装置を使用して、特徴的な負の抵抗を示すこと

H03K 4/793 ・・・・トンネルダイオードを使用すること

H03K 4/80 ・・・能動素子として多層ダイオードを使用すること

H03K 4/83 ・・・能動素子として同じ伝導率領域に接続している2つ以上のpn接合を有するまたは3本以上の電極を有する半導体装置または複数の電極を使用すること

H03K 4/835 ・・・・{のこぎりの歯の生成の技術が振るパルス変調を使用すること、例えばクラスD、切替えられたモード}

H03K 4/84 ・・・・半導体装置がフライバックの間、サイクルの一部を実行している生成プログラム{(H03K 4/835 優位をとる)}

H03K 4/86 ・・・能動素子としてガス入りの管を使用すること{またはスパークギャップ}

H03K 4/88 ・・・能動素子として電気化学セルを使用すること{またはガルバノ磁気であるか光電素子}

H03K 4/90 ・・・ランプの線形化(パルスの傾斜を修正することH03K 6/04；修正をテレビ受信機を求めて調べることH04N 3/16)；パルスの同期化(画像のコミュニケーションシステムのH04N 1/36, H04N 5/04；色同期化H04N 9/44)

H03K 4/92 ・一部のシヌソイドから成る波形を有する(正弦波振動を発生させることH03B)

H03K 4/94 ・台形の形状を有する

H03K 5/00 このサブクラスの他の主群のうちの1つ時までに、適用されられないパルスを操ること(再生する動きを有する回路H03K 3/00, H03K 4/00；非線形磁気であるか誘電装置の使用によってH03K 3/45)

H03K 5/00006 ・{頻度を変えること(パルスを調整することH03K 7/00；周波数分割器H03K 21/00 to H03K 29/00；1への2つのパルス繰り返し数の付加であるか減じる混合G06F 7/605；パルス繰り返し数デバイダG06F 7/68)}

H03K 5/003 ・DCレベルを変えること(テレビ信号H04N 3/00)

H03K 5/007 ・・ベースライン安定化(thresholdingすることH03K 5/08)

H03K 5/01 ・形削りパルス(ノイズまたは干渉に対する区別H03K 5/125)

H03K 5/02 ・・増幅することによって(H03K 5/04 優位をとる；広帯域アンプ一般にH03F)

H03K 5/023 ・・・{電界効果トランジスタを使用すること}

H03K 5/026 ・・・{双方向性動作を有する}

H03K 5/04 ・・持続期間を増やすことによって；持続期間を減少させることによって

H03K 5/05 ・・・刻時信号または他の時間基準信号の使用によって

H03K 5/06 ・・・遅延線または他のアナログ遅延素子の使用によって

H03K 5/065 ・・・・{分散的な遅延線を使用すること}

H03K 5/07 ・・・共振回路の使用によって

H03K 5/08 ・・制限することによって、thresholdingすることによって、切ることによって、すなわち複合に制限して、thresholdingすること(H03K 5/07 優位をとる；1つのパルスをもう一方と比較することH03K 5/22；決定された閾値をスイッチングに提供することH03K 17/30)

H03K 5/082 ・・・{適応閾値を有する}

H03K 5/084 ・・・・{スイッチングにより修正される、例えば間欠的な信号によって、または出力信号の移行と同期して、信号によって}

H03K 5/086 ・・・・{フィードバックによって、発生する}

H03K 5/088 ・・・・・{スイッチングにより修正される、例えば間欠的な信号によって、または出力信号の移行と同期して、信号によって}

H03K 5/12 ・・リードすることまたは後縁を険しくすることによって

H03K 5/125 ・識別パルス(測定するかまたは示すことG01R 19/00, G01R 23/00, G01R 25/00, G01R 29/00；テレビジョンシステムの信号に同期させる分離H04N 5/08)

H03K 5/1252 ・・抑制またはノイズまたは干渉の限定(特別に動力伝達装置に適しているH04B 15/00, H04L 25/08)

H03K 5/1254 ・・・特別にスイッチの終了によって、発生するパルスに適している、すなわち反よくはねる装置(電子時計用の回路をdebouncingすることG04G 5/00)

H03K 5/13 ・単一の出力を有していて、入力信号を所望の時間間隔に届けられるパルスに変えている装置｛（電子タイミングを使用している測定時間間隔、例えば計数手段G04F 1/005)}

H03K 5/131 ・・{デジタル的に、制御される}

H03K 5/132 ・・{作動中の遅延デバイスの一続きを使用すること}

H03K 5/133 ・・・{電界効果トランジスタを有する}

H03K 5/135 ・・時間基準信号の使用によって、例えば刻時信号

H03K 5/14 ・・遅延線の使用によって{(作動中の遅延デバイスを使用することH03K 5/132)}

H03K 5/145 ・・共振回路の使用によって

H03K 5/15 ・パルスがいくつかの出力で異なる時間に分配される配置、すなわちパルス・ディストリビュータ(配布すること、スイッチングまたはゲート配置H03K 17/00)

H03K 5/15006 ・・{2つのプログラム可能な出力を有する}

H03K 5/15013 ・・{2つ以上の出力を有する}

H03K 5/1502 ・・・{プログラム可能である}

H03K 5/15026 ・・・{非同期で被駆動直列被接続出力段を有する}

H03K 5/15033 ・・・・{双安定素子の一続きを使用すること}

H03K 5/1504 ・・・・{作動中の遅延デバイスの一続きを使用すること(H03K 5/15053 優位をとる)}

H03K 5/15046 ・・・・{タップ付遅延線を使用すること}

H03K 5/15053 ・・・・{単安定装置の一続きを使用すること}

H03K 5/1506 ・・・{平行した被駆動出力段を有する；同期をとって、被駆動直列被接続出力段を有する}

H03K 5/15066 ・・・・{双安定素子を使用すること(H03K 5/15093 優位をとる)}

H03K 5/15073 ・・・・{複数のコンパレータを使用すること}

H03K 5/1508 ・・・・{複数の遅延線を使用すること}

H03K 5/15086 ・・・・{複数のmonostables装置を使用すること}

H03K 5/15093 ・・・・{送りレジスタに配置される装置を使用すること}

H03K 5/151 ・・2つの補完的な出力を有する

H03K 5/1515 ・・・{非重なり合う}

H03K 5/153 ・パルスが入力信号の予め定められた特徴がある瞬間でまたはこの瞬間の後の固定時間間隔で届けられる配置(零交差点のスイッチングH03K 17/13； {個々のパルスの測定特徴G01R 29/02})

H03K 5/1532 ・・ピーク検出器

H03K 5/1534 ・・移行またはエッジ検出部

H03K 5/1536 ・・ゼロ交差検出器(回路を測定する際のG01R 19/175)

H03K 5/156 ・連続パルストレインが所望のパターンを有する電車に変わる配置

H03K 5/1565 ・・{一定の使用率を有する出力パルス}

H03K 5/159 ・前のサブグループにより適用されられない遅延線のアプリケーション

H03K 5/19 ・パルストレインの監視パターン(振幅を示すことG01R 19/00；頻度を示すことG01R 23/00；個々のパルスの測定特徴G01R 29/02)

H03K 5/22 ・複数の入力を有する回路および入力信号特徴によって、パルスまたはパルストレインを各々と比較するための1つの出力、例えば傾斜、積分(2つの周期的パルストレインの位相差を示すことG01R 25/00)

H03K 5/24 ・・振幅である特徴

H03K 5/2409 ・・・{バイポーラトランジスタを使用すること(H03K 5/2436 優位をとる)}

H03K 5/2418 ・・・・{少なくとも一つの差動の段階を有する}

H03K 5/2427 ・・・・{刻時信号を使用すること}

H03K 5/2436 ・・・{二極式で電界効果トランジスタの組合せを使用すること}

H03K 5/2445 ・・・・{少なくとも一つの差動の段階を有する}

H03K 5/2454 ・・・・{刻時信号を使用すること}

H03K 5/2463 ・・・{ダイオードを使用すること}

H03K 5/2472 ・・・{電界効果トランジスタを使用すること(H03K 5/2436 優位をとる)}

H03K 5/2481 ・・・・{少なくとも一つの差動の段階を有する}

H03K 5/249 ・・・・{刻時信号を使用すること}

H03K 5/26 ・・持続期間である特徴、間隔、位置、頻度、またはシーケンス

H03K 6/00 有限傾斜を有していて、このサブクラスの他の主群のうちの1つに、おおわれないパルスを操ること(再生する動きを有する回路H03K 4/00)

