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H01S　誘導放出を使用している装置

H01S 1/00 レーザー、すなわち生成の装置、増幅、変調、復調、または頻度が変化すること、誘導放出を使用すること、波長の赤外線の波のそれより長く電磁波の

H01S 1/005 ・{荷電粒子の相対論的な光を使用すること、例えば電子サイクロトロン・メーザー、ジャイロトロン}

H01S 1/02 ・固体

H01S 1/04 ・液体

H01S 1/06 ・ガスの、｛すなわち光線メーザー(原子時計G04F 5/14；発振器の振動数を調整するための参照頻度として、光線メーザーを使用している回路H03L 7/26；分子または原子線生成H05H 3/02)}

H01S 3/00 レーザー、すなわち生成の装置、増幅、変調、復調、または頻度が変化すること、誘導放出を使用すること、赤外線の、見える、または紫外線波({刺激されたブリュアンまたはラマン効果H01S 3/30}；半導体レーザH01S 5/00)

H01S 3/0007 ・{他に分類されないアプリケーション(レーザー光線による働く金属またはその他の材料B23K 26/00；反動的な推進力のあるスラストを発生するために光子を使用することF03H 3/00；測定値の一般に光学録音G01D 15/14；光学一般にG02B；ホログラフィック方法または装置G03H；光学にマークするかまたはデータレコード・キャリアの中で検出することG06K 7/10 to G06K 7/14, G06K 15/12；レーザーによるプラズマの注射加熱H05H 1/22B；電磁波圧による中性の分子の加速H05H 3/04)}

H01S 3/0014 ・{他に分類されない監視配置(測光G01J 1/00、例えば G01J 1/4257；放射線高温測定G01J 5/00；光の測定一貫性G01J 9/00；光の測定波長G01J 9/00、例えば G01J 9/0246；測定光学パルスG01J 11/00；レーザー光線の熱量測定な測定力G01K 17/003)}

H01S 3/005 ・{[N：レーザキャビティ（レーザーのために特別に構成される）に外部の光デバイス例えば光線のまたはレーザパルスを操作するための均質化のための、例えばパルス整形(働く金属またはその他の材料のための形削りレーザー光線B23K 26/06；光学エレメント、システムまたは装置一般にG02B)}

H01S 3/0057 ・・{側頭形削り、例えばパルス圧縮、鳴いている頻度(ソリトン生成および普及G02F 1/3513, H01S 3/063 そして、H01S 3/108)}

H01S 3/0064 ・・{反反射装置、例えば光学isolaters(作用しているレーザーにおける意図をマークするかまたは保護するための層を吸収することB23K 26/0054；光磁気非互恵的な装置G02F 1/093, G02F 1/0955)}

H01S 3/0071 ・・{操縦している光線、例えばそれによって空腔の外側の鏡は、光線方向を変えるためにある}

H01S 3/0078 ・・{濾過されている頻度}

H01S 3/0085 ・・{出力を調整すること、すなわちレーザー光線は、レーザキャビティの外側で調整される}

H01S 3/0092 ・・{非線形頻度転換、例えば第2の高調波発生‖[SHG}またはレーザキャビティの外側のsumor違い-頻度生成(非線形頻度転換それ自体G02F 1/35)]

H01S 3/02 ・構造上の詳細{(繊維レーザーのハウジングまたはパッケージH01S 3/06704)}

H01S 3/022 ・・{液体レーザの}

H01S 3/025 ・・{固体レーザの、例えばハウジングまたは実装}

H01S 3/027 ・・・{上記は、特別な空気をハウジングに含む}

H01S 3/03 ・・ガスレーザ放電管の{(ガス放電管一般にH01J 17/00, H01J 61/00)}

H01S 3/0305 ・・・{管またはコーティングのためのその上に材料の選択}

H01S 3/031 ・・・{金属蒸気レーザー、例えば金属蒸気生成}

H01S 3/0315 ・・・{導波管レーザー}

H01S 3/032 ・・・放出の分娩のための、例えば管を収縮させている放出の特集によって

H01S 3/0323 ・・・・{管を収縮させている放出の特集によって、例えば毛細管}

H01S 3/0326 ・・・・{電磁界によって}

H01S 3/034 ・・・光デバイスまたはフォーミング（成形）は、中で分かれる（管）例えばウインドウ、鏡(可変的な特性を有する反射器または共振器の最初の調整のための位置H01S 3/086)

H01S 3/0343 ・・・・{空力のウインドウ}

H01S 3/0346 ・・・・{ウインドウの保護または有害な効果に対する鏡(冷却配置H01S 3/0401)}

H01S 3/036 ・・・管の範囲内で得るかまたは所望のガス圧を維持するための手段、例えばゲッタリング（補充すること）によって、ガスを回すための手段、例えば管の範囲内で圧力を等しくするための({H01S 3/031 優位をとる；ガスレーザのための冷却配置H01S 3/041；ガス・ダイナミックなレーザーH01S 3/0979；一般にH01J 17/22, H01J 61/24})

H01S 3/038 ・・・電極、例えば特別な形状、構成または構成

H01S 3/0381 ・・・・{陽極またはそれの特定の改作}

H01S 3/0382 ・・・・{カソードまたはそれの特定の改作}

H01S 3/0384 ・・・・{補助極、例えばプレ・イオン化または起動することための、またはそのための特定の改作}

H01S 3/0385 ・・・・{形状}

H01S 3/0387 ・・・・・{螺旋形の形状}

H01S 3/0388 ・・・・{組成物、材料またはコーティング}

H01S 3/04 ・・冷却配置

H01S 3/0401 ・・・{レーザー共振器の一部である光学エレメントの、例えばウインドウ、鏡、レンズ}

H01S 3/0402 ・・・{液体レーザのための}

H01S 3/0404 ・・・{Air-またはガス冷却、例えば乾燥窒素によって}

H01S 3/0405 ・・・{伝導の冷却、例えばヒートシンクまたは熱電気素子によって}

H01S 3/0407 ・・・{冷えている液体、例えば水で}

H01S 3/0408 ・・・{放射性冷却、例えば作動中の媒体の反ストークス散乱によって}

H01S 3/041 ・・・ガスレーザのための{(H01S 3/0401 優位をとる)}

H01S 3/042 ・・・固体レーザのための{(H01S 3/0401 優位をとる)}

H01S 3/05 ・構造または光共振器の形状；作動中のその中の媒体の順応；作動中の媒体の形状

H01S 3/06 ・・構造または作動中の媒体の形状

H01S 3/0602 ・・・{結晶レーザまたはガラス・レーザー(H01S 3/063 優位をとる)}

H01S 3/0604 ・・・・{プレートまたはディスクの形で}

H01S 3/0606 ・・・・{多角形の横断面を有する、例えば厚板、プリズム(H01S 3/0604 優位をとる)}

H01S 3/0608 ・・・・{穴を有するレーザー結晶、例えばフラッシュランプまたは鏡を収納するための穴または孔}

H01S 3/061 ・・・・{楕円であるか円形の横断面および細長い形状を有する、例えばロッド}

H01S 3/0612 ・・・・{非均一な構造(H01S 3/07 優位をとる)}

H01S 3/0615 ・・・・{端面の形状}

H01S 3/0617 ・・・・{特定の方向の様々な構成または横断面を有すること}

H01S 3/0619 ・・・{コーティング、例えばAR、HR、パシベーション層}

H01S 3/0621 ・・・・{端面上のコーティング、例えば入力/レーザー光の出力表面}

H01S 3/0623 ・・・・・{反-反射的(AR)}

H01S 3/0625 ・・・・{端面以外の表層上のコーティング}

H01S 3/0627 ・・・{モノリシック仕上げの共振器、例えばmicrolaser}

H01S 3/063 ・・・導波管レーザー、｛すなわちそれによって導波管の寸法は、軽い波長の命令の中である(導波管ガスレーザH01S 3/0315)}

H01S 3/0632 ・・・・{光が薄膜の平面において、広がる薄膜レーザー}

H01S 3/0635 ・・・・・{周期構造を備えている、例えば使用することは、フィードバックを配信した。そして、カプラを軋らせる‖（制御すること、例えば変調することは、フィードバック・レーザーを配布したH01S 3/102)}

H01S 3/0637 ・・・・・{統合した横方向の導波管、例えば作動中の導波管は、絶縁体技術上のSiによって、作られる下地に統合される(Si/SiO2)}

H01S 3/067 ・・・・繊維レーザー{(それの光励起H01S 3/094003；出力パラメータを制御することH01S 3/10；出力パラメータの安定化H01S 3/13；効果を拡散させることによって、特徴付けられる、すなわち刺激されたブリュアンまたはラマン効果、 H01S 3/302)}

H01S 3/06704 ・・・・・{ハウジング；パッケージ}

H01S 3/06708 ・・・・・{繊維の構造上の詳細、例えば組成物、横断面、形状または漸減する(受動光導波路としての光ファイバG02B 6/02)}

H01S 3/06712 ・・・・・・{繊維に極性を与えること；偏光板}

H01S 3/06716 ・・・・・・{繊維組成物(それ自体C03C 13/04)または能動素子を有するドーピング(レーザ材料一般にH01S 3/14)}

H01S 3/0672 ・・・・・・{不均一性放射ドーピング}

H01S 3/06725 ・・・・・・{特定の分散によって、特徴づけられる繊維、例えばソリトン・レーザーのまたは補償している分散のためのパルス整形のための[DCF}]

