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H03B　振動の生成、直接またはそばに頻度変化している、非スイッチング方法で作動する能動素子を使用している回路によって；この種の回路によるノイズの生成(測定すること、テストG01R；電子楽器楽器に適応する生成プログラムG10H；音声合成G10L；メーザー、レーザーH01S；機械‐電気の機械H02K；電動インバータ回路H02M；パルス技術を用いてH03K；生成プログラムの自動制御H03L；始まること、生成プログラムのタイプが無関係であるか明らかでない生成プログラムの同期化または安定化H03L；プラズマの振動の生成H05H)

H03B 1/00 詳細

H03B 1/02 ・電動発振器の構造細部、例えば加熱のための{(送信機の製造H04B；電磁界による暖房用のジェネレータの特徴H05B 6/00)}

H03B 1/04 ・望まれていない振動を減らすこと、例えば和声学

H03B 5/00 出力から入力まで再生するフィードバックを有するアンプを使用している振動の生成(H03B 9/00, H03B 15/00 優位をとる)

H03B 5/02 ・詳細

H03B 5/04 ・・物理的な値における変化を補償する生成プログラムの変更態様、例えば電源装置、ロード、温度

H03B 5/06 ・・振動の中で始まることを確実にする生成プログラムの変更態様

H03B 5/08 ・ひとかたまりにされたインダクタンスおよび静電容量から成る頻度決定素子を有する

H03B 5/10 ・・真空管であるアンプの能動素子(H03B 5/14 優位をとる)

H03B 5/12 ・・半導体装置であるアンプの能動素子(H03B 5/14 優位をとる)

H03B 5/1203 ・・・{単一のトランジスタであるアンプ}

H03B 5/1206 ・・・{増幅のための多数のトランジスタを使用すること}

H03B 5/1209 ・・・・{差動の方法および電流源において、作動している2本の現在の経路または共通する両方の経路に対する退化回路を有するアンプ例えば長い尾のある一組。 (H03B 5/1215 優位をとる)}