H03K 6/02 ・パルスを増幅すること{(増幅によるインダクタンスコイルを流れるのこぎりの歯電流の発生H03K 4/28, H03K 4/39, H03K 4/43, H03K 4/62, H03K 4/69)}

H03K 6/04 ・パルスの傾斜を修正すること、｛例えばS-修正}

H03K 7/00 連続的に可変的な変調している信号を有するパルスを調整すること

H03K 7/02 ・振幅変調、すなわちPAM

H03K 7/04 ・位置変調、すなわちPPM

H03K 7/06 ・頻度または率変調、すなわちPFMまたはPRM

H03K 7/08 ・持続期間または幅変調{使用率変調}

H03K 7/10 ・合同の変調、例えば率変調および振幅変調

H03K 9/00 連続的に可変的な信号により調整されたパルスを復調すること

H03K 9/02 ・振幅を調整されたパルスの

H03K 9/04 ・位置を調整されたパルスの

H03K 9/06 ・frequency-または率を調整されたパルスの

H03K 9/08 ・duration-または幅mudulatedされたパルスの{または使用率調整されたパルスの}

H03K 9/10 ・合同の変調を有するパルスの

H03K 11/00 変調の種を変えること、例えば持続期間を調整されたパルスへの位置を調整されたパルス

H03K 12/00 正弦波形をゆがめるかまたは結合することによって、パルスをもたらすこと(非スイッチング方法で作動している素子を使用しているサイン波を結合することH03B；｛制限するかまたは留めること、例えば H03G 11/00})

H03K 17/00 電子交換またはゲート、すなわち接触をすることによって、または、-制動(針の選択または電気的な印刷の補助極B41J 2/405；サンプルおよび配置G11C 27/02；導波管の切換であるか割込装置H01P；ゲートで制御されたアンプH03F 3/72；静的装置を使用している交換システムのための切換準備H04Q 3/52)

H03K 17/002 ・{いくつかのinput-またはＢターミナルとの切換取り決め(コード変換器H03M 5/00, H03M 7/00)}

H03K 17/005 ・・{いくつかの入力だけを有する}

H03K 17/007 ・・{いくつかの出力だけを有する}

H03K 17/04 ・スイッチングを加速するための変更態様

H03K 17/0403 ・・{サイリスタスイッチで}

H03K 17/0406 ・・{複合スイッチで}

H03K 17/041 ・・出力回路からの制御回路へのフィードバックなしで{(H03K 17/0403, H03K 17/0406 優位をとる)}

H03K 17/04106 ・・・{電界効果トランジスタスイッチで(H03K 17/0412, H03K 17/0416 優位をとる)}

H03K 17/04113 ・・・{二極式トランジスタスイッチで(H03K 17/0412, H03K 17/0416 優位をとる)}

H03K 17/0412 ・・・制御回路において、とられる処置によって

H03K 17/04123 ・・・・{電界効果トランジスタスイッチで}

H03K 17/04126 ・・・・{二極式トランジスタスイッチで}

H03K 17/0414 ・・・・反飽和処置

H03K 17/0416 ・・・出力回路において、とられる処置によって

H03K 17/04163 ・・・・{電界効果トランジスタスイッチで}

H03K 17/04166 ・・・・{二極式トランジスタスイッチで}

H03K 17/042 ・・出力回路からの制御回路へのフィードバックによって{(H03K 17/0403, H03K 17/0406 優位をとる)}

H03K 17/04206 ・・・{電界効果トランジスタスイッチで}

H03K 17/04213 ・・・{二極式トランジスタスイッチで}

H03K 17/0422 ・・・反飽和処置

H03K 17/0424 ・・・トランスの使用によって

H03K 17/06 ・完全に実行している状態を確実にするための変更態様

H03K 17/063 ・・{電界効果トランジスタスイッチで}

H03K 17/08 ・切換回路を過電流または過電圧から保護するための変更態様

H03K 17/081 ・・出力回路からの制御回路へのフィードバックなしで

H03K 17/08104 ・・・{電界効果トランジスタスイッチで(H03K 17/0812, H03K 17/0814 優位をとる)}

H03K 17/08108 ・・・{サイリスタスイッチで(H03K 17/0812 ,H03K 17/0814 優位をとる)}

H03K 17/08112 ・・・{二極式トランジスタスイッチで(H03K 17/0812, H03K 17/0814 優位をとる)}

H03K 17/08116 ・・・{複合スイッチで(H03K 17/0812 ,H03K 17/0814 優位をとる)}

H03K 17/0812 ・・・制御回路において、とられる処置によって

H03K 17/08122 ・・・・{電界効果トランジスタスイッチで}

H03K 17/08124 ・・・・{サイリスタスイッチで}

H03K 17/08126 ・・・・{二極式transitorスイッチで}

H03K 17/08128 ・・・・{複合スイッチで}

H03K 17/0814 ・・・出力回路において、とられる処置によって

H03K 17/08142 ・・・・{電界効果トランジスタスイッチで}

H03K 17/08144 ・・・・{サイリスタスイッチで}

H03K 17/08146 ・・・・{二極式トランジスタスイッチで}

H03K 17/08148 ・・・・{複合スイッチで}

H03K 17/082 ・・出力回路からの制御回路へのフィードバックによって

H03K 17/0822 ・・・{電界効果トランジスタスイッチで}

H03K 17/0824 ・・・{サイリスタスイッチで}

H03K 17/0826 ・・・{二極式トランジスタスイッチで}

H03K 17/0828 ・・・{複合スイッチで}

H03K 17/10 ・最大許容切替えられた電圧を増やすための変更態様

H03K 17/102 ・・{電界効果トランジスタスイッチで}

H03K 17/105 ・・{サイリスタスイッチで}

H03K 17/107 ・・{複合スイッチで}

H03K 17/12 ・最大許容切替えられた電流を増やすための変更態様

H03K 17/122 ・・{電界効果トランジスタスイッチで}

H03K 17/125 ・・{サイリスタスイッチで}

H03K 17/127 ・・{複合スイッチで}

H03K 17/13 ・零交差点のスイッチングのための変更態様(零交差点で衝撃を発生させることH03K 5/153)

H03K 17/133 ・・{電界効果トランジスタスイッチで}

H03K 17/136 ・・{サイリスタスイッチで}

H03K 17/14 ・物理的な値の変化に補償するための変更態様、例えば温度の

H03K 17/145 ・・{電界効果トランジスタスイッチで}

H03K 17/16 ・干渉電圧または電流を排除するための変更態様

H03K 17/161 ・・{電界効果トランジスタスイッチで}

H03K 17/162 ・・・{出力回路からの制御回路へのフィードバックなしで}

H03K 17/163 ・・・・{柔らかいスイッチング}

H03K 17/164 ・・・・・{平行した切換配置を使用すること}

H03K 17/165 ・・・{出力回路からの制御回路へのフィードバックによって}

H03K 17/166 ・・・・{柔らかいスイッチング}

H03K 17/167 ・・・・・{平行した切換配置を使用すること}

H03K 17/168 ・・{複合スイッチで}

H03K 17/18 ・スイッチの状態を示すための変更態様

H03K 17/20 ・レールの設定替のための変更態様は、予め定められた状態にスイッチユニットを中心から切り離す

H03K 17/22 ・予め定められたイニシャルを確実にするための変更態様は、供給電圧がいつ印加されたかについて告示する(双安定ジェネレータH03K 3/12)

H03K 17/223 ・・{電界効果トランジスタスイッチで}

H03K 17/24 ・・供給電圧が衰える現状を格納すること

H03K 17/26 ・制御パルスを受け取ることの後の一時的なブロッキングのための変更態様

H03K 17/28 ・スイッチングの前に時間遅れを導くための変更態様(切換複数の動きを実行するための時間間隔の選択を提供している時間-プログラム転換H03K 17/296；｛電子タイミングを使用している測定時間間隔、例えば計数手段G04F 1/005})

H03K 17/284 ・・電界効果トランジスタ・スイッチで

H03K 17/288 ・・管スイッチで

H03K 17/292 ・・サイリスタの、単接合トランジスタまたはプログラム可能な単接合トランジスタスイッチ

H03K 17/296 ・プログラムが完了されたあと、時間-プログラムは切換複数の動きを実行して、自動的にそれらの動作を終了するための時間間隔の選択を提供することを切替える(予め選択された時間にまたは予め選択された時間間隔の後で作動される手段から成る電子時計G04G 15/00)

