H01L 半導体装置，他に属さない電気的固体装置（測定のための半導体装置の使用Ｇ０１；抵抗一般Ｈ０１Ｃ；磁石，インダクタ，トランスＨ０１Ｆ；コンデンサー一般Ｈ０１Ｇ；電解装置Ｈ０１Ｇ９／００；電池，蓄電池Ｈ０１Ｍ；導波管，導波管の共振器または線路Ｈ０１Ｐ；電線接続器，集電装置Ｈ０１Ｒ；誘導放出装置Ｈ０１Ｓ；電気機械共振器Ｈ０３Ｈ；スピーカー，マイクロフォン，蓄音機ピックアップまたは類似の音響電気機械変換器Ｈ０４Ｒ；電気的光源一般Ｈ０５Ｂ；印刷回路，ハイブリッド回路，電気装置の箱体または構造的細部，電気部品の組立体の製造Ｈ０５Ｋ；特別な応用をする回路への半導体装置の使用は，応用サブクラスを参照）［２］　WebFI　FI記号=2010年8月版
　　＜注＞（１）このサブクラスは以下のものを包含する：
　　―他のサブクラスに包含されない電気的固体装置およびその細部および以下のものを含む：整流，増幅，発振，スイッチングに適用される半導体装置；放射線に感応する半導体装置；熱電効果，超電導効果，圧電効果，電歪効果，磁歪効果，電流―磁気効果またはバルク負性抵抗効果を用いた電気的固体装置および集積回路装置；［２］
　　―光抵抗器，磁界依存抵抗器，電界効果抵抗器，電位障壁を有するコンデンサー，電位障壁または表面障壁を有する抵抗器，非コヒーレント発光ダイオード，薄膜または厚膜回路；［２］
　　―他の分類で規定されている単一工程からなる方法を除き，これらの装置の製造または処理に適用される方法および装置［２］
　　（２）このサブクラスにおいては，下記の用語又は表現は以下に示す意味で用いる：
　　―“ウエハ”とは，半導体または結晶質材料からなる薄い板を意味する。これは，不純物拡散（ドーピング），イオン注入またはエピタキシーにより修正可能であり，その活性面は，複数の離散的な構成部品または集積回路への処理が可能である。［８］
　　―“固体本体”とは，材料本体内か材料本体表面でその装置特有な物理現象が起るその材料本体を意味する。熱電装置の場合には，それは電流路に含まれる全ての材料を含む。
　　固体本体そのものではないが，電気的に固体本体に影響を与える装置（デバイス）本体内または装置（デバイス）本体上の領域は，外部からの電気的接続がそれになされていてもいなくても“電極”とみなす。電極はいくつかの部分（ポーション）を含んでいてもよい。そしてこの用語は絶縁領域を通して固体本体に影響（例．容量性結合）を与える金属領域および本体へ誘導性結合した装置（アレンジメンツ）を含む。容量配置（アレンジメント）における誘電体領域は電極の部分（パート）とみなす。いくつかの部分（ポーション）を含む装置（アレンジメンツ）では，それらの形状，大きさ，配列または材料によって固体本体に影響を与える部分（ポーション）のみを電極の部分（パート）とみなす。その他の部分（ポーション）は“固体本体へまたは固体本体から電流を導く装置（アレンジメンツ）”または“１つの共通基板内または上に形成された固体構成部品間の相互接続”　とみなす，すなわち，リード；［２］
　　―“装置（デバイス）”とは，電気回路素子（エレメント）を意味する；電気回路素子（エレメント）が１つの共通基板内または上に形成された複数の素子の１つである場合は，“構成部品（コンポーネント）”という；［２］
　　―“完全装置（コンプリートデバイス）”とは，使用しようとする前に構成単位（ユニット）を付加する必要はないが付加処理，例．エレクトロフォーミング，を必要とするか必要としない充分組立てられた状態にある１つの装置である；［２］
　　―“部品（パーツ）”は完全装置に含まれる全ての構成単位（ユニット）を含む；［２］
　　―“容器”とは，完全装置の部分を形成している１つの外囲体で，本質的には装置の本体が置かれている固体構造または表面に密接な層が形成されていない本体の周りに作られている固体構造である。本体に形成された１つ以上の層からなり本体と密接な接触をしている外囲体は“封緘”になる；［２］
　　―“集積回路”とは，全ての構成部品，例．ダイオード，抵抗器，が１つの共通基板に組み立てられた装置であり，構成部品間の相互接続が内包されている装置である；［２］
　　―装置の“組み立て（アセンブリー）”とは，装置の構成部品の構成単位から装置を組み立てることであり，容器への充填も含む。［２］
　　（３）このサブクラスにおいて，装置の製造または処理のための方法または装置と装置自体は両方とも，これらの両方の重要性を十分記述している場合は常に分類する。［６］
　　（４）ＩＰＣが参照する化学元素周期表の版を示すセクションＣのタイトルに続く注（３）に注意のこと。［２０１０．０１］
　　＜索引＞半導体装置
　　整流，増幅，発振あるいはスイッチングに適用される装置　２９／００
　　輻射線に感応し，あるいは放射する装置　３１／００，３３／００
　　有機材料を用いた固体装置　５１／００
　　他の固体装置
　　熱電または熱磁気装置　３５／００，３７／００
　　超電導またはハイパーコンダクティブの装置　３９／００
　　圧電，電歪または磁歪装置一般　４１／００
　　電流磁気効果装置　４３／００
　　電位障壁または表面障壁を持たない装置；バルク負性抵抗効果装置；他に分類されない装置　４５／００；４７／００；４９／００
　　半導体または他の固体装置の組立体
　　個々の装置の組立体　２５／００
　　集積回路　２７／００
　　細部　２３／００
　　製造　２１／００