H03B 5/1212 ・・・・{一対のトランジスタから成るアンプ、そこにおいて、その他の入力端子に接続している各々のＢターミナル、例えば交差被結合一組}

H03B 5/1215 ・・・・・{一組の両方のトランジスタに共通する電流供給源または退化回路、例えばクロス被結合長い尾のある一組}

H03B 5/1218 ・・・・{バランスのよいタイプの中である生成プログラム}

H03B 5/1221 ・・・・{カスケードにおいて、接続される多数の発振機増幅機から成るアンプ}

H03B 5/1225 ・・・・{平行に接続される多数のアンプを備えたジェネレータ}

H03B 5/1228 ・・・{一つ以上の電界効果トランジスタから成るアンプ}

H03B 5/1231 ・・・{一つ以上のバイポーラトランジスタから成るアンプ}

H03B 5/1234 ・・・{そして、生成プログラムの出力振幅を変化させるための手段から成ること(H03B 5/1278 優位をとる)}

H03B 5/1237 ・・・{上記は、ジェネレータの振動数を変化させるための手段から成る}

H03B 5/124 ・・・・{電圧従属する静電容量から成る手段}

H03B 5/1243 ・・・・・{電圧可変静電容量ダイオードから成る手段}

H03B 5/1246 ・・・・・{トランジスタから成る手段は、可変静電容量を提供したものである}

H03B 5/125 ・・・・・・{バイポーラトランジスタであるトランジスタ}

H03B 5/1253 ・・・・・・{電界効果トランジスタであるトランジスタ}

H03B 5/1256 ・・・・{可変インダクタンスから成る手段}

H03B 5/1259 ・・・・・{可変作動中のインダクタンスコイルから成る手段例えば旋回するもの回路}

H03B 5/1262 ・・・・{切替えられた素子から成る手段}

H03B 5/1265 ・・・・・{スイッチトキャパシタ}

H03B 5/1268 ・・・・・{切替えられたインダクタンスコイル}

H03B 5/1271 ・・・・{制御電流により制御されている頻度すなわち電流制御発振器}

H03B 5/1275 ・・・・{頻度に対する依存のパラメータを変化させるための更なる手段を有する}

H03B 5/1278 ・・・・・{信号の振幅であるパラメータ、例えば頻度以上の恒常的な出力振幅を維持することは、変動する}

H03B 5/1281 ・・・・・{フィードバックの量であるパラメータ}

H03B 5/1284 ・・・・・{他の頻度であるパラメータ、例えば振動している頻度の倍音}

H03B 5/1287 ・・・・・{コイルのＱであるパラメータ、例えば素子を決定している頻度のＱ}

H03B 5/129 ・・・・・{バイアス電圧または電源装置であるパラメータ}

H03B 5/1293 ・・・・{所望のチューニング特徴を成し遂げるための手段を有する例えばチューニング電圧範囲全体の周波数特性を線形にすること}

H03B 5/1296 ・・・{トランスから成るフィードバック回路}

H03B 5/14 ・・信号が送られる閉リングに、ブリッジ回路を経て接続される頻度決定素子

H03B 5/16 ・・・真空管であるアンプの能動素子

H03B 5/18 ・分布インダクタンスおよび静電容量から成る頻度決定素子を有する

H03B 5/1805 ・・{同軸共振器である頻度決定素子}

H03B 5/1811 ・・・{真空管であるアンプの能動素子(仮にまた見よH03B 5/1835)}

H03B 5/1817 ・・{空洞共振器である頻度決定素子}

H03B 5/1823 ・・・{半導体装置であるアンプの能動素子}

H03B 5/1829 ・・・・{電界効果装置である半導体装置}

H03B 5/1835 ・・・{真空管であるアンプの能動素子}

H03B 5/1841 ・・{ストリップライン共振器である頻度決定素子(H03B 5/1805, H03B 5/1817, H03B 5/1864 そして、H03B 5/1882 優位をとる)}

H03B 5/1847 ・・・{半導体装置であるアンプの能動素子}

H03B 5/1852 ・・・・{電界効果装置である半導体装置}

H03B 5/1858 ・・・{真空管であるアンプの能動素子(仮にまた見よH03B 5/1835)}

H03B 5/1864 ・・{誘電体共振器である頻度決定素子}

H03B 5/187 ・・・{半導体装置であるアンプの能動素子}

H03B 5/1876 ・・・・{電界効果装置である半導体装置}

H03B 5/1882 ・・{磁場感度が高い共振器である頻度決定素子、例えばイットリウム鉄のガーネットまたは静磁気表面波共振器}

H03B 5/1888 ・・・{半導体装置であるアンプの能動素子}

H03B 5/1894 ・・・・{電界効果装置である半導体装置}

H03B 5/20 ・抵抗およびいずれの静電容量から成るも頻度決定素子またはインダクタンスを有する、例えば位相変移発振器

H03B 5/22 ・・真空管であるアンプの能動素子(H03B 5/26 優位をとる)

H03B 5/24 ・・半導体装置であるアンプの能動素子(H03B 5/26 優位をとる)

H03B 5/26 ・・信号が送られる閉リングのブリッジ回路の一部である頻度決定素子、閉この種のリングにブリッジ回路を経て接続されている頻度決定素子、例えばウィーン-橋発振器、平行したT発振器

H03B 5/28 ・・・真空管であるアンプの能動素子

H03B 5/30 ・電気機械共振器である頻度決定素子を有する

H03B 5/32 ・・圧電共振器であること(ピエゾ電気材料の選択H01L 41/00)

H03B 5/323 ・・・{2台以上の端末を有する共振器(H03B 5/326 優位をとる)}

H03B 5/326 ・・・{音波装置である共振器、例えば鋸またはBAW装置}

H03B 5/34 ・・・真空管であるアンプの能動素子(H03B 5/38 優位をとる)

H03B 5/36 ・・・半導体装置であるアンプの能動素子({H03B 5/323, H03B 5/326}, H03B 5/38 優位をとる)