H03K 17/30 ・スイッチングの前に予め定められた閾値を提供するための変更態様(thresholdingすることによる形削りパルスH03K 5/08； {論理回路のためのH03K 19/0021})

H03K 17/302 ・・{電界効果トランジスタスイッチで}

H03K 17/305 ・・{サイリスタスイッチで}

H03K 17/51 ・使用する構成素子によって、特徴付けられる(H03K 17/04 to H03K 17/30, H03K 17/94 優位をとる)

H03K 17/52 ・・ガス入りの管を使用すること

H03K 17/54 ・・真空管を使用すること(ダイオードを使用することH03K 17/74)

H03K 17/545 ・・・{マイクロ設計された装置を使用すること、例えば電界放出素子}

H03K 17/56 ・・半導体装置を使用すること(ダイオードを使用することH03K 17/74)

H03K 17/567 ・・・複数種類の半導体装置の使用によって、特徴付けられる回路、例えばBIMOS、複合装置（例えばIGBT）

H03K 17/58 ・・・トンネルダイオードを使用すること

H03K 17/60 ・・・バイポーラトランジスタを使用すること

H03K 17/601 ・・・・{トランス継手を使用すること(H03K 17/61 優位をとる)}

H03K 17/602 ・・・・{集積回路の}

H03K 17/603 ・・・・{被結合エミッタを有する}

H03K 17/605 ・・・・制御回路および出力回路間の電気隔離を有する(H03K 17/78 優位をとる)

H03K 17/61 ・・・・・トランス継手を使用すること

H03K 17/615 ・・・・ダーリントン構成の

H03K 17/62 ・・・・いくつかのinput-またはＢターミナルとの切換取り決め(コード変換器H03M 5/00, H03M 7/00)

H03K 17/6207 ・・・・・{選択手段なしで(H03K 17/6242 to H03K 17/6285 優位をとる)}

H03K 17/6214 ・・・・・・{現在のステアリング手段を使用すること}

H03K 17/6221 ・・・・・{選択手段と結合される(H03K 17/6242 toH03K 17/6285 優位をとる)}

H03K 17/6228 ・・・・・・{現在のステアリング手段を使用すること}

H03K 17/6235 ・・・・・{制御信号のストレージを有する}

H03K 17/6242 ・・・・・{いくつかの入力だけを有する。そして、選択手段なしで}

H03K 17/625 ・・・・・・{現在のステアリング手段を使用すること}

H03K 17/6257 ・・・・・{選択手段と結合されるだけのいくつかの入力を有する}

H03K 17/6264 ・・・・・・{現在のステアリング手段を使用すること}

H03K 17/6271 ・・・・・{いくつかの出力だけを有する。そして、選択手段なしで}

H03K 17/6278 ・・・・・・{現在のステアリング手段を使用すること}

H03K 17/6285 ・・・・・{選択手段と結合されるだけのいくつかの出力を有する}

H03K 17/6292 ・・・・・・{現在のステアリング手段を使用すること}

H03K 17/64 ・・・・誘導負荷を有する{(仮にスイッチング・レギュレータを利用しているリフティングマグネットのための回路を打ち込むことH01H 47/325)}

H03K 17/66 ・・・・自由にいずれの方向もの電流を渡すための切換配置；自由に電流を逆転させるための切換準備

H03K 17/661 ・・・・・{両方の負荷端子に接続している}

H03K 17/662 ・・・・・・{制御複数のバイポーラトランジスタから成る各々の出力回路}

H03K 17/663 ・・・・・・・{補完的なバイポーラトランジスタを使用すること}

H03K 17/664 ・・・・・・・{対称形の構成の}

H03K 17/665 ・・・・・{1つの負荷端子だけに接続している}

H03K 17/666 ・・・・・・{制御複数のバイポーラトランジスタから成る出力回路}

H03K 17/667 ・・・・・・・{補完的なバイポーラトランジスタを使用すること}

H03K 17/668 ・・・・・・・{対称形の構成の}

H03K 17/68 ・・・・特別にスイッチングac流または電圧に適している

H03K 17/687 ・・・電界効果トランジスタを使用すること

H03K 17/6871 ・・・・{制御複数の電界効果トランジスタから成る出力回路}

H03K 17/6872 ・・・・・{補完的な電界効果トランジスタを使用すること}

H03K 17/6874 ・・・・・{対称形の構成の}

H03K 17/6877 ・・・・{出力回路において、使用するそれらと異なる能動素子から成る制御回路}

H03K 17/689 ・・・・制御回路および出力回路間の電気隔離を有する(H03K 17/78 優位をとる)

H03K 17/6895 ・・・・・{音響手段を使用すること}

H03K 17/691 ・・・・・トランス継手を使用すること

H03K 17/693 ・・・・いくつかのinput-またはＢターミナルとの切換取り決め(コード変換器H03M 5/00, H03M 7/00)

H03K 17/70 ・・・2本の電極を有して、負の抵抗を示すこと(トンネルダイオードを使用することH03K 17/58)

H03K 17/72 ・・・2つ以上のpn接合を有する；3本以上の電極を有する；同じ伝導率領域に接続している複数の電極を有する

H03K 17/722 ・・・・制御回路および出力回路間の電気隔離を有する(H03K 17/78 優位をとる)

H03K 17/7225 ・・・・・{音響手段を使用すること}

H03K 17/723 ・・・・・トランス継手を使用すること

H03K 17/725 ・・・・ac電圧または電流のための(H03K 17/722, H03K 17/735 優位をとる)

H03K 17/73 ・・・・dc電圧または電流のための(H03K 17/722, H03K 17/735 優位をとる)

H03K 17/731 ・・・・・{誘導負荷を有する}

H03K 17/732 ・・・・・効果的な岐路のための処置

H03K 17/735 ・・・・いくつかのinput-またはＢターミナルとの切換取り決め(H03K 17/722 優位をとる)

H03K 17/74 ・・ダイオードを使用すること{(ダイオードおよび他の装置の組合せを使用することH03K 17/567；トンネルダイオードを使用することH03K 17/58)}

H03K 17/76 ・・・いくつかのinput-またはＢターミナルとの切換取り決め(コード変換器H03M 5/00, H03M 7/00)

H03K 17/78 ・・光電子装置を使用すること、すなわち発光で光電の装置electrically-、または、光学的に被結合である

H03K 17/785 ・・・制御電界効果トランジスタスイッチ

H03K 17/79 ・・・制御すること{両極性である}2つ以上のpn-接合を有する半導体スイッチ、または3本以上の電極、または同じ伝導率領域に接続している複数の電極

H03K 17/795 ・・・制御バイポーラトランジスタ

H03K 17/7955 ・・・・{フォトトランジスタを使用すること}

H03K 17/80 ・・非線形磁気デバイスを使用すること；非線形誘電装置を使用すること{(H03K 17/95, H03K 17/97 優位をとる)}

H03K 17/81 ・・・いくつかのinput-またはＢターミナルとの切換取り決め(コード変換器H03M 5/00, H03M 7/00)

H03K 17/82 ・・・transfluxorsを使用すること

H03K 17/84 ・・・薄膜装置を使用すること

H03K 17/86 ・・・twistorsを使用すること

H03K 17/88 ・・光線-屈折管を使用すること

H03K 17/90 ・・ガルバノ磁気装置を使用すること、例えばホール効果素子(H03K 17/95, H03K 17/97 優位をとる)

H03K 17/92 ・・超電導な装置を使用すること

H03K 17/94 ・制御信号が発生する方法によって、特徴付けられる(スイッチまたはキーボードの制御手段の機械の構造細部、例えばキー、押しボタン、レバーまたは力を動作中の素子へ移す他の過程、直接電子効果を発生しないことH01H；特別なアプリケーション用のキーボードは、関連した場所を見る、例えば B41J, G06F 3/023, H04L 15/00, H04L 17/00, H04M 1/00)

H03K 17/941 ・・{光学式検出器を使用すること(H03K 17/968 優位をとる)}

H03K 17/943 ・・・{複数の光学エミッタまたは探知器を使用すること、例えばキーボード}

H03K 17/945 ・・近接スイッチ(H03K 17/96 優位をとる； {近接信管F42C 13/00；多数または目的を検出すること、例えば磁気であるか光学的探知器を用いてG01V、例えば G01V 3/00, G01V 8/10})