H01L 21/00 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に適用される方法または装置（グループ３１／００〜４９／００に分類されている装置またはその部品に製造または処理に特有な方法または装置はこれらのグループを参照；他のサブクラスに包有されている単一工程からなる方法は関連したサブクラス，例．Ｃ２３Ｃ，Ｃ３０Ｂを参照；表面に表面構造または模様を作成する写真製版，そのための材料または原稿，そのため特に適合した装置一般Ｇ０３Ｆ）
　　＜注＞注グループ２１／７０から２１／９８はグループ２１／０２から２１／６８に優先する。
H01L 21/02 ・半導体装置またはその部品の製造または処理
H01L 21/02, A 識別用情報〔マーク方法，ウエハマーク付け，キャリヤマーク付け〕
H01L 21/02, B ウエハ・ペレット等の形状・構造〔ウエハ貼合せ，ワレ防止，結晶方位関連〕
H01L 21/02, C ウエハの補強〔補強材裏打ち〕
H01L 21/02, D クリーンベンチ・ドラフト装置等〔小クリーンルーム，ゴミ除去〕　〔空調（クリーンルーム）は，Ｆ２４Ｆ〕
H01L 21/02, Z その他〔生産管理工程管理，静電気除去〕
H01L 21/04 ・・少なくとも一つの電位障壁または表面障壁，例．ＰＮ接合，空乏層，キャリア集中層，を有する装置
H01L 21/06 ・・・不純物として以外に他の材料からなる半導体本体が結合されていない，セレンまたはテルルからなる半導体本体を有する装置
H01L 21/08 ・・・・基体板の処理［２］
H01L 21/10 ・・・・セレンまたはテルルの前処理，基体板への適用，または続いての結合処理［２］
H01L 21/103 ・・・・・セレンまたはテルルの導電状態への変換
H01L 21/105 ・・・・・導電性にした後のセレンまたはテルル層の表面処理
H01L 21/108 ・・・・・絶縁分離層，すなわち，非ジェネティック障壁層の形成［２］
H01L 21/12 ・・・・基体板と結合した後のセレンまたはテルルの露出面への電極の形成［２］
H01L 21/14 ・・・・完全装置の処理，例．障壁形成のためのエレクトロフォーミングによるもの［２］
H01L 21/145 ・・・・・エージング
H01L 21/16 ・・・酸化第一銅またはヨウ化第一銅からなる半導体本体を有する装置［２］
H01L 21/18 ・・・不純物，例．ドーピング材料，を含むまたは含まない，周期律表第ＩＶ族の元素またはＡ↓ＩＩＩＢ↓Ｖ化合物からなる半導体本体を有する装置［２］
H01L 21/20 ・・・・基板上への半導体材料の析出，例．エピタキシャル成長［２］
H01L 21/203 ・・・・・物理的析出を用いるもの，例．真空蒸着，スパッタリング
H01L 21/203, M 材料の分子線，原子線，イオン線によるもの
H01L 21/203, S スパッタリングによるもの
H01L 21/203, Z その他のもの
H01L 21/205 ・・・・・固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの，すなわち化学的析出を用いるもの［２］
H01L 21/208 ・・・・・液相成長を用いるもの
H01L 21/208, D ディップ法
H01L 21/208, S スライド法
H01L 21/208, L ・ウェハが水平に配置されているもの
H01L 21/208, V ＶＬＳ法
H01L 21/208, Z その他のもの
H01L 21/22 ・・・・半導体本体へのまたは半導体本体からのまたは半導体領域間の不純物材料，例．ドーピング材料，電極材料，の拡散［２］
H01L 21/22, C ３―５族化合物半導体〔ＧａＡｓＰ，ＩｎＧａＰ，半導体レーザ〕
H01L 21/22, E 高エネルギー処理と拡散の組合わせ〔レーザビーム，電子ビーム，イオンビーム，プラズマ処理との組み合わせ〕
H01L 21/22, P プレデポジション層の処理〔プレデポしてドライブイン，二段階拡散〕
H01L 21/22, S 選択拡散〔マスク拡散，部分拡散〕
H01L 21/22, T ・拡散マスクの材料・構造，形成方法に特徴のあるもの
H01L 21/22, U ・横方向広がり拡散
H01L 21/22, V ・溝を利用した選択拡散〔トレンチ分離のためのものはＨ０１Ｌ２１／７６，トレンチキャパシタのためのものはＨ０１Ｌ２７／０４Ｃ〕
H01L 21/22, W ・多孔質を利用した選択拡散〔基板が多孔質の選択拡散，２回拡散〕
H01L 21/22, X ・拡散位置合わせ，セルフアライン
H01L 21/22, Y 拡散の前処理，後処理
H01L 21/22, Z その他のもの〔単工程〕
H01L 21/22,501 ・・・・・横型拡散装置
H01L 21/22,501D 横型拡散装置の構造に特徴があるもの
H01L 21/22,501A ・加熱方法に特徴があるもの
H01L 21/22,501L ・・光照射による加熱
H01L 21/22,501C ・冷却方法に特徴のあるもの
H01L 21/22,501B ・拡散ボートの移送方法に特徴のあるもの
H01L 21/22,501S ・ガスの導入・排出経路に特徴のあるもの
H01L 21/22,501F ・遮蔽体を有するもの
H01L 21/22,501G ・ウエハ支持治具に特徴のあるもの
H01L 21/22,501H ・補助管を有するもの
H01L 21/22,501J ・ウエハの移し替えに特徴のあるもの
H01L 21/22,501K ・炉心管の洗浄
H01L 21/22,501M ・炉心管・ウエハ支持治具の材料に特徴のあるもの
H01L 21/22,501N ・測熱手段に特徴のあるもの
H01L 21/22,501R ・炉体又はウエハ支持治具が回転するもの
H01L 21/22,501Z その他
H01L 21/22,511 ・・・・・縦型拡散装置
H01L 21/22,511Q 縦型拡散装置の構造に特徴があるもの
H01L 21/22,511A ・加熱・冷却方法に特徴があるもの
H01L 21/22,511B ・拡散ボートの移送方法に特徴のあるもの
H01L 21/22,511S ・ガスの導入・排出経路に特徴のあるもの
H01L 21/22,511G ・ウエハ支持治具に特徴のあるもの
H01L 21/22,511H ・補助管を有するもの
H01L 21/22,511J ・ウエハの移し替えに特徴のあるもの
H01L 21/22,511M ・炉芯管・ウエハ支持治具の材料に特徴のあるもの
H01L 21/22,511R ・炉体又はウエハ支持治具が回転するもの
H01L 21/22,511Z その他
H01L 21/223 ・・・・・気相から固体へのまたは固体から気相への拡散を用いるもの
H01L 21/223, A アウトディフュージョンの利用〔固相から気相へ〕
H01L 21/223, B バブラーに特徴のある拡散装置〔液体から気化，ＣＶＤ２１／２０５参照〕
H01L 21/223, C ３―５族化合物半導体
H01L 21/223, T 封管拡散〔アンプル〕
H01L 21/223, U 半封管拡散〔ボックス法〕
H01L 21/223, V 減圧拡散〔真空引きしながらの拡散を含む〕
H01L 21/223, W ウエハの配置に特徴のあるもの〔斜め配置，背中合せ配置等，Ｈ０１Ｌ２１／２２Ｇ治具参〕
H01L 21/223, X 固体状拡散源の配置に特徴のあるもの
H01L 21/223, Y 固体状拡散源の構造・材料に特徴のあるもの〔ウエハと同一形状の拡散源板〕〔積層構造，材質〕
H01L 21/223, Z その他のもの
H01L 21/225 ・・・・・固相，例．ドープされた酸化物層，から固体へのまたは固体から固相への拡散を用いるもの
H01L 21/225, C ３―５族化合物半導体
H01L 21/225, D 拡散源に特徴のあるもの〔下記以外の拡散源〕
H01L 21/225, M ・金属，金属化合物〔シリサイド等，電極，Ｈ０１Ｌ２１／２８参照〕
H01L 21/225, N ・金属窒化膜
H01L 21/225, P ・ドープド（ポリ）シリコン〔Ｓｉからの拡散，ポリ以外の単結晶も含む〕
H01L 21/225, Q ・ドープドオキサイド〔ＳｉＯ↓２にドープする〕
H01L 21/225, R 塗布法によるもの〔拡散源蒸着，スピン・オン，フィルム貼付けも含む〕
H01L 21/225, S 圧接法によるもの〔拡散源材料をウエハに圧接〕
H01L 21/225, Z その他のもの
H01L 21/228 ・・・・・液相から固体へのまたは固体から液相への拡散を用いるもの，例．合金拡散法
H01L 21/24 ・・・・半導体本体と不純物材料，例．ドーピング材料，電極材料，の合金［２］
H01L 21/26 ・・・・輻射線の照射
H01L 21/26, E ランプ照射［膜形成は、２１／２０３、２１／２０５、２１／３１、２１／２８５、エッチングは２１／３０２、２１／３０６が優先］
H01L 21/26, F ・ランプアニール［結晶成長時のアニールはＨ０１Ｌ２１／２０、イオン注入の際のアニールはＨ０１Ｌ２１／２６５，６０２Ｂが優先］
H01L 21/26, G ・ランプ照射装置
H01L 21/26, J ・・ランプ照射系
H01L 21/26, Q ・・ウエハ支持治具
H01L 21/26, T ・測定、制御
H01L 21/26, N 放射線照射による核種変換
H01L 21/26, Z その他のもの
H01L 21/263 ・・・・・高エネルギーの輻射線を有するもの
H01L 21/263, E 電子線照射［膜形成は、２１／２０３、２１／２０５、２１／３１、２１／２８５、エッチングは２１／３０２、２１／３０６、露光は２１／３０，５４１が優先］
H01L 21/263, F ・アニール［結晶成長時のアニールはＨ０１Ｌ２１／２０、イオン注入に際してのアニールはＨ０１Ｌ２１／２６５，６０２Ｚが優先］
H01L 21/263, Z その他のもの
H01L 21/265 ・・・・・・イオン注入法（局所的な処理ためのイオンビーム管Ｈ０１Ｊ３７／３０）［２］
H01L 21/265, F 多重打ち込み、複数イオンの注入、プラズマ・イオン注入
H01L 21/265, H 保護膜を介するイオン注入
H01L 21/265, J 絶縁領域・高抵抗領域の形成
H01L 21/265, K ノック・オン
H01L 21/265, M イオン注入マスクに特徴のあるもの
H01L 21/265, N 電荷の除去［電子線によるもの，Ｈ０１Ｊ３７／２０＠Ｇ、Ｈ０１Ｊ３７／３１７＠Ｚ］
H01L 21/265, P ポリシリコンへのイオン注入
H01L 21/265, Q 結晶性の改変を目的とするイオン注入
H01L 21/265, R 溝構造に対するイオン注入
H01L 21/265, T 測定、制御［Ｈ０１Ｊ３７／３１７Ｃ参照］
H01L 21/265, U チャネリング
H01L 21/265, V イオンビームの斜め入射
H01L 21/265, W 特定の用途にイオン注入を用いた点のみに特徴
H01L 21/265, Y 絶縁膜へのイオン注入
H01L 21/265, Z その他のもの
H01L 21/265,601 ・・・・・・・３―５族化合物半導体
H01L 21/265,601A アニール
H01L 21/265,601H 保護膜を介するイオン注入
H01L 21/265,601J 絶縁領域・高抵抗領域の形成
H01L 21/265,601Q 結晶性の改変を目的とするイオン注入
H01L 21/265,601S セルフアライン［ソース・ドレイン形状、ＬＤＤ構造］
H01L 21/265,601Z その他のもの
H01L 21/265,602 ・・・・・・・アニール、輻射線の照射
H01L 21/265,602A ヒータ
H01L 21/265,602B ランプ
H01L 21/265,602C レーザ
H01L 21/265,602Z その他のもの
H01L 21/265,603 ・・・・・・・イオン注入装置
H01L 21/265,603A イオン源、加速部［Ｈ０１Ｊ３７／０８参照］
H01L 21/265,603B 分離部、レンズ部、走査部［Ｈ０１Ｊ３７／１４７、Ｈ０１Ｊ３７／３１７参照］
H01L 21/265,603C 注入室［予備室・搬送も含む、Ｈ０１Ｊ３７／３１７参照］
H01L 21/265,603D ・ウエハホルダ
H01L 21/265,603Z その他のもの
H01L 21/265,604 ・・・・・・・セルフアライン
H01L 21/265,604G ソース・ドレイン形状に特徴のあるもの
H01L 21/265,604V ・イオンビームの斜め入射
H01L 21/265,604M ・マスク構成［側壁利用など］
H01L 21/265,604X 酸化膜との整合
H01L 21/265,604Z その他のもの
H01L 21/268 ・・・・・・電磁波，例．レーザ光線，を用いるもの
H01L 21/268, E レーザ照射［膜形成は、２１／２０３、２１／２０５、２１／３１、２１／２８５、エッチングは２１／３０２、２１／３０６が優先］
H01L 21/268, F ・レーザアニール［結晶成長時のアニールはＨ０１Ｌ２１／２０、イオン注入の際のアニールはＨ０１Ｌ２１／２６５，６０２Ｃが優先］
H01L 21/268, G ・レーザビーム照射装置
H01L 21/268, J ・・ビーム照射系
H01L 21/268, T ・測定、制御
H01L 21/268, Z その他のもの
H01L 21/28 ・・・・２１／２０〜２１／２６８に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H01L 21/28, A 前処理に関するもの
H01L 21/28, B 後処理に関するもの
H01L 21/28, C 試験・検査に関するもの
H01L 21/28, D 露光処理に特徴を有するもの
H01L 21/28, E エッチング、リフトオフ、研磨によるもの
H01L 21/28, K 部分的変質法によるもの
H01L 21/28, L 電極取出用の孔開に関するもの
H01L 21/28, Z その他のもの
H01L 21/28,301 ・・・・・電極の材料が限定されているもの
H01L 21/28,301A シリコンを用いているもの
H01L 21/28,301D ・シリコン電極上にシリサイドが形成されているもの
H01L 21/28,301R 金属又は金属化合物を用いているもの
H01L 21/28,301S シリサイドを用いているもの
H01L 21/28,301B 半導体本体がシリコン以外のもの
H01L 21/28,301Z その他のもの
H01L 21/283 ・・・・・電極用の導電または絶縁材料の析出［２］
H01L 21/283, B 絶縁材料の形成に特徴
H01L 21/283, C 絶縁材料の種類に特徴
H01L 21/283, Z その他のもの
H01L 21/285 ・・・・・・気体または蒸気からの析出，例．凝結
H01L 21/285, P 蒸着法
H01L 21/285, S スパッタ法
H01L 21/285, C ＣＶＤ法
H01L 21/285, Z その他のもの
H01L 21/285,301 ・・・・・・・電極の材料が限定されているもの
H01L 21/288 ・・・・・・液体からの析出，例．電解液からの析出
H01L 21/288, M 析出される電極の材料が限定されているもの
H01L 21/288, E メッキを用いているもの
H01L 21/288, Z その他のもの
H01L 21/30 ・・・・２１／２０〜２１／２６に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理（半導体本体上への電極の製造２１／２８）［２］
H01L 21/30,501 ・・・・・半導体本体の露光
H01L 21/30,502 ・・・・・・紫外線，Ｘ線，電子線露光等の共通事項
H01L 21/30,502A 複数種類の光線による露光
H01L 21/30,502C 同一光線で２度以上の露光を行うもの
H01L 21/30,502D その他の光線を用いた露光
H01L 21/30,502G 露光の制御・検知・表示
H01L 21/30,502H 温度調整
H01L 21/30,502J 搬送
H01L 21/30,502M 位置合わせマーク
H01L 21/30,502P 露光マスク
H01L 21/30,502R レジスト材料
H01L 21/30,502V パターン検査
H01L 21/30,502W パターン修正
H01L 21/30,502Z その他のもの
H01L 21/30,503 ・・・・・・露光装置の細部，付属装置一般
H01L 21/30,503A ステージ（レチクルフレーム）
H01L 21/30,503B ・ステップ・アンド・リピート用
H01L 21/30,503C ウェハチャック
H01L 21/30,503D マスク（レチクル）の保持
H01L 21/30,503E ウェハ又はマスクの収納
H01L 21/30,503F 防振
H01L 21/30,503G ゴミ除去
H01L 21/30,503Z その他のもの
H01L 21/30,504 ・・・・・・紫外線・遠紫外線・可視光線露光
H01L 21/30,505 ・・・・・・・密着露光
H01L 21/30,506 ・・・・・・・・位置合わせ
H01L 21/30,506A マークの形状・構造・製造
H01L 21/30,506B ・十字
H01L 21/30,506C ・棒状
H01L 21/30,506D ・ハの字
H01L 21/30,506E ・回折格子
H01L 21/30,506F ・・フレネル・ゾーン・プレート
H01L 21/30,506G マークの配置（配列）
H01L 21/30,506H マーク検出結果によるステージ等の移動
H01L 21/30,506J ウェハマークとマスクマークによるもの
H01L 21/30,506K ウェハマークと基準マークによるもの
H01L 21/30,506L マスクマークと基準マークによるもの
H01L 21/30,506M 振動の利用
H01L 21/30,506N 両面露光のためのもの
H01L 21/30,506Z その他のもの
H01L 21/30,507 ・・・・・・・・・マークの検出（細部）
H01L 21/30,507A 光学的
H01L 21/30,507B ・検出用光源
H01L 21/30,507C ・・光の走査
H01L 21/30,507D ・・露光光
H01L 21/30,507E ・・露光安全光
H01L 21/30,507F ・・レーザー（光の走査が優先）
H01L 21/30,507G ・・２以上の波長からの選択
H01L 21/30,507H ・検出用受光装置
H01L 21/30,507J ・・ＴＶカメラ
H01L 21/30,507K ・・直線状受光センサアレイ
H01L 21/30,507L ・検出用光学系
H01L 21/30,507M ・・色収差の補正（光路長の補正）
H01L 21/30,507N ・・λ／４板
H01L 21/30,507P ・・暗視野
H01L 21/30,507Q ・目視
H01L 21/30,507R 検出された位置合わせマークの情報処理
H01L 21/30,507S 露光時のマークの保護
H01L 21/30,507T プリアライメント手段を持つもの，２種類以上の位置合わせを行うもの
H01L 21/30,507U マークの露光処理
H01L 21/30,507V 位置合わせ結果（状態）の表示
H01L 21/30,507Z その他のもの
H01L 21/30,508 ・・・・・・・・位置合わせのためのマスク・ウェハの保持移動
H01L 21/30,508A ウェハ面に垂直なもの
H01L 21/30,508Z その他のもの
H01L 21/30,509 ・・・・・・・プロキシミティ露光
H01L 21/30,510 ・・・・・・・・位置合わせ
H01L 21/30,511 ・・・・・・・・マスクとウエハの間隔調整又は平行度調整
H01L 21/30,512 ・・・・・・・投影露光（レチクル）
H01L 21/30,513 ・・・・・・・・一般
H01L 21/30,514 ・・・・・・・・・ステップ・アンド・リピート露光，縮小投影露光の共通事項
H01L 21/30,514A ２度露光（２重露光）
H01L 21/30,514B 露光順序，露光位置
H01L 21/30,514C 露光方法
H01L 21/30,514D 搬送装置との組み合わせ
H01L 21/30,514E 他の処理装置，機能との組み合わせ
H01L 21/30,514F 基板情報の露光
H01L 21/30,514Z その他のもの
H01L 21/30,515 ・・・・・・・・・・露光装置の細部
H01L 21/30,515A 光源
H01L 21/30,515B ・レーザー
H01L 21/30,515C ・放電灯
H01L 21/30,515D 光学系
H01L 21/30,515E ・シャッター
H01L 21/30,515F レチクル及びレチクルステージ
H01L 21/30,515G ウエハステージ
H01L 21/30,515Z その他のもの
H01L 21/30,516 ・・・・・・・・・・制御，調整，検知，表示
H01L 21/30,516A 倍率調整，光路長補正，歪み補正
H01L 21/30,516B ステップ・アンド・リピートのステージ移動，制御
H01L 21/30,516C 露光光又は他の光の検知
H01L 21/30,516D 露光量（時間）の制御
H01L 21/30,516E 温度調整，検出
H01L 21/30,516F 圧力，零囲気の調整
H01L 21/30,516Z その他のもの
H01L 21/30,517 ・・・・・・・・・反射形投影露光，等倍投影露光
H01L 21/30,518 ・・・・・・・・・・走査を用いるもの
H01L 21/30,519 ・・・・・・・・・パターンジェネレーター
H01L 21/30,520 ・・・・・・・・位置合わせ
H01L 21/30,520A プリアライメントを行うもの，２種類以上の位置合わせを行うもの
H01L 21/30,520B ウエハマーク部の露光，保護
H01L 21/30,520C 位置合わせ結果（状態）の表示
H01L 21/30,520Z その他のもの
H01L 21/30,521 ・・・・・・・・・マークを用いた投影露光の位置合わせ
H01L 21/30,522 ・・・・・・・・・・位置合わせマークの形状，構造，製造
H01L 21/30,522A 十字
H01L 21/30,522B 棒状
H01L 21/30,522C ハの字
H01L 21/30,522D 回折格子
H01L 21/30,522E ・フレネル・ゾーン・プレート
H01L 21/30,522Z その他
H01L 21/30,523 ・・・・・・・・・・位置合わせマークの配置（配列）（ステージ上のマークも含む）
H01L 21/30,524 ・・・・・・・・・・等倍投影露光用
H01L 21/30,525 ・・・・・・・・・・ステップ・アンド・リピート投影露光用
H01L 21/30,525A ＴＴＬ以外
H01L 21/30,525B ウエハマークと基準マークによるもの
H01L 21/30,525C マスクマークと基準マークによるもの
H01L 21/30,525D ウエハマークとマスクマークによるもの（方法）
H01L 21/30,525E ・位置合わせマークの検出
H01L 21/30,525F ・・光学的
H01L 21/30,525G ・・・検出用光源
H01L 21/30,525H ・・・光の走査
H01L 21/30,525J ・・・露光光
H01L 21/30,525K ・・・露光安全光
H01L 21/30,525L ・・・レーザー（光の走査が優先）
H01L 21/30,525M ・・・２以上の波長からの選択
H01L 21/30,525N ・・検出用受光装置
H01L 21/30,525P ・・・ＴＶカメラ
H01L 21/30,525Q ・・・直線状受光センサアレイ
H01L 21/30,525R ・・検出用光学系
H01L 21/30,525S ・・・色収差の補正（光路長の補正）
H01L 21/30,525T ・・・λ／４板
H01L 21/30,525U ・・・暗視野
H01L 21/30,525V ・・目視
H01L 21/30,525W 検出された位置合わせマーク情報の処理
H01L 21/30,525X マーク検出結果によるステージの移動
H01L 21/30,525Z その他のもの
H01L 21/30,526 ・・・・・・・・焦点合わせ（平行度調整）
H01L 21/30,526A 光によるもの
H01L 21/30,526B ・斜入射光によるもの
H01L 21/30,526Z その他のもの
H01L 21/30,527 ・・・・・・・照明装置（光源）
H01L 21/30,528 ・・・・・・・干渉露光，ホログラフィ露光
H01L 21/30,529 ・・・・・・・ビーム露光
H01L 21/30,531 ・・・・・・Ｘ線露光
H01L 21/30,531A Ｘ線露光装置
H01L 21/30,531E Ｘ線露光方法
H01L 21/30,531J 位置合わせ
H01L 21/30,531M Ｘ線露光用マスク
H01L 21/30,531S Ｘ線源
H01L 21/30,531Z その他のもの
H01L 21/30,541 ・・・・・・電子線露光
H01L 21/30,541A 電子光学系
H01L 21/30,541B ・電子銃，アパーチャ，ブランキング電極，収束・偏向器
H01L 21/30,541C 制御系
H01L 21/30,541J ・描画方法（走査の制御によるもの）
H01L 21/30,541M ・描画方法（照射量，照射形状の制御によるもの）
H01L 21/30,541D ・ビームの照射位置の制御
H01L 21/30,541E ・ビームの照射量、照射形状の制御
H01L 21/30,541V 調整系
H01L 21/30,541F ・焦点の調整方法
H01L 21/30,541H ・軸の調整方法
H01L 21/30,541U 測定系
H01L 21/30,541N ・ビームの属性の測定
H01L 21/30,541K ・位置合わせマークの位置の測定
H01L 21/30,541G 鏡体系
H01L 21/30,541L ・試料室，試料台，試料搬送カセット
H01L 21/30,541P 試料の処理
H01L 21/30,541Q 可変整形ビームを用いた電子線露光
H01L 21/30,541R 固定整形ビームを用いた電子線露光
H01L 21/30,541S パターンマスクを用いた電子線露光
H01L 21/30,541T フォト・カソードを用いた電子線露光
H01L 21/30,541W 複数のビームを用いた電子線露光
H01L 21/30,541Z その他のもの
H01L 21/30,551 ・・・・・・イオン線露光
H01L 21/30,561 ・・・・・・レジスト膜の処理
H01L 21/30,562 ・・・・・・・一般的なもの
H01L 21/30,563 ・・・・・・・レジスト塗布以前の処理，レジスト接着強化膜
H01L 21/30,564 ・・・・・・・レジスト塗布
H01L 21/30,564C 回転塗布装置
H01L 21/30,564D 回転塗布方法
H01L 21/30,564Z その他の塗布装置
H01L 21/30,565 ・・・・・・・レジスト塗布以後，露光以前の処理（ベーキングを除く）
H01L 21/30,566 ・・・・・・・・ベーキング一般又はプリベーキング
H01L 21/30,567 ・・・・・・・・ベーキング装置（乾燥）
H01L 21/30,568 ・・・・・・・露光以後，現像以前の処理（グラフト重合）
H01L 21/30,569 ・・・・・・・現像，リンス
H01L 21/30,569A 湿式
H01L 21/30,569B ・現像槽（浸漬）
H01L 21/30,569C ・回転処理
H01L 21/30,569D ・搬送を伴なうもの
H01L 21/30,569E ・現像液，リンス液
H01L 21/30,569F ・現像方法
H01L 21/30,569G ・現像終点の検知
H01L 21/30,569H ・乾式
H01L 21/30,569Z その他のもの
H01L 21/30,570 ・・・・・・・現像以後の処理（ベーキングを除く）
H01L 21/30,571 ・・・・・・・・ポストベーキング（熱＋紫外線）
H01L 21/30,572 ・・・・・・・・レジスト膜の剥離
H01L 21/30,572A 乾式
H01L 21/30,572B 湿式
H01L 21/30,572Z その他のもの
H01L 21/30,573 ・・・・・・・多層レジスト膜
H01L 21/30,574 ・・・・・・・反射防止膜，反射膜（吸収膜）
H01L 21/30,575 ・・・・・・・レジストの保護膜（表面膜）
H01L 21/30,576 ・・・・・・・レジストパターンのオーバーハング、傾斜形状
H01L 21/30,577 ・・・・・・・ウェハ周辺部のレジスト除去
H01L 21/30,578 ・・・・・・・平坦化（プラナリゼーション）
H01L 21/30,579 ・・・・・・・カルコゲンを用いたもの
H01L 21/302 ・・・・・表面の物理的性質または形状の変換，例．エッチング，ポリシング，切断
H01L 21/302,100 ・・・・・・プラズマエッチング
H01L 21/302,101 ・・・・・・・プラズマエッチング装置
H01L 21/302,101B 平行平板型［容量結合型、ＲＩＥ、２周波数型装置を含む］
H01L 21/302,101C 誘導結合型［ＴＣＰ（登録商標）、ＩＣＰ、ヘリコン波型を含む］
H01L 21/302,101D マイクロ波励起型・ＵＨＦ波励起［ＥＣＲ、空洞共振型を含む：一般的にマイクロ波を用いるものを含む］
H01L 21/302,101E 局所プラズマ［大気圧放電、ＰＡＣＥ、ケミカルヴェーパーマシニング［ＣＶＭ］を含む）
H01L 21/302,101F ウェハ積層型バッチ処理装置［バレル型、エッチングトンネルを含む］
H01L 21/302,101G 装置間共通事項［基板冷却機構、加熱機構、静電チャック、配管、工程間の搬送、プロセスシミュレーション、他の半導体製造設備との組合せ等を含む］
H01L 21/302,101H ・装置の清浄化処理［装置壁クリーニング、エイジング等を含む］
H01L 21/302,101M ・メンテナンス性の向上［装置を分解して清掃したり、消耗品を交換したりする際に必要とされる技術］
H01L 21/302,101L ・電極の材質［ガラス状カーボンなど炭素からなる電極の材質を特定したものあるいは電極の形成方法に関する発明を含む］
H01L 21/302,101R ・バックサイドガス供給［被処理基板の裏面の載置台に密着する部分に熱伝導ガスを供給して熱的接触を改善する技術を含む］
H01L 21/302,101Z その他
H01L 21/302,102 ・・・・・・・基板の清浄化処理［基板面のクリーニング等を含む：プラズマを用いたクリーニングはＨ０１Ｌ２１／３０２，１０６を優先］
H01L 21/302,103 ・・・・・・・終点検知・モニタリング〔エッチングの終点検知，プラズマのモニタリングに関するもの（分光分析，質量検知，検知波形の処理方法）〕
H01L 21/302,104 ・・・・・・・被エッチング物
H01L 21/302,104C 導電性材料のエッチング［Ａｌ等を含む］
H01L 21/302,104H 有機物のエッチング［レジストアッシング、灰化除去、プラズマを用いないレジストアッシングも例外的にこのＦＩに付与］
H01L 21/302,104Z その他
H01L 21/302,105 ・・・・・・・特殊加工
H01L 21/302,105A パターニング［シリル化等のパターニング自体に特徴があり、実施例に被エッチング物の明記がされていないもの又はプラズマを用いないチャージアップ防止も含む］
H01L 21/302,105B 全面エッチング［エッチバック、平坦化自体に特徴があり、実施例に被エッチング物の明記がされていないもの］
H01L 21/302,105Z その他
H01L 21/302,106 ・・・・・・・プラズマ後処理［エッチング処理後のプラズマを用いた工程、プラズマを用いたチャージアップ防止等に特徴があるもの］
H01L 21/302,201 ・・・・・・プラズマを用いないエッチング
H01L 21/302,201A プラズマを用いない気相エッチング［高温状態のガスとの接触によるエッチング、蒸気によるエッチング：例］ＨＦガスとＨ２Ｏによるエッチング］
H01L 21/302,201B エネルギービームエッチング［ＦＩＢ、収束イオンビーム、アブレーションや電子ビームエッチングを含む：プラズマイオン源を用いたイオンシャワー、ＲＩＢＥはＨ０１Ｌ２１／３０２，１０１が優先］
H01L 21/302,201Z その他
H01L 21/302,301 ・・・・・・下地層［被エッチング層とエッチングされないその下の層との選択性を高めることを目的として発明された構造、エッチングガスなど］
H01L 21/302,301S 下地層がシリコン酸化膜
H01L 21/302,301N 下地層がシリコン窒化膜
H01L 21/302,301M 下地層が金属膜
H01L 21/302,301G ・下地層がアルミニウム
H01L 21/302,301Z その他
H01L 21/302,400 ・・・・・・その他［原則的に使用しない：プラズマエッチングで適当なＦＩがなければ、Ｈ０１Ｌ２１／３０２，１０１に付与、イオンビームなどで適当なＦＩがなければ、Ｈ０１ｌ２１／３０２，２０１に付与］
H01L 21/304 ・・・・・・機械的処理，例．研摩，超音波処理
H01L 21/304,601 ・・・・・・・機械的加工（一般的なものは，Ｂ２４Ｂ，Ｂ２８Ｄ）
H01L 21/304,601S サンドブラスト，又は液体の噴き付けによるもの
H01L 21/304,601H 劈開によるもの
H01L 21/304,601M マウンドの除去〔研削によるものは，Ｈ０１Ｌ２１／３０４．６３１も付与する〕
H01L 21/304,601B 基板の面取り，メサ，ベベル，溝堀り
H01L 21/304,601Z その他のもの
H01L 21/304,611 ・・・・・・・・スライシング
H01L 21/304,611S 回転する刃によるもの［例．内周刃，外周刃］
H01L 21/304,611W ワイヤーソー又は往復運動する刃によるもの
H01L 21/304,611B スライシングの前処理［例．インゴットの方向出し，インゴットの受台］
H01L 21/304,611A スライシングの後処理［例．スライス後のウエハの受取り］
H01L 21/304,611Z その他のもの［例．ウエハに対する他の処理（拡散，接着）と共に行うもの］
H01L 21/304,621 ・・・・・・・・研磨［一般的なものはＢ２４Ｂ］
H01L 21/304,621A 両面研磨
H01L 21/304,621B 片面研磨
H01L 21/304,621C ・砥石を使用するもの
H01L 21/304,621D ・研磨剤を使用するもの［例．ＣＭＰ］
H01L 21/304,621E 基板の端縁等の研磨［例．エッジ、面取部、オリフラ、ノッチの研磨］
H01L 21/304,621Z その他［例．ドライ雰囲気中での研磨］
H01L 21/304,622 ・・・・・・・・・研磨の細部、又は共通事項
H01L 21/304,622A 研磨剤
H01L 21/304,622B ・粒子
H01L 21/304,622C ・溶液
H01L 21/304,622D ・粒子と溶液の混合物［例．スラリー状のもの］
H01L 21/304,622E 研磨剤の供給、回収
H01L 21/304,622F 研磨布、研磨シート［含．砥石］
H01L 21/304,622G 研磨装置への基板の保持
H01L 21/304,622H ・吸着によるもの［例．真空チャック］
H01L 21/304,622J ・接着によるもの［例．保護膜］
H01L 21/304,622K ・基板の押圧の調整［例．流体による押圧］
H01L 21/304,622L 研磨装置への基板の貼り付け、剥がし［２１／６８Ｎ，２１／７８Ｐ，２１／７８Ｍ参照］
H01L 21/304,622M 研磨布の目立て［ドレッシング］
H01L 21/304,622N 研磨の前処理
H01L 21/304,622P 研磨の後処理
H01L 21/304,622Q ・基板の洗浄
H01L 21/304,622R 研磨の制御、調整［例．回転数、温度、冷却］
H01L 21/304,622S 終点の検知、膜厚、平坦度の測定
H01L 21/304,622T 研磨する基板の形状・構造
H01L 21/304,622W ・Ｓｉ以外の基板、ＳＯＩ基板、張り合わせ基板等
H01L 21/304,622X ・配線、層間絶縁膜
H01L 21/304,622Y ・基板の端縁、ノッチ、オリフラ等
H01L 21/304,622Z その他
H01L 21/304,631 ・・・・・・・・研削［一般的なものはＢ２４Ｂ］
H01L 21/304,641 ・・・・・・・洗浄［一般的なものはＢ０８Ｂ、薬液の塗布一般はＢ０５Ｃ、レジスト・現像液の塗布は２１／３０］
H01L 21/304,642 ・・・・・・・・洗浄槽に浸漬するもの
H01L 21/304,642A 単槽
H01L 21/304,642B 複槽
H01L 21/304,642C ・槽間で洗浄液の移動のあるもの
H01L 21/304,642D 洗浄中に基板を動かすもの
H01L 21/304,642E 超音波を使用するもの
H01L 21/304,642F ノズルを設けるもの
H01L 21/304,642Z その他［例．基板以外の洗浄］［キャリアの洗浄は６４８Ｅ］
H01L 21/304,643 ・・・・・・・・ノズル、スプレイを用いるもの
H01L 21/304,643A 基板を回転するもの
H01L 21/304,643B 基板を移動するもの
H01L 21/304,643C ノズル自体に特徴のあるもの
H01L 21/304,643D ・超音波を使用するもの
H01L 21/304,643Z その他［例．粒子の吹き付け、基板以外の洗浄、ノズルの洗浄］［キャリアの洗浄は６４８Ｅ］
H01L 21/304,644 ・・・・・・・・スクラブによる洗浄［例．ブラシ、スポンジ］
H01L 21/304,644A 基板を回転するもの
H01L 21/304,644B ・スクラブ手段を移動するもの
H01L 21/304,644C ・スクラブ手段を回転するもの
H01L 21/304,644D 基板を移動するもの
H01L 21/304,644E ・スクラブ手段を回転するもの
H01L 21/304,644F ・スクラブ手段を移動するもの
H01L 21/304,644G スクラブ手段自体に特徴のあるもの
H01L 21/304,644Z その他［例．基板以外の洗浄、ブラシの洗浄］［キャリアの洗浄は６４８Ｅ］
H01L 21/304,645 ・・・・・・・・気相での洗浄
H01L 21/304,645A 不活性ガスを用いるもの［例．Ｎ２、Ａｒ、Ｈｅ］
H01L 21/304,645B 蒸気を用いるもの
H01L 21/304,645C プラズマを用いるもの
H01L 21/304,645D 紫外線等を用いるもの
H01L 21/304,645Z その他［例．基板以外の洗浄］［キャリアの洗浄は６４８Ｅ］
H01L 21/304,646 ・・・・・・・・静電気を用いるもの、又は静電気の除去
H01L 21/304,647 ・・・・・・・・洗浄液に特徴のあるもの
H01L 21/304,647A 有機系
H01L 21/304,647B 界面活性剤を添加するもの
H01L 21/304,647Z その他
H01L 21/304,648 ・・・・・・・・装置の細部、又は共通事項
H01L 21/304,648A 搬送手段［基板の搬送一般２１／６８参照］
H01L 21/304,648B ・複数枚同時に搬送するもの［例．キャリアレス］
H01L 21/304,648C ・・キャリアを用いるもの［キャリア自体に特徴のあるものはＤ］
H01L 21/304,648D 基板容器［キャリア］
H01L 21/304,648E 基板容器の洗浄
H01L 21/304,648F 洗浄液の循環濾過、フィルタ
H01L 21/304,648G 洗浄の制御、調整、検知
H01L 21/304,648H ・複数工程におよぶ制御、工程全般の制御
H01L 21/304,648J 配置［レイアウト］
H01L 21/304,648K ・液系の共通事項［例．配管、バルブ、ポンプ］
H01L 21/304,648L ・気系の共通事項［例．排気、換気］
H01L 21/304,648Z その他
H01L 21/304,651 ・・・・・・・洗浄と乾燥の一連処理、乾燥
H01L 21/304,651A 基板を回転するもの
H01L 21/304,651B ・枚葉式
H01L 21/304,651C ・バッチ式
H01L 21/304,651D ・・回転軸が水平、又は水平から傾いたもの
H01L 21/304,651E ・・回転軸が垂直、又は垂直から傾いたもの
H01L 21/304,651F ・・・複数個のキャリアの各中心軸を回転軸に平行に配置するもの
H01L 21/304,651G 基板の移動を伴うもの［除く、回転］
H01L 21/304,651H 蒸気を使用するもの
H01L 21/304,651J 基板を浸漬するもの［例．温純水に浸漬するもの］
H01L 21/304,651K 減圧するもの
H01L 21/304,651L 気体を吹き付け、送風するもの［蒸気の吹き付けはＨ］
H01L 21/304,651M ヒータ、光等により基板を直接加熱するもの
H01L 21/304,651Z その他［例．基板以外の乾燥］
H01L 21/306 ・・・・・・化学的または電気的処理，例．電解エッチング（絶縁層の形成２１／３１）
H01L 21/306, A ウェットエッチング一般〔方法〕〔ドライエッチングは，Ｈ０１Ｌ２１／３０２〕
H01L 21/306, B ・半導体本体用
H01L 21/306, C ・・ウエハの分割用
H01L 21/306, D ・絶縁膜用
H01L 21/306, E ・・チッ化膜用
H01L 21/306, F ・電極・配線用
H01L 21/306, G ・・多結晶シリコン用
H01L 21/306, J 装置
H01L 21/306, K ・ウエハの収納保持
H01L 21/306, U 終点検知
H01L 21/306, L 電解エッチング
H01L 21/306, M 化学的研摩〔ウェハ表面平滑化〕「図」
H01L 21/306, N リフトオフ法
H01L 21/306, P アンダーエッチング（微細加工）法「図」
H01L 21/306, Q テーパーエッチング，平坦化〔段差防止〕「図」
H01L 21/306, R スプレーエッチング〔装置もここにつける＊
H01L 21/306, S ドライ＋ウエットエッチング
H01L 21/306, T イオン注入後のエッチング＊／
H01L 21/306, Z その他のもの
H01L 21/308 ・・・・・・・マスクを用いるもの
H01L 21/308, A エッチング液〔液組成〕
H01L 21/308, B ・Ｓｉ，Ｇｅ用
H01L 21/308, C ・Ｓｉ，Ｇｅ以外用
H01L 21/308, D ・多結晶・アモルファス用
H01L 21/308, E ・絶縁体用
H01L 21/308, F ・金属用
H01L 21/308, G ・洗浄液・表面処理液
H01L 21/308, Z その他
H01L 21/31 ・・・・・・半導体本体上への絶縁層の形成，例．マスキング用（電極を形成する層２１／２８；封緘層２１／５６）［２］
H01L 21/31, A 装置
H01L 21/31, B ・気相堆積装置
H01L 21/31, C ・・プラズマを利用するもの
H01L 21/31, D ・・スパッタ装置
H01L 21/31, E ・熱処理炉
H01L 21/31, F ・付属具；冶具
H01L 21/31, Z その他のもの
H01L 21/312 ・・・・・・・有機物層，例．フォトレジスト
H01L 21/312, A 材料に特徴あるもの
H01L 21/312, B ・ポリイミド樹脂
H01L 21/312, C ・珪素樹脂
H01L 21/312, D ・感光性樹脂
H01L 21/312, M 積層構造を有するもの
H01L 21/312, N ・無機物層があるもの
H01L 21/312, Z その他のもの
H01L 21/314 ・・・・・・・無機物層
H01L 21/314, A 材料に特徴のあるもの
H01L 21/314, M 積層構造を有するもの
H01L 21/314, Z その他のもの
H01L 21/316 ・・・・・・・・酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの［２］
H01L 21/316, A 直接変換膜
H01L 21/316, S ・熱酸化によるもの
H01L 21/316, T ・陽極酸化によるもの
H01L 21/316, U ・溶液処理によるもの
H01L 21/316, B 堆積膜
H01L 21/316, X ・気相堆積によるもの
H01L 21/316, Y ・・スパッタによるもの
H01L 21/316, C 被着後酸化するもの
H01L 21/316, G グラシベーション
H01L 21/316, H ・ガラス組成
H01L 21/316, M 積層構造を有するもの
H01L 21/316, P 成膜後の処理〔アニールを含む〕
H01L 21/316, Z その他のもの
H01L 21/318 ・・・・・・・・窒化物からなるもの
H01L 21/318, A 直接変換膜
H01L 21/318, B 堆積膜
H01L 21/318, C 酸窒化膜
H01L 21/318, M 積層構造を有するもの
H01L 21/318, Z その他のもの
H01L 21/32 ・・・・・・・マスクを用いるもの（２１／３０８が優先）
H01L 21/322 ・・・・・半導体本体の内部性質の改変，例．内部不完全性の形成
H01L 21/322, G ゲッタリング
H01L 21/322, C ・３―５族化合物半導体
H01L 21/322, E ・高エネルギービームによる
H01L 21/322, J ・・イオンビームによる
H01L 21/322, M ・機械的，化学的歪による
H01L 21/322, N ・窒化に
H01L 21/322, P ・多結晶膜による
H01L 21/322, Q ・酸化膜による
H01L 21/322, R ・リン・ボロンによる
H01L 21/322, S ・金属〔Ｎｉ，Ｐｂ，Ｓｕ〕による
H01L 21/322, X ・ハロゲンによる
H01L 21/322, Y ・イントリンシックゲッタリング
H01L 21/322, K ライフタイムキラードーピング
H01L 21/322, L 高エネルギービームによるライフタイムコントロール
H01L 21/322, Z その他のもの
H01L 21/324 ・・・・・半導体本体の性質を改変するための熱処理，例．アニーリング，シンタリング（２１／２０〜２１／２８８，２１／３０２〜２１／３２２が優先）
H01L 21/324, C ３―５族化合物半導体［Ｃ〜Ｒよりも優先；結晶成長時のアニールはＨ０１Ｌ２１／２０、イオン注入の際のアニールはＨ０１Ｌ２１／２６５，６０１Ａが優先］
H01L 21/324, X 半導体の改質［欠陥除去など；結晶成長時のアニールはＨ０１Ｌ２１／２０、イオン注入の際のアニールはＨ０１Ｌ２１／２６５，６０２が優先］
H01L 21/324, N 熱処理による，Ｐ―Ｎ接合の形成
H01L 21/324, G アニール装置
H01L 21/324, J ・加熱手段［ランプはＨ０１Ｌ２１／２６、電子線はＨ０１Ｌ２１／２６３、レーザはＨ０１Ｌ２１／２６８が優先］
H01L 21/324, K ・・ヒータ
H01L 21/324, Q ・ウエハ支持治具［ボート、サセプタ、ステージ］
H01L 21/324, R ・ガスの導入・排出経路、ガスの流れ方
H01L 21/324, S ・ウエハの搬送手段［予備室も含む］
H01L 21/324, W 前処理・後処理［基板の予備加熱・冷却］
H01L 21/324, T 測定、制御
H01L 21/324, P プラズマ・アニール
H01L 21/324, Z その他のもの
H01L 21/326 ・・・・・電流または電界の付加，例．エレクトロフォーミング用（２１／２０〜２１／２８８，２１／３０２〜２１／３２４が優先）
H01L 21/34 ・・・不純物，例．ドーピング材料，を含むまたは含まない２１／０６，２１／１６および２１／１８に分類されない半導体本体を有する装置［２］
H01L 21/36 ・・・・基板上への半導体材料の析出，例．エピタキシャル成長［２］
H01L 21/363 ・・・・・物理的析出を用いるもの，例．真空蒸着，スパッタリング
H01L 21/365 ・・・・・固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの，すなわち化学的析出を用いるもの
H01L 21/368 ・・・・・液相成長を用いるもの
H01L 21/368, L 有機層を有するもの
H01L 21/368, Z その他のもの
H01L 21/38 ・・・・半導体本体へのまたは半導体本体からのまたは半導体領域間の不純物材料，例．ドーピング材料，電極材料，の拡散［２］
H01L 21/383 ・・・・・気相から固体へのまたは固体から気相への拡散を用いるもの
H01L 21/385 ・・・・・固相，例．ドープされた酸化物層，から固体へのまたは固体から固相への拡散を用いるもの
H01L 21/388 ・・・・・液相から固体へのまたは固体から液相への拡散を用いるもの，例．合金拡散法
H01L 21/40 ・・・・半導体本体と不純物材料，例．ドーピング材料，電極材料，の合金［２］
H01L 21/42 ・・・・輻射線の照射
H01L 21/423 ・・・・・高エネルギーの輻射線を有するもの
H01L 21/425 ・・・・・・イオン注入法（局所的な処理のためのイオンビーム管Ｈ０１Ｊ３７／３０）［２］
H01L 21/428 ・・・・・・電磁波，例．レーザ光線，を用いるもの
H01L 21/44 ・・・・２１／３６〜２１／４２８に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H01L 21/441 ・・・・・電極用の導電または絶縁材料の析出［２］
H01L 21/443 ・・・・・・気体または蒸気からの析出，例．凝結
H01L 21/445 ・・・・・・液体からの析出，例．電解液からの析出
H01L 21/447 ・・・・・圧力の適用を含むもの，例．熱圧着法（２１／６０７が優先）
H01L 21/449 ・・・・・機械的振動，例．超音波振動，の適用を含むもの
H01L 21/46 ・・・・２１／３６〜２１／４２８に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理（半導体本体上への電極の製造２１／４４）
H01L 21/461 ・・・・・表面の物理的性質または形状の変換，例．エッチング，ポリシング，切断
H01L 21/463 ・・・・・・機械的処理，例．研摩，超音波処理
H01L 21/465 ・・・・・・化学的または電気的処理，例．電解エッチング（絶縁層の形成２１／４６９）
H01L 21/467 ・・・・・・・マスクを用いるもの
H01L 21/469 ・・・・・・半導体本体上への絶縁層の形成，例．マスキングのためのもの（電極を形成する層２１／２８；封緘層２１／５６）［２］
H01L 21/47 ・・・・・・・有機物層，例．フォトレジスト
H01L 21/471 ・・・・・・・無機物層
H01L 21/473 ・・・・・・・・酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラス［２］
H01L 21/475 ・・・・・・・マスクを用いるもの（２１／４６７が優先）
H01L 21/477 ・・・・・半導体本体の性質の改変のための熱処理，例．アニーリング，シンタリング（２１／３６〜２１／４４９，２１／４６１〜２１／４７５が優先）
H01L 21/479 ・・・・・電流または電界の付加，例．エレクトロフォーミング用（２１／３６〜２１／４４９，２１／４６１〜２１／４７７が優先）
H01L 21/48 ・・・装置の組立に先立つ，部品，例．容器，の製造または処理であって，サブグループ２１／０６〜２１／３２６の一つに分類されない方法を用いるもの（容器，封緘，充填，マウントそれ自体２３／００）
H01L 21/50 ・・・サブグループ２１／０６〜２１／３２６の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
H01L 21/50, A 組立
H01L 21/50, B ・少くともダイボンデイングとワイヤボンデイングを含む組立
H01L 21/50, C 部品の移送・供給
H01L 21/50, D ・リードフレームの移送・供給
H01L 21/50, E リードフレームの収納
H01L 21/50, F 部品の位置決め
H01L 21/50, G 封止
H01L 21/50, H メツキ
H01L 21/50, J 加熱
H01L 21/50, Z その他
H01L 21/52 ・・・・容器中への半導体本体のマウント
H01L 21/52, A 構造
H01L 21/52, B ・材料限定
H01L 21/52, C 方法
H01L 21/52, D ・材料限定
H01L 21/52, E 接着剤
H01L 21/52, F ボンデイング装置
H01L 21/52, G ・接着剤の供給・塗布
H01L 21/52, H ・局部に加熱手段
H01L 21/52, J 圧接型
H01L 21/52, K ・ボルトによる締付け
H01L 21/52, L ・スタツドを有するもの
H01L 21/52, M 支持電極〔Ｃｕ−Ｃ〕
H01L 21/52, Z その他のもの
H01L 21/54 ・・・・容器中への充填，例．ガス充填
H01L 21/56 ・・・・封緘，例．封緘層，被覆
H01L 21/56, R 樹脂封止
H01L 21/56, T ・トランスファー成形，射出成形によるもの
H01L 21/56, B ・・リードフレームの搬出入
H01L 21/56, C ・樹脂ペレツト・タブレツト
H01L 21/56, D ・バリ取り
H01L 21/56, E ・樹脂塗装〔ポッテイング，デイッピングなど，樹脂粉末の塗布も含む〕
H01L 21/56, G ガラス封止
H01L 21/56, F 樹脂・ガラス以外による封止
H01L 21/56, H リードに特徴
H01L 21/56, J 光半導体用
H01L 21/56, Z その他のもの
H01L 21/58 ・・・・支持体上への半導体装置のマウント
H01L 21/60 ・・・・動作中の装置にまたは装置から電流を流すためのリードまたは他の導電部材の取り付け
H01L 21/60,301 ・・・・・ワイヤボンデイング
H01L 21/60,301A ワイヤによる内部接続
H01L 21/60,301B ・電極とリードフレームとの接続〔リードフレームの製造は，２３／５０Ａ〕〔ビームリードの切断は，２３／５０Ａ〕
H01L 21/60,301C ワイヤのシヨート防止
H01L 21/60,301D ワイヤボンデイング方法
H01L 21/60,301F ワイヤボンデイング用金属線
H01L 21/60,301G ワイヤボンダー上部機構
H01L 21/60,301H ・ワイヤボール形成
H01L 21/60,301J ・ワイヤ張力調整・クランパ・ワイヤ供給
H01L 21/60,301K ワイヤボンダー下部機構
H01L 21/60,301L ボンデイング位置検知「，」制御
H01L 21/60,301M リードフレーム
H01L 21/60,301N ボンデイングパツド，電極〔形状・配置〕〔バンプは，２１／９２〕
H01L 21/60,301P ボンデイングパツド電極〔形状・配置を除いたもの〕〔バンプは，２１／９２〕
H01L 21/60,301Z その他
H01L 21/60,311 ・・・・・フエイスボンデング
H01L 21/60,311Q フエイスボンデイングによる接続
H01L 21/60,311R ・テープキヤリアのリードへの接続
H01L 21/60,311S ・絶縁基板の配線，バンプへの接続
H01L 21/60,311T フエイスボンダー
H01L 21/60,311W テープキヤリア
H01L 21/60,311Z その他
H01L 21/60,321 ・・・・・上記以外のボンデイングおよびボンデイグ関連事項
H01L 21/60,321E ワイヤ以外の接続子による内部接続
H01L 21/60,321V ビームリード
H01L 21/60,321X 高周波用装置
H01L 21/60,321Y ボンデイング検査
H01L 21/60,321Z その他
H01L 21/603 ・・・・・圧力の適用を含むもの，例．熱圧着結合（２１／６０７が優先）
H01L 21/603, A 圧着による半導体装置
H01L 21/603, B 圧着方法
H01L 21/603, C 圧着装置
H01L 21/603, Z その他
H01L 21/607 ・・・・・機械振動，例．超音波振動，の適用を含むもの
H01L 21/607, A 超音波ボンデイングによる半導体装置
H01L 21/607, B 超音波ボンデイング方法
H01L 21/607, C 超音波ボンデイング装置
H01L 21/607, Z その他
H01L 21/62 ・・電位障壁または表面障壁をもたない装置
H01L 21/64 ・半導体装置以外の固体装置またはその部品の製造または処理であって，グループ３１／００〜４９／００に分類されている一つの装置に特有でないもの
H01L 21/66 ・製造または処理中の試験または測定（製造後のものＧ０１Ｒ３１／２６）
H01L 21/66, A 不良素子の識別〔マ―キング，マップ等〕
H01L 21/66, B プロ―バ
H01L 21/66, C ・非接触型〔電子ビ―ム，レ―ザ等〕
H01L 21/66, D 試験・測定用治具
H01L 21/66, E 試験・測定用電極，端子〔半導体装置に設けたもの〕
H01L 21/66, F 試験・測定用回路〔半導体装置に形成したもの〕
H01L 21/66, G オ―トハンドラ
H01L 21/66, H 各種条件下での試験・測定
H01L 21/66, J 外観，パタ―ン〔Ｐ，Ｒが優先〕
H01L 21/66, K ・ピンホ―ル，クラック，そり等〔光等の非接触手段によるものはＪ〕
H01L 21/66, L 半導体基板・素子の物性
H01L 21/66, M ・キャリア寿命
H01L 21/66, N ・内部状態〔組成，格子，エッチピット，断面観察等，Ｐが優先〕
H01L 21/66, P 厚み，位置，切断面角度等
H01L 21/66, Q 酸化膜，分離，接合等〔Ｐが優先〕
H01L 21/66, R ボンディング状態，封止状態
H01L 21/66, S 配線部の断線・短絡等
H01L 21/66, T 〔半導体装置の〕温度・発色状態
H01L 21/66, U バイポ―ラトランジスタ
H01L 21/66, V ＦＥＴ，ＭＯＳ構造
H01L 21/66, W メモリ
H01L 21/66, X 発光素子，受光素子
H01L 21/66, Y チェック用素子
H01L 21/66, Z その他のもの
H01L 21/68 ・製造中の構成部品の支持または位置決め用装置，例．ジグ
H01L 21/68, A 移送〔ウェハ移送具，アーム，マニピュレータ，ハンド，ロボット，台車，コンベヤレイアウト設計〕［簡単なものは物流］
H01L 21/68, B ・移送のための吸着アーム
H01L 21/68, C ・・ベルヌーイチャック〔吹き付けによる負圧で吸着〕
H01L 21/68, D 複数ウェハの一括移しかえ〔キャリアとボード間の移替え，ウェハ配列ピッチ変えの移替〕
H01L 21/68, E ペレット，チップの取外し〔突き上げウェハ切断後，チップ一ケ毎突き上げて分離〕
H01L 21/68, F 位置検出・制御〔Ｍが優先〕〔マーク検出〕
H01L 21/68, G 位置決め・整列〔Ｍが優先〕
H01L 21/68, J ・リードフレームの位置決め
H01L 21/68, K 載置台の移動〔微動テーブル，位置決めステージ〕
H01L 21/68, L ウェハの有無・表裏等の検出〔枚数カウント〕
H01L 21/68, M オリフラ部を利用したもの〔オリフラ検出，オリフラ合わせ〕
H01L 21/68, N 保持〔ウェハを処理するとき止めておく治具，ウェハ面保護テープ貼りとはがし〕
H01L 21/68, P ・吸着によるもの〔吸着盤に保持〕
H01L 21/68, R ・・静電チャック〔静電吸着盤に保持〕
H01L 21/68, S 把持〔ピンセット，はさんで把持するアーム〕
H01L 21/68, T 容器〔ストッカ，キャビネ，倉庫，仕かかり品のみ，完成品は流通〕
H01L 21/68, U ・水平状態のペレット・ウェハ等のためのもの〔トレイ〕
H01L 21/68, V ・積層型〔ウェハキャリア〕
H01L 21/68, Z その他のもの
H01L 21/70 ・１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置またはその部品の製造または処理；集積回路装置またはその部品の製造（予め形成された電気的構成部品からなる組立体の製造Ｈ０５Ｋ３／００，１３／００）［２］
H01L 21/72 ・・基板が半導体本体のもの［２］
H01L 21/74 ・・・高い不純物濃度の埋込み領域，例．埋込みコレクター層，内部の相互接続，の形成［２］
H01L 21/76 ・・・構成部品間の分離領域，例．Ｐ―Ｎ接合，誘電体層，空隙，の形成
H01L 21/76, A 空気〔空隙〕による分離
H01L 21/76, J Ｐ―Ｎ接合のみによる分離〔ＭＯＳＩＣの分離Ｍ〕
H01L 21/76, D 誘電体のみによる分離〔Ｐが優先〕
H01L 21/76, M Ｐ―Ｎ接合及び誘電体による複合分離，例．ＬＯＣＯＳ技術を含むもの〔Ｐが優先〕
H01L 21/76, N ・溝を形成するもの
H01L 21/76, L ・・垂直な溝を形成するもの
H01L 21/76, V ・・Ｖ溝を形成するもの
H01L 21/76, E ・エピタキシャルに特徴のあるもの
H01L 21/76, S 寄生効果の防止に特徴のあるもの，例．チャンネルストッパーの形成
H01L 21/76, P シリコンの多孔質化技術を利用したもの
H01L 21/76, Q 多結晶シリコンに特徴のあるもの
H01L 21/76, R イオン注入に特徴のあるもの
H01L 21/76, Z その他のもの
H01L 21/78 ・・・複数の個々の構成部品に基板を分割することによるもの
H01L 21/78, A 分割
H01L 21/78, B レーザースクライブ
H01L 21/78, C ダイシングライン検出
H01L 21/78, F 回転ブレード
H01L 21/78, G ダイヤモンド・カツター
H01L 21/78, H サンドブラスト
H01L 21/78, L ウエハの前処理，スクライブラインの形状・構造
H01L 21/78, M ウエハの接着，補強，ダイシング治具
H01L 21/78, N ウエハの保持，搬送
H01L 21/78, P ウエハの後処理，接着テープ等の剥離
H01L 21/78, Q ダイシング方法，分割を伴なう一連処理
H01L 21/78, R ダイシング後又はダイシング後クラツキング前のウエハ又はチツプの形状・構造
H01L 21/78, S 少なくともエツチングを用いるもの
H01L 21/78, T クラツキング
H01L 21/78, U ・劈開
H01L 21/78, V ダイシング後クラツキングを行なうもの
H01L 21/78, W スペーシング
H01L 21/78, X 少なくともクラツキングとスペーシングの両方を行なうもの
H01L 21/78, Y ピツキング，ペレツトの取り剥がし
H01L 21/78, Z その他のもの
H01L 21/80 ・・・・個々の構成部品が１つの共通基板内または基板上に形成された複数の構成部品からなっているもの
H01L 21/82 ・・・複数の個々の構成部品に基板を分割しないもの，例．集積回路
H01L 21/82, D 素子設計〔Ｄｅｖｉｃｅ　ｄｅｓｉｇｎ〕
H01L 21/82, A ・プログラマブル・ロジック・アレイ〔ｐｒｏｇｒａｍａｂｌｅ　ｌｏｇｉｃ　Ａｒｒａｙ〕
H01L 21/82, B ・ビルディング・ブロック，スタンダード・セル〔Ｂｕｉｌｄｉｎｇ　ｂｌｏｃｋ，ｓｔａｎｄａｒｄ　ｃｅｌｌ〕
H01L 21/82, M ・マスタースライス，ゲート・アレイ〔Ｍａｓｔｅｒｓｌｉｃｅ，ｇａｔｅ　ａｒｒａｙ〕
H01L 21/82, W 配線設計〔Ｗｉｒｉｎｇ　ｄｅｓｉｇｎ〕
H01L 21/82, C ・電子計算機を利用するもの〔Ｃｏｍｐｕｔｅｒ　ａｉｄｅｄ　ｄｅｓｉｇｎ〕
H01L 21/82, L ・電線〔ｐｏｗｅｒ―ｓｕｐｐｌｙ　Ｌｉｎｅｓ〕
H01L 21/82, P ・パッド，入出力セル〔Ｐａｄｓ，Ｉ／Ｏ　ｃｅｌｌｓ〕
H01L 21/82, S ・機能選択〔ｆｕｎｃｔｉｏｎ　Ｓｅｌｅｃｔｉｏｎ〕
H01L 21/82, F ・・フューズ〔Ｒ，Ｔが優先〕〔Ｆｕｓｅｓ〕
H01L 21/82, R ・・冗長回路〔Ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ　ｃｉｒｃｕｉｔ〕
H01L 21/82, T ・・検査〔Ｔｅｓｔｉｎｇ〕
H01L 21/82, Z その他のもの〔ｏｔｈｅｒｓ〕
H01L 21/84 ・・基板が半導体本体以外のもの，例．絶縁体のもの［２］
H01L 21/86 ・・・絶縁体がサファイアのもの，例．サファイア構造上のシリコン，すなわちＳＯＳ［２］
H01L 21/88 ・・電流を流すためのリードまたは導電部材の取り付け
H01L 21/88, A 配線パターンに関するもの〔配線の一般的構造〕
H01L 21/88, B ・配線パターンの形成に関するもの
H01L 21/88, C ・・エッチングによるもの
H01L 21/88, D ・・・ドライエッチングによるもの
H01L 21/88, E ・・選択酸化によるもの
H01L 21/88, F ・・テーパーの形成に関するもの
H01L 21/88, G ・・リフトオフによるもの
H01L 21/88, H ・・・リフトオフにより平坦化されるもの
H01L 21/88, J ・半導体基板内に配線層を設けるもの
H01L 21/88, K ・配線層表面の平坦化に関するもの
H01L 21/88, M 配線材料に特徴のあるもの
H01L 21/88, N ・Ａｌ又は，Ａｌ合金を用いるもの
H01L 21/88, P ・半導体を用いるもの
H01L 21/88, Q ・金属及び半導体を併用するもの〔シリサイド，ポリサイド〕
H01L 21/88, R ・金属積層材を用いるもの
H01L 21/88, S 配線以外の目的を有する導電層に関するもの〔シールド〕
H01L 21/88, T 配線終端部に関するもの〔ボンディングパッド〕
H01L 21/88, Z その他のもの〔配線レイアウト〕
H01L 21/90 ・・・装置内の動作中の１つの構成部品から他の構成部品へのもの
H01L 21/90, A 配線層間の接続に関するもの
H01L 21/90, B ・構造に特徴のあるもの
H01L 21/90, C 配線層と半導体基板との接続に関するもの
H01L 21/90, D ・構造に特徴のあるもの
H01L 21/90, J 配線層間の絶縁に関するもの
H01L 21/90, K ・無機材料によるもの
H01L 21/90, L ・・金属化合物によるもの
H01L 21/90, M ・・積層材によるもの
H01L 21/90, N ・空気絶縁によるもの
H01L 21/90, S ・有機樹脂によるもの
H01L 21/90, P ・製造方法に特徴のあるもの
H01L 21/90, Q ・・塗布によるもの
H01L 21/90, R ・・溶融処理を施すもの〔リフロー〕
H01L 21/90, V 寄生効果の除去に関するもの〔寄生チャンネル〕
H01L 21/90, W 配線の交差に関するもの〔基板間配線，２１／８８Ｊ〕
H01L 21/90, Z その他のもの
H01L 21/92 ・・・動作中の装置からまたは装置へのもの
H01L 21/92,601 ・・・・バンプ電極
H01L 21/92,602 ・・・・・構造に特徴があるもの
H01L 21/92,602A バンプ
H01L 21/92,602B ・同種材料の組み合わせ，例．成分の異なるはんだ
H01L 21/92,602C ・異種材料の組み合わせ
H01L 21/92,602D ・・積層構造のもの
H01L 21/92,602E ・・基部と被覆部からなるもの
H01L 21/92,602F ・・・基部が円柱状・きのこ状のもの
H01L 21/92,602G ・形状のみに特徴があるもの
H01L 21/92,602H 下地金属
H01L 21/92,602J 電極パッド
H01L 21/92,602K 絶縁膜
H01L 21/92,602L ・樹脂層を積層したもの
H01L 21/92,602M 基板
H01L 21/92,602N 複数のバンプ電極の配置パターンに特徴があるもの
H01L 21/92,602P ・特別の機能をもつバンプを選択的に配置したもの
H01L 21/92,602Q ・配置箇所に応じて形状を変化させたもの
H01L 21/92,602R 接続先の電極との形状・材質等の組み合わせに特徴があるもの
H01L 21/92,602Z その他
H01L 21/92,603 ・・・・・材料・成分の選択に特徴があるもの
H01L 21/92,603A バンプ
H01L 21/92,603B ・合金からなるもの
H01L 21/92,603C ・導電性樹脂からなるもの
H01L 21/92,603D 下地金属
H01L 21/92,603E ・合金層をもつもの
H01L 21/92,603F 電極パッド
H01L 21/92,603G 絶縁膜
H01L 21/92,603Z その他
H01L 21/92,604 ・・・・・製造方法に特徴があるもの
H01L 21/92,604A バンプ
H01L 21/92,604B ・電解メッキ
H01L 21/92,604C ・蒸着
H01L 21/92,604D ・浸漬
H01L 21/92,604E ・印刷
H01L 21/92,604F ・転写
H01L 21/92,604G ・ボンディング
H01L 21/92,604H ・・ボールボンディング
H01L 21/92,604J ・・ワイヤボールボンディング（スタッドバンプ）
H01L 21/92,604K ・・・キャピラリの形状・動作
H01L 21/92,604L ・・・治具の形状・動作
H01L 21/92,604M 下地金属
H01L 21/92,604N ・蒸着
H01L 21/92,604P ・リフトオフ
H01L 21/92,604Q ・エッチング
H01L 21/92,604R 電極パッド
H01L 21/92,604S 絶縁膜・フォトレジスト等
H01L 21/92,604T 検査・測定に関するもの
H01L 21/92,604Z その他
H01L 21/92,611 ・・・・ビームリード電極
H01L 21/92,611A 構造に特徴があるもの
H01L 21/92,611B 材料の選択に特徴があるもの
H01L 21/92,611C 製造方法に特徴があるもの
H01L 21/92,611Z その他
H01L 21/92,621 ・・・・その他の接続用電極
H01L 21/92,621A はんだを利用するもの
H01L 21/92,621Z その他
H01L 21/94 ・・絶縁層または絶縁領域の形成
H01L 21/94, A ＬＯＣＯＳ
H01L 21/94, Z その他のもの
H01L 21/95 ・・・装置内部のもの
H01L 21/96 ・・装置の組立に先立つ，１つの共通基板内または基板上に形成された複数の固体構成部品からなる装置用の部品，例．容器，の製造または処理；装置の組立に先立つ，集積回路装置用の部品，例．容器，の製造または処理（容器，封緘，充填，マウントそれ自体２３／００）
H01L 21/98 ・・１つの共通基板内または基板上に形成された固体構成部品からなる装置の組立；集積回路装置の組立