H01S 3/06729 ・・・・・・{特有の横繊維側面}

H01S 3/06733 ・・・・・・・{複数の外装材を有する繊維}

H01S 3/06737 ・・・・・・・{多数の非同軸の核を有する繊維、例えばポンプおよび増加のための多数の活発な核または別々の核}

H01S 3/06741 ・・・・・・・{光子クリスタル繊維、すなわち光子なバンドギャップを有する繊維}

H01S 3/06745 ・・・・・・{繊維の中で漸減すること、核またはアクティブ領域}

H01S 3/0675 ・・・・・{軋っている構造を含んでいる共振器、例えば分散ブラッグ反射積層部(DBR)または分散フィードバック(DFB)繊維レーザー}

H01S 3/06754 ・・・・・{繊維アンプ(H01S 3/06708 優位をとる)}

H01S 3/06758 ・・・・・・{縦に並んだアンプ}

H01S 3/06762 ・・・・・・{特定の増幅バンドを有する}

H01S 3/06766 ・・・・・・・{C-バンド・アンプ、すなわち1560ナノメートルにつき約1530ナノメートルの範囲の増幅}

H01S 3/0677 ・・・・・・・{Ｌ周波帯アンプ、すなわち1610ナノメートルにつき約1560ナノメートルの範囲の増幅}

H01S 3/06775 ・・・・・・・{Ｓ周波帯アンプ、すなわち1530ナノメートルにつき約1450ナノメートルの範囲の増幅}

H01S 3/06779 ・・・・・・{制限する光学力を有する}

H01S 3/06783 ・・・・・・{カプラを増幅すること}

H01S 3/06787 ・・・・・・{双方向性アンプ}

H01S 3/06791 ・・・・・{繊維リング・レーザー(繊維レーザージャイロメーターG01C 19/72)}

H01S 3/06795 ・・・・・{スーパー蛍光な放出を有する、例えば繊維レーザージャイロメーターのための増幅された自然放出ソース(繊維レーザージャイロメーターそれ自体G01C 19/72)}

H01S 3/07 ・・・複数のパーツからなる、例えば部分(H01S 3/067 優位をとる)

H01S 3/073 ・・・・{別々の放出断面を1つの空腔に含んでいるガスレーザ、例えば複合型レーザー(別々のガスレーザの並列配列H01S 3/2366)}

H01S 3/076 ・・・・・{折る経路レーザー}

H01S 3/08 ・・構造または光共振器またはそれの構成素子の形状{(導波管レーザーH01S 3/063；出力されるレーザーを制御することH01S 3/10；安定させることH01S 3/13)}

H01S 3/08004 ・・・{分散的な素子を組み込むこと、例えば波長選択のためのプリズム(H01S 3/0811, H01S 3/08022 優位をとる)}

H01S 3/08009 ・・・・{回折格子を使用すること}

H01S 3/08013 ・・・[N：繊維から成る共振器、例えば分散または繰り返し率を修正するための(繊維である作動中の媒体H01S 3/067)

H01S 3/08018 ・・・{モード抑制}

H01S 3/08022 ・・・・{長手方向モード制御、例えば特にマルチモード}

H01S 3/08027 ・・・・・{フィルタによって、例えばファブリー-ペロー・フィルタが、波長設定のために用いられる}

H01S 3/08031 ・・・・・{一つのモード放出}

H01S 3/08036 ・・・・・・{空腔において、配置される分散的であるか、極性を持っているか複屈折の素子によって、例えばファブリー・ペロエタロン、傾けられたプレート}

H01S 3/0804 ・・・・{横であるか横方向のモード制御、例えば特にマルチモード}

H01S 3/08045 ・・・・・{一つのモード放出}

H01S 3/0805 ・・・・・{開口によって、例えばピンホール、ナイフの刃、apodizers}

H01S 3/08054 ・・・{分極化に従って行動している受動的な空腔素子、例えば分岐または退場補償のための偏光子(Ｑスイッチ・レーザーの四分の一波長板H01S 3/1124, H01S 3/115)}

H01S 3/08059 ・・・{反射器の構造上の詳細、例えば形状(鏡一般にG02B 5/08；鏡のための実装G02B 7/18)}

H01S 3/08063 ・・・・{段階的な反射率、例えば可変反射率鏡}

H01S 3/08068 ・・・・{穴；段階状の表層；特別な横断面}

H01S 3/08072 ・・・{熱lensingしているか熱的に誘導された複屈折；それの補償}

H01S 3/08077 ・・・・{誘導されるポンプがwaveguidingして、すなわち、ポンプは増幅された光を導くためにレーザ媒体の屈折率変化を誘発する、例えばgain-または案内しているloss-、または、熱的に誘発された屈折率が、変化する}

H01S 3/08081 ・・・{不安定な共振器}

H01S 3/08086 ・・・{多数の波長放出}

H01S 3/0809 ・・・・{2 wavelenghthな放出}

H01S 3/08095 ・・・{作動中の媒体によるジグザクの進行している光線}

H01S 3/081 ・・・上記は、2つ以上の反射器から成る{(折る経路ガスレーザH01S 3/076)}

H01S 3/0811 ・・・・{分散的な素子を組み込むこと、例えば波長選択のためのプリズム}

H01S 3/0812 ・・・・・{回折格子を使用すること}

H01S 3/0813 ・・・・{共振器の構成}

H01S 3/0815 ・・・・・{3つの反射器を有すること、すなわちＶ型の共振器}

H01S 3/0816 ・・・・・{4つの反射器を有すること、すなわちZ形の共振器}

H01S 3/0817 ・・・・・{5つの反射器を有すること、すなわちW形の共振器}

H01S 3/0818 ・・・・{不安定な共振器}

H01S 3/082 ・・・・複数の共振器を定めること、例えばモード選択のための{(一つの長手方向モード制御H01S 3/08022)}

H01S 3/0823 ・・・・・{分散的な素子を組み込むこと、例えば波長選択のためのプリズム}

H01S 3/0826 ・・・・・・{回折格子を使用すること}

H01S 3/083 ・・・・リング・レーザー(リング・レーザージャイロメーターG01C 19/66； {繊維リング・レーザーH01S 3/06791})

H01S 3/0835 ・・・・・{ガスコンロ・レーザー}

H01S 3/086 ・・・可変的な特性を有する一つ以上の反射器または共振器の最初の調整のための位置(動作の間、レーザー出力のパラメータを変化させることH01S 3/10；レーザー出力の安定化H01S 3/13)

H01S 3/09 ・方法または励振のための装置、例えばポンピング

H01S 3/0903 ・・{自由電子レーザー}

H01S 3/0906 ・・{電気である、電気化学的である、または色素レーザの電子ビーム・ポンピング}

H01S 3/091 ・・光励起を使用すること

H01S 3/0912 ・・・{励振源のための電子機器またはドライバ、すなわちドライバの詳細またはレーザー・ポンピングに固有な回路(レーザダイオード・ドライバH01S 5/042)}

H01S 3/0915 ・・・首尾一貫しない光によって

H01S 3/09155 ・・・・{陰極線ルミネセンスによって}

H01S 3/092 ・・・・閃光電球の(H01S 3/0937 優位をとる； {(閃光電球それ自体H01J 61/80；操作の閃光電球用の一般に回路配置H05B 41/30)})

H01S 3/093 ・・・・・作動中の媒体に集中させるかまたは励起エネルギーを導くこと

H01S 3/0931 ・・・・・・{イメージング・ポンプ空腔、例えば楕円である}

H01S 3/0933 ・・・・半導体の、例えば発光ダイオード

H01S 3/0937 ・・・・爆発することまたは可燃材によって、できる

H01S 3/094 ・・・コヒーレント光によって

H01S 3/094003 ・・・・{繊維である汲み出された媒体}

H01S 3/094007 ・・・・・{外装材ポンピング、すなわち活発な核を囲んでいるクラッドにおいて、広がっているポンプ光}

H01S 3/094011 ・・・・・{双方向性ポンピングを有する、すなわち繊維の両方の2つの端からのポンプ光の注入を有する}

H01S 3/094015 ・・・・・{すなわち繊維の中へと戻して、使っていないポンプ光の再噴射については、ポンプ光リサイクルを有する例えば反射器またはサーキュレータによって}

H01S 3/094019 ・・・・・{横の汲み出された繊維、それによってポンプ光は、プリズムのように光学部品を経た繊維に横に連結される、または格子、またはV-溝結合を経た}

H01S 3/094023 ・・・・・{繊維の中へと戻して、アセ光の再噴射については、アセ光リサイクルを有する例えば反射器またはサーキュレータによって}

H01S 3/094026 ・・・・{同期をとって、ポンプで水を揚げるための、例えばモード同期のための}

H01S 3/09403 ・・・・{クロス・ポンピング、例えば励振転送の中間の媒体を含んでいるフォースター・プロセス}

H01S 3/094034 ・・・・{染料である汲み出された媒体}

H01S 3/094038 ・・・・{端ポンピング}

H01S 3/094042 ・・・・{繊維レーザーの}

H01S 3/094046 ・・・・・{ラマーン繊維レーザーの}

H01S 3/094049 ・・・・{ポンプ光の中で案内すること}

H01S 3/094053 ・・・・・{繊維被結合ポンプ、例えば繊維または繊維束を使用しているポンプ光を分配すること}

H01S 3/094057 ・・・・・{テーパー付きダクトまたは均質にされた光導波路によって、例えばポンプ光に集中するための}

H01S 3/094061 ・・・・{共有ポンプ、すなわち単一の励振源のポンプ光は、平行に複数の増加メディアを汲み出すために用いる}

H01S 3/094065 ・・・・{一つのモード・ポンピング}

H01S 3/094069 ・・・・{マルチ・モード・ポンピング}

H01S 3/094073 ・・・・{非分極化するポンプ、例えばラマンレーザのためのポンプ光を減極すること}

H01S 3/094076 ・・・・{鼓動されるか調整されたポンピング(H01S 3/1024 優位をとる)}

H01S 3/09408 ・・・・{ポンプ冗長}

H01S 3/094084 ・・・・{すなわち使っていないポンプ光の再噴射については、ポンプ光リサイクルを有する例えば反射器またはサーキュレータによって}

H01S 3/094088 ・・・・{すなわちアセ光の再噴射については、アセ光リサイクルを有する例えば反射器またはサーキュレータによって}

H01S 3/094092 ・・・・{アップコンバージョンポンピング}

H01S 3/094096 ・・・・{マルチ波長ポンピング}

H01S 3/0941 ・・・・レーザダイオードの

H01S 3/09415 ・・・・・{汲み出された媒体のレーザー光線を出しているモードと平行のポンピング光線、例えば端-ポンピング}

H01S 3/0943 ・・・・ガスレーザの

H01S 3/0947 ・・・・有機色素レーザの

H01S 3/095 ・・化学であるか熱ポンピングを使用する｛（プラズマを生成すること、例えば燃焼によってH02K 44/00, H05H 1/24)}

H01S 3/09505 ・・・{光化学反応を含むこと、例えば光解離(ヨウ素レーザーH01S 3/2215)}

H01S 3/0951 ・・・レーザー・ガス媒体の圧力を増やすことによって

H01S 3/0953 ・・・・ガス・ダイナミックなレーザー、すなわち超音波の流れ速度に対するレーザー・ガス媒体の展開を有する

H01S 3/0955 ・・高エネルギー分子によって、ポンピングを使用すること{(H01S 3/0903, H01S 3/0906, H01S 3/09707 優位をとる)}

