WebCPC CPC COOPERATIVE PATENT CLASSIFICATION
B81C 方法または装置は、製造またはミクロ構造的な装置またはシステムの処理のために特別に適応した(マイクロカプセルまたはマイクロバルーンを作ることB01J 13/02；方法または製造または圧起電物体の処理に特有の装置、el電歪であるか磁気ひずみの素子それ自体H01L 41/22)
NOTE - このサブクラスは、カバーしない：B81C 1/00 製造または装置または基板のまたは上のシステムの処理(B81C 3/00 優位をとる)
B81C 1/00007 ・{自動的にヒンジ結合された部品を組み立てること、すなわち組み立て方法(組み立て機構B81B 7/0003)}
B81C 1/00015 ・{マイクロ・システムを製造するための}
B81C 1/00023 ・・{可動であるか可撓性素子なしで(表層を中でfunctionalisingするための静的構造の列B81C 1/00206；特定のアプリケーションのMEMS装置の中で製造すると、関連した場所が知る、例えばマイクロリアクタ（反応炉）B01J 19/0093、研究室オンチップであるB01L 3/00C6M, micromixers B01F 13/0059)}
B81C 1/00031 ・・・{ナノスケール構造の規則的であるか不規則な列、例えばエッチマスクは、階層化する（写真製版法の、例えば写真平板である、凹凸のある、またはパターン化された表層の製造G03F 7/00；製作のためのリソグラフィ方法は、印刷して、印を押すことを使用している表層をパターン化したG03F 7/0002)}
B81C 1/00039 ・・・{アンカー}
B81C 1/00047 ・・・{空腔}
B81C 1/00055 ・・・{溝}
B81C 1/00063 ・・・・{溝}
B81C 1/00071 ・・・・{チャネル}
B81C 1/00079 ・・・・{グループの中に提供されない溝B81C 1/00063 to B81C 1/00071}
B81C 1/00087 ・・・{穴}
B81C 1/00095 ・・・{相互接続}
B81C 1/00103 ・・・{所定の側面を有する構造、例えば傾斜されるか丸い溝}
B81C 1/00111 ・・・{先端（柱）すなわち高くなった構造(極微針A61M 37/0015)}
B81C 1/00119 ・・・{空腔またはチャネルの類の基本的構造の準備、例えば微少溶液なシステムに適している}
B81C 1/00126 ・・・{グループの中に提供されない静的構造B81C 1/00031 to B81C 1/00119}
B81C 1/00134 ・・{上記は、可撓性であるか変形可能な構造から成る（特定のアプリケーションのMEMS装置の中で製造すると、関連した場所が知る、例えばジャイロスコープG01C 19/56G1, 圧力 sensors G01L 9/0042、加速度計G01P 15/0802、音響トランスデューサまたは隔膜したがってH04R31)}
B81C 1/00142 ・・・[橋(変形可能なマイクロ鏡G02B 26/0841)]
B81C 1/0015 ・・・[カンチレバー(MEMSを使用しているスイッチH01H 1/0036；マイクロ工学を使用している静電リレーH01H 59/0009；マイクロ電気機械共鳴器H03H 9/02244)]
B81C 1/00158 ・・・[隔膜、膜(半透性の無機の膜のための製造方法B01D 67/0039)]
B81C 1/00166 ・・・{電極}
B81C 1/00174 ・・・{シーソー}
B81C 1/00182 ・・・{変形可能であるか非変形可能な構造の準備、例えばトランスデューサに用いられる膜および空腔}
B81C 1/0019 ・・・{グループの中に提供されない可撓性であるか変形可能な構造B81C 1/00142 to B81C 1/00182}
B81C 1/00198 ・・{上記は、各々に関して移動可能である素子から成る、例えば上記は、摺動可能であるか回転可能な素子から成る}
B81C 1/00206 ・・{表層をfunctionalisingする方法、例えば表層に機械的な特性を提供する、化学であるか生物学的特性}
B81C 1/00214 ・・{ネットワークをsimultaneaousに製造する方法または類似したミクロ構造的な装置の列}
B81C 1/00222 ・・{電子処理ユニットをマイクロ機械な構造と統合すること}