H01L 23/00 半導体または他の固体装置の細部（２５／００が優先；半導体本体の細部または２９／００に分類されている装置の電極の細部はそこに分類する；３１／００〜４９／００の一つのメイングループに分類されている装置に特有なデータはそこに分類する）
H01L 23/00, A マーク・マーキング・表示
H01L 23/00, B 静電破壊防止
H01L 23/00, C 保護
H01L 23/00, Z その他のもの
H01L 23/02 ・容器，封止（２３／１２，２３／３４，２３／４８が優先）
H01L 23/02, A 放射線遮蔽用のもの
H01L 23/02, B 封止部の構造に特徴のあるもの
H01L 23/02, C ・金属材料を用いるもの〔半田，ろう付，シーム溶接等〕（ドット数修正）
H01L 23/02, D ・ガラス材料を用いるもの（ドット数修正）
H01L 23/02, E 混成集積回路用
H01L 23/02, F 光半導体用
H01L 23/02, H 高周波半導体素子用（Ｈ１１　新設）
H01L 23/02, G 貫通孔を有するもの〔膨張空気の逃げ孔，ガス抜き孔等〕
H01L 23/02, J 蓋に特徴のあるもの（Ｈ１１　新設）
H01L 23/02, K 緩衝部材を備えたもの（Ｈ１１　新設）
H01L 23/02, Z その他のもの
H01L 23/04 ・・形状に特徴のあるもの
H01L 23/04, A キヤン封止のもの
H01L 23/04, B 平型のもの
H01L 23/04, C スタツド型のもの
H01L 23/04, D 外形に特徴のあるもの〔位置決め用凹凸部等〕
H01L 23/04, E リードに関連するもの
H01L 23/04, Z その他のもの
H01L 23/06 ・・容器の材料またはその電気特性に特徴のあるもの
H01L 23/06, A 遮光材料
H01L 23/06, B 金属・導電材料
H01L 23/06, C 磁性材料
H01L 23/06, D 形状記憶合金
H01L 23/06, Z その他のもの
H01L 23/08 ・・・材料が絶縁体のもの，例．ガラス
H01L 23/08, A 樹脂容器
H01L 23/08, B ガラス容器
H01L 23/08, C セラミツク容器
H01L 23/08, D ・非酸化物を含むもの
H01L 23/08, Z その他のもの
H01L 23/10 ・・部品間，例．容器とマウントとの間，の封止の材料または配列に特徴のあるもの
H01L 23/10, A ガラス封止材
H01L 23/10, B ガラス以外の封止材〔半田，樹脂等〕
H01L 23/10, C プリプレグ〔熱硬化性樹脂を含浸させたシート状のもの〕
H01L 23/10, Z その他のもの
H01L 23/12 ・マウント
H01L 23/12, B Ｌ，Ｃ，Ｒを含むマウント基板
H01L 23/12, C セラミツク基板
H01L 23/12, D ・製造方法
H01L 23/12, E 接地構造または電源接続構造に特徴のある基板
H01L 23/12, F チツプマウント周辺構造に特徴のある基板
H01L 23/12, G ガラス封止型装置の基板
H01L 23/12, H ハイブリツドＩＣ用基板
H01L 23/12, J 放熱のための構造に特徴のある基板
H01L 23/12, K 外部リード取付けに特徴のある基板
H01L 23/12, L リードレスチツプキヤリア
H01L 23/12, N 多層基板〔Ｐが優先〕
H01L 23/12, P ピングリツドアレイ
H01L 23/12, Q 導体パターンに特徴のある基板
H01L 23/12, S 金属ステム基板
H01L 23/12, W ワイヤボンデイングに関連する基板構造
H01L 23/12, Z その他のもの
H01L 23/12,301 ・・高周波素子のマウント
H01L 23/12,301C ＭＩＣ基板の取付け
H01L 23/12,301D マイクロ波ダイオードマウント
H01L 23/12,301J 放熱構造
H01L 23/12,301L リードインダクタンスの低減化
H01L 23/12,301Z その他のもの
H01L 23/12,501 ・・ＢＧＡ，ＣＳＰなどパッケージ基板に突起状の電極を有するもの（Ｈ１２．４新設）
H01L 23/12,501T パッケージ端子がボール形状以外のもの〔リード、ピン、ワイヤ等を端子とするもの〕（Ｈ１２．４新設）
H01L 23/12,501B 突起状の電極によってチップをチップ幅より大きなパッケージ基板と接続したもの（Ｈ１２．４新設）
H01L 23/12,501W ワイヤによってチップをチップ幅より大きなパッケージ基板と接続したもの（Ｈ１２．４新設）
H01L 23/12,501S パッケージ基板に対してパッケージ端子とチップが同じ側にあるもの（Ｈ１２．４新設）
H01L 23/12,501C パッケージ基板がチップ幅以下のもの又はパッケージ基板を有しないもの（Ｈ１２．４新設）
H01L 23/12,501P ・ポスト電極又は再配線を有するもの（Ｈ１２．４新設）
H01L 23/12,501F ・パッケージ基板がフィルム状またはテープ状のもの（Ｈ１２．４新設）
H01L 23/12,501V ・ワイヤ又はリード等を用いるもの（Ｈ１２．４新設）
H01L 23/12,501Z その他のもの（Ｈ１２．４新設）
H01L 23/14 ・・材料またはその電気特性に特徴のあるもの
H01L 23/14, C 無機絶縁物基板，例．セラミツク，ガラス
H01L 23/14, D ・ダイアモンド基板
H01L 23/14, S ・半導体基板
H01L 23/14, M 金属又は金属を含む複合材料
H01L 23/14, R 有機絶縁物又は有機絶縁物を含む複合材料
H01L 23/14, X 電磁シールド材料
H01L 23/14, Z その他のもの
H01L 23/16 ・充填
H01L 23/18 ・・材料またはその物理的または化学的特性または完全装置内での配列に特徴のあるもの
　　＜注＞注グループ２３／２６はグループ２３／２０から２３／２４に優先する。
H01L 23/20 ・・・装置の正常な動作温度でガス状のもの
H01L 23/22 ・・・装置の正常な動作温度で液体状のもの
H01L 23/24 ・・・装置の正常な動作温度で固体またはゲル状のもの
H01L 23/26 ・・・湿気または他の不要物質と反応または吸収する材料を含むもの
H01L 23/28 ・封緘
H01L 23/28, A リードに特徴
H01L 23/28, B 放熱基板上のもの
H01L 23/28, C 流れ防止手段
H01L 23/28, D 光半導体用
H01L 23/28, E 混成集積回路用
H01L 23/28, F 表面に導電層を有するもの
H01L 23/28, G 熱収縮チユーブ
H01L 23/28, H 表示・識別
H01L 23/28, J 外形に特徴
H01L 23/28, K ケース収納型
H01L 23/28, L ・ケース収納型用封止材・その配列
H01L 23/28, M 主として時計用
H01L 23/28, T 絶縁基板の孔中に突出するリードにチツプを搭載したもの〔例．テープキヤリアを用いたもの〕
H01L 23/28, Z その他のもの
H01L 23/30 ・・封緘の材料または配列に特徴のあるもの
H01L 23/30, A α線遮蔽のためのもの
H01L 23/30, G ガラス封止
H01L 23/30, R 樹脂封止
H01L 23/30, B ・複数の樹脂層
H01L 23/30, C ・エネルギー線官能樹脂，例．光・電子線・イオン化線で硬化するもの
H01L 23/30, D 表面・接合面保護被覆
H01L 23/30, E 遮光材使用
H01L 23/30, F 光半導体用
H01L 23/30, Z その他のもの
H01L 23/32 ・動作中の完全装置を支持する支持体
H01L 23/32, A ＩＣソケツト〔特殊なソケツトのみ付与，大部分は，Ｈ０１Ｒ３３が主〕
H01L 23/32, B 装着用治具・工具〔ＩＣのリードをソケツトに押込み，引抜く治具〕
H01L 23/32, C パワートランジスタの取付〔ＣＡＮ型と三端子型のみの取り付け〕
H01L 23/32, D 支持，接続，取付座〔上記以外の取り付け〕
H01L 23/32, E Ｔｒ取付，支持の関連技術〔ハンダ付け以外〕
H01L 23/32, Z その他のもの
H01L 23/34 ・冷却装置；加熱装置；換気装置
H01L 23/34, A 半導体素子・容器・リード
H01L 23/34, B 樹脂封止型
H01L 23/34, C 圧接型
H01L 23/34, D 感温素子を有するもの
H01L 23/34, E 恒温槽
H01L 23/34, Z その他のもの
H01L 23/36 ・・冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形，例．ヒート・シンク
H01L 23/36, A 樹脂封止型
H01L 23/36, B 圧接用
H01L 23/36, C 放熱性回路基板・ステム
H01L 23/36, D 発熱体と放熱体間の熱伝導部材
H01L 23/36, M 材料に特徴
H01L 23/36, Z その他のもの
H01L 23/38 ・・ペルチェ効果を利用した冷却装置
H01L 23/40 ・・分離できる冷却または加熱装置のための取り付けまたは固着手段
H01L 23/40, A プリント基板との取付け
H01L 23/40, B 放熱板付シングルインライン型の取付け
H01L 23/40, C 位置規制
H01L 23/40, D 圧接型
H01L 23/40, E 挟持による取付け
H01L 23/40, F 接合層による取付け
H01L 23/40, Z その他のもの
H01L 23/42 ・・加熱または冷却を容易にするために選択されたまたは配列された充填，例．状態の変化によるもの
H01L 23/44 ・・完全装置全体が空気以外の流体中に浸されているもの
H01L 23/46 ・・流動流体による熱の移動によるもの（２３／４２，２３／４４が優先）
H01L 23/46, A 沸騰冷却
H01L 23/46, B ヒートパイプ
H01L 23/46, C 空冷
H01L 23/46, D ・空冷状態の変化の検出
H01L 23/46, Z その他のもの
H01L 23/48 ・動作中の固体本体からまたは固体本体へ電流を導く装置，例．リード，端子装置（一般Ｈ０１Ｒ）
H01L 23/48, A 同軸タイプダイオード
H01L 23/48, B ・製造方法，全体に特徴のあるもの
H01L 23/48, C ・ペレツト固定，支持電極，電極保護
H01L 23/48, D ・リード固定，一体リード，モールド
H01L 23/48, E ・小型化〔リードレスタイプ，リード短縮型〕
H01L 23/48, F ２端子素子〔同軸タイプダイオード，大電力用を除く〕
H01L 23/48, G 大電力用
H01L 23/48, H ３端子素子
H01L 23/48, J ・製造方法
H01L 23/48, K ・メツキ，半田付
H01L 23/48, L ・放熱
H01L 23/48, M ・モールド
H01L 23/48, N ・耐電圧向上，マイグレーシヨン防止
H01L 23/48, P ・リード，リードフレーム
H01L 23/48, Q ・・素子基板へのリードの取付
H01L 23/48, R ・・プリント基板等への取付
H01L 23/48, S ・ボンデイング〔リードとペレツトの接続〕
H01L 23/48, T ・ペレツト固定
H01L 23/48, V リード用材〔合金組成にのみ特徴のあるもの〕
H01L 23/48, Y 光素子用
H01L 23/48, Z その他
H01L 23/50 ・・集積回路装置用
H01L 23/50, A 製造方法〔リードフレームの製法を含む〕
H01L 23/50, B リードの成形・切断
H01L 23/50, C リードの曲がり検出・整形
H01L 23/50, D メツキ
H01L 23/50, E 半田付け
H01L 23/50, F 放熱
H01L 23/50, G モールド
H01L 23/50, H ・耐湿性向上，リードの抜け防止
H01L 23/50, J ・バリ除去
H01L 23/50, K リード，リードフレーム
H01L 23/50, L ・リードの素子基板への取付
H01L 23/50, M ・・リードの取付部形状に特徴のあるもの
H01L 23/50, N ・リードのプリント基板への取付
H01L 23/50, P ・ピンタイプリード
H01L 23/50, Q ・タブリード
H01L 23/50, R 小型化リード
H01L 23/50, S ボンデイング〔リードとペレツトの接続〕
H01L 23/50, T ・不要接触防止
H01L 23/50, U タブ〔ペレツト積載部〕
H01L 23/50, V リード用材
H01L 23/50, W 積層フレーム，素子の相互接続のための端子構造
H01L 23/50, X 端子配置，回路的特徴をもつもの
H01L 23/50, Y 複数リードの絶縁物による支持
H01L 23/50, Z その他
H01L 23/52 ・動作中の装置内の１つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
H01L 23/52, A 配線〔チツプの配線方法・パターン〕
H01L 23/52, B ・多層配線
H01L 23/52, C 立体構造の配線〔立体的なマルチチツプの配線〕
H01L 23/52, D 平面構造の配線〔平面的なマルチチツプの配線〕
H01L 23/52, E 配線の関連技術
H01L 23/52, Z その他のもの
H01L 23/54 ・半導体または他の固体装置の細部またはその電極の細部，例．その材料の選択，ただし３１／００〜４９／００の一つのメイングループに分類されている装置に特有なものは除く（２９／００が優先）
H01L 23/56 ・装置の特殊な応用に適用されない回路装置，例．温度補償用
H01L 23/56, A 過電圧に対する保護
H01L 23/56, B 静電気に対する保護
H01L 23/56, C 過電流に対する保護
H01L 23/56, D 温度検出素子による補償・保護
H01L 23/56, Z その他