H03B 5/362 ・・・・{単一のトランジスタであるアンプ(H03B 5/364 to H03B 5/368 優位をとる)}

H03B 5/364 ・・・・{電界効果トランジスタから成るアンプ(H03B 5/366 優位をとる)}

H03B 5/366 ・・・・{そして、可変的な電圧または電流によって、頻度を変化させるための手段から成ること}

H03B 5/368 ・・・・・{電圧可変静電容量ダイオードである手段}

H03B 5/38 ・・・信号が送られる閉リングに、ブリッジ回路を経て接続されている頻度決定素子

H03B 5/40 ・・磁気ひずみの共振器であること(H03B 5/42 優位をとる；磁気ひずみの材料の選択{H01F 1/00}; H01L 41/00)

H03B 5/42 ・・信号が送られる閉リングに、ブリッジ回路を経て接続される頻度決定素子

H03B 7/00 その電極のうちの2本の間で陰抵抗体を有する能動素子を使用している振動の生成(H03B 9/00 優位をとる)

H03B 7/02 ・ひとかたまりにされたインダクタンスおよび静電容量から成る頻度決定素子を有する

H03B 7/04 ・・真空管である能動素子

H03B 7/06 ・・半導体装置である能動素子

H03B 7/08 ・・・トンネルダイオードであること

H03B 7/10 ・・ガス-放出またはアーク放電管である能動素子

H03B 7/12 ・分布インダクタンスおよび静電容量から成る頻度決定素子を有する

H03B 7/14 ・・半導体装置である能動素子

H03B 7/143 ・・・{そして、いずれが以下を含むか：電圧または磁場に従う素子、例えばvaractor-YIG}

H03B 7/146 ・・・{いくつかの半導体装置を有する}

H03B 9/00 走行時間効果を利用している振動の生成{(特定のアプリケーションに適していない管および回路配置の構造H01J；半導体装置の構造H01L)}

H03B 9/01 ・放電管を使用すること

H03B 9/02 ・・遅延する分野管を使用すること(クライストロンを使用することH03B 9/04)

H03B 9/04 ・・クライストロンを使用すること

H03B 9/06 ・・・反射形クライストロンを使用すること

H03B 9/08 ・・進行波管を使用すること

H03B 9/10 ・・マグネトロンを使用すること

H03B 9/12 ・固体装置を使用すること、例えばガン効果装置

H03B 9/14 ・・そして、分布インダクタンスおよび静電容量から成る素子

H03B 9/141 ・・・{そして、電圧ゲージ受感部から成ること、例えばバラクタ}

H03B 9/142 ・・・{そして、磁場ゲージ受感部から成ること、例えばYIG}

H03B 9/143 ・・・{固体複数の装置を使用すること}

H03B 9/145 ・・・{空洞共振器で測定されている頻度、例えば中身のない導波管空腔または同軸空胴(H03B 9/141 to H03B 9/143, H03B 9/147, H03B 9/148 優位をとる)}

H03B 9/146 ・・・・{ディスクにより形成される、例えば導波管キャップ共振器}

H03B 9/147 ・・・{ストリップライン共振器で測定されている頻度(H03B 9/141 to H03B 9/143, H03B 9/148 優位をとる)}

H03B 9/148 ・・・{誘電体共振器で測定されている頻度(H03B 9/141 to H03B 9/143 優位をとる)}

H03B 11/00 ショック励起状態の同調回路を使用している振動の生成(フィードバックを有するH03B 5/00)

H03B 11/02 ・スパークにより刺激される(そのためのスパークギャップH01T 9/00)

H03B 11/04 ・インタラップ装置により刺激される

H03B 11/06 ・・機械のインタラップ装置によって

H03B 11/08 ・・放電管であるインタラップ装置

H03B 11/10 ・・半導体装置であるインタラップ装置

H03B 13/00 CRTの電子ビームの屈折を使用している振動の生成

H03B 15/00 ガルバノ磁気装置を使用している振動の生成、例えばホール効果素子、または超電導効果を利用すること(ガルバノ磁気装置それ自体H01L 43/00)