B81C 1/0023 ・・・{一緒に電子処理ユニット型およびマイクロ機械な構造型を包装すること(MEMSパッケージB81B 7/0032；方法を包装しているMEMSB81C 1/00261)}
B81C 1/00238 ・・・{電子処理ユニットを有する基板および基板をマイクロ機械な構造でつなぐこと}
B81C 1/00246 ・・・{統一された統合、すなわちマイクロ機械な構造および電子処理ユニットは、同じ基板に統合される}
B81C 1/00253 ・・・{電子処理ユニットを中で提供されないマイクロ機械な構造と統合する方法B81C 1/0023 to B81C 1/00246}
B81C 1/00261 ・・{MEMS装置を包装する方法(MEMSパッケージB81B 7/00P、スマートなMEMSの包装B81C 1/0023)}
B81C 1/00269 ・・・{基板に固体の蓋またはウェーハの中で接着すること}
B81C 1/00277 ・・・{MEMSを含んでいる空腔内部で、制御空気を維持するための}
B81C 1/00285 ・・・・{パッケージ内部で圧力、汚濁物または水分のレベルを制御するための材料を使用すること、例えばゲッター}
B81C 1/00293 ・・・・{中で提供されない方法を有する制御空気を維持することB81C 1/00285}
B81C 1/00301 ・・・{外部の電気信号回線を有するMEMS装置からの接続電気的な信号回線、例えばバイアによる}
B81C 1/00309 ・・・{パッケージまたは副versaからのMEMSからの流体移動に適している、例えば液体の転送、ガス、音}
B81C 1/00317 ・・・{光デバイスを包装すること}
B81C 1/00325 ・・・{パッケージ構造内部で応力を減らすための}
B81C 1/00333 ・・・{MEMS装置の包装に関する態様、グループにおおわれないB81C 1/00269 to B81C 1/00325}
B81C 1/00341 ・・{グループの中に提供されないマイクロ・システムを製造する方法B81C 1/00023 to B81C 1/00261}
B81C 1/00349 ・{基板上の材料の層をつくること}
B81C 1/00357 ・・{非一時的なサポート上の1またはいくつかの基板を結合することが必要であること、例えば他の基板}
B81C 1/00365 ・・{層間の低い引張応力を有する}
B81C 1/00373 ・・{選択的な堆積、例えば印刷またはマイクロ接触印刷}
B81C 1/0038 ・・{グループの中に提供されない材料の層をつくる方法B81C 1/00357 to B81C 1/00373}
B81C 1/00388 ・{形をなしているエッチマスク}
B81C 1/00396 ・・{その構成物によって、特徴付けられるマスク、例えば多層マスク}
B81C 1/00404 ・・{そのサイズによって、特徴付けられるマスク、オリエンテーションまたは形状}
B81C 1/00412 ・・{エッチング・プロセスの間、その挙動によって、特徴付けられるマスク、例えば可溶なマスク}
B81C 1/0042 ・・{オリエンテーション従属するエッチングの補償マスク}
B81C 1/00428 ・・{グループの中に提供されないエッチマスク形成工程B81C 1/00396 to B81C 1/0042}
B81C 1/00436 ・{材料を成形すること、すなわち基板または層を基板に組み立てることの技術}
B81C 1/00444 ・・{表層ミクロ機械加工、すなわち層を基板に組み立てること}
B81C 1/0046 ・・・{印を押すことを使用すること、例えば押すこと(ナノ・エッチマスクを作るために押しているG03F 7/0002)}
B81C 1/00468 ・・・{構造を解除すること}
B81C 1/00476 ・・・・{犠牲的層を取り除くこと(B81C 1/00912 優位をとる)}
B81C 1/00484 ・・・・{グループにおいて、提供されない構造を解除する方法B81C 1/00476}
B81C 1/00492 ・・・{グループの中に提供されない表層ミクロ機械加工のための方法B81C 1/00F2D to B81C 1/00484}
B81C 1/005 ・・{大きさミクロ機械加工}
B81C 1/00507 ・・・{堆積以外の技術による埋込層の形成、例えば素子の深い移植によって(SIMOX技術H01L 21/762)}
B81C 1/00515 ・・・{中で提供されない大きさミクロ機械加工技術B81C 1/00507}
B81C 1/00523 ・・{材料にエッチングすること}
B81C 1/00531 ・・・{ドライエッチング}