H01L 25/00 複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体，例．ソーラ・パネル（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置２７／００；ソーラ・セルまたはソーラ・パネルを用いる発電装置Ｈ０２Ｎ６／００；他のサブクラスに分類される完全回路組立体の細部，例．テレビジョン受信機の細部，は関連するサブクラス，例．Ｈ０４Ｎ，を参照；電気部品の組立体の細部一般Ｈ０５Ｋ）［２］
H01L 25/00, A 複数の半導体素子を搭載した基板の組合せ〔マイクロモジユール〕「図」「図」
H01L 25/00, B １つの半導体と他の固体装置からなる組立体〔Ｌ，Ｃ，Ｒと半導体の組み合せ等〕「図」
H01L 25/00, Z その他のもの〔電子時計や，Ｌ・Ｃ・Ｒの組立体など〕
H01L 25/02 ・装置が全て２７／００から４９／００の同一のメイングループに分類される型式のものからなるもの，例．整流器またはソーラ・セルの組立体
H01L 25/04 ・・個別の容器を持たない装置
H01L 25/04, A ダイオード組立体「図」〔ブリツジ整流器やダイオードアレイなど〕
H01L 25/04, B ・車両用のもの「図」〔発電器などに取付けて用いられる馬蹄形の整流器に関する。〕
H01L 25/04, C 電力用モジユール「図」〔インバータなどで用いられるモジユール〕
H01L 25/04, Z その他のもの「図」
H01L 25/06 ・・・孔に貫通された１つ以上の棒状体上に取り付けられた孔あき装置
H01L 25/08 ・・・孔のあけられてない装置の積み重ねられた配列
H01L 25/08, A 積層整流器「図」「図」〔ダイオードチツプを積み重ねたもの〕
H01L 25/08, B チツプ・オン・チツプ「図」「図」〔チツプとチツプを直接積重ねたもの。チツプ間にリードがあつたり，直接くつついていない場合は，２５／０８Ｚ〕
H01L 25/08, Z その他のもの「図」
H01L 25/10 ・・個別の容器をもつ装置
H01L 25/10, A ダイオード組立体「図」〔２５／０４Ａを参照〕
H01L 25/10, B ・車両用のもの「図」〔２５／０４Ｂを参照〕
H01L 25/10, C ・全てが直列的に接続されたもの「図」
H01L 25/10, D スタツド形素子を含むもの「図」
H01L 25/10, Z その他のもの
H01L 25/12 ・・・１つの共通端子をもつもの
H01L 25/12, A 加圧手段のあるもの「図」
H01L 25/12, Z その他のもの「図」
H01L 25/14 ・・・積み重ねられた配列，例．サンドイッチ型整流器のもの
H01L 25/14, A 平形半導体素子の加圧スタツク「図」
H01L 25/14, B ・異つた素子を含むもの「図」「図」
H01L 25/14, C 複数加圧スタツクの組立体「図」
H01L 25/14, D ダイオード組立体「図」
H01L 25/14, Z その他のもの「図」
H01L 25/16 ・装置が２７／００〜４９／００の２つ以上の異なるメイングループに分類されているものからなるもの
H01L 25/16, A 個別の容器を持たない装置「図」
H01L 25/16, B 個別の容器を持つ装置「図」
H01L 25/16, Z その他