H03B 15/003 ・{超電導効果を利用すること(超電導を使用している装置H01L 39/00)}

H03B 15/006 ・{回転を使用することは、効果または巨大な磁気抵抗を転送する}

H03B 17/00 線源および探知器を使用している振動の生成、例えば配置された可変オブテュレータを有する

H03B 19/00 非再生する頻度乗算による振動または別々のソースからの信号の分割の生成(1人の保菌者からのもう一方への変調の移転H03D 7/00)

H03B 19/03 ・非線形インダクタンスを使用すること

H03B 19/05 ・非線形静電容量を使用すること、例えばバラクタダイオード

H03B 19/06 ・放出装置の手段または2本以上の電極を有する半導体装置によって

H03B 19/08 ・・放出装置によって

H03B 19/10 ・・・乗算だけを使用すること

H03B 19/12 ・・・分割だけを使用すること

H03B 19/14 ・・半導体装置によって

H03B 19/16 ・装置を調整することを抑制できなく扱うこと、例えば整流ダイオードまたはショットキーダイオード

H03B 19/18 ・・そして、分布インダクタンスおよび静電容量から成る素子

H03B 19/20 ・・充電記憶または強化効果を呈しているダイオードであること

H03B 21/00 異なる頻度の調節されていない信号を結合することによる振動の生成(H03B 19/00 優位をとる；一般に回路を変えている頻度H03D)

H03B 21/01 ・異なる頻度の調節されていない信号を打つことによって

H03B 21/02 ・・複数の打撃によって、すなわち頻度合成のための； {乗算と結合する打撃または頻度の分割(ROMを使用しているデジタル頻度合成G06F 1/02；デジタル頻度合成一般にH03K；PLLを使用している間接的な頻度合成H03L 7/16)}

H03B 21/025 ・・・{頻度だけの分割と結合する反復混合によって}

H03B 21/04 ・・・類似したいくつかの段階を使用すること

H03B 23/00 振動の生成は、予め定められた頻度範囲以上周期的に掃除した(角度を調整している回路一般にH03C 3/00)

H03B 25/00 異なる頻度を有する振動の自由継続の発振器による同時生成

H03B 27/00 同じ頻度の複数の出力を提供しているが、同位相で異なっている振動の生成、単に2つの反位相出力だけ以外の

H03B 28/00 グループにより適用されられない方法による振動の生成H03B 5/00 to H03B 27/00、上記は、正弦波振動を生じるために波形の変更態様を含む(コンピューティング動作を実行するためのアナログ・ファンクションジェネレータG06G 7/26；ac-ac変換器群の波形の転換のためのトランスの使用H02M 5/18)

H03B 29/00 ノイズ流および電圧の発生{(固体のカソードを有するgasfilledされた放電管は、ノイズ発生器として特別に適応したH01J 17/005)}

H03B 2009/00 走行時間効果を利用している振動の生成{(特定のアプリケーションに適していない管および回路配置の構造H01J；半導体装置の構造H01L)}

H03B 2009/12 ・固体装置を使用すること、例えばガン効果装置

H03B 2009/123 ・・ガンダイオードを使用すること

H03B 2009/126 ・・影響イオン化雪崩走行時間を使用すること(IMPATT)ダイオード

H03B 2200/00 発振器の詳細に関する計画がカバーした索引作業H03B

H03B 2200/0002 ・発振器のタイプ

H03B 2200/0004 ・・バトラー発振器

H03B 2200/0006 ・・クラップ発振器

H03B 2200/0008 ・・Colpitts発振器

H03B 2200/001 ・・ハートレー発振器

H03B 2200/0012 ・・ピアス発振器

H03B 2200/0014 ・発振器の構造上の態様

H03B 2200/0016 ・・上記は、リングを含む、ディスクまたはループは、共振器を成形した

H03B 2200/0018 ・・水晶のブレード刃先角度に関する、例えば切られたクォーツで

H03B 2200/002 ・・セラミック材料を利用すること

H03B 2200/0022 ・・下地によって、特徴付けられる、例えば材料

H03B 2200/0024 ・・上記は、平行したストリップラインを含む

H03B 2200/0026 ・・集積回路のピンに関する

H03B 2200/0028 ・・モノリシックマイクロ波集積回路に基づいて(MMIC)