B81C 1/00539 ・・・{ウェットエッチング}
B81C 1/00547 ・・・{グループの中に提供されない方法にエッチングすることB81C 1/00531 to B81C 1/00F6P}
B81C 1/00555 ・・{所望の幾何学を成し遂げること、すなわち制御することは、率にエッチングする、異方性または選択性(B81C 1/00023 to B81C 1/0019 優位をとる)}
B81C 1/00563 ・・・{オーバエッチングを避けるかまたは制御する}
B81C 1/00571 ・・・・{避けるかまたは下げるのを抑制する}
B81C 1/00579 ・・・・{幾重にもなる充電を避ける}
B81C 1/00587 ・・・・{中で提供されないオーバエッチングを避けるかまたは制御する方法B81C 1/00571 to B81C 1/00579}
B81C 1/00595 ・・・{制御エッチング選択性}
B81C 1/00603 ・・・{基板の両面上の整列機構および幾何学、例えばそのとき、二重横のエッチング}
B81C 1/00611 ・・・{構造の平坦化のための方法(デポジットを平面化することC23C, H01L)}
B81C 1/00619 ・・・{深い急な壁を有する高いアスペクトレシオ構造を形成すること}
B81C 1/00626 ・・・{グループの中に提供されない所望の幾何学を成し遂げる方法B81C 1/00563 to B81C 1/00619}
B81C 1/00634 ・・{グループの中に提供されない材料を成形する方法B81C 1/00444 to B81C 1/00626}
B81C 1/00642 ・{装置の物理的特性を改良するための}
B81C 1/0065 ・・{機械的性質}
B81C 1/00658 ・・・{振動している素子の剛性を改善するための処理}
B81C 1/00666 ・・・{制御内部応力のための処理またはMEMS構造の圧力}
B81C 1/00674 ・・・{耐摩耗性を改良するための処理}
B81C 1/00682 ・・・{機械的性質を改良するための処理、中で提供されないB81C 1/00658 to B81C 1/0065}
B81C 1/0069 ・・{熱特性、例えば断熱を改良する}
B81C 1/00698 ・・{電気特徴、例えばドーピング材料によって}
B81C 1/00706 ・・{磁気特性}
B81C 1/00714 ・・{グループの中に提供されない物理的特性を改良するための処理B81C 1/0065 to B81C 1/00706}
B81C 1/00777 ・{既存の構造を変更から保護する、例えば製造の間の一時的な保護}
B81C 1/00785 ・・{化学変更を避ける、例えば汚染、酸化または不必要なエッチング(B81C 1/00563 to B81C 1/00595 優位をとる)}
B81C 1/00793 ・・・{汚染を避ける、例えば不純物または酸化の吸収}
B81C 1/00801 ・・・{エッチングによって、機能的な構造の変更を避ける、例えばパシベーション層またはエッチストップ層を使用すること(B81C 1/00595, B81C 1/00468 優位をとる)}
B81C 1/00809 ・・・{グループの中に提供されない化学変更を避ける方法B81C 1/00793 to B81C 1/00801}
B81C 1/00817 ・・{熱滅失を避ける}
B81C 1/00825 ・・{機械の脅威から守る、例えばショックに対して、または残り(B81C 1/00261 優位をとる)}
B81C 1/00833 ・・{グループの中に提供されない構造を保存する方法B81C 1/00785 to B81C 1/00825}
B81C 1/00841 ・{製造の間か後の清掃(半導体装置の清掃H01L 21/306)}
B81C 1/00849 ・・{製造の間、}
B81C 1/00857 ・・{製造の後、例えば線プロセスのバックエンド}
B81C 1/00865 ・{個々の素子へのウェーハの分離のための多段階方法}
B81C 1/00873 ・・{装置の特別な配置によって、特徴付けられる、より簡単な分離を許すこと}
B81C 1/0088 ・・{基板の回復を許している分離または基板の一部分、例えばエピタキシャル離陸}
B81C 1/00888 ・・{機械の分離だけを含んでいる多段階方法、例えば溝を彫ることは、割れることによって、あとに続いた}
B81C 1/00896 ・・{個々の素子への分離の間の一時的な保護}