H01L 27/00 １つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置（それらの装置またはその部品の製造または処理に適用される方法または装置２１／７０，３１／００〜４９／００；その細部２３／００，２９／００〜４９／００；複数の個々の固体装置からなる組立体２５／００；電気部品の組立体一般Ｈ０５Ｋ）［２］
　　＜注＞グループ２７／０１から２７／０６においては，相反する指示がない限り，発明は最後の適切な箇所に分類される。
H01L 27/00,301 ・三次元回路素子
H01L 27/00,301A 積層型〔素子配置に特徴のあるもの〕
H01L 27/00,301C ・接続構造
H01L 27/00,301H ・放熱・シールド構造
H01L 27/00,301R ・再結晶化技術
H01L 27/00,301N ・半導体ｉ層介在型
H01L 27/00,301D ・単結晶絶縁体層介在型
H01L 27/00,301E ・単結晶直接成長技術
H01L 27/00,301S ・ＳＩＭＯＸ
H01L 27/00,301L ・まわり込み酸化
H01L 27/00,301F ・ＦＩＰＯＳ
H01L 27/00,301P ・ポリ・アモルファス積層型
H01L 27/00,301Y ・その他の構造
H01L 27/00,301B 接着型
H01L 27/00,301W 両面型
H01L 27/00,301Z その他
H01L 27/01 ・１つの共通絶縁基板上に形成された薄膜または厚膜受動素子のみからなるもの
H01L 27/01,301 ・・厚膜回路
H01L 27/01,311 ・・薄膜回路
H01L 27/01,321 ・・厚膜・薄膜トリミング
H01L 27/02 ・整流，増幅，発振またはスイッチングに使用される半導体構成部品を含むものまたは少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの［２］
H01L 27/04 ・・基板が半導体本体であるもの［２］
H01L 27/04, A 基板上の素子配置・レイアウト
H01L 27/04, B 基準電圧発生回路
H01L 27/04, C 容量素子
H01L 27/04, D 配線〔電源，基板アース〕
H01L 27/04, E 端子，電極の機能・配置
H01L 27/04, F 機能・動作
H01L 27/04, G 基板バイアス発生，昇圧
H01L 27/04, H 保護
H01L 27/04, L 誘導素子，インダクタンス発生回路
H01L 27/04, M 機能切換
H01L 27/04, P 薄膜抵抗
H01L 27/04, R 拡散抵抗
H01L 27/04, T テスト・検査回路
H01L 27/04, U 機能ブロック組合せ〔システムＬＳＩ〕
H01L 27/04, V 可変インピーダンス，トリミング
H01L 27/04, Z その他のもの
H01L 27/06 ・・・複数の個々の構成部品を反復しない形で含むもの
H01L 27/06, F ＦＥＴ〔ＭＯＳを除く〕を主体とする集積回路
H01L 27/06, T Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒを主体とする集積回路
H01L 27/06, Z その他
H01L 27/06,101 ・・・・バイポーラ素子を主体とする集積回路
H01L 27/06,101B Ｂｉｐ，ＩＣｓ
H01L 27/06,101U Ｂｉｐ＋Ｕｎｉｐ
H01L 27/06,101S ＳＩＴＬ
H01L 27/06,101D Ｂｉｐ＋〔Ｌ，Ｃ，Ｒ　ｏｒ　　Ｄ〕
H01L 27/06,101P Ｃｉｒｃｕｉｔｓ，ｆｏｒ，Ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ
H01L 27/06,101Z その他
H01L 27/06,102 ・・・・ＭＯＳ素子を主体とする集積回路
H01L 27/06,102A 全体に特徴のあるもの
H01L 27/06,102B ・ソース・ドレインまたはチャンネルのみに特徴のあるもの
H01L 27/06,102C ・ゲート［ゲート電極，ゲート絶縁膜］
H01L 27/06,102D ・素子分離，基板に特徴のあるもの
H01L 27/06,102E ・コンタクト，電極，配線
H01L 27/06,102F 回路構成に特徴のあるもの
H01L 27/06,102G ・特殊用途用
H01L 27/06,102H ・時計用
H01L 27/06,102J メモリ
H01L 27/06,102Z その他
H01L 27/06,311 ・・・・・保護回路
H01L 27/06,311A 抵抗を用いて保護したもの，コンタクト部に特徴のあるもの
H01L 27/06,311B ダイオードを用いて保護したもの
H01L 27/06,311C ＭＯＳ構造［バイポーラを含む］を用いて保護したもの
H01L 27/06,311Z その他
H01L 27/06,321 ・・・・バイ・ＭＯＳを主体とする集積回路
H01L 27/06,321A 全体に特徴のあるもの
H01L 27/06,321B バイポーラ・トランジスタの構成に特徴のあるもの
H01L 27/06,321C 素子分離
H01L 27/06,321D ラッチアップ防止
H01L 27/06,321E 基板，ウェル，埋込み層
H01L 27/06,321F コンタクト，電極，配線
H01L 27/06,321G 回路構成に特徴のあるもの
H01L 27/06,321H ・バイ・ＭＯＳ複合機能素子
H01L 27/06,321J ・特定用途用〔論理回路，ゲートアレイ，メモリ等〕
H01L 27/06,321Z その他
H01L 27/06,331 ・・・・基板バイアス回路
H01L 27/08 ・・・１種類の半導体構成部品だけを含むもの
H01L 27/08,101 ・・・・バイポーラ集積回路
H01L 27/08,101B Ｂｉｐ，ＩＣｓ
H01L 27/08,101L Ｂｉｐ，Ｌｏｇｉｃ
H01L 27/08,101M ＩＩＬ
H01L 27/08,101J ・Ｉｎｊｅｃｔｏｒ
H01L 27/08,101N ・Ｉｎｖｅｒｔｅｒ
H01L 27/08,101W ・Ｗｉｔｈ，Ｏｔｈｅｒ，Ｃｉｒｃｕｉｔｓ
H01L 27/08,101T Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ，Ｈａｖｉｎｇ，Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ，Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ
H01L 27/08,101C ＮＰＮ＋ＰＮＰ
H01L 27/08,101V Ｖｅｒｔｉｃａｌ＋Ｌａｔｅｒａｌ
H01L 27/08,101D Ｄａｒｌｉｎｇｔｏｎ，Ｃｉｒｃｕｉｔｓ
H01L 27/08,101Z その他
H01L 27/08,102 ・・・・ＭＯＳ集積回路
H01L 27/08,102A ＭＯＳ構造全体に特徴のあるもの
H01L 27/08,102B チャネル構造またはソース・ドレイン形成［ＬＤＤ構造も含む］
H01L 27/08,102C ゲート［ゲート電極，ゲート絶縁膜］
H01L 27/08,102D コンタクト，電極，配線
H01L 27/08,102E 積層型ＭＯＳ，縦型［垂直チャネル型］ＭＯＳ
H01L 27/08,102F ＭＯＳＩＣに対する保護回路
H01L 27/08,102G マスタースライス，ゲートアレイ
H01L 27/08,102H メモリ，論理回路
H01L 27/08,102J 回路構成に特徴のあるもの
H01L 27/08,102Z その他のもの
H01L 27/08,311 ・・・・・Ｅ―Ｄ・ＭＯＳ，Ｅ―Ｅ・ＭＯＳ
H01L 27/08,311A 全体に特徴のあるもの
H01L 27/08,311B ウエル形成・基板に特徴のあるもの〔ＳＯＳ，ＳＯＩ等〕
H01L 27/08,311C ゲート［ゲート電極，ゲート絶縁膜］
H01L 27/08,311D 回路構成に特徴のあるもの
H01L 27/08,311Z その他
H01L 27/08,321 ・・・・・ＣＭＯＳ集積回路
H01L 27/08,321A ＣＭＯＳ全体に特徴のあるもの
H01L 27/08,321B ウェル，基板，埋込み層
H01L 27/08,321C チャネル構造
H01L 27/08,321D ゲート［ゲート電極，ゲート絶縁膜］
H01L 27/08,321E ソース・ドレイン形成［ＬＤＤ構造も含む］
H01L 27/08,321F コンタクト，電極，配線
H01L 27/08,321G 積層型ＣＭＯＳ，縦型［垂直チャネル型］ＣＭＯＳ
H01L 27/08,321H ＣＭＯＳに対する保護回路
H01L 27/08,321J マスタースライス，ゲートアレイ
H01L 27/08,321K メモリ，論理回路
H01L 27/08,321L 回路構成に特徴のあるもの
H01L 27/08,321M ・特定用途用，ＣＭＯＳ回路
H01L 27/08,321N 製造工程の簡略化
H01L 27/08,321Z その他のもの
H01L 27/08,331 ・・・・・寄生効果防止（素子分離）
H01L 27/08,331A 絶縁分離
H01L 27/08,331B チャンネルストッパー，ガードリング
H01L 27/08,331C 基板，埋込み層
H01L 27/08,331D ウェル
H01L 27/08,331E ＳＯＳ，ＳＯＩ
H01L 27/08,331F ダイオード，抵抗を用いたもの
H01L 27/08,331G バイアスを与えたもの
H01L 27/08,331Z その他のもの
H01L 27/10 ・・・複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
H01L 27/10,301 ・・・・マトリクス半導体装置
H01L 27/10,311 ・・・・ダイナミックメモリ〔１ＭＯＳトランジスター１キャパシタ型ＤＲＡＭを除く〕
H01L 27/10,321 ・・・・・ＭＯＳメモリ
H01L 27/10,331 ・・・・・バイポーラメモリ
H01L 27/10,341 ・・・・・接合型・ＳＩＴトランジスタメモリ
H01L 27/10,351 ・・・・・ＭＯＳ―他のトランジスタメモリ
H01L 27/10,371 ・・・・スタティックメモリ
H01L 27/10,381 ・・・・・ＭＯＳメモリ
H01L 27/10,391 ・・・・・バイポーラメモリ
H01L 27/10,401 ・・・・・接合型・ＳＩＴトランジスタメモリ
H01L 27/10,421 ・・・・不揮発性メモリ〔識別記号，４３１〜４４８のいずれにも分類できない不揮発生メモリ
H01L 27/10,431 ・・・・・読出し専用メモリ〔例．ヒューズ型又はアンチヒューズ型の，ＲＯＭ〕
H01L 27/10,433 ・・・・・・ＭＯＳメモリ〔メモリセル中の能動素子が全て，ＭＯＳＴｒ．であるもの〕
H01L 27/10,434 ・・・・・・・電気的にプログラム可能な読出し専用メモリ〔ＥＰＲＯＭ（紫外線消去型のものなど）
H01L 27/10,435 ・・・・・・バイポーラメモリ〔ＰＮジャンクションの破壊により書き込むものも含む〕
H01L 27/10,437 ・・・・・・接合型・ＳＩＴトランジスタメモリ
H01L 27/10,441 ・・・・・不揮発性ＲＡＭ
H01L 27/10,444 ・・・・・強誘電体メモリ
H01L 27/10,444A トランジスタのチャネルとゲート電極の間に強誘電体素子を設置するもの（ｅｘ．ＭＦＳ，ＭＦＭＩＳ）
H01L 27/10,444B トランジスタのソース・ドレイン領域に強誘電体素子を接続するもの（ｅｘ．Ｔｒ．＋Ｃａｐ．型）
H01L 27/10,444C 強誘電体薄膜又は強誘電体キャパシタ、だけの記載のもの
H01L 27/10,444Z その他（強誘電体メモリ周りの回路など）
H01L 27/10,447 ・・・・・半導体磁気メモリ（ＭＲＡＭ）
H01L 27/10,448 ・・・・・相変化メモリ（読出し専用メモリを除く）
H01L 27/10,449 ・・・・有機メモリ
H01L 27/10,451 ・・・・他の半導体メモリ
H01L 27/10,461 ・・・・半導体チップ内メモリ
H01L 27/10,471 ・・・・回路配置等の構成
H01L 27/10,481 ・・・・周辺回路
H01L 27/10,491 ・・・・誤動作防止
H01L 27/10,495 ・・・・メモリモジュール
H01L 27/10,601 ・・・・１ＭＯＳトランジスタ―１キャパシタ型ＤＲＡＭ
H01L 27/10,611 ・・・・・キャパシタ構造に特徴のあるもの
H01L 27/10,615 ・・・・・・プレーナ型キャパシタ
H01L 27/10,621 ・・・・・・スタック型キャパシタ
H01L 27/10,621A 横方向にフィンを形成しているもの
H01L 27/10,621B 縦方向の面を利用するもの
H01L 27/10,621C ・ストレージ電極にくぼみ面を有するもの（ｅｘ．クラウン型、ＣＵＰ型キャパシタ）
H01L 27/10,621Z その他のスタック型キャパシタ（単純スタック型及び各種変形を含む）
H01L 27/10,625 ・・・・・・トレンチ型キャパシタ
H01L 27/10,625A 基板をセルプレートとして用いるもの
H01L 27/10,625B 基板をストレージノードとして用いるもの
H01L 27/10,625C トレンチ内にセルプレートとストレージノードを各々独立に設けるもの
H01L 27/10,625Z その他のトレンチ型キャパシタ
H01L 27/10,631 ・・・・・・空乏層容量を利用したキャパシタ
H01L 27/10,651 ・・・・・・キャパシタ絶縁膜（主に材料）に特徴のあるもの
H01L 27/10,661 ・・・・・・その他のキャパシタ
H01L 27/10,671 ・・・・・トランジスタ構造に特徴のあるもの
H01L 27/10,671A 縦型トランジスタ
H01L 27/10,671B ・溝型トランジスタ
H01L 27/10,671C ＳＯＩ上にトランジスタを形成したもの
H01L 27/10,671Z その他のトランジスタ
H01L 27/10,681 ・・・・・その他（レイアウト等）に特徴のあるもの
H01L 27/10,681A ワード線のレイアウト・構造・材料等に特徴のあるもの
H01L 27/10,681B ビット線のレイアウト・構造・材料等に特徴のあるもの
H01L 27/10,681C 接地線・電源線のレイアウト・構造・材料等に特徴のあるもの
H01L 27/10,681D 素子分離構造に特徴のあるもの
H01L 27/10,681E チップ全体又はそれに近いレイアウトプランに特徴のあるもの
H01L 27/10,681F 周辺回路部の構造・レイアウト等に特徴のあるもの
H01L 27/10,681G ・センスアンプに特徴のあるもの
H01L 27/10,681Z その他
H01L 27/10,691 ・・・・・誤動作防止に特徴のあるもの
H01L 27/12 ・・基板が半導体本体以外のもの，例．絶縁体本体［２］
H01L 27/12, A アクティブマトリックス
H01L 27/12, B 接着型ＳＯＩ
H01L 27/12, C 接続・配線
H01L 27/12, D 単結晶絶縁膜
H01L 27/12, E エピタキシャル型・インプラ絶縁膜形成
H01L 27/12, F 素子分離・領域分離
H01L 27/12, G 半絶縁型（ＧａＡｓなど）
H01L 27/12, H 多結晶支持体
H01L 27/12, K 保護回路
H01L 27/12, L 配置；レイアウト
H01L 27/12, P 多結晶能動層・アモルファス層
H01L 27/12, Q 超格子・他
H01L 27/12, R 再結晶
H01L 27/12, S ＳＯＳ，サファイア基板
H01L 27/12, T テスト・検査
H01L 27/12, Z その他のもの
H01L 27/13 ・・・薄膜または厚膜受動構成部品と組合せたもの［３］
H01L 27/14 ・赤外線，可視光，短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で，これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換したりこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するのに適用されるもの（構造的に１つまたはそれ以上の電気光源のみに関連する輻射線感応構成部品３１／１４；光電気素子と光ガイドとの結合Ｇ０２Ｂ６／４２）［２］
H01L 27/14, A プレナ固体撮像素子〔ＭＯＳ型，ＦＥＴ型，ＳＩＴ型，ＣＰＤ型等〕〔下位分類に含まれないもの：主として、ＸＹアドレスにより情報を読み出すもの〕
H01L 27/14, G ・ＣＩＤ型〔電荷注入デバイス〕
H01L 27/14, F ・ハイブリッド固体撮像素子
H01L 27/14, E ・・光導電層積層型
H01L 27/14, B ・ＣＣＤ型〔ＦＴ方式，ＩＬ方式，ＬＡ方式，ＣＳ方式，クロスゲート方式，一次元用等〕
H01L 27/14, H ・・ＴＤＩ型〔時間遅延積分型〕
H01L 27/14, C 薄膜固体撮像素子
H01L 27/14, D パッケージ，フィルタ，チップ，表面層
H01L 27/14, K 特殊用途用固体撮像素子，特定用途用受光素子
H01L 27/14, J ・光通信用受光素子
H01L 27/14, Z その他のもの〔試験，測定，評価等〕
H01L 27/15 ・少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有し光放出に適用される半導体構成部品を含むもの［２］
H01L 27/15, A 他の素子との集積に特徴
H01L 27/15, B ・駆動回路素子（含変調素子）を集積
H01L 27/15, C ・出力光導波手段（光導波路、光スイッチング素子等）を集積
H01L 27/15, D ・受光素子を集積
H01L 27/15, T ３次元光集積回路
H01L 27/15, S 光信号回路
H01L 27/15, H ハイブリッド装置、実装
H01L 27/15, Z その他のもの
H01L 27/16 ・異種材料の接合を有する熱電構成部品またはそれを有しない熱電構成部品を含むもの；熱磁気構成部品を含むもの（ペルチェ効果を半導体または他の固体装置の冷却のみに利用するもの２３／３８）［２］
H01L 27/18 ・超電導を示す構成部品を含むもの
H01L 27/20 ・圧電構成部品を含むもの；電歪構成部品を含むもの；磁歪構成部品を含むもの；電気―機械トランスデューサとして適用される半導体構成部品を含むもの（電気通信に適用される電気―機械変換器Ｈ０４Ｒ）［２］
H01L 27/22 ・電流磁気効果，例．ホール効果，を利用した構成部品を含むもの；同様な磁界効果を利用するもの
H01L 27/24 ・整流，増幅，スイッチングをする固体構成部品で，電位障壁または表面障壁を有しないものを含む。
H01L 27/26 ・バルク負性抵抗効果構成部品を含むもの