H01S 3/0957 ・・・高エネルギー核粒子によって

H01S 3/0959 ・・・電子ビームによって

H01S 3/097 ・・ガスレーザのガス放出によって

H01S 3/09702 ・・・{ドライバ・エレクトロニクスおよび放電回路の詳細}

H01S 3/09705 ・・・{放出を安定させるための特定の手段を有する}

H01S 3/09707 ・・・{電子またはイオンビームを使用すること(自由電子レーザーH01S 3/0903)}

H01S 3/0971 ・・・横断方向に、励振状態である(H01S 3/0975 優位をとる)

H01S 3/09713 ・・・・{補助イオン化を有する、例えば二重放出励振}

H01S 3/09716 ・・・・・{放射線をイオン化することによって}

H01S 3/0973 ・・・・作動中の媒体を通過している進行している波を有する

H01S 3/0975 ・・・帰納的であるか容量励振を使用すること

H01S 3/0977 ・・・補助イオン化手段を有する{(H01S 3/09713 優位をとる)}

H01S 3/09775 ・・・・{放射線をイオン化することによって}

H01S 3/0979 ・・・ガス・ダイナミックなレーザー、すなわち超音波の流れ速度に対するレーザー・ガス媒体の展開を有する

H01S 3/10 ・強度、頻度、位相、分極化または発された放射線の方向を制御すること、例えばスイッチング、ゲート、調整するかまたは復調すること(モード同期{H01S 3/1106}；光線の中で制御すること、頻度が変化すること、非線形光学、光学論理素子、一般にG02F)

H01S 3/10007 ・・{光増幅器で}

H01S 3/10015 ・・・{モニタするかまたは制御することによって、例えば減ること、入力信号}

H01S 3/10023 ・・・{追加的な光学エレメントの機能的な関連によって、例えばフィルタ、格子、反射器}

H01S 3/1003 ・・・・{曲がり可能な光学エレメント、例えば音響光学フィルタ、調整できる格子}

H01S 3/10038 ・・{振幅調節}

H01S 3/10046 ・・・{パルス繰返し率制御(H01S 3/11 優位をとる)}

H01S 3/10053 ・・{位相制御}

H01S 3/10061 ・・{分極化制御}

H01S 3/10069 ・・{記憶されるか前もってプログラムされた特徴、例えばルックアップ表[LUT}]

H01S 3/10076 ・・{光学位相接合を使用すること、例えば接合した反射を段階的に実行する}

H01S 3/10084 ・・{種まきによる頻度制御}

H01S 3/10092 ・・・{整合的な種、例えば注射錠締め}

H01S 3/101 ・・レーザーは、場所を変える手段を提供したそれ、または中で方向それ、レーザ放射は、発される(optical-mechanicalなスキャニング・システム一般にG02B 26/10；電子、磁力-または音響光学屈折G02F 1/29； {位置の制御または光線生成装置の一般に方向G05D 3/00})

H01S 3/102 ・・作動中の媒体を制御することによって、例えば方法または励振のための装置を制御することによって(H01S 3/13 優位をとる)

H01S 3/1022 ・・・{光励起を制御することによって}

H01S 3/1024 ・・・・{パルス生成のための}

H01S 3/1026 ・・・{翻訳または回転によって、作動中の媒体を制御すること、例えば共振器軸に位置している作動中の媒体のその部分から、熱を取り除く}

H01S 3/1028 ・・・{温度を制御することによって}

H01S 3/104 ・・・ガスレーザの

H01S 3/105 ・・空腔の反射器の相互の位置または反射している特性を制御することによって、｛例えば空腔長を制御することによって}({H01S 3/10076}, H01S 3/13 優位をとる)

H01S 3/1051 ・・・{失敗する反省を使用しているタイプの中である反射器のうちの1つ}

H01S 3/1053 ・・・{圧力または変形による制御}

H01S 3/1055 ・・・回折格子により構成されている反射器のうちの1つ

H01S 3/106 ・・空腔の範囲内で配置される装置を制御することによって({H01S 3/10076}, H01S 3/13 優位をとる)

H01S 3/1061 ・・・{可変吸収装置を使用すること}

H01S 3/1062 ・・・{制御受動的な干渉計を使用すること、例えばファブリー・ペロエタロン}

H01S 3/1063 ・・・{少なくとも一つの可能性を備えている固体装置を使用することは、バリアをジャンプする}

H01S 3/1065 ・・・{液晶を使用すること}

H01S 3/1066 ・・・{光磁気装置を使用すること}

H01S 3/1067 ・・・{圧力または変形を使用すること}

H01S 3/1068 ・・・{音響光学装置を使用すること}

H01S 3/107 ・・・電子光学装置を使用すること、例えばPockels-またはカー効果を呈することH01S 3/1061, H01S 3/1063, H01S 3/1065 優位をとる)}

H01S 3/1075 ・・・・{光学屈折のための}

H01S 3/108 ・・・非線形光デバイスを使用すること、例えばBrillouin-またはラマン散乱を呈すること{(非線形素子を使用しているモード同期H01S 3/1112)}

H01S 3/1083 ・・・・{パラメータの生成を使用すること}

H01S 3/1086 ・・・・{効果を拡散させることを使用すること、例えばラマーンまたはブリュアン効果}

H01S 3/109 ・・・・逓倍している頻度、例えば高調波発生

H01S 3/1095 ・・・・・{自己ダブリング、例えば同じ作動中の媒体によるレーザー光線を出しているおよび頻度ダブリング}

H01S 3/11 ・・{パルス生成、例えばＱスイッチング、モード同期}

H01S 3/1103 ・・・{空腔廃棄}

H01S 3/1106 ・・・{モード同期}

H01S 3/1109 ・・・・{作動中のモード同期}

H01S 3/1112 ・・・・{受動的なモード同期}

H01S 3/1115 ・・・・・{サチュラブル・アブゾーバを使用すること(サチュラブル・アブゾーバによるＱスイッチングH01S 3/113)}

H01S 3/1118 ・・・・・・{固体吸収装置、例えばSESAM}

H01S 3/1121 ・・・・{調和してモードロックのレーザー、例えば変調頻度は、多数の整数または一部分の共振器往復時間に等しい}

H01S 3/1124 ・・・{光磁気装置を使用しているＱスイッチング}

H01S 3/1127 ・・・{パルス伝達モードを使用しているＱスイッチング(PTM)}

H01S 3/113 ・・・{Ｑスイッチング}漂白可能であるか太陽光線で変化を受けているメディアを使用すること

H01S 3/115 ・・・{Ｑスイッチング}電子光学装置を使用すること

H01S 3/117 ・・・{Ｑスイッチング}音響光デバイスを使用すること

H01S 3/121 ・・・{Ｑスイッチング}機械式装置を使用すること

H01S 3/123 ・・・・回転鏡

H01S 3/125 ・・・・回転プリズム

H01S 3/127 ・・・複数のＱスイッチ

H01S 3/13 ・・レーザー出力パラメータの安定化、例えば頻度、振幅

H01S 3/1301 ・・・{光増幅器で}

H01S 3/1302 ・・・・{全て光学的手段によって、例えば増加を固定すること}

H01S 3/1303 ・・・{受動的な参照を用いて、例えば吸収セル(H01S 3/139 優位をとる)}

H01S 3/1304 ・・・{活発な参照を用いて、例えば第2のレーザー、クライストロンまたは他の標準の頻度ソース(H01S 3/139 優位をとる；電子ジェネレータの自動制御H03L 7/00)}

H01S 3/1305 ・・・{フィードバック制御システム}

H01S 3/1306 ・・・{振幅の安定化}

H01S 3/1307 ・・・{位相の安定化}

H01S 3/1308 ・・・{分極化の安定化}

H01S 3/131 ・・・作動中の媒体を制御することによって、例えば方法または励振のための装置を制御することによって

H01S 3/1312 ・・・・{光励起を制御することによって}

H01S 3/1315 ・・・・{増加飽和によって}

H01S 3/1317 ・・・・{温度を制御することによって}

H01S 3/134 ・・・・ガスレーザの

H01S 3/136 ・・・空腔の範囲内で配置される装置を制御することによって

H01S 3/137 ・・・・頻度の中で安定させるための

H01S 3/139 ・・・空腔の反射器の相互の位置または反射している特性を制御することによって、｛例えば空腔長を制御することによって}

H01S 3/1392 ・・・・{受動的な参照を用いて、例えば吸収セル(H01S 3/1396, H01S 3/1398 優位をとる)}

H01S 3/1394 ・・・・{活発な参照を用いて、例えば第2のレーザー、クライストロンまたは他の標準の頻度ソース}

H01S 3/1396 ・・・・{ある2つのモードを用いて、例えば分裂しているゼーマン(H01S 3/1398 優位をとる)}

H01S 3/1398 ・・・・{出力の補助変調を用いて}

H01S 3/14 ・作動中の媒体として使用する材料によって、特徴付けられる

H01S 3/16 ・・固体材料

H01S 3/1601 ・・・{活動によって、特徴付けられる(レーザー光線を出すこと)イオン}

H01S 3/1603 ・・・・{希土酸化物}

H01S 3/1605 ・・・・・{テルビウム}

H01S 3/1606 ・・・・・{ジスプロシウム}

H01S 3/1608 ・・・・・{エルビウム}

H01S 3/161 ・・・・・{ホルミウム}

H01S 3/1611 ・・・・・{ネオジム}

H01S 3/1613 ・・・・・{プラセオジミウム}

H01S 3/1615 ・・・・・{サマリウム}

H01S 3/1616 ・・・・・{ツリウム}

H01S 3/1618 ・・・・・{イッテルビウム}

H01S 3/162 ・・・・{遷移金属}

H01S 3/1621 ・・・・・{コバルト}

H01S 3/1623 ・・・・・{クロミウム、例えばアレキサンドライト}

H01S 3/1625 ・・・・・{チタン}

H01S 3/1626 ・・・・{ウラン}

H01S 3/1628 ・・・{半導体化しているマトリックスによって、特徴付けられる}

H01S 3/163 ・・・{水晶のマトリックスによって、特徴付けられる}

H01S 3/1631 ・・・・{アルミン酸塩}

H01S 3/1633 ・・・・・[N：BeAl2O4すなわち金緑石

H01S 3/1635 ・・・・・{LaMgAl11O19(LNA、ランタン マグネシウム ヘキサルミネート)}

H01S 3/1636 ・・・・・{Al2O3(サファイヤ)}

H01S 3/1638 ・・・・・{YAlO3(YALOまたはほえ声、イットリウム アルミニウムペロブスカイト)}

H01S 3/164 ・・・・{ガーネット}

H01S 3/1641 ・・・・・{GGG}

H01S 3/1643 ・・・・・{YAG}

H01S 3/1645 ・・・・{ハロゲン化物}

H01S 3/1646 ・・・・・{BaY2F8}

H01S 3/1648 ・・・・・{公式XYZを有するF6 (Colquiriite構造)、そこにおいて、Xは、Liである、Na、K、または、 Rb、Yは、マグネシウムである、Ca、Sr、cdまたはBaおよびZ‖Alある、scまたはGa}