H03K 17/95 ・・・磁針検波器を使用すること

H03K 17/9502 ・・・・{信頼性を増やすための処置}

H03K 17/9505 ・・・・{構造上の詳細}

H03K 17/951 ・・・・{検出回路に作動電圧を供給するための処置}

H03K 17/9512 ・・・・{デジタル技術を使用すること}

H03K 17/9515 ・・・・{非線形磁気デバイスを使用すること}

H03K 17/9517 ・・・・{ガルバノ磁気な装置を使用すること}

H03K 17/952 ・・・・{帰納的なコイルを使用すること}

H03K 17/9522 ・・・・・{直流電気よって単離された調査を有する}

H03K 17/9525 ・・・・・{振動信号により制御される(H03K 17/9537 優位をとる)}

H03K 17/953 ・・・・・{発振器のフォーミング（成形）部分(H03K 17/9537 優位をとる)}

H03K 17/9532 ・・・・・・{可変的な頻度を有する}

H03K 17/9535 ・・・・・・{可変的な振幅を有する}

H03K 17/9537 ・・・・・{共振回路の}

H03K 17/954 ・・・・・・{振動信号により制御される}

H03K 17/9542 ・・・・・・{発振器のフォーミング（成形）部分}

H03K 17/9545 ・・・・・・・{可変的な頻度を有する}

H03K 17/9547 ・・・・・・・{可変的な振幅を有する}

H03K 17/955 ・・・容量探知器を使用すること

H03K 17/96 ・・タッチは、切り替えをする

H03K 17/9618 ・・・{複数の探知器を使用すること、例えばキーボード}

H03K 17/962 ・・・{容量タッチは、切り替えをする}

H03K 17/9622 ・・・・{複数の探知器を使用すること、例えばキーボード}

H03K 17/9625 ・・・{力抵抗トランスデューサを使用すること}

H03K 17/9627 ・・・{光学的タッチは、切り替えをする}

H03K 17/9629 ・・・・{複数の探知器を使用すること、例えばキーボード}

H03K 17/9631 ・・・・{スイッチの一部として光源を使用すること}

H03K 17/9636 ・・・・・{パルス光源を使用すること}

H03K 17/9638 ・・・・{光導体を使用すること}

H03K 17/964 ・・・{圧電タッチ・スイッチ}

H03K 17/9643 ・・・・{複数の探知器を使用すること、例えばキーボード}

H03K 17/9645 ・・・{電気抵抗タッチは、切り替えをする}

H03K 17/9647 ・・・・{複数の探知器を使用すること、例えばキーボード}

H03K 17/965 ・・スイッチの一部を形成している素子を動かすことにより制御されるスイッチ

H03K 17/967 ・・・複数の制御手段を有すること、例えばキーボード(H03K 17/969, H03K 17/972, H03K 17/98 優位をとる)

H03K 17/968 ・・・光電子装置を使用すること

H03K 17/969 ・・・・複数の制御手段を有すること、例えばキーボード

H03K 17/97 ・・・磁気可動因子を使用すること

H03K 17/972 ・・・・複数の制御手段を有すること、例えばキーボード

H03K 17/975 ・・・容量可動因子を使用すること

H03K 17/98 ・・・・複数の制御手段を有すること、例えばキーボード

H03K 19/00 論理回路、すなわち1つの出力に作用している少なくとも2つの入力を有する；反転回路{(遅延素子として使用する反転回路H03K 5/13)}

H03K 19/0002 ・{多州にわたる論理(H03K 19/02 優位をとる)}

H03K 19/0005 ・{入力または出力インピーダンスの変更態様}

H03K 19/0008 ・{パワー消費量を減らすための準備}

H03K 19/001 ・・{バイポーラトランジスタ回路の}

H03K 19/0013 ・・{電界効果トランジスタ回路の}

H03K 19/0016 ・・{制御または刻時信号を用いて、例えば印加するために、供給に電力を供給する}

H03K 19/0019 ・・{エネルギー回復または断熱動作によって}

H03K 19/0021 ・{閾値の変更態様(電子交換またはゲートのためのH03K 17/30)}

H03K 19/0024 ・・{バイポーラトランジスタ回路の}

H03K 19/0027 ・・{電界効果トランジスタ回路の}

H03K 19/003 ・信頼性を増やすための変更態様{保護のための}

H03K 19/00307 ・・{バイポーラトランジスタ回路の}

H03K 19/00315 ・・{電界効果トランジスタ回路の}

H03K 19/00323 ・・{遅延補償}

H03K 19/0033 ・・{堅くなっている放射線}

H03K 19/00338 ・・・{電界効果トランジスタ回路において}

H03K 19/00346 ・・{干渉または寄生的な電圧を除去するための変更態様または電流}

H03K 19/00353 ・・・{バイポーラトランジスタ回路の}

H03K 19/00361 ・・・{電界効果トランジスタ回路の}

H03K 19/00369 ・・{温度の変化に補償するための変更態様、供給電圧または他の物理的なパラメータ}

H03K 19/00376 ・・・{バイポーラトランジスタ回路の}

H03K 19/00384 ・・・{電界効果トランジスタ回路の}

H03K 19/00392 ・・{回路冗長によって(H03K 19/0075 優位をとる)}

H03K 19/007 ・フェイルセーフ回路

H03K 19/0075 ・・{2つの冗長なチェーンを用いて}

H03K 19/01 ・スイッチングを加速するための変更態様

H03K 19/013 ・・バイポーラトランジスタ回路の

H03K 19/0133 ・・・{bootstrappingすることによって、すなわち明確なフィードバックによって}

H03K 19/0136 ・・・{懸垂運動によって、または素子の下で}

H03K 19/017 ・・電界効果トランジスタ回路の

H03K 19/01707 ・・・{非同期回路の}

H03K 19/01714 ・・・・{bootstrappingすることによって、すなわち明確なフィードバックによって}

H03K 19/01721 ・・・・{懸垂運動によって、または素子の下で}

H03K 19/01728 ・・・{同期回路の、すなわち刻時信号を用いて}

H03K 19/01735 ・・・・{bootstrappingすることによって、すなわち明確なフィードバックによって}

H03K 19/01742 ・・・・{懸垂運動によって、または素子の下で}

H03K 19/0175 ・継手方式；インタフェース配置(ディジタル・コンピュータ用のインタフェース準備G06F 3/00, G06F 13/00)

H03K 19/017509 ・・{インタフェース配置}

H03K 19/017518 ・・・{双極および電界効果トランジスタの組合せを使用すること(ビフェト)}

H03K 19/017527 ・・・・{少なくとも一つの差動の段階を有する}

H03K 19/017536 ・・・{光電子装置を使用すること}

H03K 19/017545 ・・{継手方式；回路にマッチしているインピーダンス}

H03K 19/017554 ・・・{双極および電界効果トランジスタの組合せを使用すること(ビフェト)}

H03K 19/017563 ・・・・{少なくとも一つの差動の段階を有する}

H03K 19/017572 ・・・{光電子装置を使用すること}

H03K 19/017581 ・・{プログラム可能である}

H03K 19/01759 ・・{双方向性動作を有する}

H03K 19/018 ・・バイポーラトランジスタだけを使用すること

H03K 19/01806 ・・・{インタフェース配置}

H03K 19/01812 ・・・・{少なくとも一つの差動の段階を有する}

H03K 19/01818 ・・・・{IILのための(I2L)}

H03K 19/01825 ・・・{継手方式、回路にマッチしているインピーダンス}

H03K 19/01831 ・・・・{少なくとも一つの差動の段階を有する}

H03K 19/01837 ・・・{プログラム可能である}

H03K 19/01843 ・・・{双方向性動作を有する}

H03K 19/0185 ・・電界効果トランジスタだけを使用すること

H03K 19/018507 ・・・{インタフェース配置}

H03K 19/018514 ・・・・{少なくとも一つの差動の段階を有する(H03K 19/018528 そして、H03K 19/018542 優位をとる)}

H03K 19/018521 ・・・・{補完的なタイプの、例えばCMOS}

H03K 19/018528 ・・・・・{少なくとも一つの差動の段階を有する}

H03K 19/018535 ・・・・{ショットキ・バリア・タイプの(MESFET)}

H03K 19/018542 ・・・・・{少なくとも一つの差動の段階を有する}

H03K 19/01855 ・・・・{同期、すなわち刻時信号を使用すること}

H03K 19/018557 ・・・{継手方式；回路にマッチしているインピーダンス}

H03K 19/018564 ・・・・{少なくとも一つの差動の段階を有する(H03K 19/018578 優位をとる)}

H03K 19/018571 ・・・・{補完的なタイプの、例えばCMOS}

H03K 19/018578 ・・・・・{少なくとも一つの差動の段階を有する}

H03K 19/018585 ・・・{プログラム可能である}

H03K 19/018592 ・・・{双方向性動作を有する}

H03K 19/02 ・指定された構成素子を使用すること({H03K 19/0005 to H03K 19/0021}, H03K 19/003 to H03K 19/0175 優位をとる)