H01L 29/00 整流，増幅，発振またはスイッチングに適用される半導体装置，または少なくとも１つの電位障壁または表面障壁，例．ＰＮ接合空乏層またはキャリア集中層，を有するコンデンサーまたは抵抗器；半導体本体または電極の細部（３１／００〜４７／００が優先；それらの装置またはその部品の製造または処理に適用される方法または装置２１／００；半導体本体または電極以外の細部２３／００；１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置２７／００；抵抗一般Ｈ０１Ｃ；コンデンサー一般Ｈ０１Ｇ）［２］
　　＜注＞このメイングループにおいて，グループ２９／０２から２９／５１およびグループ２９／６６から２９／９６の各組の各々に関係する場合，各組のいずれにも分類する。［２］
H01L 29/02 ・半導体本体に特徴のあるもの
H01L 29/04 ・・半導体本体の結晶構造，例．多結晶，立方晶系，特定な結晶面の方向，に特徴のあるもの（不完全結晶２９／３０）［２］
H01L 29/06 ・・半導体本体の形状に特徴のあるもの；半導体領域の形，相対的な大きさまたは配列に特徴のあるもの［２］
H01L 29/06,301 ・・・耐圧構造（Ｈ１３．５新設）
H01L 29/06,301M 傾斜面［メサ，ベベル］，溝を形成するもの（Ｈ１３．５新設）
H01L 29/06,301F フィールドプレートを用いるもの（Ｈ１３．５新設）
H01L 29/06,301S 半絶縁性膜，高抵抗膜を用いるもの（Ｈ１３．５新設）
H01L 29/06,301D 半導体領域に特徴のあるもの［不純物濃度，形状，寸法，配置など；Ｒが優先］（Ｈ１３．５新設）
H01L 29/06,301G ・ガードリング，電界制限リングを用いるもの（Ｈ１３．５新設）
H01L 29/06,301R 曲率［断面，平面］を制御するもの（Ｈ１３．５新設）
H01L 29/06,301V 縦型素子用のもの（Ｈ１３．５新設）
H01L 29/06,301Z その他のもの（Ｈ１３．５新設）
H01L 29/06,601 ・・・特殊構造（Ｈ１３．５新設）
H01L 29/06,601Q 量子構造（Ｈ１３．５新設）
H01L 29/06,601W ・量子井戸（Ｈ１３．５新設）
H01L 29/06,601L ・量子細線（Ｈ１３．５新設）
H01L 29/06,601D ・量子ドット，量子島（Ｈ１３．５新設）
H01L 29/06,601S 超格子構造（Ｈ１３．５新設）
H01L 29/06,601N ナノ構造体［原子，分子レベルの操作によるもの］（Ｈ１３．５新設）
H01L 29/06,601B 立体型素子［例．球状半導体］（Ｈ１３．５新設）
H01L 29/06,601Z その他のもの（Ｈ１３．５新設）
H01L 29/08 ・・・整流，増幅，またはスイッチされる電流を流す電極が接続されている半導体領域をもつものであって，その電極が３つ以上の電極を持つ半導体装置の部分であるもの［２］
H01L 29/10 ・・・整流，増幅，またはスイッチされる電流を流さない電極が接続されている半導体領域をもつものであって，その電極が３つ以上の電極を持つ半導体装置の部分であるもの［２］
H01L 29/12 ・・構成材料に特徴のあるもの
H01L 29/14 ・・・無機材料
H01L 29/16 ・・・・ドーピング材料または他の不純物は別にして，非結合型周期律表の第ＩＶ族元素のみを含むもの［２］
H01L 29/161 ・・・・・２９／１６に分類されている元素のうち２つ以上を含むもの
H01L 29/163 ・・・・・・同じ半導体領域にあるもの
H01L 29/165 ・・・・・・異った半導体領域にあるもの
H01L 29/167 ・・・・・さらにドーピング材料にも特徴のあるもの［２］
H01L 29/18 ・・・・ドーピング材料または他の不純物は別にしてＳｅまたはＴｅのみを含むもの［２］
H01L 29/20 ・・・・ドーピング材料または他の不純物は別にして，Ａ↓ＩＩＩＢ↓Ｖ化合物のみを含むもの［２］
H01L 29/201 ・・・・・２つ以上の化合物を含むもの
H01L 29/203 ・・・・・・同じ半導体領域にあるもの
H01L 29/205 ・・・・・・異った半導体領域にあるもの
H01L 29/207 ・・・・・さらにドーピング材料にも特徴のあるもの［２］
H01L 29/22 ・・・・ドーピング材料または他の不純物は別にして，Ａ↓ＩＩＢ↓ＶＩ化合物のみを含むもの［２］
H01L 29/221 ・・・・・２つ以上の化合物を含むもの
H01L 29/223 ・・・・・・同じ半導体領域にあるもの
H01L 29/225 ・・・・・・異った半導体領域にあるもの
H01L 29/227 ・・・・・さらにドーピング材料にも特徴のあるもの［２］
H01L 29/24 ・・・・ドーピング材料または他の不純物は別にして，２９／１６，２９／１８，２９／２０，２９／２２に分類されない半導体材料のみを含むもの［２］
H01L 29/26 ・・・・ドーピング材料または他の不純物は別にして，２９／１６，２９／１８，２９／２０，２９／２２，２９／２４のグループの２つ以上に分類されている元素を含むもの［２］
H01L 29/263 ・・・・・同じ半導体領域にあるもの
H01L 29/267 ・・・・・異った半導体領域にあるもの
H01L 29/28 ・・・有機材料
H01L 29/28,100 ・・・・デバイスの型
H01L 29/28,100A 整流，増幅，発振，またはスイッチング
H01L 29/28,100B ・双安定
H01L 29/28,100Z その他
H01L 29/28,200 ・・・・材料の選択に特徴
H01L 29/28,210 ・・・・・能動部分，導電部分
H01L 29/28,220 ・・・・・・状態［２５０より優先］
H01L 29/28,220A ドーパント，複合材料に特徴
H01L 29/28,220B ・電荷移動錯体
H01L 29/28,220C 単一分子
H01L 29/28,220D 単分子膜
H01L 29/28,220Z その他
H01L 29/28,250 ・・・・・・種類［２２０が優先］
H01L 29/28,250E フラーレン
H01L 29/28,250F 配位化合物
H01L 29/28,250G ポリマー，オリゴマー，デンドリマー
H01L 29/28,250H 低分子
H01L 29/28,250Z その他
H01L 29/28,280 ・・・・・その他の部分
H01L 29/28,300 ・・・・製造方法，製造装置に特徴
H01L 29/28,310 ・・・・・能動部分の形成
H01L 29/28,310A ドーパント，複合材料用
H01L 29/28,310C 単一分子用
H01L 29/28,310D 単分子膜用
H01L 29/28,310E フラーレン用
H01L 29/28,310J 上記Ａ〜Ｅ以外の材料用
H01L 29/28,310K ・形状の変換
H01L 29/28,310L ・改質
H01L 29/28,310Z その他
H01L 29/28,370 ・・・・・導電部分の形成
H01L 29/28,390 ・・・・・その他
H01L 29/28,400 ・・・・細部
H01L 29/28,500 ・・・・集積化，集積回路に特徴［１００〜４００より優先］
H01L 29/28,600 ・・・・その他
H01L 29/30 ・・物理的不完全性に特徴のあるもの；研磨された表面又はあらされた表面を持つもの
H01L 29/32 ・・・不完全性が半導体本体の内部にあるもの
H01L 29/34 ・・・不完全性が表面にあるもの
H01L 29/36 ・・不純物の濃度又は分布に特徴のあるもの
H01L 29/38 ・・２９／０４，２９／０６，２９／１２，２９／３０，２９／３６のグループのうち２つ以上に分類されている特徴の結合に特徴のあるもの
H01L 29/40 ・その電極に特徴のあるもの
H01L 29/42 ・・整流，増幅，又はスイッチされる電流を流す電極で，その電極は，１つまたは２つの電極を持つ１つの半導体装置の部分であるもの
H01L 29/44 ・・・それらの形，大きさまたは配置に特徴のあるもの
H01L 29/44, L 電極の配置
H01L 29/44, P 電極の平面形状
H01L 29/44, S 電極の断面形状
H01L 29/44, Y 電極の特殊機能，例．フィールドプレート
H01L 29/44, Z その他のもの
H01L 29/46 ・・・構成材料に特徴のあるもの
H01L 29/48 ・・・表面障壁，例．ショットキー障壁用［２］
H01L 29/48, F 素子構造
H01L 29/48, P 素子の製造方法
H01L 29/48, M ショットキー用電極の材料が限定されているもの
H01L 29/48, E 周辺効果の緩和
H01L 29/48, D 半導体本体がシリコン以外のもの
H01L 29/48, Z その他のもの
H01L 29/50 ・・整流，増幅又はスイッチされる電流を流す電極で，その電極は３つ以上の電極を持つ１つの半導体装置の部分であるもの
H01L 29/50, B バイポーラトランジスタ用のもの
H01L 29/50, M ＭＩＳ・ＭＯＳトランジスタ用のもの
H01L 29/50, J 接合型・ＭＥＳ型用のもの
H01L 29/50, Z その他のもの
H01L 29/52 ・・・それらの形，大きさまたは配置に特徴のあるもの
H01L 29/54 ・・・構成材料に特徴のあるもの
H01L 29/56 ・・・表面障壁，例．ショットキー障壁用［２］
H01L 29/58 ・・整流，増幅またはスイッチされる電流を流す電極ではなく，その電極は３つ以上の電極を持つ１つの半導体装置の部分であるもの
H01L 29/58, G ＭＩＳ・ＭＯＳゲート用のもの
H01L 29/58, Z その他のもの
H01L 29/60 ・・・それらの形，大きさまたは配置に特徴のあるもの
H01L 29/62 ・・・構成材料に特徴のあるもの
H01L 29/64 ・・・表面障壁，例．ショットキー障壁用［２］
H01L 29/66 ・それらの動作に特徴のあるもの
H01L 29/66, S 単一電子トンネリング［クーロン・ブロッケード効果］を利用するもの（Ｈ１３．５新設）
H01L 29/66, U ・集積化，回路構成に特徴のあるもの（Ｈ１３．５新設）
H01L 29/66, T トンネル効果を利用するもの［Ｓを除く］（Ｈ１３．５新設）
H01L 29/66, E 電子放出素子，電界放出素子［冷陰極］（Ｈ１３．５新設）
H01L 29/66, C 制御手段に特徴のあるもの（Ｈ１３．５新設）
H01L 29/66, L ・光を用いるもの（Ｈ１３．５新設）
H01L 29/66, M ・磁界を用いるもの（Ｈ１３．５新設）
H01L 29/66, Z その他のもの（Ｈ１３．５新設）
H01L 29/68 ・・整流，増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流または電位を与えるだけで制御できるもの［２］
H01L 29/70 ・・・バイポーラ装置
H01L 29/72 ・・・・連続的に制御可能なもの
H01L 29/72, S セルフアライン型バイポーラトランジスタ［ＳＳＴ，ＳＥＢＴ等］（Ｈ１３．５新設）
H01L 29/72, P プレーナー型バイポーラトランジスタ［縦型］（Ｈ１３．５新設）
H01L 29/72, H ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ（Ｈ１３．５新設）
H01L 29/72, Z その他のもの（Ｈ１３．５新設）
H01L 29/74 ・・・・連続的に制御可能でないもの，例．サイリスタ
H01L 29/74, A エミッタ短絡構造
H01L 29/74, B 表面構造〔パッシベーション，ガードリング，溝等〕
H01L 29/74, V ・傾斜面〔ベベル〕を有するもの（Ｈ１１　新設）
H01L 29/74, W ・平面パターン〔多島状エミッタ，くしの歯状電極等〕（Ｈ１１　新設）
H01L 29/74, C ＧＴＯ・Ｔｏｆｆ短縮
H01L 29/74, D Ｔｏｎ特性・ゲート構造
H01L 29/74, X ・トレンチゲート，切込ゲート（Ｈ１１　新設）
H01L 29/74, Y ・両面ゲート（Ｈ１１　新設）
H01L 29/74, E 感光・発光サイリスタ
H01L 29/74, F ＰＮＰＮ一般
H01L 29/74, G プレーナ・ＩＣ化
H01L 29/74, H 逆導通サイリスタ
H01L 29/74, J サイリスタ電極構造
H01L 29/74, L 支持体
H01L 29/74, M 静電誘導サイリスタ
H01L 29/74, P 外部素子
H01L 29/74, Q サイリスタの製造方法〔多段階工程を除く〕
H01L 29/74, R 感熱サイリスタ
H01L 29/74, S 感圧サイリスタ
H01L 29/74, T 感磁サイリスタ
H01L 29/74, U サイリスタ一般
H01L 29/74, Z その他のもの
H01L 29/74,301 ・・・・・サイリスタの製造のための多段階工程
H01L 29/74,601 ・・・・・ＦＥＴ〔Ｆｉｅｌｄ　Ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ〕を用いたもの〔例．ＭＣＴ：ＭＯＳ　Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ〕（Ｈ１１　新設）
H01L 29/74,601A ＭＯＳＦＥＴを用いたもの〔例．ＭＣＴ：ＭＯＳ　Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ〕（Ｈ１１　新設）
H01L 29/74,601B 導電度変調〔ＩＧＢＴモード〕を用いたもの〔例．ＥＳＴ：Ｅｍｉｔｔｅｒ　Ｓｗｉｔｃｈｅｄ　Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ〕（Ｈ１１　新設）
H01L 29/74,601C 導電型の異なる複数ＦＥＴを用いたもの〔例．ＢＲＴ：Ｂａｓｅ　Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ　Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ〕（Ｈ１１　新設）
H01L 29/74,601Z その他のもの（Ｈ１１　新設）
H01L 29/743 ・・・・・逆阻止サイリスタ
H01L 29/747 ・・・・・双方向サイリスタ
H01L 29/747,301 ・・・・・・双方向サイリスタの製造のための多段階工程
H01L 29/76 ・・・ユニポーラ装置
H01L 29/76,301 ・・・・電荷転送装置
H01L 29/76,301D 構造
H01L 29/76,301A ・転送部
H01L 29/76,301B ・・駆動回路
H01L 29/76,301C ・入力部，出力部，再成部〔駆動を含む〕
H01L 29/76,301E 応用素子〔Ｆ〜Ｊに含まれないもの〕
H01L 29/76,301F ・シフトレジスタ，遅延線
H01L 29/76,301G ・記憶装置
H01L 29/76,301H ・フィルタ
H01L 29/76,301J ・撮像素子
H01L 29/76,301K 超音波駆動によるもの
H01L 29/76,301L バケット・ブリゲート素子
H01L 29/76,301Z その他のもの
H01L 29/78 ・・・・絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
H01L 29/78,301 ・・・・・絶縁ゲート型電界効果トランジスタ，例．ＭＯＳＦＥＴ
H01L 29/78,301B 化合物半導体を用いるもの
H01L 29/78,301C ＭＯＳＩＣに用いられるもの
H01L 29/78,301D ＤＳＡ・ＭＯＳ
H01L 29/78,301E 回路構成のみに特徴があるもの
H01L 29/78,301F 単一のプロセスのみに特徴があるもの
H01L 29/78,301G ゲート電極構造のみに特徴があるもの
H01L 29/78,301H チャネル構造のみに特徴があるもの
H01L 29/78,301J とくに動作に特徴があるもの
H01L 29/78,301K 保護装置
H01L 29/78,301L ＬＤＤ
H01L 29/78,301M メモリーに用いられるもの，例．１Ｔｒ．ｄＲＡＭセル
H01L 29/78,301N パッシベーション構造のみに特徴があるもの
H01L 29/78,301P ＭＯＳプロセス〔ソース・ドレイン領域形成、セルファラインおよび電極形成のうちのいずれか一つのみに特徴があるもの〕
H01L 29/78,301Q 結晶方位の選択のみに特徴があるもの
H01L 29/78,301R 分離領域のみに特徴があるもの
H01L 29/78,301S ソース・ドレイン領域のみに特徴があるもの
H01L 29/78,301T 試験・測定
H01L 29/78,301U ＩＳ・ＦＥＴ
H01L 29/78,301V 溝ほりゲートを持つもの
H01L 29/78,301W パワー，ＭＯＳ〔並列化〕
H01L 29/78,301X その他の，ＭＯＳ構造
H01L 29/78,301Y その他の，ＭＯＳプロセス
H01L 29/78,301Z その他〔構造およびプロセスの双方に特徴があるもの〕
H01L 29/78,371 ・・・・・・半導体不揮発性記憶装置
H01L 29/78,611 ・・・・・・薄膜トランジスタ
H01L 29/78,612 ・・・・・・・アクティブ・マトリックスに用いられるもの〔ＴＦＴ単体に特徴があるものを除く〕
H01L 29/78,612A 素子または配線の欠陥の防止・修正
H01L 29/78,612B 周辺回路と一体に形成されたもの
H01L 29/78,612C 配線に特徴があるもの
H01L 29/78,612D パターニングに特徴があるもの
H01L 29/78,612Z その他のもの
H01L 29/78,613 ・・・・・・・ＭＯＳＩＣに用いられるもの
H01L 29/78,613A ＣＭＯＳ
H01L 29/78,613B メモリ
H01L 29/78,613Z その他のもの
H01L 29/78,614 ・・・・・・・回路構成に特徴があるもの，例．アクティブ・マトリックス回路自体
H01L 29/78,615 ・・・・・・・ＳＯＳ
H01L 29/78,616 ・・・・・・・ソース・ドレインに特徴があるもの
H01L 29/78,616A ＬＤＤ〔構造・製法に特徴があるもの〕
H01L 29/78,616J ソース・ドレインの形成方法に特徴があるもの
H01L 29/78,616K ・ソース・ドレイン電極の形成方法に特徴があるもの
H01L 29/78,616L ・ソース・ドレイン領域の形成方法に特徴があるもの
H01L 29/78,616M ・・セルフアライン
H01L 29/78,616N ・・・裏面からの露光によるもの
H01L 29/78,616S ソース・ドレイン領域、電極の構造に特徴があるもの
H01L 29/78,616T ・形状に特徴があるもの
H01L 29/78,616U ・複数層
H01L 29/78,616V ・材料・不純物濃度等に特徴があるもの
H01L 29/78,616Z その他のもの
H01L 29/78,617 ・・・・・・・ゲートに特徴があるもの
H01L 29/78,617A オフセットゲート〔構造・製法に特徴があるもの〕
H01L 29/78,617J ゲート電極に特徴があるもの
H01L 29/78,617K ・形状に特徴があるもの
H01L 29/78,617L ・複数層
H01L 29/78,617M ・材料・不純物濃度等に特徴があるもの
H01L 29/78,617N ・ゲート電極を複数有するもの
H01L 29/78,617S ゲート絶縁膜に特徴があるもの
H01L 29/78,617T ・材料に特徴があるもの
H01L 29/78,617U ・複数層
H01L 29/78,617V ・形成方法に特徴があるもの
H01L 29/78,617W ・・陽極酸化法を用いるもの
H01L 29/78,617Z その他のもの
H01L 29/78,618 ・・・・・・・チャネル半導体層に特徴があるもの
H01L 29/78,618A 堆積方法に特徴があるもの
H01L 29/78,618B 材料に特徴があるもの
H01L 29/78,618C 形状に特徴があるもの
H01L 29/78,618D ・薄膜化
H01L 29/78,618E 複数層
H01L 29/78,618F 不純物・不純物濃度等に特徴があるもの
H01L 29/78,618G ・キャリアにならない不純物を含むもの
H01L 29/78,618Z その他のもの
H01L 29/78,619 ・・・・・・・パッシベーションに特徴があるもの
H01L 29/78,619A 絶縁膜（構造・製法・材料等）に特徴があるもの
H01L 29/78,619B 遮光膜（構造・製法・材料等）に特徴があるもの
H01L 29/78,619Z その他のもの
H01L 29/78,620 ・・・・・・・結晶方位の選択に特徴があるもの
H01L 29/78,621 ・・・・・・・分離領域に特徴があるもの
H01L 29/78,622 ・・・・・・・特に動作に特徴があるもの
H01L 29/78,623 ・・・・・・・保護（装置・回路）
H01L 29/78,623A 静電破壊防止，例．イオン注入時・ラビリング時
H01L 29/78,623Z その他のもの
H01L 29/78,624 ・・・・・・・試験・測定、シミュレーション
H01L 29/78,625 ・・・・・・・ＩＳＦＥＴ
H01L 29/78,626 ・・・・・・・その他の構造
H01L 29/78,626A 縦型構造
H01L 29/78,626B キンク防止
H01L 29/78,626C 基板（表面層を含む）に特徴があるもの
H01L 29/78,626Z その他のもの
H01L 29/78,627 ・・・・・・・その他のプロセス
H01L 29/78,627A 平坦化
H01L 29/78,627B 連続形成
H01L 29/78,627C パターニングに特徴があるもの
H01L 29/78,627D 貼り合わせ
H01L 29/78,627E ダングリングボンドの終端化を行うもの，例．水素化
H01L 29/78,627F アニール
H01L 29/78,627G ・再結晶化・単結晶化
H01L 29/78,627Z その他のもの
H01L 29/78,651 ・・・・・・縦型トランジスタ
H01L 29/78,652 ・・・・・・・おもに構造に特徴があるもの
H01L 29/78,652A トランジスタセルに特徴があるもの
H01L 29/78,652B ・ソース領域
H01L 29/78,652C ・ベース領域［ボディ領域］
H01L 29/78,652D ・・高濃度［低抵抗］部
H01L 29/78,652E ・・チャンネル部
H01L 29/78,652F ・セルを構成する不純物領域等の平面形状・配置パターンに特徴があるもの
H01L 29/78,652G ドレイン領域に特徴があるもの
H01L 29/78,652H ・高抵抗ドリフト層［例．超接合型］
H01L 29/78,652J ・・表面に不純物領域・不純物層を形成したもの
H01L 29/78,652K ＭＯＳゲート［電極・絶縁膜・シールド構造を含む］に特徴があるもの
H01L 29/78,652L 電極に特徴があるもの
H01L 29/78,652M ・ソース電極
H01L 29/78,652N チップの周辺部あるいはチップ全体に特徴があるもの
H01L 29/78,652P ・ガードリング・フィールドプレート
H01L 29/78,652Q ・フィンガー・ボンディングパッド・実装関連
H01L 29/78,652R ・分離領域
H01L 29/78,652S ・複数のトランジスタセルの平面形状・配置パターンに特徴があるもの
H01L 29/78,652T 基板等の構成材料等に特徴があるもの［例．化合物半導体を用いたもの，面方位に特徴があるもの］
H01L 29/78,652Z その他
H01L 29/78,653 ・・・・・・・・ゲートがプレーナ型でないもの
H01L 29/78,653A ゲートを溝の内部に形成したもの［例．Ｖ溝（ＶＭＯＳ）形，トレンチゲート（ＵＭＯＳ）形］
H01L 29/78,653B ・チャンネル層・ソース［ドレイン］層を溝の内部に形成したもの（２９／７８，３０１Ｖも参照）
H01L 29/78,653C ゲートを埋め込み形成したもの
H01L 29/78,653D ＳＯＩ・ＳＩＭＯＸ技術を利用したもの
H01L 29/78,653Z その他
H01L 29/78,654 ・・・・・・・・動作に特徴があるもの
H01L 29/78,654A ベース領域にバイアスを印加するもの
H01L 29/78,654B 少数キャリア注入領域をもつもの
H01L 29/78,654C ＭＯＳ型ＳＩＴ
H01L 29/78,654Z その他
H01L 29/78,655 ・・・・・・・・・絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）
H01L 29/78,655A トランジスタセル等に特徴があるもの
H01L 29/78,655B バッファ層に特徴があるもの
H01L 29/78,655C アノード領域に特徴があるもの
H01L 29/78,655D ・アノード短絡型
H01L 29/78,655E キャリアの引き抜きのための領域を追加したもの
H01L 29/78,655F チップの周辺部あるいはチップ全体に特徴があるもの
H01L 29/78,655G ・複数のトランジスタセルの平面形状・配置パターンに特徴があるもの
H01L 29/78,655Z その他
H01L 29/78,656 ・・・・・・・他のトランジスタまたは他種のパワー素子と組み合わせたもの
H01L 29/78,656A 縦型トランジスタとの組み合わせ［例．Ｈブリッジ］
H01L 29/78,656B 横型トランジスタとの組み合わせ
H01L 29/78,656C ・ＭＯＳ集積回路との組み合わせ［例．パワーＩＣ］（ＭＯＳＩＣ２７／０８）
H01L 29/78,656D ・・おもに構造に特徴があるもの
H01L 29/78,656E ・・・パワー部と制御部の分離領域
H01L 29/78,656F ・・・パワー部と制御部の配置パターン
H01L 29/78,656G ・・おもに製造方法に特徴があるもの
H01L 29/78,656Z その他
H01L 29/78,657 ・・・・・・・保護素子または回路を組み込んだもの
H01L 29/78,657A ダイオード
H01L 29/78,657B ・ゲート保護ダイオード
H01L 29/78,657C ・・ＳＯＩ構造のもの
H01L 29/78,657D ・還流ダイオード［トランジスタセルから独立した領域をもつもの］
H01L 29/78,657E トランジスタ
H01L 29/78,657F ・動作状態検出のためのトランジスタセル
H01L 29/78,657G 回路構成に特徴があるもの
H01L 29/78,657Z その他
H01L 29/78,658 ・・・・・・・製造方法に特徴があるもの
H01L 29/78,658A 不純物領域の形成工程
H01L 29/78,658B ・セルフアライン拡散
H01L 29/78,658C ・・ベースウエル中央部の位置の制御
H01L 29/78,658D ・・ゲート電極端部の位置の制御［例．側壁酸化］
H01L 29/78,658E 不純物層の成長工程
H01L 29/78,658F 絶縁層・導電層の形成工程
H01L 29/78,658G エッチング
H01L 29/78,658H ライフタイム制御
H01L 29/78,658J パッシベーション
H01L 29/78,658K ウエハの貼り合わせ
H01L 29/78,658L 検査・測定・シミュレーション技術
H01L 29/78,658Z その他
H01L 29/80 ・・・・ＰＮ接合ゲートまたは他の整流接合ゲートによって生じる電界効果を有するもの
H01L 29/80, A 素子の種類
H01L 29/80, B ・ＭＥＳ型ＦＥＴ
H01L 29/80, F ・・電極形成に特徴を有するもの
H01L 29/80, K ・・・斜め蒸着の利用
H01L 29/80, L ・・・電極平面構造
H01L 29/80, M ・・・ゲート電極材料
H01L 29/80, U ・・・裏面電極取出し
H01L 29/80, Q ・・表面高抵抗層を有するもの
H01L 29/80, R ・・整合回路・帰還回路等を一体化したもの
H01L 29/80, G ・・実装
H01L 29/80, E ・・集積化
H01L 29/80, H ・・変調ドープしたヘテロ接合を利用するもの〔ＨＥＭＴ〕
H01L 29/80, C ・ＰＮ接合ゲート型ＦＥＴ
H01L 29/80, S ・横型ＳＩＴ
H01L 29/80, V ・縦型ＦＥＴ
H01L 29/80, W Ｄｕａｌ　Ｇａｔｅ構造を有するもの
H01L 29/80, P 保護機能を有するもの
H01L 29/80, Z その他のもの
H01L 29/82 ・・装置に印加される磁界の変化のみによって制御可能なもの
H01L 29/82, D ＳＭＤ
H01L 29/82, T ＳＭＴ
H01L 29/82, Z その他のもの
H01L 29/84 ・・外からの機械的力，例．圧力，の変化のみによって制御可能なもの
H01L 29/84, A 機械的力―電気変換
H01L 29/84, B ・シリコンダイアフラム
H01L 29/84, C ・感圧ＦＥＴ
H01L 29/84, D ・感圧ダイオード
H01L 29/84, E ・くびれ型　感圧サイリスタ
H01L 29/84, F ・感圧トランジスタ
H01L 29/84, G ・加圧機構
H01L 29/84, H ・ＳｎＯ↓２：深い準位を有するもの
H01L 29/84, J ・超音波変換
H01L 29/84, Z その他のもの
H01L 29/86 ・・非制御型；整流，増幅，発振またはスイッチされる電流を流す１つ以上の電極に電流または電圧の変化のみを与えることにより制御可能なもの
H01L 29/86, A 非単結晶を用いているもの
H01L 29/86, F 絶縁層を用いているもの
H01L 29/86, S 超格子構造を用いているもの
H01L 29/86, Z その他のもの
H01L 29/88 ・・・トンネル効果ダイオード［２］
H01L 29/88, F 絶縁層を用いているもの
H01L 29/88, S 超格子構造を用いているもの
H01L 29/88, Z その他のもの
H01L 29/90 ・・・ブレークダウンダイオード，例．ツェナーダイオード，アバランシェダイオード
H01L 29/90, D ツェナーダイオード
H01L 29/90, S ・双方向性のもの
H01L 29/90, C ・温度補償をしたもの
H01L 29/90, P パンチスルー型定電圧ダイオード
H01L 29/90, T 走行時間効果素子
H01L 29/90, Z その他のもの
H01L 29/91 ・・・整流ダイオード
H01L 29/91, A 製造工程に特徴のあるもの
H01L 29/91, B ・高耐圧化のためのもの
H01L 29/91, C 構造に特徴のあるもの
H01L 29/91, D ・高耐圧化のためのもの
H01L 29/91, E 半導体本体が非単結晶シリコンからなるもの
H01L 29/91, F 半導体本体がシリコン以外のもの
H01L 29/91, G ・半導体本体が有機物からなるもの
H01L 29/91, H ヘテロ接合を用いたもの
H01L 29/91, J ライフタイムキラーに関するもの
H01L 29/91, K 複数ダイオードの組合せに関するもの
H01L 29/91, L 集積化に関するもの
H01L 29/91, Z その他のもの
H01L 29/92 ・・・電位障壁または表面障壁を有するコンデンサー
H01L 29/92, C 複合形コンデンサー
H01L 29/92, Z その他のもの
H01L 29/93 ・・・・可変容量ダイオード，例．バラクタ
H01L 29/93, H 超階段接合を利用したもの
H01L 29/93, S ショットキーバリアを利用したもの
H01L 29/93, C 容量制御に他の電気的手段を付加したもの
H01L 29/93, Z その他のもの
H01L 29/94 ・・・・金属―絶縁体―半導体，例．ＭＯＳ［２］
H01L 29/94, C 容量制御に他の電気的手段を付加したもの
H01L 29/94, Z その他のもの
H01L 29/95 ・・・・セラミック障壁層コンデンサー（セラミックコンデンサー一般Ｈ０１Ｇ）
H01L 29/96 ・・２９／６８，２９／８２，２９／８４，２９／８６のグループのうち少なくとも２つのグループに分類される方法によって制御可能なもの［２］