H01S 3/165 ・・・・・{公式Mを有するF2,そこにおいて、Mは、Caである、SrまたはBa}

H01S 3/1651 ・・・・・{SrAlF5}

H01S 3/1653 ・・・・・{YLiF4 (YLF、LYF)}

H01S 3/1655 ・・・・{ケイ酸塩}

H01S 3/1656 ・・・・・{BeAl2(SiO3)6}

H01S 3/1658 ・・・・・{Mg2SiO4(フォルステライト)}

H01S 3/166 ・・・・・{La3Ga5SiO14(LG)}

H01S 3/1661 ・・・・・{Y2SiO5(YSO)}

H01S 3/1663 ・・・・{beryllateする}

H01S 3/1665 ・・・・・{La2Be2O5(BEL)}

H01S 3/1666 ・・・・{ホウ酸塩、炭酸塩、ヒ化物}

H01S 3/1668 ・・・・{scandateする}

H01S 3/167 ・・・・・{Sc2O3}

H01S 3/1671 ・・・・{バナジウム酸塩、ニオブ酸塩、タンタル酸塩}

H01S 3/1673 ・・・・・{YVO4(YVO)}

H01S 3/1675 ・・・・{チタン酸塩、ゲルマニウム酸塩する、モリブデン酸塩、タングステン酸塩}

H01S 3/1676 ・・・・・{Li4Ge5O12}

H01S 3/1678 ・・・・・{LaBGeO5}

H01S 3/168 ・・・{固いマトリックスで分散する有機染料を使用すること}

H01S 3/1681 ・・・{色センターを使用すること}

H01S 3/1683 ・・・{超電導を使用すること例えばジョセフソン接合を備えている}

H01S 3/1685 ・・・{セラミック}

H01S 3/1686 ・・・{液晶活動層}

H01S 3/1688 ・・・{化学量論組成レーザー合成物、すなわち能動素子は、いずれにおいて、単にドーパントだけであることよりむしろ化学量論の公式の1つの構成素子を形成するか}

H01S 3/169 ・・・{ナノ微粒子、例えば増加材料として作用しているドーピングしたナノ微粒子}

H01S 3/1691 ・・・{添加物によって、特徴付けられる/sensitisers/更なるドーパントとしてのプロモータ}

H01S 3/1693 ・・・・{アルミニウム}

H01S 3/1695 ・・・・{ゲルマニウム}

H01S 3/1696 ・・・・{遷移金属}

H01S 3/1698 ・・・・{希土酸化物}

H01S 3/17 ・・・不定形の、例えばガラス{(ガラス製造、形削りまたは補助方法C03B；レーザ可能なガラスのための組成物C03C 4/0071)}

H01S 3/171 ・・・・{カルコゲナイドガラス}

H01S 3/172 ・・・・{セレン化物ガラス}

H01S 3/173 ・・・・{フッ化物ガラス、例えばfluorozirconateなZBLAN [ZrF4-BaF2-LaF3-AlF3-NaF}]

H01S 3/175 ・・・・{りん酸ガラス}

H01S 3/176 ・・・・{二酸化ケイ素またはけい酸塩ガラス}

H01S 3/177 ・・・・{テルル化物ガラス}

H01S 3/178 ・・・・{プラスチック}

H01S 3/20 ・・液体

H01S 3/207 ・・・上記は、キレートを含む｛例えば上記は、原子またはイオンを含む。例えばNd}

H01S 3/213 ・・・上記は、有機染料を含む

H01S 3/22 ・・ガス

H01S 3/2207 ・・・{貴ガス・イオン、例えばAr+>、Kr+>}

H01S 3/2215 ・・・{ヨウ素合成物または原子ヨウ素}

H01S 3/2222 ・・・{ネオン、例えばヘリウム・ネオンの(He-Ne)システム}

H01S 3/223 ・・・活発なガス存在多原子、すなわち上記は、複数の原子を含む(H01S 3/227 優位をとる)

H01S 3/2232 ・・・・{二酸化炭素(CO2)または一酸化物(CO)}

H01S 3/2235 ・・・・{染料蒸気}

H01S 3/2237 ・・・・{分子窒素（N2）、例えば貴ガスN2システムで}

H01S 3/225 ・・・・上記は、エキシマまたは励起錯体から成る

H01S 3/2251 ・・・・・{ArF、すなわちアルゴン・フッ化物は、約193ナノメートルにレーザー光線を当てるために成られる}

H01S 3/2253 ・・・・・{XeCl、すなわちキセノン塩化物は、約308ナノメートルにレーザー光線を当てるために成られる}

H01S 3/2255 ・・・・・{XeF、すなわちキセノン・フッ化物は、約351ナノメートルにレーザー光線を当てるために成られる}

H01S 3/2256 ・・・・・{KrF、すなわちクリプトン・フッ化物は、約248ナノメートルにレーザー光線を当てるために成られる}

H01S 3/2258 ・・・・・{F2、すなわち分子フッ化物は、約157ナノメートルにレーザー光線を当てるために成られる}

H01S 3/227 ・・・金属蒸気

H01S 3/23 ・グループの中に提供されない2つ以上のレーザーの配列H01S 3/02 to H01S 3/22、例えば別々の作動中のメディアの並列配列

H01S 3/2308 ・・{アンプ配置、例えばMOPA}

H01S 3/2316 ・・・{カスケードされたアンプ}

H01S 3/2325 ・・・{マルチ・パス・アンプ、例えば再生するアンプ}

H01S 3/2333 ・・・・{複光路方式アンプ}

H01S 3/2341 ・・・・{4は、アンプを渡す}

H01S 3/235 ・・・・{再生するアンプ}

H01S 3/2358 ・・{上記は、作動中の媒体として染料から成る}

H01S 3/2366 ・・{上記は、作動中の媒体としてガスから成る(H01S 3/10092, H01S 3/2383 優位をとる)}

H01S 3/2375 ・・{複合型レーザー(H01S 3/07 優位をとる)}

H01S 3/2383 ・・{平行した配置}

H01S 3/2391 ・・・{異なる波長で発すること}

H01S 3/30 ・効果を拡散させることを使用すること、例えば刺激されたブリュアンまたはラマン効果

H01S 3/302 ・・{光ファイバの}

H01S 3/305 ・・{ガスの}

H01S 3/307 ・・{液体の}

H01S 4/00 誘導放出を使用している装置またはそれら以外の波エネルギーは、グループによって、カバーしたH01S 1/00 or H01S 3/00、例えば音量子メーザー、γメーザー

H01S 5/00 半導体レーザ{(超発光なダイオードH01L 33/0045)}

H01S 5/0014 ・{測定特徴またはそれの特性(技術を測定することそれ自体G01J, G01K, G01N, G01R)}

H01S 5/0021 ・・{低下または生命時間測定値}

H01S 5/0028 ・・{探知器として使用するレーザダイオード}

H01S 5/0035 ・・{レーザー特徴のシミュレーション}

H01S 5/0042 ・・{ウェーハ・テスト上の、例えばレーザーは、ウェーハをチップに分ける前に試験される}

H01S 5/005 ・{レーザキャビティ（したがって特別に構成される）に外部の光デバイス例えば均質化または光線のまたはレーザパルスを操作するための差込みのための、例えばパルス整形(H01S 5/026, H01S 5/18388 優位をとる)}

H01S 5/0057 ・・{側頭形削り、例えばパルス圧縮、鳴いている頻度}

H01S 5/0064 ・・[N：反反射装置、例えば光アイソレータ

H01S 5/0071 ・・{操縦している光線、例えばそれによって空腔の外側の鏡は、光線方向を変えるためにある}

H01S 5/0078 ・・{濾過されている頻度}

H01S 5/0085 ・・{出力を調整すること、すなわちレーザー光線は、レーザキャビティの外側で調整される}

H01S 5/0092 ・・{非線形頻度転換、例えば第2の高調波発生‖[SHG}またはレーザキャビティの外側のsumor違い-頻度生成(非線形頻度転換それ自体G02F 1/35)]