B81C 1/00904 ・・{グループの中に提供されない個々の素子へのウェーハの分離のための多段階方法B81C 1/00873 to B81C 1/00896}
B81C 1/00912 ・{処理またはMEMSの可撓性であるか可動一部のスティクションを避ける方法}
B81C 1/0092 ・・{装置の製造プロセスの間、スティクションを避けるための、例えばウェットエッチングの間、}
B81C 1/00928 ・・・{湿気の後で除去するかまたは残りの水分を避けることは、可動構造の解放にエッチングする}
B81C 1/00936 ・・・{液体腐食液のない可動構造を解除すること}
B81C 1/00944 ・・・{解除される構造の間で臨界距離を維持すること}
B81C 1/00952 ・・・{処理またはグループの中に提供されない製造プロセスの間、スティクションを避ける方法B81C 1/00928 to B81C 1/00944}
B81C 1/0096 ・・{装置が使用中であるスティクションを避けるための、すなわち製造が完了されたあと、}
B81C 1/00968 ・・・{スティクション結合を断つ方法}
B81C 1/00976 ・・・{スティクションを避ける制御方法、例えばバイアス電圧を制御すること}
B81C 1/00984 ・・・{装置がグループの中に提供されない使用法であるスティクションを避ける方法B81C 1/00968 to B81C 1/00976}
B81C 1/00992 ・・{処理またはグループの中に提供されないMEMSの可撓性であるか可動一部のスティクションを避ける方法B81C 1/0092 to B81C 1/00984}
B81C 3/00 個々に被処理構成素子から装置またはシステムの中で集合すること
B81C 3/001 ・{2つの構成素子の中で接着すること}
B81C 3/002 ・{整列配置マイクロ・パーツ}
B81C 3/004 ・・{作動中の配置、すなわち内蔵であるか外部アクチュエータを使用している素子の検出位置に応答して素子を動かすこと}
B81C 3/005 ・・{受動的な配置、すなわち素子のまたは構造上の配置だけまたは熱力学の力だけを使用して位置の検出なしで}
B81C 3/007 ・・{グループの中に提供されない整列配置マイクロ・パーツのための方法B81C 3/004 to B81C 3/005}
B81C 3/008 ・{態様は、個々に被処理構成素子から集合することに関した、グループにおおわれないB81C 3/001 to B81C 3/002}
B81C 99/00 このサブクラスの他のグループにおいて、提供されない内容
B81C 99/0005 ・{製造のために特別に構成される装置またはミクロ構造的な装置またはシステムの処理、または同じものを製造する方法}
B81C 99/001 ・・{カットのための、割れるかまたは挽くこと}
B81C 99/0015 ・・{ミクロの押出のための(押出しヘッド一般にB29C 47/12)}
B81C 99/002 ・・{MEMSを組み立てる装置、例えば微調整装置(微調整装置それ自体B25J 7/00)}
B81C 99/0025 ・・{製造またはミクロ構造的な装置の処置のために特別に構成される装置または中で提供されないシステムB81C 99/001 to B81C 99/002}
B81C 99/003 ・{MEMS装置の特徴を描写すること、例えば電気であるか機械の定数を測定して、識別すること}
B81C 99/0035 ・{テスト}
B81C 99/004 ・・{製造の間、}
B81C 99/0045 ・・{包装された装置の端試験}
B81C 99/005 ・・{試験装置}
B81C 99/0055 ・{ロジスティックスを製造すること}
B81C 99/006 ・・{設計；シミュレーション}
B81C 99/0065 ・・{プロセス制御；産出高予測}
B81C 99/007 ・・{跡がつくこと}
B81C 99/0075 ・{基板のない構造の製造}
B81C 99/008 ・・{被処理構造を母基板から切り離すこと}
B81C 99/0085 ・・{型およびマスター・テンプレートを使用すること、例えば熱いエンボシングのための}
B81C 99/009 ・・{スタンプまたは型を製造すること}
B81C 99/0095 ・・{基板のない構造の製造に関する態様、グループにおおわれないB81C 99/008 to B81C 99/009}
B81C 2001/00 製造または装置または基板のまたは上のシステムの処理(B81C 3/00 優位をとる)