H01L 31/00 赤外線，可視光，短波長電磁波または粒子線輻射に感応する半導体装置で，これらの輻射線のエネルギーを電気エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気エネルギーを制御するかのどちらかに応用されるもの；それらの装置またはその部品の製造または処理に特有な方法または装置；それらの装置の細部（１つ以上の電気光源を有する輻射線感応部品の組合せ以外で，１つの共通基板内または基板上に形成された複数の固体構成部品から成る装置２７／００；エネルギー収集装置の屋根をおゝう態様Ｅ０４Ｄ１３／１８；太陽熱を用いる熱の生成Ｆ２４Ｊ２／００；半導体検出器によるＸ線，ガンマ線，粒子線または宇宙線の測定Ｇ０１Ｔ１／２４，抵抗値検出器によるものＧ０１Ｔ１／２６，半導体検出器による中性子線の測定Ｇ０１Ｔ３／０８，光学−電気素子によるライトガイドの結合Ｇ０２Ｂ６／４２，放射線源からのエネルギーの取得Ｇ２１Ｈ）
H01L 31/00, A 放射線・粒子線検出半導体装置
H01L 31/00, B 他の光電変換装置
H01L 31/00, Z その他
H01L 31/02 ・細部
H01L 31/02, A 光電変換装置，共通事項
H01L 31/02, B 光電変換装置，容器，封止，取付
H01L 31/02, C 光電変換装置，光ファイバーとの結合
H01L 31/02, D 光電変換装置，光学素子との結合
H01L 31/02, E 冷却型光電変換装置
H01L 31/02, Z その他
H01L 31/04 ・変換装置として使用されるもの
H01L 31/04, A 単・多結晶光起電力装置〔ＩＶ族（Ｓｉ，Ｇｅ）が多い。〕
H01L 31/04, H ・単・多結晶光起電力装置の電極，基板
H01L 31/04, L ・単・多結晶光起電力装置の接合構造〔ショットキ，ＭＩＳ　　など〕
H01L 31/04, C ・集積型単・多結晶光起電力装置〔モジュールはここに分類〕
H01L 31/04, Y ・積層型単・多結晶光起電力装置〔タンデム型はここに分類。〕
H01L 31/04, B アモルファス太陽電池
H01L 31/04, M ・アモルファス太陽電池の電極・基板
H01L 31/04, N ・アモルファス太陽電池の接合構造〔ショットキ，ＭＩＳ　　など〕
H01L 31/04, S ・集積型アモルファス太陽電池〔モジュールはここに分類。〕
H01L 31/04, W ・積層型アモルファス太陽電池〔タンデム型はここに分類〕
H01L 31/04, X 単・多結晶膜（Ｓｉ，Ｇｅ）の製法
H01L 31/04, V アモルファス膜（Ｓｉ，Ｇｅ）の製法
H01L 31/04, T ・膜の連続処理装置〔ほとんどがアモルファスだが、もしあれば単・多結晶のものもこれを付与〕
H01L 31/04, D 有機半導体光起電力装置
H01L 31/04, E 化合物半導体光起電力装置
H01L 31/04, F 反射防止膜・表面保護膜・裏面反射膜
H01L 31/04, G レンズ・反射鏡・フィルター
H01L 31/04, K 太陽電池電源回路・試験装置
H01L 31/04, P 太陽電池時計
H01L 31/04, Q 太陽電池の応用
H01L 31/04, R 太陽電池による発電装置・パドル
H01L 31/04, Z その他〔電解質利用太陽電池，ｅｔｃ〕
H01L 31/06 ・・少くとも１つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
H01L 31/08 ・輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの，例．光―抵抗器（フォト―レジスター）
H01L 31/08, F 光導電材料〔Ｓｉ，　　Ｇｅ〕
H01L 31/08, G ・光導電材料の製法〔Ｓｉ，　　Ｇｅ〕
H01L 31/08, H ・光導電装置〔Ｓｉ，　　ＧｅでＰＮ接合のないもの〕〔アモルファスＳｉを用いた光導電装置〕
H01L 31/08, J ・光導電材料の製造装置〔Ｓｉ，　　Ｇｅ〕
H01L 31/08, K 化合物光導電材料とその製法〔ＧａＡｓ，　　ＣｄＳなど〕
H01L 31/08, L ・化合物光導電装置〔ＧａＡｓ，　　ＣｄＳなど〕
H01L 31/08, M 光合物光導電材料，製法，装置〔酸化物半導体〕
H01L 31/08, N 化合物光導電材料，製法，装置〔ＨｇＣｄＴｅ　　（ＭＣＴ），　　ＩｎＳｂ　　など赤外線検知用〕
H01L 31/08, P 化合物光導電材料製造装置
H01L 31/08, Q 電子写真用光導電体
H01L 31/08, R 撮像管用ターゲット〔Ｓｉ，　　Ｇｅ〕
H01L 31/08, S 撮像管用ターゲット〔化合物半導体〕
H01L 31/08, T 有機物光導電体
H01L 31/08, Z その他
H01L 31/10 ・・少くとも１つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの，例．フォトトランジスタ
H01L 31/10, A フォトダイオード，フォトトランジスタ
H01L 31/10, B ・アバランシェ型
H01L 31/10, C ・ショットキ接合を用いるもの
H01L 31/10, D ・多色受光
H01L 31/10, E 電界効果型
H01L 31/10, F フォトサイリスタ
H01L 31/10, G 周辺回路
H01L 31/10, H 電極に特徴のあるもの
H01L 31/10, Z その他のもの
H01L 31/12 ・１つ以上の電気光源，例．エレクトロルミネッセンス光源，と構造的に結合されたもの，例．１つの共通基板内または基板上に形成されたもの，およびその電気光源と電気的または光学的に結合されたもの（エレクトロルミネッセンス素子および光電池を用いた増幅器Ｈ０３Ｆ１７／００；エレクトロルミネッセンス光源それ自体Ｈ０５Ｂ３３／００）
H01L 31/12, A フォトカップラ，フォトアイソレータ
H01L 31/12, B ・モノリシック型〔受発光素子を一体化した素子で，基板同一〕
H01L 31/12, C ・積層型「図」
H01L 31/12, D ・透過型「図」
H01L 31/12, E ・反射型「図」
H01L 31/12, F ・周辺回路〔付属電気回路，制御用〕
H01L 31/12, G ・応用装置〔光ファイバを用いたもの〕
H01L 31/12, H 発光デバイスのモニタ〔発光の検出チェック〕
H01L 31/12, J 発光・受光兼用デバイス〔一素子で両用のもの〕
H01L 31/12, Z その他のもの
H01L 31/14 ・・輻射線に感応する半導体装置によって制御される光源，例．像変換器，像増幅器，像蓄積装置
H01L 31/14, A 光−光変換デバイス
H01L 31/14, B 像変換デバイス
H01L 31/14, Z その他のもの
H01L 31/16 ・・光源によって制御される輻射線に感応する半導体装置
H01L 31/16, A フォトポテンシオメータ
H01L 31/16, B 光による位置の検出〔カメラの測距〕
H01L 31/16, Z その他のもの
H01L 31/18 ・これらの装置またはその部品の製造または処理に特有な方法または装置（それらに特有でないもの２１／００）