H01S 5/02 ・構造細部またはレーザー・アクションにとって重要でない構成素子

H01S 5/0201 ・・{個々の素子へのウェーハの分離、例えば市松模様によって、割れること、エッチングする直接成長の間、または、}

H01S 5/0202 ・・・{割れること}

H01S 5/0203 ・・・{エッチング}

H01S 5/0205 ・・・{半導体部分の成長の間、}

H01S 5/0206 ・・{下地、例えば成長、形状、材料、除去または接着する； (特定の水晶の方位H01S 5/3202)}

H01S 5/0207 ・・・{特別な形状を有する下地}

H01S 5/0208 ・・・{半絶縁基体}

H01S 5/021 ・・・{シリコンは、下地の基礎を形成した}

H01S 5/0211 ・・・{３値または４原子の合成物でできている下地}

H01S 5/0212 ・・・・{段階的な構成を有する}

H01S 5/0213 ・・・{サファイヤ、クォーツまたはダイヤモンドは、下地の基礎を形成した}

H01S 5/0215 ・・・{下地に接着すること}

H01S 5/0216 ・・・・{中間の合成物を使用すること、例えば接着剤またはんだ}

H01S 5/0217 ・・・{下地の除去}

H01S 5/0218 ・・・{活動層より周期系の異なる群から、材料を半導体化することから成る下地}

H01S 5/022 ・・{実装；ハウジング(包装および電気lead-throughそれ自体H01L23)}

H01S 5/02204 ・・・{上記は、汚染を吸収するためにゲッタ材料を含む}

H01S 5/02208 ・・・{ハウジングの形状}

H01S 5/02212 ・・・・{Can-type、例えば左右対称軸に対する放出または平行を有するTO-9ハウジング}

H01S 5/02216 ・・・・{バタフライ・タイプ、すなわちハウジングは、一般に平坦である}

H01S 5/0222 ・・・{特別なガスで満たされる}

H01S 5/02224 ・・・・{酸素は、ハウジングに含まれる、例えば発光小面の汚染を避ける}

H01S 5/02228 ・・・{樹脂で満たされる、または樹脂でできている完全なハウジング}

H01S 5/02232 ・・・{液体で満たされる(H01S 5/024A4L 優先する)}

H01S 5/02236 ・・・{マウントまたは副マウント(H01S 5/02476 優位をとる)}

H01S 5/0224 ・・・・{さかさまの取付け、例えばフリップチップまたはエピ横の下のはめこんだレーザー}

H01S 5/02244 ・・・・{リードフレーム、例えばレーザーは、リードフレーム上にまたは茎上に載置する}

H01S 5/02248 ・・・・{マウントまたは光学マイクロ裁判官上の機械的に統合化コンポーネント、例えば光学部品、探知器、その他。}

H01S 5/02252 ・・・・・{レーザダイオードおよび光学部品の相対的な位置指示、例えば光ファイバまたはレンズを固定するマウントの溝}

H01S 5/02256 ・・・・{レーザダイオードをマウントに取り付けることの詳細}

H01S 5/0226 ・・・・・{接着剤を使用すること}

H01S 5/02264 ・・・・・{型締することによって}

H01S 5/02268 ・・・・・{位置決め、例えばレーザダイオードの位置決めの点数を使用すること}

H01S 5/02272 ・・・・・{はんだ付を使用すること}

H01S 5/02276 ・・・・{ワイヤボンディング詳細}

H01S 5/0228 ・・・{光をOut-couplingすること}

H01S 5/02284 ・・・・{光ファイバを有する}

H01S 5/02288 ・・・・{レンズを有する}

H01S 5/02292 ・・・・{素子を偏らせている光線を有する}

H01S 5/02296 ・・・・{ウインドウの詳細、例えばハウジング内部の探知器に対する後部を反映している光のための特別な材料または特別な方位}

H01S 5/024 ・・冷却配置{(冷却固体接合装置H01L 23/34；加熱準備(H01S 5/0261 優位をとる))}

H01S 5/02407 ・・・{活発な冷却、例えばレーザー温度は、熱電気冷却器または水冷により制御される}

H01S 5/02415 ・・・・{熱電気冷却器を用いて[科学技術｝、例えばペルティエ素子]

H01S 5/02423 ・・・・{冷えている液体、例えば液体は、レーザーのマウントを冷やす}

H01S 5/0243 ・・・・・{レーザーは、冷却剤に浸漬される、すなわち全部のレーザチップは、冷えるための液体に浸漬される}

H01S 5/02438 ・・・{レーザー以外の素子の冷却によって、特徴づけられる、例えば外部キャビティまたはコリメータレンズの一部である光学エレメント}

H01S 5/02446 ・・・・{冷えているレーザーと別であることを冷やすこと}

H01S 5/02453 ・・・{加熱、例えばレーザーは、環境の温度変動に対して安定化のために加熱される(H01S 5/0612 優位をとる、モノリシックな統合したヒーターのために、また見よH01S 5/0261)}

H01S 5/02461 ・・・{構造または熱フローを操るレーザチップの詳細、例えば低い熱伝導率を有するチップの受動的な層}

H01S 5/02469 ・・・{受動的な冷却、例えばそこにおいて、熱は、全体としてハウジングによって、または科学技術の類のいかなる作動中の冷却素子のないもヒートパイプによって、取り除かれる}

H01S 5/02476 ・・・{熱分散部材、すなわちレーザチップ間の熱フローおよび素子を消している熱を改善すること}

H01S 5/02484 ・・・・{サファイヤまたはダイヤモンド熱分散部材}

H01S 5/02492 ・・・・{CuW熱分散部材}

H01S 5/026 ・・モノリシックは、構成素子を統合した、例えば導波管、監視光センサ、ドライバ(出力の安定化H01S 5/06；光電子素子を有する結合光導体G02B 6/42；複数の半導体または他の固体構成素子からなる装置は、共通基板において、またはに形をなした、光放射のために構成されるH01L 27/15)

H01S 5/0261 ・・・{非光学エレメント、例えばレーザドライバ構成素子、ヒーター(H01S 5/0265 優位をとる)}

H01S 5/0262 ・・・{フォトダイオード、例えばトランシーバ装置、双方向性装置(H01S 5/0265 優位をとる)}

H01S 5/0264 ・・・・{レーザー-出力をモニタするための}

H01S 5/0265 ・・・{輝度変調器(intracavity変調装置H01S 5/0625)}

H01S 5/0267 ・・・{統合した合焦レンズ(H01S 5/18388 優位をとる)}

H01S 5/0268 ・・・{ルータを軋らせている統合した導波管、例えば、マルチ波長レーザアレイの放出は、組み合わさられる"ドラゴン・ルータ"}

H01S 5/028 ・・コーティング、｛レーザー小面の処置、例えばエッチング、パシベーション層または反射している層}

H01S 5/0281 ・・・{半導体材料でできているコーティング}

H01S 5/0282 ・・・{パシベーション層または処理}

H01S 5/0283 ・・・・{小面上の光学的に不活性コーティング、例えば半分-波コーティング}

H01S 5/0284 ・・・{温度従属する反射率を有するコーティング}

H01S 5/0285 ・・・{制御可能な反射率を有するコーティング}

H01S 5/0286 ・・・{小面を通じて一定でない反射率を有するコーティング、例えば開口}

H01S 5/0287 ・・・{小面反射率}

H01S 5/0288 ・・・・{性能を抑えた小面反射率、すなわち反射率ピークは、増加最大と異なる}

H01S 5/04 ・方法または励振のための装置、例えばポンピング、｛例えば電子ビームによって}(H01S 5/06 優位をとる)

H01S 5/041 ・・{光励起}

H01S 5/042 ・・電気励振； {そのための回路(実装上の離散的であるかモノリシックな統合化レーザー・ドライブ・コンポーネントH01S 5/0261)}

H01S 5/0421 ・・・{層を接触させることを半導体化することによって、特徴付けられる(電極H01S 5/0425)}

H01S 5/0422 ・・・・{活動層の同じ面上のn-およびp-接触を有する}

H01S 5/0424 ・・・・・{横方向の現在の注射}

H01S 5/0425 ・・・{電極、例えば材料、形状、構成、構造}

H01S 5/0427 ・・・{変調をレーザーに適用するための}

H01S 5/0428 ・・・{パルスをレーザーに適用するための}

H01S 5/06 ・レーザー出力パラメータを制御するための準備、例えば作動中の媒体に作用することによって(光を使用している動力伝達装置H04B 10/00)

H01S 5/0601 ・・{上記は、吸収領域から成る(H01S 5/0604, H01S 5/0607, H01S 5/0615 and H01S 5/065 優位をとる；双安定レーザ装置一般にG02F 3/026)}

H01S 5/0602 ・・・{いずれが、活動層のumpumpedされた一部であるか}

H01S 5/0604 ・・{上記は、非線形領域から成る、例えばレーザー頻度の和声学を生成すること}

H01S 5/0605 ・・・{自己ダブリング、例えば同じ作動中の媒体によるレーザー光線を出しているおよび頻度ダブリング}

H01S 5/0607 ・・{電極の可能性以外の物理的なパラメータを変化させることによって、例えば起電物体または磁場によって、機械の変形、圧力、光、温度}

H01S 5/0608 ・・・{光により制御される、例えば光スイッチ}

H01S 5/0609 ・・・・{吸収領域に作用すること、例えば波長コンバータ}

H01S 5/0611 ・・・・・{波長コンベクタ}

H01S 5/0612 ・・・{温度により制御される}

H01S 5/0614 ・・・{電界（追加的な電界がバンドギャップを調整するために用いるそれによって、すなわち）により制御される例えばシュタルク効果を使用すること}

H01S 5/0615 ・・{Ｑスイッチング、すなわち光共振器のコイルのＱは、いずれにおいて、急速に変わるか}

H01S 5/0617 ・・{記憶されるか前もってプログラムされたレーザー特徴を働かせること}

H01S 5/0618 ・・{線幅な強化パラメータ・アルファに関する詳細}

H01S 5/062 ・・電極の可能性を変化させることによって(H01S 5/065 優位をとる)

H01S 5/06203 ・・・{トランジスタ-タイプ・レーザー(H01S 5/062Lは、優位をとる)}

H01S 5/06206 ・・・・{放射線の頻度を制御すること、例えば調整できる対のガイド・レーザー(TTG)}

H01S 5/06209 ・・・{一つの断面レーザーの(H01S 5/062Lは、優位をとる)}

H01S 5/06213 ・・・・{振幅変調}

H01S 5/06216 ・・・・{パルス変調または生成}

H01S 5/0622 ・・・・{放射線の頻度を制御すること}

H01S 5/06223 ・・・{遅延であるか明確なフィードバックを使用すること}

H01S 5/06226 ・・・{極超短波の変調}

H01S 5/0623 ・・・・{密接に2の間で打撃を使用することは、光学頻度の間に間隔を置いた、すなわちヘテロダイン混合}

H01S 5/06233 ・・・{強度または頻度より別の制御出力パラメータ}

H01S 5/06236 ・・・・{分極化を制御すること、例えばTM/Te分極化スイッチング}

H01S 5/0624 ・・・・{近く-または遠距離音場を制御すること}

H01S 5/06243 ・・・・{発された光線の位置または方向を制御すること}

H01S 5/06246 ・・・・{位相を制御すること}

H01S 5/0625 ・・・マルチ断面レーザーの

H01S 5/06251 ・・・・{振幅変調}

H01S 5/06253 ・・・・{パルス変調}

H01S 5/06255 ・・・・{放射線の頻度を制御すること}

H01S 5/06256 ・・・・・{DBR-構造を有する}

H01S 5/06258 ・・・・・{DFB-構造を有する}

H01S 5/065 ・・モード同期；モード抑制；モード選択； {脈動している自己}

H01S 5/0651 ・・・{モード制御}

H01S 5/0652 ・・・・{一貫性低下または崩壊、例えば追加的な入力または変調によるマルチモード放出}

H01S 5/0653 ・・・・{モード抑制、例えば特定のマルチモード}

H01S 5/0654 ・・・・・{一回の縦のモード放出}

H01S 5/0655 ・・・・・{一回の横であるか横方向のモード放出}

H01S 5/0656 ・・・{種まき、すなわち追加的な光入力は、レーザー・モードを制御するために提供される、例えば外部光学部品からの後部を反映している光によって(H01S 5/14, H01S 5/4062 そして、H01S 5/4006 優位をとる)}