H03K 19/04 ・・ガス入りの管を使用すること

H03K 19/06 ・・真空管を使用すること(ダイオードレクチファイアを使用することH03K 19/12)

H03K 19/08 ・・半導体装置を使用すること(H03K 19/173 優位をとる；そこにおいて、半導体装置は、ダイオードレクチファイアだけであるH03K 19/12)

H03K 19/0806 ・・・{電荷転送器を使用すること(DTC、CCD)}

H03K 19/0813 ・・・{閾値論理}

H03K 19/082 ・・・バイポーラトランジスタを使用すること{(電界効果トランジスタと結合してH03K 19/094)}

H03K 19/0823 ・・・・{多州にわたる論理}

H03K 19/0826 ・・・・・{高いインピーダンスまたは浮きまだらであることは述べる状態のうちの1つ}

H03K 19/084 ・・・・ダイオード-トランジスタ論理

H03K 19/0843 ・・・・・{補完的なトランジスタ論理(CTL)}

H03K 19/0846 ・・・・・{ショットキ・トランジスタ論理(STL)}

H03K 19/086 ・・・・ECL

H03K 19/0863 ・・・・・{エミッタ機能論理(EFL)；被結合論理の基礎を形成する(BCL)}

H03K 19/0866 ・・・・・{積み重ねられたECL(H03K 19/1738 優位をとる)}

H03K 19/088 ・・・・TTL

H03K 19/09 ・・・・レジスタ-トランジスタ論理

H03K 19/091 ・・・・IILまたは合併されたトランジスタ論理

H03K 19/0912 ・・・・・{静的誘導ロジック(スチール) (論理機能は、1fetいつfullfilledされるかH03K 19/09414)}

H03K 19/0915 ・・・・・{統合化schottky論理(ISL)}

H03K 19/0917 ・・・・・{多州にわたる論理}

H03K 19/094 ・・・電界効果トランジスタを使用すること

H03K 19/09403 ・・・・{ＪｆETを使用すること(H03K 19/096 優位をとる)}

H03K 19/09407 ・・・・・{同じ運河タイプの}

H03K 19/0941 ・・・・・{補完的なタイプの}

H03K 19/09414 ・・・・・{ゲート注射または静的誘導を有する(スチール) (H03K 19/0912 優位をとる)}

H03K 19/09418 ・・・・・{バイポーラトランジスタと結合して(ビフェト)}

H03K 19/09421 ・・・・{ダイオード電界効果トランジスタ論理(H03K 19/0956, H03K 19/096 優位をとる)}

H03K 19/09425 ・・・・{多州にわたる論理(H03K 19/096 優位をとる)}

H03K 19/09429 ・・・・・{高いインピーダンスまたは浮きまだらであることは述べる状態のうちの1つ}

H03K 19/09432 ・・・・{被結合ソースまたはソース被結合論理を有する(H03K 19/096 優位をとる)}

H03K 19/09436 ・・・・・{ソース被結合電界効果論理(SCFL)}

H03K 19/0944 ・・・・MOSFETを使用する｛または断熱されたゲート電界効果トランジスタ、すなわちIGFET}(H03K 19/096 優位をとる)

H03K 19/09441 ・・・・・{同じ運河タイプの}

H03K 19/09443 ・・・・・・{強化および減少トランジスタの組合せを使用すること}

H03K 19/09445 ・・・・・・・{作動中の減少トランジスタを有する}

H03K 19/09446 ・・・・・・{減少トランジスタだけを使用すること}

H03K 19/09448 ・・・・・{バイポーラトランジスタと結合して(BIMOS)}

H03K 19/0948 ・・・・・CMOSを使用すること{または補完的な断熱されたゲート電界効果トランジスタ}

H03K 19/09482 ・・・・・・{強化および減少トランジスタの組合せを使用すること}

H03K 19/09485 ・・・・・・・{作動中の減少トランジスタを有する}

H03K 19/09487 ・・・・・・{減少トランジスタだけを使用すること}

H03K 19/0952 ・・・・ショットキ・タイプFETを使用すること{MESFET}({H03K 19/09421, H03K 19/09432}, H03K 19/096 優位をとる)

H03K 19/0956 ・・・・ショットキーダイオードFET論理(H03K 19/096 優位をとる)

H03K 19/096 ・・・・同期回路、すなわち刻時信号を使用すること{(H03K 19/01728, H03K 19/01855 優位をとる)}

H03K 19/0963 ・・・・・{補完的なタイプのトランジスタを使用すること(H03K 19/0966 優位をとる)}

H03K 19/0966 ・・・・・{自動時限論理}

H03K 19/098 ・・・サイリスタを使用すること

H03K 19/10 ・・・トンネルダイオードを使用すること

H03K 19/12 ・・ダイオードレクチファイアを使用すること{(ダイオード-トランジスタ論理H03K 19/084)}

H03K 19/14 ・・光電子装置を使用すること、すなわち発光で光電の装置electrically-、または、光学的に被結合である(光学論理素子それ自体G02F 3/00)

H03K 19/16 ・・飽和可能な磁気デバイスを使用すること

H03K 19/162 ・・・パラメトロンを使用すること

H03K 19/164 ・・・ferro反響する装置を使用すること

H03K 19/166 ・・・transfluxorsを使用すること

H03K 19/168 ・・・薄膜装置を使用すること

H03K 19/17 ・・twistorsを使用すること

H03K 19/173 ・・構成素子として基本の論理回路を使用すること

H03K 19/1731 ・・・{それの最適化}

H03K 19/1732 ・・・・{ピンの限定または減少によって/ゲート比率(データ処理装置のためのG06F 1/22)}

H03K 19/1733 ・・・{制御可能な論理回路(H03K 19/177 優位をとる)}

H03K 19/1735 ・・・・{配線によって、例えば未遂のゲート・アレイ}

H03K 19/1736 ・・・・・{配線は、いずれにおいて、修正されることができるか}

H03K 19/1737 ・・・・{マルチプレクサを使用すること(H03K 19/1738 優位をとる)}

H03K 19/1738 ・・・・{cascodeスイッチ論理を使用すること(CSL)またはcascode ECL(CECL)}

H03K 19/177 ・・・マトリックス形式に配列される

H03K 19/17704 ・・・・{列および柱の相互接続により理解されている論理機能}

H03K 19/17708 ・・・・・{使用する。そして、ORマトリックスによって、従われるマトリックス、すなわちプログラム可能論理アレイ}

H03K 19/17712 ・・・・・・{少なくともreprogrammableなマトリックスのうちの1つ}

H03K 19/17716 ・・・・・・{すなわち刻時信号を使用して、同期作業を有する例えばiの/Oまたは結合レジスタ(H03K 19/17712 優位をとる)}

H03K 19/1772 ・・・・・・・{論理的マトリックスのうちの少なくとも1つの同期作業を有する}

H03K 19/17724 ・・・・{ロジックブロックの構造細部}

H03K 19/17728 ・・・・・{再設定可能なロジックブロック、例えば参照表}

H03K 19/17732 ・・・・・{マクロ・ブロック}

H03K 19/17736 ・・・・{ルーティングリソースの構造細部}

H03K 19/1774 ・・・・・{大域的信号のための、例えば時計、リセット}

H03K 19/17744 ・・・・・{入力のための/出力信号}

H03K 19/17748 ・・・・{構成資源の構造細部}

H03K 19/17752 ・・・・・{熱い再構成のための}

H03K 19/17756 ・・・・・{部分的な構成または再構成のための}

H03K 19/1776 ・・・・・{メモリのための}

H03K 19/17764 ・・・・・{信頼性のための}

H03K 19/17768 ・・・・・{セキュリティのための}

H03K 19/17772 ・・・・・{つけるかつけない力行のための}

H03K 19/17776 ・・・・・{構成または再構成の速度を上げるための}

H03K 19/1778 ・・・・{物理的なパラメータを適応させるための構造細部}

H03K 19/17784 ・・・・・{供給電圧のための}

H03K 19/17788 ・・・・・{なぜならば、私/O電圧}

H03K 19/17792 ・・・・・{操作の速度のための}

H03K 19/17796 ・・・・・{ブロックの物理的な配置のための}

H03K 19/18 ・・ガルバノ磁気装置を使用すること、例えばホール効果素子

H03K 19/185 ・・可変誘電率を有する誘電素子を使用すること、例えば強誘電性コンデンサ

H03K 19/19 ・・・ferro反響する装置を使用すること

H03K 19/195 ・・超電導な装置を使用すること

H03K 19/1952 ・・・{制御流の電磁気カップリングを有する}

H03K 19/1954 ・・・{制御流の注入を有する}

H03K 19/1956 ・・・・{inductorlessな回路を使用すること}

H03K 19/1958 ・・・{複合型構成、すなわち電磁継手および制御流の注入を使用すること}

H03K 19/20 ・論理機能によって、特徴付けられる、例えばそして、、OR、、ノット回路(H03K 19/003 to H03K 19/01 優位をとる)