H01L 33/00 光，例，赤外光，の放出に特に適用される少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置；それらの装置またはその部品の製造，あるいは処理に特に適用される方法または装置；それらの装置の細部（５１／５０が優先；１つの共通基板内または上に形成された複数の構成部品からなる装置２７／１５；半導体レーザＨ０１Ｓ５／００）［２，８］
H01L 33/00, H 完成品の取付
H01L 33/00, J 駆動回路
H01L 33/00, K 試験，測定
H01L 33/00, L 応用装置〔発光装置を用いた完成品〕
H01L 33/00, Z その他のもの
H01L 33/00,100 ・半導体素子本体に特徴のあるもの
H01L 33/00,110 ・・量子効果を奏する構造または超格子を有するもの，例．トンネル接合
H01L 33/00,112 ・・・発光領域内にあるもの，例．量子閉じ込め構造，トンネル障壁
H01L 33/00,120 ・・複数の発光領域を有するもの，例．横方向に不連続な発光層，フォトルミネセント領域が半導体素子本体に集積化されているもの（Ｈ０１Ｌ２７／１５が優先）
H01L 33/00,130 ・・反射構造を有するもの，例．半導体ブラッグ反射鏡
H01L 33/00,140 ・・応力緩和構造を有するもの，例．バッファ層
H01L 33/00,150 ・・電流制御構造を有するもの，例．高濃度ドープ半導体層，電流ブロック構造
H01L 33/00,160 ・・特定の結晶構造や結晶方位を有するもの，例．多結晶，アモルファス，ポーラス
H01L 33/00,162 ・・・発光領域内にあるもの［注．このサブグループに分類を付与した場合には，発光領域の化学組成を特定するために，Ｈ０１Ｌ３３／００，１８０−Ｈ０１Ｌ３３／００，１８８のいずれかにも分類を付与する。］
H01L 33/00,170 ・・特定の形状を有するもの，例．湾曲または面取りされた基板
H01L 33/00,172 ・・・粗面，凹凸面，例．エピタキシャル層の界面にあるもの
H01L 33/00,174 ・・・発光領域にあるもの，例．非プレーナー接合
H01L 33/00,180 ・・発光領域の材料
H01L 33/00,182 ・・・ＩＩ族およびＶＩ族元素のみを有するもの
H01L 33/00,184 ・・・ＩＩＩ族およびＶ族元素のみを有するもの
H01L 33/00,186 ・・・・窒素を含むもの
H01L 33/00,188 ・・・ＩＶ族元素のみを有するもの
H01L 33/00,200 ・電極に特徴があるもの
H01L 33/00,210 ・・特定の形状
H01L 33/00,220 ・・材料
H01L 33/00,222 ・・・透明材料
H01L 33/00,300 ・コーティングに特徴があるもの，例．パシベーション層，反射防止コーティング
H01L 33/00,310 ・・反射コーティング，例．誘電体ブラッグ反射鏡
H01L 33/00,400 ・半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの［注．このグループは，半導体素子本体に接触する要素または，パッケージに集積化された要素を含む。］
H01L 33/00,410 ・・波長変換要素
H01L 33/00,420 ・・封止
H01L 33/00,422 ・・・特定の形状を有するもの
H01L 33/00,424 ・・・材料，例．エポキシ樹脂，シリコン樹脂
H01L 33/00,430 ・・光の形状を形成する要素
H01L 33/00,432 ・・・反射要素
H01L 33/00,440 ・・半導体素子本体へまたは半導体本体から電流を流す部品，例．リードフレーム，ワイヤボンド，ハンダ
H01L 33/00,450 ・・放熱または冷却要素

H01L 35/00 異種材料の接合からなる熱電装置，すなわち他の熱電効果あるいは熱磁気効果を伴いまたは伴わないゼーベックまたはペルチェ効果を示すもの；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置；それらの装置の細部（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置２７／００）［２］
H01L 35/00, S 感温半導体素子・感温スイッチ
H01L 35/00, Z その他のもの
H01L 35/02 ・細部［２］
H01L 35/04 ・・接合の構造的な細部；リードの接続［２］
H01L 35/06 ・・・分離できるもの，例．バネを利用しているもの［２］
H01L 35/08 ・・・分離できないもの，例．セメント接合されたもの，焼結されたもの，ハンダ付けされたもの［２］
H01L 35/10 ・・・リードの接続［２］
H01L 35/12 ・接合の脚部材料の選択［２］
H01L 35/14 ・・無機組成物を用いるもの［２］
H01L 35/16 ・・・テルルまたはセレンまたはイオウからなるもの［２］
H01L 35/18 ・・・ヒ素またはアンチモンまたはビスマスからなるもの（３５／１６が優先）［２］
H01L 35/20 ・・・金属だけからなるもの（３５／１６，３５／１８が優先）［２］
H01L 35/22 ・・・ホウ素，炭素，酸素または窒素を含む化合物からなるもの［２］
H01L 35/24 ・・有機組成物を用いるもの［２］
H01L 35/26 ・・材料内部で連続的または不連続的に変化する組成物を用いるもの［２］
H01L 35/28 ・ペルチェ効果またはゼーベック効果だけで動作するもの［２］
H01L 35/28, C 回路に特徴があるペルチェ・ゼーベツク装置
H01L 35/28, Z その他のもの
H01L 35/30 ・・接合部における熱交換手段に特徴のあるもの［２］
H01L 35/32 ・・装置を形成するセルまたは熱電対の構造または配列に特徴のあるもの［２］
H01L 35/32, A 熱電対の構造・配列〔サーモパイル〕
H01L 35/32, Z その他のもの〔サーモモジュール，発電用〕
H01L 35/34 ・これらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置［２］

H01L 37/00 異種材料の接合を持たない熱電装置；熱磁気装置，例．ネルンスト・エッチングハウゼン効果を利用するもの；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置２７／００）［２］
H01L 37/02 ・誘電率の温度変化を利用するもの，例．キューリー温度の上下で作動するもの［２］
H01L 37/04 ・透磁率の温度変化を利用するもの，例．キューリー温度の上下で作動するもの［２］

H01L 39/00 超電導性またはハイパーコンダクティビティを利用する装置；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置２７／００；セラミック形成技術またはセラミック組成物に特徴のある超電導体Ｃ０４Ｂ３５／００；超電導体またはハイパーコンダクティブの導体，ケーブル，または伝送線路Ｈ０１Ｂ１２／００；超電導コイルまたは巻線Ｈ０１Ｆ；超電導性を利用する増幅器Ｈ０３Ｆ１９／００）［２，４］
H01L 39/00, A 超電導性を利用した装置
H01L 39/00, G ・磁気を利用した装置
H01L 39/00, M ・マイスナー効果を利用した装置
H01L 39/00, C 超電導体の接続〔線材を除く〕
H01L 39/00, S 磁気シールド材
H01L 39/00, Z その他のもの
H01L 39/02 ・細部［２］
H01L 39/02, A 超電導素子の実装〔例．マイクロピン〕
H01L 39/02, B 薄膜〔超電導素子用〕
H01L 39/02, W 回路基板〔超電導素子用〕
H01L 39/02, D 超電導体の積層
H01L 39/02, Z その他のもの
H01L 39/04 ・・容器；マウント［２］
H01L 39/06 ・・電流路に特徴のあるもの［２］
H01L 39/08 ・・素子の形に特徴のあるもの［２］
H01L 39/10 ・・切換手段に特徴のあるもの［２］
H01L 39/12 ・・材料に特徴のあるもの［２］
H01L 39/12, A 合金・金属間化合物系
H01L 39/12, B 有機物系
H01L 39/12, C セラミック系
H01L 39/12, Z その他のもの
H01L 39/14 ・永久超電導装置［２］
H01L 39/14, A 永久電流用機械式スイッチ
H01L 39/14, Z その他のもの
H01L 39/16 ・超電導状態と正常状態との間で切換可能な装置［２］
H01L 39/18 ・・クライオトロン［２］
H01L 39/20 ・・・電力用クライオトロン［２］
H01L 39/22 ・異種材料の接合からなる装置，例．ジョセフソン効果装置［２］
H01L 39/22, A ジョセフソン素子
H01L 39/22, B ・メモリ素子
H01L 39/22, C ・ソリトン・デバイス
H01L 39/22, D ・磁気センサ，電磁場の発生・検出電圧標準用〔点接合型，弱結合型が多い〕
H01L 39/22, G 超電導トランジスタ・多端子素子
H01L 39/22, K 回路に特徴があるもの
H01L 39/22, Z その他のもの
H01L 39/24 ・３９／００に分類されている装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置［２］
H01L 39/24, B 薄膜の製造方法
H01L 39/24, C ・ジョセフソン素子用
H01L 39/24, D ・積層
H01L 39/24, F 薄膜の加工方法
H01L 39/24, J ジョセフソン素子の製造方法
H01L 39/24, K ジョセフソン素子の製造装置
H01L 39/24, W 回路基板の製造方法
H01L 39/24, Z その他のもの

H01L 41/00 圧電装置；電歪装置；磁歪装置；それらの装置またはその部品の製造または処理に特有な方法または装置；それらの装置の細部（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置２７／００；測定用感知素子としての変換器の使用Ｇ０１，Ｇ０４；電気―機械共振器Ｈ０３Ｈ；電気通信用の磁歪変換器Ｈ０４Ｒ１５／００；電気通信用の圧電または電歪変換器Ｈ０４Ｒ１７／００）［２］
H01L 41/02 ・細部
H01L 41/04 ・・圧電または電歪装置のもの［２］
H01L 41/06 ・・磁歪装置のもの［２］
H01L 41/08 ・圧電または電歪装置［２］
H01L 41/08, A 圧電トランス〔電圧−圧力−圧力−電圧で変圧〕
H01L 41/08, B 発電装置
H01L 41/08, E ・円筒型圧電素子ユニット
H01L 41/08, F ・・静圧型
H01L 41/08, G ・平板型圧電素子ユニット
H01L 41/08, C 圧電駆動装置〔ユニモルフトランスデューサ，振動子，主分類は，Ｈ０４Ｒ１７〕
H01L 41/08, J ・全体の形状
H01L 41/08, K ・駆動方法，回路
H01L 41/08, L ・電極に特徴
H01L 41/08, S ・積層構造に特徴
H01L 41/08, N ・・全体の形状
H01L 41/08, P ・・駆動方法，回路
H01L 41/08, Q ・・電極に特徴
H01L 41/08, R ・・ケースに入れる
H01L 41/08, M ・バイモルフ型駆動装置［バイメタル状に振るもの］
H01L 41/08, T ・・駆動方法，回路
H01L 41/08, V ・・電極に特徴
H01L 41/08, U 用途
H01L 41/08, D 半導体と圧電体とからなる素子
H01L 41/08, H 有機，有機＋無機圧電材料を用いた素子
H01L 41/08, Z その他のもの〔加速度圧電センサ〕
H01L 41/12 ・磁歪装置［２］
H01L 41/16 ・材料の選択
H01L 41/18 ・・圧電または電歪装置用［２］
H01L 41/18,101 ・・・無機物の選択
H01L 41/18,101A 単結晶
H01L 41/18,101B 磁器
H01L 41/18,101C ・Ｐｂ，Ｔｉを含むもの
H01L 41/18,101D ・Ｐｂ，Ｔｉ，Ｚｒを含むもの
H01L 41/18,101E ・・Ｐｂ〔Ａ１／２Ｂ１／２〕Ｏ↓３−ＰｂＴｉＯ↓３−ＰｂＺｒＯ↓３
H01L 41/18,101F ・・Ｐｂ〔Ａ１／３Ｂ２／３）Ｏ↓３−ＰｂＴｉＯ↓３−ＰｂＺｒＯ↓３
H01L 41/18,101G ・・Ｐｂ〔Ａ１／４Ｂ３／４〕Ｏ↓３−ＰｂＴｉＯ↓３−ＰｂＺｒＯ↓３
H01L 41/18,101H ・・Ｐｂ〔ＡｘＢｙ…〕−ＰｂＴｉＯ↓３−ＰｂＺｒＯ↓３
H01L 41/18,101J ・４成分素以上
H01L 41/18,101Z その他のもの
H01L 41/18,102 ・・・有機物の選択
H01L 41/20 ・・磁歪装置用［２］
H01L 41/22 ・これらの装置またはその部品の製造または処理に特有な方法または装置（それらに特有でないもの２１／００）
H01L 41/22, A 無機圧電材料の製造方法
H01L 41/22, B 無機圧電材料の分極方法
H01L 41/22, C 有機，有機＋無機圧電材料の製造，分極方法
H01L 41/22, Z その他のもの

H01L 43/00 電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置２７／００）［２］
H01L 43/02 ・細部［２］
H01L 43/02, P 可動部材に特徴があるもの〔例．ポテンショメータ〕
H01L 43/02, Z その他のもの
H01L 43/04 ・・ホール効果装置のもの［２］
H01L 43/06 ・ホール効果装置［２］
H01L 43/06, A 回路に特徴があるもの
H01L 43/06, C 固体インダクタ
H01L 43/06, S ・半導体
H01L 43/06, M ・強磁性体
H01L 43/06, P ・感磁部パターン
H01L 43/06, B ・バイアス磁界
H01L 43/06, D ・電極
H01L 43/06, H ・保護層
H01L 43/06, U ・用途
H01L 43/06, Z その他のもの
H01L 43/08 ・磁界制御抵抗［２］
H01L 43/08, A 回路に特徴があるもの
H01L 43/08, S 半導体磁気抵抗素子
H01L 43/08, M ・強磁性体
H01L 43/08, P ・感磁部パターン
H01L 43/08, B ・バイアス磁界
H01L 43/08, D ・電極
H01L 43/08, H ・保護層
H01L 43/08, U ・用途
H01L 43/08, Z その他のもの
H01L 43/10 ・材料の選択［２］
H01L 43/12 ・これらの装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置［２］
H01L 43/14 ・・ホール効果装置用［２］

H01L 45/00 電位障壁または表面障壁をもたず，整流，増幅，発振またはスイッチングに特に適用される固体装置，例．誘電体三極素子；オブシンスキー効果装置；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置２７／００；超電導性またはハイパーコンダクティビィティを利用する装置３９／００；圧電装置４１／００；バルク負性抵抗効果装置４７／００）［２］
H01L 45/00, A 非晶質半導体に関するもの
H01L 45/00, B ・酸化物ガラスに関するもの
H01L 45/00, C バルク・薄膜型に関するもの
H01L 45/00, Z その他のもの
H01L 45/02 ・固体進行波装置［２］

H01L 47/00 バルク負性抵抗効果装置，例．ガン効果装置；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置２７／００）［２］
H01L 47/02 ・ガン効果装置［２］

H01L 49/00 ２７／００〜４７／００および５１／００に分類されず，他のサブクラスにも分類されない固体装置；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置［２，８］
H01L 49/00, A サーマルプリンタに関するもの
H01L 49/00, Z その他のもの
H01L 49/02 ・薄膜または厚膜装置［２］
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