SB060527

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MicroPatent Login Login name Password MicroPatent Manual Login Temporary Identification Number © 1998 MicroPatent Search scope: US Granted US Applications Years: 1981-2006 Patent/Publication No.: ((US6645885)) or ((US6645785)) or ((US20030210716)) or ((US20030210643)) or ((US20030210633)) 5 patents selected (of 5 matches). Table of Contents 1. US6645885 B2 H01L 20031111 The National University of Singapore Forming indium nitride (InN) and indium gallium nitride (InGaN) quantum dots grown by metal-organic-vapor-phase-epitaxy (MOCVD) 2. US6645785 B2 H01L 20031111 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound 3. US20030210716 A1 H01S 20031113 Canon Kabushiki Kaisha Harmonic generator, method for driving harmonic generator, image- displaying apparatus, image-forming apparatus, optical storage apparatus that employs harmonic generator 4. US20030210643 A1 G11B 20031113 FUJI PHOTO FILM CO., LTD. Optical information recording medium 5. US20030210633 A1 G11B 20031113 FUJI PHOTO FILM CO., LTD. Optical information recording method and optical information recording medium1/5 [Back] [Next] [Text/USPTO] [Img,Txt/EPO] [Img/全頁] メール検討依頼書 US6645885 B2インジウム窒化物（InN）およびインジウム・ガリウムを形成することは、metal-organic-vapor-phase-epitaxy（MOCVD）によって、育てられる（InGaN）量子ドットを窒化するForming indium nitride (InN) and indium gallium nitride (InGaN) quantum dots grown by metal-organic-vapor-phase-epitaxy (MOCVD) The National University of Singapore Institute of Materials Research & Engineering Inventor(s):Chua, Soo Jin ;Li, Peng ;Hao, Maosheng ;Zhang, Ji Application No. 09/963616, Filed 20010927, Issued 20031111 US.Class: 438509 257010 257012 257183 257189 257200 257201 257E21108 257E21126 438022 438046 438047 438060 438065 Int'l Class: H01L02120; H01L021205 H01L03300 H01S00534 H01S005343 【抄録】量子ドットがx Ga 1-x N/In y Ga 1-y N量子ウェル（QWs）において、シングルおよび倍数に埋めたインジウムNitride（InN）およびIndiumの豊富なIndium Gallium Nitride（InGaN）は、TMInおよび／またはTriethylindium（TEIn）、MOCVD成長の間のantisurfactantとしてのEthyldimethylindium、EDMInを用いて形成されるそこにおいて、これらの点からの光ルミネセンス波長は、480ナノメートルから530ナノメートルまで変動する。TMInおよび／または他のIndium前駆体の制御額はずれのないQDsの成立を起動させる際に重大である。そして、そのことはアンモニアおよびTMInの爾後の流れである。この手段は、青くて緑の発光ダイオード（ＬＥＤ）の活動層の成長のために、直ちに運用されることができる。 Abstract: Indium Nitride (InN) and Indium-rich Indium Gallium Nitride (InGaN) quantum dots embedded in single and multiple In x Ga 1-x N/In y Ga 1-y N quantum wells (QWs) are formed by using TMIn and/or Triethylindium (TEIn), Ethyldimethylindium (EDMIn) as antisurfactant during MOCVD growth, wherein the photoluminescence wavelength from these dots ranges from 480 nm to 530 nm. Controlled amounts of TMIn and/or other Indium precursors are important in triggering the formation of dislocation-free QDs, as are the subsequent flows of ammonia and TMIn. This method can be readily used for the growth of the active layers of blue and green light emitting diodes (LEDs). -startpcit--> 2/5 [Back] [Next] [Text/USPTO] [Img,Txt/EPO] [Img/全頁] メール検討依頼書 US6645785 B2団体III窒化物化合物を運用している発光半導体装置Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound Toyoda Gosei Co., Ltd. Inventor(s):Koike, Masayoshi ;Asami, Shinya Application No. 09/909895, Filed 20010723, Issued 20031111 US.Class: 438047 257094 257096 257101 257102 257E33008 257E3303 438022 438046 Int'l Class: H01L03300 【抄録】光源意匠のための放射物層（5）は多層構造を有するために形成される。