H03B 2200/003 ・発振器の回路素子

H03B 2200/0032 ・・上記は、ショットキ接合を有する装置を含む

H03B 2200/0034 ・・上記は、バッファアンプを含む

H03B 2200/0036 ・・上記は、エミッタまたはソース被結合トランジスタ一組または長い尾部一組を含む

H03B 2200/0038 ・・上記は、電流ミラーを含む

H03B 2200/004 ・・上記は、可変静電容量を含む。例えばvaricap、ダイオードまたはトランジスタのバラクタまたは可変静電容量

H03B 2200/0042 ・・・フィードバックパスにおいて、ある静電容量ダイオード

H03B 2200/0044 ・・上記は、光学エレメントを含む例えば光学注射錠締め

H03B 2200/0046 ・・上記は、アンプの獲得を切替えるための手段を含む

H03B 2200/0048 ・・上記は、周波数バンドを切替えるための手段を含む。例えば調和選択によって

H03B 2200/005 ・・上記は、コンデンサを切替えるための手段を含む

H03B 2200/0052 ・・上記は、フィードバック回路を切替えるための手段を含む

H03B 2200/0054 ・・上記は、フィルタを切替えるための手段を含む。例えば頻度チューニングのためのまたは調和選択のための

H03B 2200/0056 ・・上記は、スイッチングのために使用するダイオードを含む

H03B 2200/0058 ・・特定のトランスコンダクタンス特徴を有する、例えば使用可能な相互コンダクタンス増幅器

H03B 2200/006 ・発振器の機能的な態様

H03B 2200/0062 ・・バイアスおよび運転点

H03B 2200/0064 ・・パルス幅、使用率、または、上の/比率から

H03B 2200/0066 ・・振幅、または、検出ある

H03B 2200/0068 ・・頻度またはFM検出

H03B 2200/007 ・・調和頻度に基づく振動の生成、例えば上音発振器

H03B 2200/0072 ・・はずんでいて、急速な頻度変化の中で効果的な頻度

H03B 2200/0074 ・・直接発振器に入力信号を注入することによる発振器の錠締め

H03B 2200/0076 ・・同じ頻度で振動しているいくつかの発振器の動力組合せ

H03B 2200/0078 ・・求積の信号を生成するかまたは使用すること

H03B 2200/008 ・・参照頻度を利用すること

H03B 2200/0082 ・・供給電圧を下げて、力を節約すること

H03B 2200/0084 ・・テラヘルツ頻度に捧げられる

H03B 2200/0086 ・・共振回路のＱまたはダンプに関する

H03B 2200/0088 ・・ノイズの減少

H03B 2200/009 ・・・位相ノイズの減少

H03B 2200/0092 ・・発振器特徴の歪曲を線形にするかまたは減らすための手段

H03B 2200/0094 ・・振動の中で始まることを確実にするための手段

H03B 2200/0096 ・・振動の中で止まることを確実にするための手段

H03B 2200/0098 ・・バランスのよい出力信号を有する

H03B 2201/00 振動の頻度を変化させることに関する発振器の態様

H03B 2201/01 ・手動手段によって、振動の頻度を変化させること

H03B 2201/011 ・・可変静電容量を有する素子である手段

H03B 2201/012 ・・可変インダクタンスを有する素子である手段

H03B 2201/014 ・・分布インダクタンスおよび静電容量から成る素子と関係している手段

H03B 2201/015 ・・・空腔である素子

H03B 2201/017 ・・・誘電体共振器である素子

H03B 2201/018 ・・手動スイッチである手段

H03B 2201/02 ・電子手段によって、振動の頻度を変化させること

H03B 2201/0208 ・・可変静電容量を有する素子である手段、例えば静電容量ダイオード