H03K 19/21 ・・排他論理和回路、すなわち出力もしも入力信号を与えることは、1つの入力だけで存在する、同時回路、すなわち全ての入力信号が同一の場合だけ、出力を与えること

H03K 19/212 ・・・{バイポーラトランジスタを使用すること}

H03K 19/215 ・・・{電界効果トランジスタを使用すること}

H03K 19/217 ・・・・{ショットキ・タイプFETを使用すること(MESFET)}

H03K 19/23 ・・大多数または少数回路、すなわち大多数の様相または入力の少数を有する出力を与えること

H03K 21/00 パルスカウンタまたは周波数分割器の詳細{(1の数カウンタG06F 7/607)}

H03K 21/02 ・入力回路

H03K 21/023 ・・{上記は、パルス整形または分化している回路から成る}

H03K 21/026 ・・{上記は、論理回路から成る}

H03K 21/08 ・出力回路

H03K 21/10 ・・上記は、論理回路から成る

H03K 21/12 ・・・平行した読み出しを有する

H03K 21/14 ・・・数の読み出しが格納した連続を有する

H03K 21/16 ・連続した数十年間のパルスの上の運搬のための回路

H03K 21/17 ・・電界効果トランジスタを有する

H03K 21/18 ・結果の視覚の徴候のための回路

H03K 21/20 ・・グロー放電ランプを使用すること

H03K 21/38 ・始まること、カウンタを止めるかまたはリセットすること(2の累乗以外のベースを有するカウンタH03K 23/48, H03K 23/66)

H03K 21/40 ・モニタリング；誤り検出；不適当な報復動作を予防するかまたは修正すること

H03K 21/403 ・・{電源装置中断の場合には計数している状態を格納するための準備}

H03K 21/406 ・・{カウンタの同期化}

H03K 23/00 計数チェーンから成るパルスカウンタ；計数チェーンから成る周波数分割器(H03K 29/00 優位をとる)

H03K 23/001 ・{グループにより適用されられない素子を使用することH03K 23/002 そして、H03K 23/74 to H03K 23/84}

H03K 23/002 ・{半導体装置を使用すること(H03K 23/78, H03K 23/80, H03K 23/84 優位をとる)}

H03K 23/004 ・{非自然な計数しているオーダーでは重要になっているカウンタ、例えばランダムなカウンタ}

H03K 23/005 ・・{最小限の変化コードを使用すること、例えばGray Code}

H03K 23/007 ・・{３増し符号を使用すること}

H03K 23/008 ・・{２−５進符号を使用すること}

H03K 23/40 ・ゲートまたは計測している信号は、全ての段階にあてはまった、すなわち同期カウンタ{(H03K 23/74 to H03K 23/84 優位をとる)}

H03K 23/42 ・・位相外れのゲートまたは計測している信号は、段階に対処しようと申し込んだ

H03K 23/425 ・・・{バイステーブルを使用すること}

H03K 23/44 ・・・電界効果トランジスタを使用すること{(H03K 23/46 そして、H03K 23/425 優位をとる)}

H03K 23/46 ・・・電荷転送器を使用すること、すなわちバケツリレーの列または電荷結合素子

H03K 23/48 ・・2の累乗以外のベースまたは基数を有する(H03K 23/42 優位をとる)

H03K 23/483 ・・・{奇数であるベースを有する}

H03K 23/486 ・・・{非整数であるベースを有する}

H03K 23/50 ・・双安定再生するトリガ回路を使用すること(H03K 23/42 to H03K 23/48 優位をとる)

H03K 23/502 ・・・{2の累乗以外のベースまたは基数を有する(H03K 23/54 優位をとる)}

H03K 23/505 ・・・・{奇数であるベースを有する}

H03K 23/507 ・・・・{非整数であるベースを有する}

H03K 23/52 ・・・電界効果トランジスタを使用すること

H03K 23/54 ・・・環状計数器、すなわちフィードバック送りレジスタ・カウンタ(H03K 23/52 優位をとる)

H03K 23/542 ・・・・{交差した継手を有する、すなわちジョンソン・カウンタ}

H03K 23/544 ・・・・{奇数であるベースを有する}

H03K 23/546 ・・・・{非整数であるベースを有する}

H03K 23/548 ・・・・{可逆計数器}

H03K 23/56 ・・・可逆計数器(H03K 23/52{そして、H03K 23/548}優位をとる)

H03K 23/58 ・全ての段階に適用されるというわけではないゲートまたは計測している信号、すなわち非同期カウンタ(H03K 23/74 to H03K 23/84 優位をとる)

H03K 23/582 ・・{ベースまたは2の累乗で異なる基数を有する}

H03K 23/584 ・・・{奇数であるベースを有する}

H03K 23/586 ・・・{非整数であるベースを有する}

H03K 23/588 ・・{同期および非同期カウンタの組合せ}

H03K 23/60 ・・電界効果トランジスタを有する

H03K 23/62 ・・可逆性である

H03K 23/64 ・2の累乗以外のベースまたは基数を有する(H03K 23/40 to H03K 23/62 優位をとる)

H03K 23/66 ・・可変計数ベースを有する、例えばプレセットによって、またはパルスを加えるかまたは抑制することによって

H03K 23/662 ・・・{パルスを加えるかまたは抑制することによって}

H03K 23/665 ・・・{プレセットによって}

H03K 23/667 ・・・{計数自転車の間、ベースを切替えることによって}

H03K 23/68 ・・非整数であるベースを有する

H03K 23/70 ・・奇数であるベースを有する(H03K 23/66 優位をとる)

H03K 23/72 ・・10年カウンタ(H03K 23/66 優位をとる)

H03K 23/74 ・リレーを使用すること

H03K 23/76 ・磁気コアまたは強誘電性コンデンサを使用すること

H03K 23/763 ・・{超電導な装置を使用すること}

H03K 23/766 ・・{薄膜装置を使用すること}

H03K 23/78 ・光電子装置を使用すること

H03K 23/80 ・2本の電極だけを有する半導体装置を使用すること、例えばトンネルダイオード（多層ダイオード）｛例えば負の抵抗特徴を有する(単接合トランジスタH03K 23/84)}

H03K 23/82 ・ガス入りの管を使用すること

H03K 23/825 ・・{真空管を使用すること}

H03K 23/84 ・サイリスタまたは単接合トランジスタを使用すること

H03K 23/86 ・可逆性である(H03K 23/40 ためにH03K 23/84 優位をとる)

H03K 25/00 段階的な統合および静的記憶装置を有するパルスカウンタ；類似した周波数分割器

H03K 25/02 ・上記は、充電記憶から成る、例えば分極化ヒステリシスのないコンデンサ

H03K 25/04 ・・補助パルスジェネレータを使用することは、入って来るパルスにより起動した

H03K 25/12 ・上記は、ヒステリシス記憶から成る

H03K 27/00 パルスが連続的にあるパルスカウンタは、閉じ目を循環した；類似した周波数分割器(フィードバック送りレジスタ・カウンタH03K 23/54)

H03K 29/00 マルチ安定元素から成るパルスカウンタ、例えば３進のスケールのための、十進スケールのための；類似した周波数分割器

H03K 29/04 ・マルチ・カソード・ガス放電管を使用すること

H03K 29/06 ・光線-タイプ管を使用すること、例えばマグネトロン、CRT

H03K 99/00 このサブクラスの他の群において、提供されない内容

H03K 2005/00 このサブクラスの他の主群のうちの1つ時までに、適用されられないパルスを操ること(再生する動きを有する回路H03K 3/00, H03K 4/00；非線形磁気であるか誘電装置の使用によってH03K 3/45)