そして、引受人およびドナー不純物によって、不純物を添加される。多層構造は、以下を勘定に入れることができる：建造物または複数量子ウェル（MQW）が構築する（50）量子ウェル（QW）。この種の建造物については、光源のピークの波長を、規制できる。－その理由は、次のことにある。引受人およびドナー不純物の原子の間の距離は広がる。例えば、協定が作られることが可能であるいくつか多層構造の各々のコンポジット層の厚みを改正すること、不純行為ドープ層、その他の間で投与されていない層5を形成して、それらの構成成分租税負担を改正すること。更に、紫外線色の光度を、改正できる。－その理由は、次のことにある。ドナー不純物および引受人不純行為に不純物を添加することは寄贈者-引受人放出メカニズムおよび多量の運送業者を換価する。例えば、協定が作られることが可能であるいくつかコンポジット層の原料を最適化すること、したがって、前へ更に光源の光度を高めるために、それらの格子の定数を最適化して、それらの構成成分租税負担を最適化すること。 Abstract: An emission layer ( 5 ) for a light source device is formed to have a multi-layer structure, doped with an acceptor and a donor impurity. The multi-layer structure may include a quantum well (QW) structure or a multi quantum well (MQW) structure ( 50 ). With such a structure, a peak wavelength of the light source can be controlled, because the distances between atoms of the acceptor and the donor impurities are widened. Several arrangements can be made by, e.g., altering the thickness of each composite layer of the multi-layer structure, altering their composition ratio, forming undoped layer 5 between the impurity doped layers, and so forth. Further, luminous intensity of ultra violet color can be improved, because doping the donor impurity and the acceptor impurity realizes a donor-acceptor emission mechanism and abundant carriers. Several arrangements can be made by, e.g., optimizing the materials of the composite layers, optimizing their composition ratios, optimizing their lattice constants, and so forth to further enhance the luminous intensity of the light source. Priority: JP 7-86083 19950317 JP 7-86084 19950317 JP 7-209182 19950724 JP 7-209183 19950724 Related Applications: 09/346935 08/616884 19960318 Granted: US5945689 A 20010045564 20011129 A1 3/5 [Back] [Next] [Text/USPTO] [Img,Txt/EPO] [Img/全頁] メール検討依頼書 US20030210716 A1調和生成プログラム、調和ジェネレータを動かすための手段、器具を見せているimage-、映像形成器具、調和生成プログラムを雇う光学倉庫保管器具Harmonic generator, method for driving harmonic generator, image- displaying apparatus, image-forming apparatus, optical storage apparatus that employs harmonic generator Canon Kabushiki Kaisha Inventor(s):Sakata, Hajime ;Furukawa, Yukio Application No. 10/404057, Filed 20030402, A1 Published 20031113 US.Class: 372022 Int'l Class: H01S00310; 【抄録】以下のものが、提供されている。調和生成プログラムは、強拡大のレーザー採光権を生成して、高い変調公課で調整されることができる。先入観流が供給されるときに、半導体レーザは第一出力端採光権を発する。そして、変調している電流が先入観流に上に置かれるときに、1秒は採光権を出力した。続けて第一出力端採光権の中で、波長変換構成要素の中で合っているphase-の波長耐性内部の波長は、そうする。その他は、位相にマッチする波長耐性の外側に、波長を有する。 Abstract: There is provided a harmonic generator generates high power laser light and can be modulated at high modulation rate. The semiconductor laser emits a first output light when a bias current is supplied, and a second output light when a modulating current is superposed to the bias current. On of the first output lights has a wavelength inside of a wavelength tolerance of phase- matching of the wavelength-converting element. The other has a wavelength outside of the wavelength tolerance of phase-matching. Priority: JP 102702/2002 (PAT. 20020404 4/5 [Back] [Next] [Text/USPTO] [Img,Txt/EPO] [Img/全頁] メール検討依頼書 