B81C 2001/00436 ・{材料を成形すること、すなわち基板または層を基板に組み立てることの技術}
B81C 2001/00444 ・・{表層ミクロ機械加工、すなわち層を基板に組み立てること}
B81C 2001/00452 ・・・エッチング以外の減じる技術を含むこと
B81C 2001/00722 ・{構造の平坦化のための多段階方法(デポジットを平面化することC23C, H01L)}
B81C 2001/0073 ・・{材料の追加だけを含むこと、すなわち付加平坦化}
B81C 2001/00738 ・・・{選択的な加算}
B81C 2001/00746 ・・{前記材料の一部の除去が続く材料の追加を含むこと、すなわちsubstractiveな平坦化}
B81C 2001/00753 ・・・{選択的な堆積である材料の追加}
B81C 2001/00761 ・・・{包括的な除去、例えばポリッシング}
B81C 2001/00769 ・・・{選択的な除去}
B81C 2201/00 製造またはミクロ構造的な装置またはシステムの処理
B81C 2201/01 ・基板のまたは上の
B81C 2201/0101 ・・材料を成形すること；バルク基板または層を基板に組み立てること；フィルム・パターニング
B81C 2201/0102 ・・・表層ミクロ機械加工
B81C 2201/0104 ・・・・化学製品機械のポリッシング(CMP)
B81C 2201/0105 ・・・・犠牲的層
B81C 2201/0107 ・・・・・犠牲の金属
B81C 2201/0108 ・・・・・犠牲の重合体、有機肥料の中で灰にすること
B81C 2201/0109 ・・・・・中で提供されない犠牲的層B81C 2201/0107 to B81C 2201/0108
B81C 2201/0111 ・・・大きさミクロ機械加工
B81C 2201/0112 ・・・・ボッシュ・プロセス
B81C 2201/0114 ・・・・電気化学的エッチング、陽極酸化
B81C 2201/0115 ・・・・多孔性シリコン
B81C 2201/0116 ・・・・基板原子の構造上の再配置のための熱処理、例えば埋設された空腔を作るための
B81C 2201/0118 ・・・構造の平坦化のための方法
B81C 2201/0119 ・・・・材料の追加だけを含むこと、すなわち付加平坦化
B81C 2201/0121 ・・・・前記材料の一部の除去が続く材料の追加を含むこと、すなわち減じる平坦化
B81C 2201/0122 ・・・・選択的な加算
B81C 2201/0123 ・・・・選択的な除去
B81C 2201/0125 ・・・・包括的な除去、例えばポリッシング
B81C 2201/0126 ・・・・中で提供されない構造の平坦化のための方法 B81C 2201/0119 ためにB81C2201/0125
B81C 2201/0128 ・・・材料を除去する方法
B81C 2201/0129 ・・・・変わっているダイヤモンド
B81C 2201/013 ・・・・エッチング
B81C 2201/0132 ・・・・・ドライエッチング、すなわちプラズマエッチング、バレル・エッチング、反応性イオンエッチング(RIE)、スパッタエッチングまたはイオン・ミリング
B81C 2201/0133 ・・・・・ウェットエッチング
B81C 2201/0135 ・・・・・制御することは、進行にエッチングする
B81C 2201/0136 ・・・・・・ドーピング限られた材料領域によって
B81C 2201/0138 ・・・・・・エッチング室の物理的なパラメータをモニタすること、例えば圧力、温度または気体組成
B81C 2201/0139 ・・・・・・電気化学的エッチングの電位を有する
B81C 2201/014 ・・・・・・エッチストップ層を沈澱させることによって、例えば窒化けい素、シリコン酸化物、金属
B81C 2201/0142 ・・・・・・制御する方法は、中で提供されない進行にエッチングする B81C 2201/0136 ためにB81C2201/014
B81C 2201/0143 ・・・・集中する光線、すなわちレーザー、イオンまたはｅ光線
B81C 2201/0145 ・・・・スパーク浸食
B81C 2201/0146 ・・・・中で提供されない材料を除去する方法B81C 2201/0129 to B81C 2201/0145
B81C 2201/0147 ・・・フィルム・パターニング
B81C 2201/0149 ・・・・自動車を配置しているか自動組立材料を使用しているナノスケール微細構造を形成すること
B81C 2201/015 ・・・・押すこと