H03K 2005/00013 ・遅延、すなわち出力パルスは入力パルスの後で遅れる。そして、出力パルスのパルス長さは入力パルスのパルス長さに依存している

H03K 2005/00019 ・・可変遅延

H03K 2005/00026 ・・・アナログの電気信号により制御される、例えば1d転換の後、得られる/コンバータ

H03K 2005/00032 ・・・・切換トランジスタのdc制御

H03K 2005/00039 ・・・・・4つのトランジスタを有する連続的に

H03K 2005/00045 ・・・・コンデンサのまたは負荷としてのコンデンサのカップリングのdc電圧制御

H03K 2005/00052 ・・・・各々を有するまたは入力信号を有する一定の遅延信号の出力を混合することによって

H03K 2005/00058 ・・・デジタル設定により制御される

H03K 2005/00065 ・・・・電流制御によって、例えば平行した電流制御トランジスタによって

H03K 2005/00071 ・・・・負荷として静電容量を加えることによって

H03K 2005/00078 ・・一定の遅延

H03K 2005/00084 ・・・遅延を整えるかまたは調整することによって

H03K 2005/00091 ・・・・ヒューズリンクを使用すること

H03K 2005/00097 ・・・フィードバックを使用している遅延のバリエーションを避けること、例えばPLLにより制御される

H03K 2005/00104 ・・・・基準信号を使用すること、例えば基準刻時信号

H03K 2005/0011 ・・・・遅延を調整するために別々の時間間隔を使用すること

H03K 2005/00117 ・・・線終了のために遅延のバリエーションを避けること

H03K 2005/00123 ・・・統合耐性のために遅延のバリエーションを避けること

H03K 2005/0013 ・・・電源装置のために遅延のバリエーションを避けること

H03K 2005/00136 ・・・リードすることまたは後縁のための遅延の非対称を避けること；閾値のために遅延のバリエーションを避けること

H03K 2005/00143 ・・・温度のために遅延のバリエーションを避けること

H03K 2005/0015 ・・遅延素子のレイアウト

H03K 2005/00156 ・・・opampsを使用すること、コンパレータ、電圧倍率器または他のアナログの建築用ブロック

H03K 2005/00163 ・・・バイポーラトランジスタを使用すること

H03K 2005/00169 ・・・・現在の鏡を使用すること

H03K 2005/00176 ・・・・差動の段階を使用すること

H03K 2005/00182 ・・・・定電流ソースを使用すること

H03K 2005/00189 ・・・BiCMOS技術で

H03K 2005/00195 ・・・FETのを使用すること

H03K 2005/00202 ・・・・現在の鏡を使用すること

H03K 2005/00208 ・・・・差動の段階を使用すること

H03K 2005/00215 ・・・・そこにおいて、多数のFETのの伝導経路は、平行なまたは連続のある、同じゲート制御を有する全て

H03K 2005/00221 ・・・・そこにおいて、異なる出力FETのの伝導経路は、異なるゲート制御と並列に接続される、例えば異なるサイズまたは閾値を有する、または異なるレジスタにより連結される

H03K 2005/00228 ・・・補完的な入出力信号を有する

H03K 2005/00234 ・・・2つの論理レベルを有する回路を使用すること

H03K 2005/00241 ・・・・送りレジスタを使用すること

H03K 2005/00247 ・・・・カウンタを使用すること

H03K 2005/00254 ・・・・マイクロプロセッサを使用すること

H03K 2005/0026 ・・・・メモリまたはFIFOのを使用すること

H03K 2005/00267 ・・・・Dを使用すること/AまたはA/D変換器群

H03K 2005/00273 ・・・・デジタル比較器を使用すること

H03K 2005/0028 ・・・varicapsを使用すること、例えば特別に定義済みの閾値を有するFETのゲート収容力、遅延コンデンサとして

H03K 2005/00286 ・移相器、すなわち出力および入力パルス間の遅延は、頻度に依存している、そして、位相差が頻度の得られたインディペンデントであるように、

H03K 2005/00293 ・出力パルスは、上昇または立ち下がりエッジの後で出される遅延パルスである、入力トリガパルスの長さとの関係において、ない出力パルスの長さ

H03K 2017/00 電子交換またはゲート、すなわち接触をすることによって、または、-制動(針の選択または電気的な印刷の補助極B41J 2/405；サンプルおよび配置G11C 27/02；導波管の切換であるか割込装置H01P；ゲートで制御されたアンプH03F 3/72；静的装置を使用している交換システムのための切換準備H04Q 3/52)

H03K 2017/06 ・完全に実行している状態を確実にするための変更態様

H03K 2017/066 ・・ON-抵抗を最小化する代わりに、OFF-抵抗を最大にすること

H03K 2017/08 ・切換回路を過電流または過電圧から保護するための変更態様

H03K 2017/0803 ・・堅くなっている放射線に対して

H03K 2017/0806 ・・過剰な温度に対して

H03K 2017/22 ・予め定められたイニシャルを確実にするための変更態様は、供給電圧がいつ印加されたかについて告示する(双安定ジェネレータH03K 3/12)

H03K 2017/226 ・・二極式トランジスタスイッチで

H03K 2017/30 ・スイッチングの前に予め定められた閾値を提供するための変更態様(thresholdingすることによる形削りパルスH03K 5/08； {論理回路のためのH03K 19/0021})

H03K 2017/307 ・・ダイオードをシミュレーションしている回路、例えば閾値ゼロ

H03K 2017/51 ・使用する構成素子によって、特徴付けられる(H03K 17/04 to H03K 17/30, H03K 17/94 優位をとる)

H03K 2017/515 ・・機械的スイッチ、機械的スイッチを制御している電子スイッチ、例えばrelais

H03K 2017/56 ・・半導体装置を使用すること(ダイオードを使用することH03K 17/74)

H03K 2017/687 ・・・電界効果トランジスタを使用すること

H03K 2017/6875 ・・・・使用している自動導通する、減少FET

H03K 2017/6878 ・・・・マルチ・ゲート電界効果トランジスタを使用すること

H03K 2017/94 ・制御信号が発生する方法によって、特徴付けられる(スイッチまたはキーボードの制御手段の機械の構造細部、例えばキー、押しボタン、レバーまたは力を動作中の素子へ移す他の過程、直接電子効果を発生しないことH01H；特別なアプリケーション用のキーボードは、関連した場所を見る、例えば B41J, G06F 3/023, H04L 15/00, H04L 17/00, H04M 1/00)

H03K 2017/945 ・・近接スイッチ(H03K 17/96 優位をとる； {近接信管F42C 13/00；多数または目的を検出すること、例えば磁気であるか光学的探知器を用いてG01V、例えば G01V 3/00, G01V 8/10})

H03K 2017/9455 ・・・構造上の詳細(磁針検波器を使用している近接スイッチのH03K 17/9505)