US20030210643 A1光学案内係記録媒体Optical information recording medium FUJI PHOTO FILM CO., LTD. Inventor(s):Usami, Yoshihisa Application No. 10/382987, Filed 20030307, A1 Published 20031113 US.Class: 369286 Int'l Class: G11B00370; G11B00584 G11B00726 【抄録】記録層を含んでいるディスク形の光学案内係記録媒体、圧迫感光性接着材層または接着材層、そして、基板上のこの階級の、そして、500ナノメートルの以下の波長で、レーザー採光権によって、照射を受けることによって、記録して、案内係を再生するための中央ホール（300～600ナノメートルのトラック・ピッチおよび40～150ナノメートルの溝深さ）を有するカバーシート、そこにおいて、基板およびカバーシートは、密接に付着される一部の内周部近隣および外側の円周近隣を勘定に入れている行政区およびより近い癒着行政区の放射長さのための最大値の圧迫感光性接着材層または接着材層が、少なくとも0.4mm.である Abstract: A disk-shaped optical information recording medium comprising a recording layer, a pressure sensitive adhesive layer or an adhesive layer, and a cover sheet in this order on a substrate, and having a central hole, a track pitch of 300 to 600 nm and a groove depth of 40 to 150 nm, for recording and playing back information by being irradiated with a laser light at a wavelength of 500 nm or less, wherein the substrate and the cover sheet are closely adhered via the pressure sensitive adhesive layer or the adhesive layer at a region including a portion of an inner circumference vicinity and an outer circumference vicinity, and the maximum value for the radial length of the closer adhesion region is at least 0.4 mm. Priority: JP 2002-62173 20020307 JP 2002-62174 20020307 JP 2002-62175 20020307 5/5 [Back] [Next] [Text/USPTO] [Img,Txt/EPO] [Img/全頁] メール検討依頼書 US20030210633 A1手段および光学案内係記録媒体を記録している光学案内係Optical information recording method and optical information recording medium FUJI PHOTO FILM CO., LTD. Inventor(s):Usami, Yoshihisa Application No. 10/434280, Filed 20030509, A1 Published 20031113 US.Class: 36905911 Int'l Class: G11B00700; 【抄録】光学案内係がレーザー光線の照射によって、光学案内係記録媒体上の案内係を記録する手段を記録して、手段は次のステップを含む：チャネル・クロックサイクルの幅員より狭い幅員を有する一番上のパルスを用いて、最も短い穴長を有する第1の穴を形成する記録波形を形成すること、２番目に最も短い次位の穴を形成する記録波形を形成することは第1の穴に続いて、上部を用いて、パルスおよび端末は、チャネル・クロックサイクルの幅員より狭い幅員を有する鼓動する、そして、一番上のパルスを用いて、次位の穴より長く端末である穴を形成する記録波形を形成することは鼓動する。そして、少なくとも一つのmultipulseは一番上のパルスおよび終端のパルスの間で形をなした。上記した手段によれば、安定した形状を有する穴を、形成できる。そして、このように、再生された標識のジターはぎりぎりのトラック・ピッチおよび高い記録密度を有する光学案内係記録媒体において、減軽されることができる。 Abstract: An optical information recording method of recording information on an optical information recording medium by irradiation of laser beam, the method comprises the steps of: forming a recording waveform which forms a first pit having a shortest pit length, by using a top pulse having a width narrower than a width of a channel clock cycle; forming a recording waveform which forms a second pit that is second shortest following the first pit, by using the top pulse and a terminal pulse having a width narrower than the width of the channel clock cycle; and forming a recording waveform which forms a pit that is longer than the second pit, by using the top pulse, the terminal pulse, and at least one multipulse formed between the top pulse and the terminal pulse. According to the method described above, pits having stable shape can be formed and thus jitter of reproduced signals can be reduced in an optical information recording medium having a narrow track pitch and high recording density. Priority: JP 2002-133835 20020509 --- End of data re-processed by SGshotEx V11.55 ---