B81C 2201/0152 ・・・・・進んで、押すことを光らせる、刷り込まれているUV
B81C 2201/0153 ・・・・・中で提供されない技術を押すことB81C 2201/0152
B81C 2201/0154 ・・・・中で提供されないフィルム・パターニングのための他の方法B81C 2201/0149 to B81C 2201/015
B81C 2201/0156 ・・・リソグラフィー技術
B81C 2201/0157 ・・・・グレースケール・マスク技術
B81C 2201/0159 ・・・・中で提供されないリソグラフィー技術B81C 2201/0157
B81C 2201/016 ・・・不動態化
B81C 2201/0161 ・・材料の制御物理的特性
B81C 2201/0163 ・・・堆積する層の制御内部応力
B81C 2201/0164 ・・・・層に不純物を添加することによって
B81C 2201/0166 ・・・・イオン打込みによって
B81C 2201/0167 ・・・・補完的な圧力を有する材料の更なる層を加えることによって、すなわち圧縮であるか張力の圧力
B81C 2201/0169 ・・・・ポスト・アニーリングによって
B81C 2201/017 ・・・・中で提供されない堆積する層の制御内部応力のための方法 B81C 2201/0164 ためにB81C2201/0169
B81C 2201/0171 ・・・ドーピング材料
B81C 2201/0173 ・・・・固体からの不純物のサーモ移動、例えばドーピングした堆積する層から
B81C 2201/0174 ・・多層装置を製造するための、フィルム堆積または成長する
B81C 2201/0176 ・・・化学蒸気堆積
B81C 2201/0177 ・・・・エピタクシ、すなわちホモ-エピタクシ、ヘテロ・エピタクシ、GaAs-エピタクシ
B81C 2201/0178 ・・・・酸化
B81C 2201/018 ・・・・プラズマ重合、すなわちモノマーまたは重合体堆積
B81C 2201/0181 ・・・物理的な蒸気堆積（PVD）、すなわち蒸発、スパッタすること、イオンプレーティングまたはプラズマは、堆積を促進した、イオン・クラスタ光線技術
B81C 2201/0183 ・・・選択的な堆積
B81C 2201/0184 ・・・・デジタル石版印刷、例えばインクジェット式の印字ヘッドを使用すること
B81C 2201/0185 ・・・・印刷すること、例えばマイクロ密着焼付け
B81C 2201/0187 ・・・・マイクロの制御形成または基板に配置されるテンプレートを使用しているナノ構造体
B81C 2201/0188 ・・・・中で提供されない選択的な堆積技術B81C 2201/0184 to B81C 2201/0187
B81C 2201/019 ・・・多数の基板層を結合するかまたは接着すること
B81C 2201/0191 ・・・キャリア・ウェーハからの素子ウエハへの層の転送
B81C 2201/0192 ・・・・キャリア・ウェーハを切断することによって
B81C 2201/0194 ・・・・構築されている層
B81C 2201/0195 ・・・・構造化されていない層
B81C 2201/0197 ・・・グループの中に提供されない多層装置を製造する方法 B81C 2201/0176 ためにB81C2201/0192
B81C 2201/0198 ・・マスキング層を作るための
B81C 2201/03 ・基板のない構造を製造する方法
B81C 2201/032 ・・LIGAプロセス
B81C 2201/034 ・・成形
B81C 2201/036 ・・熱いエンボシング
B81C 2201/038 ・・中で提供されない基板のない構造を製造する方法 B81C 2201/034 ためにB81C2201/036
B81C 2201/05 ・装置の一時的な保護または製造の間の装置の部分
B81C 2201/053 ・・保護層を堆積させること
B81C 2201/056 ・・製造プロセス終了後構造を解除すること
B81C 2201/11 ・ゴムのスティクションを避けるための処理またはMEMSの動く部分
B81C 2201/112 ・・反スティクションまたは不動態化コーティングを沈澱させること、例えばゴムまたは動く部分上の
B81C 2201/115 ・・表層を粗くすること
B81C 2201/117 ・・臨界超過の流体を用いて、例えば二酸化炭素、犠牲的層を取り除くための
B81C 2203/00 ミクロ構造的なシステムを形成すること
B81C 2203/01 ・MEMSをパックすること