H03B 2201/0216 ・・可変インダクタンスを有する素子である手段

H03B 2201/0225 ・・分布インダクタンスおよび静電容量から成る素子と関係している手段

H03B 2201/0233 ・・・空腔である素子

H03B 2201/0241 ・・・磁気的に可変素子である素子、例えばイットリウム鉄のガーネット

H03B 2201/025 ・・発振器素子のまたはからのスイッチングのための電子スイッチである手段

H03B 2201/0258 ・・・ダイオードから成る手段

H03B 2201/0266 ・・・トランジスタから成る手段

H03B 2201/0275 ・・選択されたいくつかの電圧または電流を届けている手段

H03B 2201/0283 ・・・デジタル的に機能している手段

H03B 2201/0291 ・・・・そして、処理デバイスにより制御されること、例えばマイクロプロセッサ

H03B 2201/03 ・頻度のそばにも頻度に対する依存の発振器の他のパラメータを変化させること

H03B 2201/031 ・・信号の振幅であるパラメータ、例えば頻度以上の恒常的な出力振幅を維持することは、変動する

H03B 2201/033 ・・フィードバックの量であるパラメータ

H03B 2201/035 ・・他の頻度であるパラメータ、例えば振動している頻度の倍音

H03B 2201/036 ・・共振器のコイルのＱであるパラメータ

H03B 2201/038 ・・バイアス電圧または電源装置であるパラメータ

H03B 2202/00 望まれていない振動の減少に関する発振器の態様

H03B 2202/01 ・望まれていない振動の減少は、発振器の回路素子のうちの1つの歪曲から生じた

H03B 2202/012 ・・能動素子である回路素子

H03B 2202/015 ・・リミタである回路素子

H03B 2202/017 ・・素子を決定している頻度である回路素子

H03B 2202/02 ・望まれていない振動の減少は、発振器の回路素子の自然雑音から生じた

H03B 2202/022 ・・基本的に白色雑音であるノイズ、すなわち頻度独立ノイズ

H03B 2202/025 ・・ノイズに塗られているノイズ、すなわち頻度従属するノイズ

H03B 2202/027 ・・・頻度の逆と基本的に比例しているノイズ、すなわちいわゆるである1/fノイズ

H03B 2202/03 ・望まれていない振動の減少は、内部寄生的な継手から生じた、すなわち発振器の範囲内の寄生的な継手

H03B 2202/04 ・望まれていない振動の減少は、外側のノイズまたは干渉から生じた、例えば発振器の外側の回路素子を有する寄生的な継手から

H03B 2202/042 ・・電源装置に帰属している回路素子

H03B 2202/044 ・・送信機回路に帰属している回路素子

H03B 2202/046 ・・レシーバ回路に帰属している回路素子

H03B 2202/048 ・・周波数分割器である回路素子

H03B 2202/05 ・フィルタであるか特別な共振器特徴による望まれていない振動の減少

H03B 2202/06 ・バイアス電圧の変更態様による望まれていない振動の減少、例えば能動素子の動作位置を選ぶこと

H03B 2202/07 ・終わった望まれていない振動の減少望まれていない振動のキャンセルする

H03B 2202/073 ・・発振器の内部フィードバックを修正することによって

H03B 2202/076 ・・発振器に外部のフィードバックループを用いて、例えばいわゆるノイズ退化

H03B 2202/08 ・望まれていない振動の減少は、発振器と関連する手段によって、外部の回路素子の発振器から、発振器まで生じた

H03B 2202/082 ・・これらの回路素子の間で結合を避けることによって

H03B 2202/084 ・・・遮へいによる

H03B 2202/086 ・・・頻度従属する結合による、例えばいずれが、特定の頻度範囲を減らすか

H03B 2202/088 ・・これらの回路素子を有する追加的な継手によって、補償することによって