H03K 2017/95 ・・・磁針検波器を使用すること

H03K 2017/9505 ・・・・{構造上の詳細}

H03K 2017/9507 ・・・・・照明を有する

H03K 2017/952 ・・・・{帰納的なコイルを使用すること}

H03K 2017/9527 ・・・・・エミッタまたはレシーバのコイルの詳細；コイルを発して、受けることから成る磁針検波器

H03K 2017/96 ・・タッチは、切り替えをする

H03K 2017/9602 ・・・タイプまたは感知電極の形状によって、特徴付けられる

H03K 2017/9604 ・・・・電極の数によって、特徴付けられる

H03K 2017/9606 ・・・・・タッチだけにつき1本の電極を使用することは、切り替えをする

H03K 2017/9609 ・・・・・・そこにおいて、電極は、切替えられる目的である

H03K 2017/9611 ・・・・・・そこにおいて、電極は、植物である

H03K 2017/9613 ・・・・・タッチにつき2本の電極を使用することは、切り替えをする

H03K 2017/9615 ・・・・・タッチにつき3本の電極を使用することは、切り替えをする

H03K 2017/9627 ・・・{光学的タッチは、切り替えをする}

H03K 2017/9631 ・・・・{スイッチの一部として光源を使用すること}

H03K 2017/9634 ・・・・・有機発光デバイスを使用すること、例えば発光重合体[OEP]またはOLED

H03K 2017/965 ・・スイッチの一部を形成している素子を動かすことにより制御されるスイッチ

H03K 2017/97 ・・・磁気可動因子を使用すること

H03K 2017/9706 ・・・・帰納的な素子

H03K 2017/9713 ・・・・Multiposition、例えば異なる閾値を有する比較を含むこと

H03K 2017/975 ・・・容量可動因子を使用すること

H03K 2017/9755 ・・・・オームのスイッチ；

H03K 2217/00 電子交換またはゲートに関連した索引作業計画、すなわち接触をすることによって、または、-柔布が、カバーしたH03K 17/00

H03K 2217/0009 ・ACスイッチ、すなわちAC電源を負荷に分配すること

H03K 2217/0018 ・特別な変更態様またはFETの後ろのゲート電圧の使用

H03K 2217/0027 ・手段を測定すること例えばスイッチ全体の電流または電圧

H03K 2217/0036 ・エネルギー消費量を減らしている手段

H03K 2217/0045 ・完全な橋、負荷による電流の方向を決定すること

H03K 2217/0054 ・ゲート・スイッチ、例えばパス・ゲート

H03K 2217/0063 ・ハイサイドスイッチ、すなわちより高い可能性(DC)または生命導線(AC)スイッチに、そして、負荷以外を経て直接接続されること

H03K 2217/0072 ・低い横のスイッチ、すなわちより低い可能性(DC)または中性点ワイア(AC)スイッチに、そして、負荷以外を経て直接接続されること

H03K 2217/0081 ・電源手段、例えばスイッチドライバに

H03K 2217/009 ・反響するドライバ回路

H03K 2217/94 ・制御信号が発生する方法によって、特徴付けられる

H03K 2217/94005 ・・音声または音により起動する

H03K 2217/9401 ・・較正技術

H03K 2217/94015 ・・・機械的な、例えば体の置き換えによって、遮蔽素子、または磁石、検知領域のまたはから

H03K 2217/94021 ・・・人間の活性化を有する、例えば要求しているかまたは人間の介入により起こされている方法、デジタルワードまたはアナログの電圧のユーザー入力

H03K 2217/94026 ・・・自動閾値較正、例えば閾値は、自動的に周囲条件に適応するかまたは入力の変化に続く

H03K 2217/94031 ・・・ディジタル処理部を含んでいる較正

H03K 2217/94036 ・・多数の検出、すなわちそこにおいて、ユーザの動作が同じであるか異なる種類の2台以上のセンサによって、作動運動の間、異なる場所で異なる時間瞬間で検出されたあと、異なるスイッチング信号は発生する

H03K 2217/94042 ・・エネルギー消費量を減らすための手段

H03K 2217/94047 ・・Cascodeは、スイッチを接続した

H03K 2217/94052 ・・作動パターンまたはシーケンスの評価を有する、例えばねじ立て

H03K 2217/94057 ・・ロータリスイッチ

H03K 2217/94063 ・・・光学検出を有する

H03K 2217/94068 ・・・磁気検出を有する

H03K 2217/94073 ・・・容量性検出を有する

H03K 2217/94078 ・・・音響検出を有する

H03K 2217/94084 ・・センサまたは両者間にセンサの中のパラメータおよび遠隔位置の伝送

H03K 2217/94089 ・・・ワイヤレス・トランスミッション

H03K 2217/94094 ・・・有線の伝達、例えばバス接続または類似物を経た。

H03K 2217/941 ・・光学式検出器を使用すること

H03K 2217/94102 ・・・活性化のタイプによって、特徴付けられる

H03K 2217/94104 ・・・・軽いバリアを使用すること

H03K 2217/94106 ・・・・光センサの受動的な活性化、例えば環境照明によって

H03K 2217/94108 ・・・・反射を利用すること

H03K 2217/94111 ・・・複数のエミッタを有する

H03K 2217/94112 ・・・複数のレシーバを有する

H03K 2217/94114 ・・・光学複数軸

H03K 2217/94116 ・・・信頼性を増やすこと、フェールセーフ。

H03K 2217/945 ・・近接スイッチ

H03K 2217/95 ・・・磁針検波器を使用すること

H03K 2217/952 ・・・・強磁性で非磁気伝導の目標の検出

H03K 2217/954 ・・・・強磁性ケース

H03K 2217/956 ・・・・陰抵抗体、例えばLC帰納的な近接スイッチ

H03K 2217/958 ・・・・トランスポンダを含むこと

H03K 2217/96 ・・タッチは、切り替えをする

H03K 2217/96003 ・・・音波を使用すること、例えば超音波

H03K 2217/96007 ・・・・反射によって

H03K 2217/96011 ・・・・普及を有する、鋸またはBAW

H03K 2217/96015 ・・・タッチ・スイッチに関する構造上の詳細(スイッチが見る容量タッチのためのH03K 2217/9607)

H03K 2217/96019 ・・・・伝導塗料を使用すること

H03K 2217/96023 ・・・・異なる素子間の電子整備士接続の詳細、例えば：

H03K 2217/96027 ・・・・圧電バネ式のばね

H03K 2217/96031 ・・・タッチ・スイッチおよびLC表示の組合せ

H03K 2217/96035 ・・・温度検出によって、すなわち体熱

H03K 2217/96038 ・・・帰納的なタッチは、切り替えをする

H03K 2217/96042 ・・・照明を有する

H03K 2217/96046 ・・・・キーパッドは、表示と組み合わさった、バックライトで照らされる

H03K 2217/9605 ・・・漏出の検出または体で接地点に接触させること全体の放電電流

H03K 2217/96054 ・・・二重機能：タッチ検出は、可動因子の検出と組み合わさった

H03K 2217/96058 ・・・フェイルセーフ・タッチは、切り替えをする、そこにおいて、スイッチングが、反復タッチだけの後、起こる

H03K 2217/96062 ・・・触覚であるか触角なフィードバックを有する

H03K 2217/96066 ・・・指回し式ホイール、ポテンショメータ、タッチ・スイッチによるscrollbarまたはスライダ・シミュレーション

H03K 2217/9607 ・・・容量タッチは、切り替えをする

H03K 2217/960705 ・・・・容量タッチおよび近接スイッチの安全性、例えば信頼性を増やすこと、フェールセーフである

H03K 2217/96071 ・・・・検出原理によって、特徴付けられる

H03K 2217/960715 ・・・・・Rc-タイミング、例えば充電時間の変化またはセンサの放出時間の測定

H03K 2217/96072 ・・・・・位相比較、すなわちそこにおいて、コンパレータが一致して受信する位相は、発振器から直接に信号を入力した、遅れて同じ信号を入力される1秒に、検知静電容量に従う遅延を有する

H03K 2217/960725 ・・・・・充電転送

H03K 2217/96073 ・・・・・振幅比較

H03K 2217/960735 ・・・・回路詳細によって、特徴付けられる

H03K 2217/96074 ・・・・・スイッチトキャパシタ

H03K 2217/960745 ・・・・・容量差動装置、例えば参照静電容量を有する比較

H03K 2217/96075 ・・・・・ブリッジ回路を含むこと

H03K 2217/960755 ・・・・容量タッチおよび近接スイッチの構造上の詳細

H03K 2217/96076 ・・・・・バネ電極を有する

H03K 2217/960765 ・・・・・遮へい配置の詳細

H03K 2217/96077 ・・・・・上記は、浮いている電極から成る

H03K 2217/960775 ・・・・・エミッタ-レシーバ、または、"フリンジ"タイプ検出、すなわち電極を発している一つ以上の分野および電極を受けている対応する一つ以上

H03K 2217/96078 ・・・・・導線または一片であるセンサ、例えば自動車ドアハンドルまたはバンパーにおいて、使われる

H03K 2217/960785 ・・・・照明を有する

H03K 2217/96079 ・・・・・単一であるかより多くの光導体を使用すること

H03K 2217/960795 ・・・・・有機発光デバイスを使用すること、例えば発光重合体[OEP]またはOLED

H03K 2217/965 ・・スイッチの一部を形成している素子を動かすことにより制御されるスイッチ

H03K 2217/9651 ・・・力に作用している移動側素子、例えば圧力ゲージ受感部

H03K 2217/9653 ・・・照明を有する

H03K 2217/9655 ・・・・単一であるかより多くの光導体を使用すること

H03K 2217/9656 ・・・・有機発光デバイスを使用すること、例えば発光重合体[OEP]またはOLED

H03K 2217/9658 ・・・安全性、例えば一連の運動を必要としているフェイルセーフ・スイッチング