H01S 5/0657 ・・・{モード同期、すなわち空腔の往復に対応する頻度のパルスの生成}

H01S 5/0658 ・・・{自己が脈動すること}

H01S 5/068 ・・レーザー出力パラメータの安定化(H01S 5/0625 優位をとる)

H01S 5/06804 ・・・{外部のパラメータをモニタすることによって、例えば温度}

H01S 5/06808 ・・・{電気レーザー・パラメータをモニタすることによって、例えば電圧または電流}

H01S 5/06812 ・・・{L〜IまたはV〜I特徴の通用している閾値または他の特定の小数点をモニタするかまたは固定することによって}

H01S 5/06817 ・・・{ノイズリダクション}

H01S 5/06821 ・・・{強度または頻度より別の出力パラメータを安定させること、例えば位相、分極化または遠距離音場}

H01S 5/06825 ・・・{レーザーを保護すること、例えばスイッチオンの間、/離れている、故障することまたは低下の検出}

H01S 5/0683 ・・・{光学出力パラメータをモニタすることによって}

H01S 5/06832 ・・・・{振幅変調の間、安定させること}

H01S 5/06835 ・・・・{パルス変調または生成の間、安定させること}

H01S 5/06837 ・・・・{印加電界または電流より一方安定させること、例えば温度を制御することによって}

H01S 5/0687 ・・・・レーザーの頻度を安定させること

H01S 5/10 ・構造または光共振器の形状、｛例えば拡張したか外部の空腔、被結合空腔、曲がったガイド、様々な幅、厚みまたはアクティブ領域の構成(H01S 5/20 優位をとる)}

H01S 5/1003 ・・{軸に沿った修正された形状を有する導波管、例えば分岐した、カーブする、先細りになる、空所}

H01S 5/1007 ・・・{分岐導波管}

H01S 5/101 ・・・{カーブする導波管(H01S 5/1243 優位をとる)}

H01S 5/1014 ・・・{先細導波管、例えばコンバータをspotsizeする(H01S 5/1064 優位をとる)}

H01S 5/1017 ・・・{光学特性を変える材料の挿入のための空所を有する導波管}

H01S 5/1021 ・・{被結合空腔(H01S 5/14 優位をとる)}

H01S 5/1025 ・・{拡張した空腔}

H01S 5/1028 ・・{空腔の素子に対する結合、例えばアクティブ領域を隣接する導波管に連結すること、例えば連結されるフォワード(DFC)構造}

H01S 5/1032 ・・・{アクティブ領域の光軸に合わせられない光軸から成る素子に対する結合}

H01S 5/1035 ・・・・{前方の被結合構造(DFC)}

H01S 5/1039 ・・{空腔長に関する詳細}

H01S 5/1042 ・・{光学microcavities、例えば波長と同等の空腔寸法}

H01S 5/1046 ・・{光子およびプラスモンの間の相互作用から成ること、例えば波形表層によって}

H01S 5/105 ・・{光子なバンドギャップ構造から成ること}

H01S 5/1053 ・・{様々な構成を有するアクティブ領域または特定の方向の断面積から成る}

H01S 5/1057 ・・・{光軸に沿った様々な構成}

H01S 5/106 ・・・{光軸に沿った様々な厚み}

H01S 5/1064 ・・・{光軸に沿った様々な幅}

H01S 5/1067 ・・・{上記は、ナノ微粒子から成る}

H01S 5/1071 ・・{リング-レーザー}

H01S 5/1075 ・・・{特別なモードを有するディスク・レーザー、例えば囁きの回廊レーザー}

H01S 5/1078 ・・{自然放出を制御する手段を有する、例えば減少することまたは再噴射}

H01S 5/1082 ・・{特別な小面構造を有する、例えば構築される、なし平らである、斜めである}

H01S 5/1085 ・・・{傾斜した小面}

H01S 5/1089 ・・{不安定な共振器}

H01S 5/1092 ・・{レーザー光線を出しているマルチ波長}

H01S 5/1096 ・・・{単一の空腔の}

H01S 5/12 ・・周期構造を有する共振器、例えば配布されたフィードバック・レーザーの(DFB-レーザー) (H01S 5/18 優先する）｛（前に被結合構造、すなわちDFCレーザー、 H01S 5/1028)}

H01S 5/1203 ・・・{アクティブ領域の長さの一部だけの上の}

H01S 5/1206 ・・・{期間の非定数または多様性を有すること}

H01S 5/1209 ・・・・{サンプルをとられた格子}

H01S 5/1212 ・・・・{鳴かれた格子}

H01S 5/1215 ・・・・{期間の多様性}

H01S 5/1218 ・・・・・{superstructuredされた構成の、例えば交互のシーケンスの複数の期間}

H01S 5/1221 ・・・{ブラッグ波長および増加最大間のDetuning}

H01S 5/1225 ・・・{光軸に沿った様々なカップリング定数を有する}

H01S 5/1228 ・・・{複合の被結合格子を有するDFBレーザー、例えば増加または損失結合}

H01S 5/1231 ・・・{成長または繁茂詳細に格子をつけること}

H01S 5/1234 ・・・{能動的に誘導された格子、例えば音響的にまたは電気的に、誘導される}

H01S 5/1237 ・・・{横方向の格子、すなわち耳触りな隣接した隆起だけまたはメサだけ}

H01S 5/124 ・・・{圧磨位相交替制}

H01S 5/1243 ・・・・{軋っている期間の上昇より別の手段によって、例えば曲がった導波管}

H01S 5/1246 ・・・・{位相交替制の複数}

H01S 5/125 ・・・分散ブラッグ反射積層部レーザー(DBR-レーザー)

H01S 5/14 ・・外部キャビティ・レーザー{(外部キャビティ素子、それらの制御または安定化H01S 3/08, H01S 3/10 そして、H01S 3/13)}

H01S 5/141 ・・・{波長選択的な装置を使用すること、例えば格子またはエタロン(H01S 5/146 優位をとる)}

H01S 5/142 ・・・・{いずれが、追加的な共振器から成るか}

H01S 5/143 ・・・・{リットマン-メトカーフ構成、例えばレーザー−格子−鏡}

H01S 5/145 ・・・{接合した鏡を段階的に実行する}

H01S 5/146 ・・・{外部キャビティとして繊維を使用すること}

H01S 5/147 ・・・・{特別に繊維を成形したこと、例えばレンズのついたか先細遠方端}

H01S 5/148 ・・・{タルボット空腔を使用すること}

H01S 5/16 ・・ウインドウ-タイプ・レーザー、すなわちアクティブ領域および反射している表層間の非吸収材料の領域を有する

H01S 5/162 ・・・{拡散によって、作られるかまたは活動層の中でdisordeningしている窓領域を有する}

H01S 5/164 ・・・{活動層より広いバンドギャップを有する半導体材料から成る窓領域を有する}

H01S 5/166 ・・・{非半導体化している材料から成る窓領域を有する}

H01S 5/168 ・・・{現在の障壁から成る窓領域を有する}

H01S 5/18 ・・面発光レーザ(SE-レーザー)

H01S 5/183 ・・・垂直空腔を有する(VCSE-レーザー)

H01S 5/18302 ・・・・{上記は、統合した光変調器から成る}

H01S 5/18305 ・・・・{下地による放出を有する、すなわち底の放出}

H01S 5/18308 ・・・・{横方向の電流または軽い分娩のための特別な構造を有する}

H01S 5/18311 ・・・・・{選択酸化を使用すること}

H01S 5/18313 ・・・・・・{DBR層のうちの少なくとも1枚を酸化させることによって}

H01S 5/18316 ・・・・・{限られるエアギャップ}

H01S 5/18319 ・・・・・{上記は、周期的な構造を横方向の方向に含む(半導体レーザ構造の光子な結晶それ自体H01S 5/105)}

H01S 5/18322 ・・・・・{構造の位置}

H01S 5/18325 ・・・・・・{活動層および下地間の}

H01S 5/18327 ・・・・・・{1DBRの一部である構造(H01S 5/18391 優位をとる)}

H01S 5/1833 ・・・・・・{複数の構造を有する}

H01S 5/18333 ・・・・・・・{活動層だけより上に}

H01S 5/18336 ・・・・・・・{活動層だけの下で}

H01S 5/18338 ・・・・・{構造の非円形の形状}

H01S 5/18341 ・・・・{内部空腔接触}

H01S 5/18344 ・・・・{メサによって、特徴づけられる、例えば寸法またはメサの形状}

H01S 5/18347 ・・・・・{活動層から成るメサ}

H01S 5/1835 ・・・・・{非円形のメサ}

H01S 5/18352 ・・・・・{傾斜した側壁をもつメサ}

H01S 5/18355 ・・・・{定義済みの分極化を有する}

H01S 5/18358 ・・・・{上記は、空腔の光波の位相を調整するためにスペーサ層を含む}

H01S 5/18361 ・・・・{反射器の構造、例えば複合型鏡}

H01S 5/18363 ・・・・・{上記は、空気層から成る}

H01S 5/18366 ・・・・・・{膜DBR、すなわちVCSELの上に可動DBR}

H01S 5/18369 ・・・・・{誘電材料を主成分として}

H01S 5/18372 ・・・・・・{自国の酸化によって}

H01S 5/18375 ・・・・・{金属反射器に基づいて}

H01S 5/18377 ・・・・・{上記は、異なる種類の材料の層から成る、例えば誘電体または金属的層によって、半導体化することの組合せ}

H01S 5/1838 ・・・・・{ウェーハ融合によって、または中間の合成物により結合される反射器}

H01S 5/18383 ・・・・{ノードの間欠的なアクティブ領域または光度の最大を有する}

H01S 5/18386 ・・・・{近く-または遠距離音場に影響するための放出面の詳細、例えば表層上の格子}

H01S 5/18388 ・・・・・{レンズ}

H01S 5/18391 ・・・・・{影響に近く-または遠距離音場配布を非周期的に構築すること}

H01S 5/18394 ・・・・・{開口、例えば上方電極の形状により定義される}

H01S 5/18397 ・・・・{マルチ波長放出のための空腔において、垂直に積み重ねられる活動層の複数}

H01S 5/187 ・・・分散ブラッグ反射積層部を使用すること(SE-DBR-レーザー)