B81C 2203/0109 ・・基板上の個々のキャップを結合すること
B81C 2203/0118 ・・基板上のウェーハを結合すること、すなわちそこにおいて、キャップは、他のウェーハから成る
B81C 2203/0127 ・・複数の包装のふたをシステム・ウェーハに適用するためのキャリアを用いて
B81C 2203/0136 ・・成長するかまたはおおう層の中で沈澱すること
B81C 2203/0145 ・・開口部を蓋に密封して封入すること
B81C 2203/0154 ・・MEMS装置の上のキャップを鋳造すること
B81C 2203/0163 ・・キャップを補強すること、例えば肋骨を有する
B81C 2203/0172 ・・封止
B81C 2203/0181 ・・・蓋を結合するためのマイクロ・ヒーターを用いて
B81C 2203/019 ・・・材料またはパーツとの封止の配置によって、特徴付けられる
B81C 2203/03 ・2つの構成素子を結合すること
B81C 2203/031 ・・陽極の結合
B81C 2203/032 ・・接着すること
B81C 2203/033 ・・熱結合
B81C 2203/035 ・・・ハンダ付け
B81C 2203/036 ・・・接着している融合
B81C 2203/037 ・・・中で提供されない熱接着している技術B81C 2203/035 to B81C 2203/036
B81C 2203/038 ・・中で提供されない技術を結合することB81C 2203/031 to L81C 203/03S
B81C 2203/05 ・組み立てられる整列配置部品
B81C 2203/051 ・・作動中の配置、例えば内蔵であるか外部アクチュエータを使用すること、磁石、センサ、マークまたはマーク探知器
B81C 2203/052 ・・受動的な配置、すなわち内部であるか外部装置のない構造上の配置だけまたは熱力学の力だけを使用すること
B81C 2203/054 ・・・構造上の配置援助を使用すること、例えばスペーサ、介入物、男性/雌のパーツ、ロッドまたはボール
B81C 2203/055 ・・・素子を整列配置するために流体はんだの表面張力を使用すること
B81C 2203/057 ・・・中で提供されない受動的な配置技術B81C 2203/054 to B81C 2203/055
B81C 2203/058 ・・中で提供されない方法を使用している整列配置部品B81C 2203/051 to B81C 2203/052
B81C 2203/07 ・電子処理ユニットをマイクロ機械な構造と統合すること
B81C 2203/0707 ・・統一された統合、すなわち電子処理ユニットは、マイクロ機械な構造と同じ基板にまたはにおいて、形成される
B81C 2203/0714 ・・・マイクロ機械な構造をCMOSプロセスにより形成すること
B81C 2203/0721 ・・・マイクロ機械な構造を低温方法により形成すること(B81C 2203/0735 優位をとる)
B81C 2203/0728 ・・・プレCMOS、すなわちCMOS回路の前にマイクロ機械な構造を形成すること
B81C 2203/0735 ・・・ポストCMOS、すなわちマイクロ機械な構造をCMOS回路から形成すること
B81C 2203/0742 ・・・はさむ、すなわちマイクロ機械な構造およびCMOS回路を同時に形成すること
B81C 2203/075 ・・・マイクロ機械な構造の素子に組み込まれている電子処理ユニット
B81C 2203/0757 ・・・統一された統合を容易にするためのトポロジ
B81C 2203/0764 ・・・・溝のマイクロ機械な構造を形成すること
B81C 2203/0771 ・・・・電子処理ユニットおよびマイクロ機械な構造を積み重ねること
B81C 2203/0778 ・・・・中で提供されない統一された統合を容易にするためのトポロジ B81C 2203/0764 ためにB81C2203/0771
B81C 2203/0785 ・・転送およびj oin技術、すなわち電子処理ユニットおよびマイクロ機械な構造を分離板の上に形成して、基板を接合すること
B81C 2203/0792 ・・・電子処理ユニットおよびマイクロ機械な構造の間で相互接続を形成すること
B81C 2900/00 製造のために特別に構成される装置またはミクロ構造的な装置またはシステムの処理
B81C 2900/02 ・マイクロ押出しヘッド
--- Edited by Muguruma Professional Engineer Office(C), 2013 ---