H01S 5/20 ・構造または光学波を導く半導体部分の形状、｛光軸に対して垂直な構造を限る例えばindex-または増加を導く、ストライプ幾何学、幅広い領域レーザー、増加仕立職、横であるか横方向の反射器、特別な外装材構造、MQWバリア反射層}

H01S 5/2004 ・・{層状構造に対して垂直な方向において、限ること}

H01S 5/2009 ・・・{電子バリヤー層}

H01S 5/2013 ・・・・{MQWバリア反射層}

H01S 5/2018 ・・・{光学分娩、例えば吸収すること、reflecting-または導波管-層}

H01S 5/2022 ・・・・{活動層との吸収領域または層類似、例えば横モードに影響する}

H01S 5/2027 ・・・・{反射している領域または層、活動層と平行して、例えばレーザーのモードの普及を修正するかまたは横モードに影響する}

H01S 5/2031 ・・・・{特別な導波管層によって、特徴づけられる、例えば非対称の導波管層または定義済みバンドギャップ不連続}

H01S 5/2036 ・・{広い領域laserse}

H01S 5/204 ・・{強く、インデックスは構造を導いた}

H01S 5/2045 ・・・{自由な立っている導波管またはエアギャップ分娩を使用すること}

H01S 5/205 ・・{Antiguided構造}

H01S 5/2054 ・・{分娩を得る方法}

H01S 5/2059 ・・・{特定の伝導率ゾーンによって、例えば微粒子銃または拡散によって、得られる}

H01S 5/2063 ・・・・{微粒子銃によって、得られる}

H01S 5/2068 ・・・・{放射線治療またはアニーリングによって、得られる}

H01S 5/2072 ・・・・{空き誘発された拡散によって、得られる}

H01S 5/2077 ・・・{成長の間、横方向のバンドギャップ制御を使用すること、例えば選択的な成長、誘導されるマスク}

H01S 5/2081 ・・・{特別なエッチング技術を使用すること}

H01S 5/2086 ・・・・{横方向のエッチング制御、例えば誘導されるマスク}

H01S 5/209 ・・・・{特別なエッチストップ層}

H01S 5/2095 ・・・{溶融または大量輸送を使用すること}

H01S 5/22 ・・隆起またはストライプ構造を有する

H01S 5/2201 ・・・{特定の結晶学的な方位の}

H01S 5/2202 ・・・{上部レーザー構造の溝を作ることによって}

H01S 5/2203 ・・・{横接合ストライプを有する(TJS)構造}

H01S 5/2205 ・・・{上記は、特別な埋設であるか現在の封止層から成る}

H01S 5/2206 ・・・・{III〜V材料を主成分として}

H01S 5/2207 ・・・・・{基礎を形成されるGaAsP}

H01S 5/2209 ・・・・・{基礎を形成されるGaInP}

H01S 5/221 ・・・・・{上記は、アルミニウムを含む}

H01S 5/2211 ・・・・{II〜VI材料を主成分として}

H01S 5/2213 ・・・・{ポリイミドまたは樹脂を主成分として}

H01S 5/2214 ・・・・{酸化物または窒化に基づいて}

H01S 5/2215 ・・・・・{半導体層の自国の酸化を使用すること}

H01S 5/2216 ・・・・・{窒化}

H01S 5/2218 ・・・・{特別な光学特性を有する}

H01S 5/2219 ・・・・・{吸収すること}

H01S 5/222 ・・・・・{クラッディングまたは外側の案内層のそれより低い屈折率を有する}

H01S 5/2222 ・・・・{特別な電気的な特性を有する}

H01S 5/2223 ・・・・・{ヘテロ・バリア障壁、例えばppまたはNN}

H01S 5/2224 ・・・・・{半絶縁半導体}

H01S 5/2226 ・・・・・{特定のドーピングを有する半導体}

H01S 5/2227 ・・・・・{特別な細い層シーケンス}

H01S 5/2228 ・・・・・・{量子ウェル}

H01S 5/223 ・・・埋設されたストライプ構造{(H01S 5/227 優位をとる)}

H01S 5/2231 ・・・・{内端については、限ることは両者間に活動層および上方電極を構築するだけである}

H01S 5/2232 ・・・・{活動層および下側電極間の内側制約する構造を有する}

H01S 5/2234 ・・・・・{構造素地を有する}

H01S 5/2235 ・・・・・・{突出を有する}

H01S 5/2237 ・・・・{非平面活動層を有する}

H01S 5/2238 ・・・・{テラスを付けられた構造を有する}

H01S 5/227 ・・・埋設されたメサ構造； {ストライプの活動層}

H01S 5/2272 ・・・・{誘導されるマスクによって、選択的な成長育てる}

H01S 5/2275 ・・・・{エッチングにより作成されるメサ}

H01S 5/2277 ・・・・・{平らな倍のチャネルは、ヘテロ構造を埋設した(DCPBH)レーザー}

H01S 5/24 ・・溝を彫られた構造を有すること、例えばV-groovedされる、 {溝の三日月形の活動層、VSIレーザー}

H01S 5/30 ・構造またはアクティブ領域の形状；アクティブ領域のために使用する材料

H01S 5/3004 ・・{電荷担体を誘導するための分野効果構造を使用すること、例えばFET}

H01S 5/3009 ・・・{MISまたはMOS conffigurations}

H01S 5/3013 ・・{A(III)-B(V)合成物}

H01S 5/3018 ・・{A(II)-B(VI)合成物}

H01S 5/3022 ・・{A(IV)-B(VI)合成物}

H01S 5/3027 ・・{IV合成物}

H01S 5/3031 ・・・{Si}

H01S 5/3036 ・・・・{原文のまま}

H01S 5/304 ・・・・{多孔性Si}

H01S 5/3045 ・・・{ダイヤモンド}

H01S 5/305 ・・{レーザー構造で使用するドーピング材料によって、特徴付けられる}

H01S 5/3054 ・・・{p-ドーピング}

H01S 5/3059 ・・・・{II〜VI材料の}

H01S 5/3063 ・・・・{マグネシウムを使用すること}

H01S 5/3068 ・・・{深いレベル}

H01S 5/3072 ・・・{拡散障壁、すなわちドーパントの拡散を妨げている特別な層}

H01S 5/3077 ・・・{平らな従属するドーピング}

H01S 5/3081 ・・・・{両性のドーピングを使用すること}

H01S 5/3086 ・・・{活動層のドーピング}

H01S 5/309 ・・・・{レーザー構造の電荷担体を限るバリヤー層のドーピング、例えば量子井戸構造のバリア(量子ウェルのバリアそれ自体H01S 5/3407)}

H01S 5/3095 ・・・{トンネル接合}

H01S 5/32 ・・上記は、pn接合から成る、例えばヘテロ-またはダブル-ヘテロ構造(H01S 5/34, H01S 5/36 優位をとる)

H01S 5/3201 ・・・{圧磨体積ひずみ効果、例えば圧力補償、圧力は、分極化に関した}

H01S 5/3202 ・・・{特に東向きにされた下地に発達する、またはオリエンテーション従属する成長を使用すること}

H01S 5/3203 ・・・・{厚みまたは構成バリエーションを作成する非平面下地上の}

H01S 5/3205 ・・・{成長方向の段階的な構成を有する活動層を有する}

H01S 5/3206 ・・・{３値または４原子の材料の自然な超格子を命じるかまたは乱すこと}

H01S 5/3207 ・・・・{順序づけられた活動層}

H01S 5/3209 ・・・・{障害がある活動層}

H01S 5/321 ・・・{中間のバンドギャップ層を有する}

H01S 5/3211 ・・・{特別なクラッディングによって、特徴付けられる、例えばバンド-不連続に関する詳細}

H01S 5/3213 ・・・・{非対称のクラッドしている層}

H01S 5/3214 ・・・・{上記は、活動層の材料より別の周期系の群から、材料から成る、例えばZnSe外装材およびGaAs活動層}

H01S 5/3215 ・・・・{段階的な構成クラッディング}

H01S 5/3216 ・・・・{量子ウェルまたは超格子クラッディング}

H01S 5/3218 ・・・・{特別に緊張したクラッディング、圧力補償のための別である}

H01S 5/3219 ・・・・{明確にアル自由なクラッディング}

H01S 5/322 ・・・{タイプ-II接合}

H01S 5/3222 ・・・{A(IV)-B(VI)合成物の、例えばPbSSe-レーザー}

H01S 5/3223 ・・・{IV合成物}

H01S 5/3224 ・・・・{Si}

H01S 5/3226 ・・・・・{原文のまま}

H01S 5/3227 ・・・・・{多孔性Si}

H01S 5/3228 ・・・・{ダイヤモンド}

H01S 5/323 ・・・Aの(III)-B(V)合成物、e.g alGaAs-レーザー、 {InPに基づくレーザー}

H01S 5/32308 ・・・・{900ナノメートルより少なく波長で光を発すること}

H01S 5/32316 ・・・・・{上記は、成る(Al)GaAs}

H01S 5/32325 ・・・・・{InGaPに基づく赤いレーザー}

H01S 5/32333 ・・・・・{InGaAsPに基づいて}

H01S 5/32341 ・・・・・{GaNまたはすきまに基づく青いレーザー}

H01S 5/3235 ・・・・{1000ナノメートルより長く波長で光を発すること、例えば1300ナノメートルおよび1500ナノメートルのレーザーをInP-basedした}

H01S 5/32358 ・・・・・{上記は、非常に少ない総計を含む、通常1%未満である、胴曲り効果によって、非線形方法でsronglyにバンドギャップを減少させる追加的なIIIまたはV合成物の}

H01S 5/32366 ・・・・・・{(In)Nの少量を有するGaAs}

H01S 5/32375 ・・・・・・{In(As)Pの少量を有するN、またはIn(As)Nの少量を有するP}

H01S 5/32383 ・・・・・・{タリウム（TI）の少量例えばGaTIP}

H01S 5/32391 ・・・・・{ベースのonIn(Ga)(As)P}

H01S 5/327 ・・・A(II)-B(VI)合成物の、例えばZnCdSe-レーザー

H01S 5/34 ・・上記は、量子ウェルから成る‖｛量子導線（量子箱）｝またはsupperlattice構造、例えば一つの量子ウェル・レーザー(SQWレーザー)、多数の量子ウェル・レーザー(MQWレーザー)、段階的なインデックス別々の分娩hetrostructureレーザー(GRINSCHレーザー)(H01S 5/36 優位をとる)

H01S 5/3401 ・・・{pn接合を有しない、例えば単極レーザー、インターサブバンドレーザー、量子カスケード・レーザー}

H01S 5/3402 ・・・・{インターサブバンドレーザー、例えば伝導または価電子帯の範囲内の移行}

H01S 5/3403 ・・・{圧力が特別な機能を実行する緊張した層状構造を有すること、例えば一般の圧力効果、圧力対分極化}

H01S 5/3404 ・・・・{分極化に影響すること}

H01S 5/3406 ・・・・{上記は、圧力補償を含む}

H01S 5/3407 ・・・{特別なバリヤー層によって、特徴付けられる}

H01S 5/3408 ・・・{特別に形づくられた井戸によって、特徴付けられる、例えば三角形である}

H01S 5/3409 ・・・{特別なGRINSCH構造}

H01S 5/341 ・・・{寸法を減らしていた構造、例えば量子導線}

H01S 5/3412 ・・・・{量子箱または量子ダッシュ}

H01S 5/3413 ・・・{上記は、部分的に障害がある井戸またはバリアから成る}

H01S 5/3414 ・・・・{空き誘発された拡散によって}

H01S 5/3415 ・・・{上記は、井戸またはバリアにキャリア捕獲時間に関連した詳細を含む}

H01S 5/3416 ・・・・{バリアによるトンネル効果}

H01S 5/3418 ・・・{より高い量子レベルからの移行を使用すること}

H01S 5/3419 ・・・・{インターサブバンドレーザー、例えば伝導の範囲内のレーザー移行または非単極構造の価電子帯}

H01S 5/342 ・・・{上記は、短い期間超格子を含む(SPS)}

H01S 5/3421 ・・・{近いものに影響する量子ウェルの層状構造/遠距離音場}

H01S 5/3422 ・・・{上記は、タイプ-II量子ウェルまたは超格子から成る}

H01S 5/3424 ・・・{上記は、独立した井戸から成る}

H01S 5/3425 ・・・{上記は、対井または超格子から成る}

H01S 5/3426 ・・・{A(IV)-B(VI)合成物の、例えばPbSSe-レーザー}

H01S 5/3427 ・・・{IV合成物の}

H01S 5/3428 ・・・{下地に対して垂直な層方位}

H01S 5/343 ・・・A(III)-B(V)合成物の、例えばAlGaAs-レーザー、 {InPに基づくレーザー}

H01S 5/34306 ・・・・{1000ナノメートルより長く波長で光を発すること、例えばInPは、1300および1500ナノメートルのレーザーの基礎を形成した}

H01S 5/34313 ・・・・{V-合成物としてを有する井戸層を有する、例えばAlGaAs、InGaAs}

H01S 5/3432 ・・・・・{成り立っている全部の接合(AI)GaAs}

H01S 5/34326 ・・・・{InGa(Al)Pに基づく井戸層を有する、例えば赤いレーザー}

H01S 5/34333 ・・・・{Ga(In)NまたはGa(In)Pに基づく井戸層を有する、例えば青いレーザー}

H01S 5/3434 ・・・・{少なくとも両方ともから成っているV-合成物としての井戸層およびPを有する}

H01S 5/34346 ・・・・{バリヤー層の材料によって、特徴付けられる}

H01S 5/34353 ・・・・・{基づかれる(AI)GaAs}

H01S 5/3436 ・・・・・{インガに基づいて(Al)P}

H01S 5/34366 ・・・・・{インガに基づいて(Al)AS}

H01S 5/34373 ・・・・・{インガに基づいて(Al)Asp}

H01S 5/3438 ・・・・・{中で基づかれる(Al)P}

H01S 5/34386 ・・・・・{明確にアル自由である}

H01S 5/34393 ・・・・・{Aだけでなく基づいて(III)-B(V)合成物}

H01S 5/347 ・・・A(II)-B(VI)合成物の、例えばZnCdSe-レーザー

H01S 5/36 ・・上記は、有機材料から成る(色素レーザH01S 3/213)

H01S 5/40 ・2つ以上の半導体レーザの配列、グループの中に提供されないH01S 5/02 to H01S 5/30(H01S 5/50 優位をとる)

H01S 5/4006 ・・{注射錠締め}

H01S 5/4012 ・・{組み合わさっている光線、例えば繊維の使用によって、格子、偏光板、プリズム}

H01S 5/4018 ・・{レーザー電気的に直列に}

H01S 5/4025 ・・{配列配置、例えば離散的なレーザダイオードまたはレーザーバーにより構成される(H01S 5/42 優位をとる)}

H01S 5/4031 ・・・{端を発している構造}

H01S 5/4037 ・・・・{複数の方位の活動層を有する}

H01S 5/4043 ・・・・{垂直に積み重ねられた活動層を有する}

H01S 5/405 ・・・・・{二次元の配列}

H01S 5/4056 ・・・・{複数の方向の光を発すること}

H01S 5/4062 ・・・・{外部キャビティを有するまたは内部フィルタを用いて、例えばタルボットは、濾過される}

H01S 5/4068 ・・・・{軸方向にオフセットであるか結合している導波管による横方向の継手を有する、例えばY-カプラ}

H01S 5/4075 ・・・{操縦している光線}

H01S 5/4081 ・・・{近く-or遠い界磁制御}

H01S 5/4087 ・・・{複数の波長を発すること}

H01S 5/4093 ・・・・{赤、緑の、そして、青い[RGB}レーザー・アクションによって、または非線形頻度転換を有するレーザー・アクションの組合せによって、直接発生する]

H01S 5/42 ・・面発光レーザの配列

H01S 5/423 ・・・{垂直空腔を有する}

H01S 5/426 ・・・・{垂直に積み重ねられた空腔}

H01S 5/50 ・グループの中に提供されないアンプ構造H01S 5/02 to H01S 5/30(動力伝達装置のリピータとしてH04B 10/17)

H01S 5/5009 ・・{分極化である装置}

H01S 5/5018 ・・・{同じ拡大鏡で2台以上のアンプまたは多数のパスを使用すること}

H01S 5/5027 ・・{連結されたアンプ、すなわち直列にアンプ、または、カスケードする}

H01S 5/5036 ・・{分極化である装置}

H01S 5/5045 ・・{頻度フィルタ機能を有する装置}

H01S 5/5054 ・・{波長は、いずれにおいて、作動中の媒体の非線形特性によって、変わるか例えば混じっている4つの波}

H01S 5/5063 ・・{操作の上記の閾値}

H01S 5/5072 ・・・{型締している増加、すなわち更なるモードまたは頻度を使用している飽和による安定化}

H01S 5/5081 ・・{特に定在波アンプ}

H01S 5/509 ・・{アンプを転換している波長、例えば増加飽和を使用している第二ビームを有する信号ゲート}

H01S 2301/00 機能的な特徴

H01S 2301/02 ・アセ(増幅された自然放出)、ノイズ；それの減少

H01S 2301/03 ・非線形転換の抑制、例えば例えば抑制する特定の設計は、散乱している[SBS] brillouinを刺激した、主にマルチモードポンピングと結合する光ファイバの

H01S 2301/04 ・増加スペクトル形削り、平らになること

H01S 2301/06 ・増加非直線性、歪曲；それの補償

H01S 2301/08 ・特別な時間的形状または周波数スペクトルを有するパルスの生成

H01S 2301/085 ・・ソリトン

H01S 2301/14 ・特定の分極化モードにおいて、レーザー光線を出すための特別な構造上の計画を有する半導体レーザ

H01S 2301/145 ・・TM分極化

H01S 2301/16 ・モードに影響するという特別な構造上の計画を有する半導体レーザ、例えば特定のマルチモード

H01S 2301/163 ・・一つの縦のモード

H01S 2301/166 ・・一つの横であるか横方向のモード

H01S 2301/17 ・特別な層から成る半導体レーザ

H01S 2301/173 ・・特別な応力緩衝材から成るレーザチップ、例えばずれ防止または減少

H01S 2301/176 ・・放出小面以外の表層上の特定のパシベーション層

H01S 2301/18 ・近く-または遠距離音場に影響するための特別な構造上の計画を有する半導体レーザ

H01S 2301/185 ・・乱視の減少のための

H01S 2301/20 ・特別な出力ビーム側面または断面積を有するレーザー、例えば非ガウスである

H01S 2301/203 ・・強度配布の少なくとも一つの穴を有する、例えば環状またはドーナツ・モード

H01S 2301/206 ・・シルクハット側面

H01S 2302/00 増幅/レーザー光線を出している波長

H01S 2302/02 ・THz−レーザー、すなわち1mmにつき0.1mmの波長範囲の概して放出を有するレーザー

H01S 2303/00 ポンピング波長

H01S 2304/00 半導体レーザのための特別な成長方法

H01S 2304/02 ・MBE

H01S 2304/025 ・・MOMBE

H01S 2304/04 ・MOCVDまたはMOVPE

H01S 2304/06 ・LPE

H01S 2304/10 ・CBE

H01S 2304/12 ・PendeoエピタキシャルＹ繁茂[ELOG]、例えば成長するために、GaNは青いレーザダイオードの基礎を形成した